專利名稱：薄膜天線的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種天線的制造方法，尤其涉及一種薄膜天線的制造方法，可應(yīng)用于RFID、手機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、筆記型計(jì)算機(jī)等通訊設(shè)備的天線。
背景技術(shù)：
天線是以電磁波形式接收或輻射無(wú)線電收發(fā)機(jī)射頻信號(hào)的裝置。
常見(jiàn)的天線制造技術(shù)有三種繞線天線(wired antenna)、蝕刻天(etched antenna)與印刷天線(printed antenna)。
繞線天線指以線圈環(huán)繞方式制作天線，通常用于低頻天線。
蝕刻天線指在鋁或銅等金屬上蝕刻出天線圖案，其應(yīng)用廣泛，缺點(diǎn)是成本過(guò)高，且蝕刻所需酸液。
印刷天線指在基板上打印導(dǎo)電材質(zhì)作為天線，缺點(diǎn)是精準(zhǔn)定位印刷具有相當(dāng)難度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種易于實(shí)施、降低成本且符合環(huán)保的薄膜天線的制造方法。
本發(fā)明包含下列步驟提供基板；依據(jù)圖案涂布有機(jī)材料層于基板之上，圖案為薄膜天線以外的應(yīng)去除部份；烘干基板與有機(jī)材料層；形成金屬薄膜于基板與有機(jī)材料層之上；去除有機(jī)材料層與位于有機(jī)材料層之上的金屬薄膜，基板與位于基板之上的金屬薄膜形成一薄膜天線。
有關(guān)本發(fā)明的較佳實(shí)施例及其功效，茲配合圖式說(shuō)明如后。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例。
圖2為本發(fā)明的第二實(shí)施例。
主要元件符號(hào)說(shuō)明10基板20有機(jī)材料層30金屬薄膜40保護(hù)膜50薄膜天線具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1為本發(fā)明的第一實(shí)施例，薄膜天線的制造方法包含下列步驟步驟(a)提供基板10，基板的材質(zhì)可為聚醯亞胺(polyimide)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、玻璃、壓克力樹(shù)脂。
步驟(b)采用網(wǎng)版印刷方式依據(jù)一圖案涂布有機(jī)材料層20于基板10之上，圖案為天線以外的應(yīng)去除部份，有機(jī)材料層可為熱烘型油墨、水溶性樹(shù)脂、水溶性乳膠、水溶性聚乙烯醇。
步驟(c)烘干基板10與有機(jī)材料層20，烘干方式可采用加熱、紫外線照射方式。
步驟(d)形成金屬薄膜30于基板10與有機(jī)材料層20之上，形成方式采用蒸發(fā)鍍膜或?yàn)R鍍，金屬薄膜30可為銅、鎳銅合金或銀，金屬薄膜的厚度介于2000至5000埃()，較佳實(shí)施例為3000埃()。
步驟(e)以水或酸液清洗，而去除有機(jī)材料層20與位于有機(jī)材料層20之上的金屬薄膜30，較佳實(shí)施例是以水清洗，易于實(shí)施并可避免環(huán)境污染。
步驟(f)以基板10與位于基板10之上的金屬薄膜30形成薄膜天線50。
請(qǐng)參照?qǐng)D2為本發(fā)明的第二實(shí)施例，薄膜天線的制造方法包含下列步驟步驟(a)提供基板10，基板的材質(zhì)可為聚醯亞胺(polyimide)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、玻璃、壓克力樹(shù)脂。
步驟(b)采用網(wǎng)版印刷方式依據(jù)一圖案涂布有機(jī)材料層20于基板10之上，圖案為天線以外的應(yīng)去除部份，有機(jī)材料層可為熱烘型油墨。
步驟(c)烘干基板10與有機(jī)材料層20，烘干方式可采用加熱、紫外線照射方式。
步驟(d)形成金屬薄膜30于基板10與有機(jī)材料層20之上，形成方式采用蒸發(fā)鍍膜或?yàn)R鍍，金屬薄膜30可為銅、鎳銅合金或銀，金屬薄膜的厚度介于2000至5000埃()，較佳實(shí)施例為3000埃()。
步驟(e)形成保護(hù)膜40于金屬薄膜30之上，保護(hù)膜可為抗氧化膜以涂布方式形成，亦可為鎳以蒸發(fā)鍍膜或?yàn)R鍍方式形成。
步驟(f)以水或酸液清洗，而去除有機(jī)材料層20與位于有機(jī)材料層20之上的金屬薄膜30與保護(hù)膜40，較佳實(shí)施例是以水清洗，易于實(shí)施并可避免環(huán)境污染。
步驟(g)以基板10與位于基板10之上的金屬薄膜20與保護(hù)膜40形成薄膜天線50。
本發(fā)明所提供薄膜天線的制造方法，以網(wǎng)版印刷方式在基板10之上形成有機(jī)材料層20，烘干后形成金屬薄膜30于基板10與有機(jī)材料層20之上，以清洗方式去除有機(jī)材料層20及其上的金屬薄膜30，而形成薄膜天線50。本發(fā)明采用清洗方式以去除天線圖案以外部份，易于實(shí)施、降低成本且符合環(huán)保。
雖然本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容已經(jīng)以較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，皆應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜天線的制造方法，包含下列步驟提供一基板；依據(jù)一圖案涂布一有機(jī)材料層于該基板之上；烘干該基板與該有機(jī)材料層；形成一金屬薄膜于該基板與該有機(jī)材料層之上；去除該有機(jī)材料層與位于該有機(jī)材料層之上的該金屬薄膜；以及以該基板與位于該基板之上的該金屬薄膜形成一薄膜天線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該基板的材質(zhì)選自聚醯亞胺polyimide、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯PET、聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、玻璃、壓克力樹(shù)脂所組成的群組。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該涂布有機(jī)材料層的步驟是采用網(wǎng)版印刷方式。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該烘干步驟是采用加熱方式。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該烘干步驟是采用紫外線照射方式。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成金屬薄膜步驟是采用蒸發(fā)鍍膜方式。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銅所形成。
8.如權(quán)利要求6所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為鎳銅合金所形成。
9.如權(quán)利要求6所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銀所形成。
10.如權(quán)利要求6所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度介于2000至5000。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度為3000。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成金屬薄膜步驟是采用濺鍍方式。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銅所形成。
14.如權(quán)利要求12所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為鎳銅合金所形成。
15.如權(quán)利要求12所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銀所形成。
16.如權(quán)利要求12所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度介于2000至5000。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度為3000。
18.如權(quán)利要求1所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該去除步驟是以一液體清洗。
19.如權(quán)利要求18所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該液體為水。
20.如權(quán)利要求18所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該液體為酸液。
21.一種薄膜天線的制造方法，包含下列步驟提供一基板；依據(jù)一圖案涂布一有機(jī)材料層于該基板之上；烘干該基板與該有機(jī)材料層；形成一金屬薄膜于該基板與該有機(jī)材料層之上；形成一保護(hù)膜于該金屬薄膜之上；去除該有機(jī)材料層與位于該有機(jī)材料層之上的該金屬薄膜與該保護(hù)膜；以及以該基板與位于該基板之上的該金屬薄膜與該保護(hù)膜形成一薄膜天線。
22.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該基板的材質(zhì)選自聚醯亞胺polyimide、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯PET、聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、玻璃、壓克力樹(shù)脂。
23.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該涂布有機(jī)材料層的步驟是采用網(wǎng)版印刷方式。
24.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該烘干步驟是采用加熱方式。
25.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該烘干步驟是采用紫外線照射方式。
26.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成金屬薄膜步驟是采用蒸發(fā)鍍膜方式。
27.如權(quán)利要求26所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銅所形成。
28.如權(quán)利要求26所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為鎳銅合金所形成。
29.如權(quán)利要求26所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銀所形成。
30.如權(quán)利要求26所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度介于2000至5000。
31.如權(quán)利要求30所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度為3000。
32.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該鍍金屬薄膜步驟是采用濺鍍方式。
33.如權(quán)利要求32所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銅所形成。
34.如權(quán)利要求32所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為鎳銅合金所形成。
35.如權(quán)利要求32所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜為銀所形成。
36.如權(quán)利要求32所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度介于2000至5000。
37.如權(quán)利要求36所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該金屬薄膜的厚度為3000。
38.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成保護(hù)膜步驟是采用涂布方式。
39.如權(quán)利要求38所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該保護(hù)膜為一抗氧化膜。
40.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成保護(hù)膜步驟是采用蒸發(fā)鍍膜方式。
41.如權(quán)利要求40所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該保護(hù)膜為鎳所形成。
42.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該形成保護(hù)膜步驟是采用濺鍍方式。
43.如權(quán)利要求42所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該保護(hù)膜為鎳所形成。
44.如權(quán)利要求21所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該去除步驟是以一液體清洗。
45.如權(quán)利要求44所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該液體為水。
46.如權(quán)利要求44所述的薄膜天線的制造方法，其特征在于，該液體為酸液。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜天線的制造方法，包含下列步驟提供基板；依據(jù)圖案涂布有機(jī)材料層于基板之上；烘干基板與有機(jī)材料層；形成金屬薄膜于基板與有機(jī)材料層之上；及去除有機(jī)材料層與位于有機(jī)材料層之上的金屬薄膜，基板與位于基板之上的金屬薄膜形成一薄膜天線。
文檔編號(hào)H05K3/10GK101017925SQ200610007320
公開(kāi)日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2006年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月9日
發(fā)明者呂昆達(dá), 盧信沖, 林漢倫 申請(qǐng)人:晟輝科技股份有限公司