專利名稱：封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于裝載IC芯片的封裝基板，更詳細(xì)地說(shuō)，本發(fā)明涉及分別在上表面和下表面形成了IC芯片連接用的焊接區(qū)(pad)和母板、子板等基板的連接用的焊接區(qū)的封裝基板。
背景技術(shù)：
高集成度IC芯片裝載在封裝基板上，與母板、子板等基板連接。圖23示出將IC芯片80裝載在封裝基板600上并安裝在母板90上的狀態(tài)，參照?qǐng)D23說(shuō)明該封裝基板的構(gòu)成。該封裝基板600在芯片襯底630的兩面形成導(dǎo)體電路658A、658B，在該導(dǎo)體電路658A、658B的上層形成導(dǎo)體電路658C、658D，中間隔著層間樹脂絕緣層650，在該導(dǎo)體電路658C、658D的上層配置層間樹脂絕緣層750。而且，在該層間樹脂絕緣層650上形成通孔660B、660A，在層間樹脂絕緣層750上形成通孔660D、660C。另一方面，在IC芯片80一側(cè)的表面(上表面)上形成焊接凸點(diǎn)676U，用來(lái)與IC芯片80的焊接區(qū)82連接，在子板6000的表面(下表面)上形成焊接凸點(diǎn)676D，用來(lái)與母板90的焊接區(qū)92連接。該焊接凸點(diǎn)676U在焊接區(qū)675U上形成，焊接凸點(diǎn)676D在焊接區(qū)675D上形成。這里，為了實(shí)現(xiàn)焊接凸點(diǎn)676U、676D的可靠連接，在IC芯片80和封裝基板600之間密封了樹脂84，同樣，在封裝基板600和母板90之間密封了樹脂94。
如上所述，封裝基板600用來(lái)連接高集成度IC芯片80與母板90。即，IC芯片80的焊接區(qū)82直徑小，為133～170μm，母板90一側(cè)的焊接區(qū)92直徑大，為600μm，不能直接將IC芯片安裝在母板上，所以，利用封裝基板進(jìn)行中繼。
封裝基板分別與上述IC芯片的焊接區(qū)82和母板的焊接區(qū)92的大小對(duì)應(yīng)地形成IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)675U和母板一側(cè)的焊接區(qū)675D。因此，焊接區(qū)675U的面積占封裝基板600的IC芯片一側(cè)的表面面積的比例和焊接區(qū)675D的面積占封裝基板600的母板一側(cè)的表面面積的比例不同。這里，層間絕緣層650和芯片襯底630由樹脂形成，焊接區(qū)675U、675D由鎳等金屬形成。因此，在制造工序中，當(dāng)利用層間樹脂絕緣層650、750的硬化和干燥等使該樹脂部分收縮時(shí)，由于上述焊接區(qū)675U的面積占IC芯片一側(cè)的表面面積的比例和焊接區(qū)675D的面積占母板一側(cè)的表面面積的比例的差，會(huì)出現(xiàn)封裝基板向IC芯片進(jìn)行一側(cè)翹曲的情況。進(jìn)而，當(dāng)裝載IC芯片實(shí)際使用時(shí)，在因IC芯片發(fā)熱而反復(fù)收縮的情況下，由于該樹脂部分和金屬部分即焊接區(qū)的收縮率的差，也會(huì)產(chǎn)生翹曲。
另一方面，在作為封裝基板使用的多層基板中，將多層導(dǎo)體電路中的1層導(dǎo)體電路作為接地層或電源層使用，其目的是為了降低噪聲等。但是，在如圖23所示那樣的現(xiàn)有的多層布線基板中，該接地層(或電源層)與外部端子的連接是通過(guò)布線來(lái)進(jìn)行的。即，在基板630的上層形成成為接地層的布線658A、658B(導(dǎo)體電路)。該布線(接地層)658B經(jīng)通孔660B與布線658D-S連接，該布線658D-S經(jīng)通孔660D與焊接凸點(diǎn)676U連接。
這里，接地層658D和焊接凸點(diǎn)676U的連接是通過(guò)布線658D-S進(jìn)行的，所以，該布線658D-S容易引起噪聲，該噪聲便成為連接在集成芯片等的多層布線基板上的電子元件的誤操作的原因。此外，還需要留出在多層布線基板內(nèi)對(duì)該布線進(jìn)行走線的空間，這就阻礙了高密度化的實(shí)現(xiàn)。
另一方面，一般在封裝基板的內(nèi)部形成電容器，用來(lái)降低IC芯片和母板之間的信號(hào)的噪聲等。在圖23所示的例子中，將設(shè)在芯片襯底630的兩面的內(nèi)層導(dǎo)體電路658B、658A作為電源層和接地層形成，由此，介入芯片襯底630形成了電容器。
圖24(A)是在芯片襯底630的上面形成的內(nèi)層導(dǎo)體電路658B的平面圖。在該內(nèi)層導(dǎo)體電路658B上形成接地層638G以及上下層連接用的接點(diǎn)(land)焊接區(qū)640。在該接點(diǎn)焊接區(qū)640的周圍形成絕緣緩沖帶642。
接點(diǎn)焊接區(qū)640由貫通圖23所示的芯片襯底630的通孔636的接點(diǎn)640a、與貫通上層的層間絕緣樹脂層650的通孔660A連接的焊接區(qū)640b和連接接點(diǎn)640a和焊接區(qū)640b的布線640c構(gòu)成。
這里，在現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板中，接點(diǎn)640a和焊接區(qū)640b是通過(guò)布線640c連接的，所以，上層導(dǎo)體層和下層導(dǎo)體層之間的傳送路徑長(zhǎng)，信號(hào)傳送速度慢，同時(shí)接觸電阻高。
此外，如圖24A所示那樣，在焊接區(qū)640中，在布線640C和接點(diǎn)640a之間及布線640C和焊接區(qū)640b之間的連接部可能存在角部K。在封裝基板的熱循環(huán)中，因用樹脂做的芯片襯底630及層間樹脂絕緣層650和用銅等金屬做的焊接區(qū)640的熱膨脹系數(shù)不同，故應(yīng)力集中在該角部K，如圖23所示那樣，在層間樹脂絕緣層650產(chǎn)生裂縫L1，該層間樹脂絕緣層650上的導(dǎo)體電路658D或通孔660D會(huì)出現(xiàn)斷線。
另一方面，母板90一側(cè)的焊接凸點(diǎn)676D經(jīng)通孔660D-布線678-焊接區(qū)675與內(nèi)層的導(dǎo)體電路658C連接。圖24(B)示出圖23中的通孔660D和焊接凸點(diǎn)675D的從C側(cè)看過(guò)去的放大圖。放置焊接凸點(diǎn)676D的焊接凸點(diǎn)675呈圓形，如上所述，經(jīng)布線678與呈圓形的通孔660D連接。
IC芯片80反復(fù)處于工作中的高溫狀態(tài)和工作結(jié)束時(shí)冷卻到常溫的狀態(tài)的熱循環(huán)中。這里，由硅形成的IC芯片和由樹脂形成的封裝基板600的熱膨脹系數(shù)相差很大，所以，在該熱循環(huán)中，封裝基板600會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，封裝基板600和母板90之間的密封樹脂94會(huì)產(chǎn)生裂縫L2。這里，當(dāng)該樹脂94產(chǎn)生裂縫L2時(shí)，該裂縫L2伸長(zhǎng)并使封裝基板600的通孔660D和焊接凸點(diǎn)675D的連接斷開。即，如圖24(C)示出的圖23中的通孔660D和焊接凸點(diǎn)675的從D側(cè)看過(guò)去的放大圖那樣，連接放置焊接凸點(diǎn)676D的焊接凸點(diǎn)675D和通孔660D的布線678會(huì)因裂縫L2的存在而斷線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種具有焊接凸點(diǎn)的不翹曲的封裝基板。
本發(fā)明的目的還在于提供一種不容易受噪聲影響的多層布線基板和多層印刷布線基板。
本發(fā)明的目的還在于提供一種封裝基板，可以縮短上層布線和下層布線之間的傳送距離。
本發(fā)明的目的還在于提供一種封裝基板，在焊接凸點(diǎn)和通孔之間不會(huì)出現(xiàn)斷線。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種封裝基板，該封裝基板具有最外層的導(dǎo)體電路、支撐最外層的導(dǎo)體電路的絕緣層和設(shè)在該絕緣層下側(cè)的內(nèi)層導(dǎo)體電路的多層布線基板，其特征在于上述內(nèi)層導(dǎo)體電路是電源層和/或接地層，在貫通上述絕緣層并與上述內(nèi)層導(dǎo)體電路連接的通孔上形成了焊接凸點(diǎn)。
本發(fā)明還提供了一種封裝基板，該封裝基板是具有內(nèi)層的第1導(dǎo)體電路、在該第1內(nèi)層導(dǎo)體電路上形成的第1層間樹脂絕緣層、在該第1層間樹脂絕緣層上形成的內(nèi)層的第2導(dǎo)體電路、在該第2導(dǎo)體電路上形成的第2層間樹脂絕緣層和在該第2層間樹脂絕緣層上形成的最外層的導(dǎo)體電路的多層布線基板，其特征在于上述內(nèi)層的第2導(dǎo)體電路是電源層和/或接地層，在貫通上述第2層間樹脂絕緣層并與上述第2導(dǎo)體電路連接的通孔上形成了焊接凸點(diǎn)。
本發(fā)明還提供了一種封裝基板，其中，在芯子基板的兩面上形成導(dǎo)體層，進(jìn)而經(jīng)層間樹脂絕緣層再形成導(dǎo)體層，將上述芯子基板某一面的導(dǎo)體層作為電極層使用，其特征在于將配置在形成上述電極層的導(dǎo)體層上的芯子基板貫通用的通孔的接點(diǎn)和與貫通上面一側(cè)的層間樹脂絕緣層的通孔連接用的焊接區(qū)做成一體化。
本發(fā)明還提供了一種封裝基板，其中，在芯子基板的兩面上形成導(dǎo)體層，進(jìn)而經(jīng)層間樹脂絕緣層再形成導(dǎo)體層，將上述某一層間樹脂絕緣層上面的導(dǎo)體層作為電極層使用，其特征在于將配置在形成上述電極層的導(dǎo)體層上的貫通下面層間樹脂絕緣層的通孔的接點(diǎn)和與貫通上面一側(cè)的層間樹脂絕緣層的通孔連接用的焊接區(qū)做成一體化。
本發(fā)明還提供了一種封裝基板，經(jīng)多層層間樹脂絕緣層形成多層導(dǎo)體電路，在安裝IC芯片一側(cè)的表面和連接到其它基板一側(cè)的表面上形成焊接凸點(diǎn)，在該連接到其它基板上的一側(cè)的表面與該其他基板之間進(jìn)行樹脂密封，其特征在于在通孔上形成了該連接到其它基板上的一側(cè)表面的焊接凸點(diǎn)。
本發(fā)明還提供了一種封裝基板，經(jīng)多層層間樹脂絕緣層形成多層導(dǎo)體電路，在安裝IC芯片一側(cè)的表面和連接到其它基板一側(cè)的表面上形成焊接凸點(diǎn)，在該連接到其它基板上的一側(cè)的表面與該其他基板之間進(jìn)行樹脂密封，其特征在于在多個(gè)通孔上形成了該連接到其它基板上的一側(cè)表面的焊接凸點(diǎn)。
在本發(fā)明中，封裝基板的IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)小，金屬部分焊接區(qū)所占的比例也小，母板等基板一側(cè)的焊接區(qū)大，金屬部分的比例也大。這里，在封裝基板的IC一側(cè)的導(dǎo)體電路的圖形之間形成虛擬圖形，由此，增加金屬部分，從而調(diào)整該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，使封裝基板不產(chǎn)生翹曲。這里，所謂虛擬圖形是指沒有電連接或電容器等的存在，單單是機(jī)械意義上的圖形。
在本發(fā)明中，封裝基板的IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)小，金屬部分焊接區(qū)所占的比例也小，母板等基板一側(cè)的焊接區(qū)大，金屬部分的比例也大。這里，在封裝基板的IC芯片一側(cè)的導(dǎo)體電路的外周形成虛擬圖形，由此，增加金屬部分，從而調(diào)整該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，同時(shí)，利用金屬制的虛擬圖形來(lái)提高封裝基板外周部分的機(jī)械強(qiáng)度，使封裝基板不產(chǎn)生翹曲。
再有，在本發(fā)明中，虛擬圖形可以與電源或接地層電連接，或者，虛擬圖形的本身也可以是電源或接地層。如此，可以防止信號(hào)線的噪聲。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面圖。
圖2是圖1所示的封裝基板的X1-X1橫截面圖。
圖3～圖9是表示本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板的制造工序的圖。
圖10是表示本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面圖。
圖11(A)是第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板的平面圖，圖11(B)是IC芯片的底面圖。
圖12是表示在圖10所示的封裝基板上放置IC芯片并安裝在母板上的狀態(tài)的截面圖。
圖13是表示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的多層印刷布線基板的截面圖。
圖14是表示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的變形例的多層印刷布線基板的構(gòu)成的截面圖。
圖15是表示本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面圖。
圖16(A)是第4實(shí)施形態(tài)的封裝基板的形成了內(nèi)層銅圖形的芯片襯底的平面圖，圖16(B)是圖16(A)的局部放大平面圖。
圖17是表示本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板的截面圖。
圖18(A)是第4實(shí)施形態(tài)的變形例的在封裝基板上形成的導(dǎo)體電路的平面圖，圖18(B)是圖18(A)的局部放大平面圖。
圖19是表示本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面圖。
圖20是表示在圖19所示的封裝基板上放置IC芯片并安裝在母板上的狀態(tài)的截面圖。
圖21是表示本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板的截面圖。
圖22是圖21的封裝基板的X5-X5橫截面圖。
圖23是現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板的截面圖。
圖24(A)是圖23的內(nèi)層導(dǎo)體電路的平面圖，圖24(B)是圖23的C矢視圖，圖24(C)是圖23的D矢視圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施形態(tài))參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板的構(gòu)成。圖1示出第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面形狀，該封裝基板構(gòu)成所謂集成電路封裝，用來(lái)在上面放置了集成電路(未圖示)的狀態(tài)下將其安裝到母板(未圖示)上。該封裝基板在上面設(shè)有用來(lái)與集成電路的焊接凸點(diǎn)側(cè)連接的焊接凸點(diǎn)76U，在下面一側(cè)設(shè)有用來(lái)與母板的焊接凸點(diǎn)連接的焊接凸點(diǎn)76D，在該集成電路和母板之間起傳送信號(hào)等和對(duì)從母板來(lái)的電源供給進(jìn)行中繼的作用。
在封裝基板的芯片襯底30的上面和下面上形成作為接地層的內(nèi)層銅圖形34U、34D。此外，在內(nèi)層銅圖形的34U的上層介入層間樹脂絕緣層50形成作為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U、虛擬圖形58M和通孔60U，通孔60U貫通該層間樹脂絕緣層50。在導(dǎo)體電路58U和虛擬圖形58M的上層，通過(guò)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158U和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160U，在該導(dǎo)體電路158U和通孔160U上形成支撐焊接凸點(diǎn)76U的焊接區(qū)75U。這里，IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)75U的直徑為133～177μm。
另一方面，在芯片襯底30的下面?zhèn)鹊慕拥貙?內(nèi)層銅圖形)34D的上層(這里的上層意味著以基板30為中心，基板的上面稱上側(cè)，基板的下面稱下側(cè))，經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成作為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58D。在該導(dǎo)體電路58D的上層，通過(guò)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158D和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160D，在該導(dǎo)體電路158D和通孔160D上形成支撐焊接凸點(diǎn)76D的焊接區(qū)75D。這里，母板一側(cè)的焊接區(qū)75D的直徑為600μm。
圖2示出圖1的X1-X1截面。即，圖2示出封裝基板的橫截面，圖2中的X1-X1縱截面與圖1相當(dāng)。如圖2所示，在構(gòu)成信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U-導(dǎo)體電路58U之間形成虛擬圖形58M。這里，所謂虛擬圖形是指沒有電連接或電容器等的存在，單單是機(jī)械意義上的圖形。
與圖23的上述現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板相同，第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板，其IC芯片一側(cè)的表面(上面)配置的焊接區(qū)小(直徑為133～177μm)，故焊接區(qū)金屬部分占的比例小。另一方面，母板等的表面(下面)配置的焊接區(qū)大(直徑為600μm)，故金屬部分占的比例大。這里，在本實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，在形成封裝基板的IC芯片一側(cè)的信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U、58U之間形成虛擬圖形58M，所以，金屬部分增加了，從而調(diào)整了該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，在后述的封裝基板的制造工序和使用中，封裝基板不會(huì)發(fā)生翹曲。
接下來(lái)，舉例具體說(shuō)明圖1所示的封裝基板的制造方法。首先，說(shuō)明A.非電解電鍍用粘接劑、B.層間樹脂絕緣劑、C.樹脂填充劑、D.阻焊劑的組成。
A.配制非電解電鍍用粘接劑的原料組合物(上層用粘接劑)樹脂組合物①將濃度25％的甲酚型環(huán)氧樹脂(日本化藥制，分子量2500)和濃度80wt％的丙烯基化合物溶解在DMDG中形成樹脂溶液，將35單位重量的該樹脂溶液、3.15單位重量的感光性單體(東亞合成制，ARONIXM315)、0.5單位重量的消泡劑(SAMNOPUKO制，S-65)和3.6單位重量的NMP攪拌混合后得到。
樹脂組合物②將12單位重量的聚醚磺(PES)、7.2單位重量的平均粒徑為1.0μm的環(huán)氧樹脂顆粒(三洋化成制，POLYMERPOLE)和3.09單位重量平均粒徑為0.5μm的環(huán)氧樹脂顆粒混合后，進(jìn)而添加30單位重量的NMP，用珠泡混合機(jī)(beads mixer)攪拌混合后得到。
硬化劑組合物③將2單位重量的咪唑硬化劑(四國(guó)化成制，2E4MZ-CN)、2單位重量的光起始劑(CIBA GEIGY IRUGAKYUA I-907)、0.2單位重量的光增感劑(日本化藥制，DETX-S)和1.5單位重量的NMP攪拌混合后得到。
B.配制層間樹脂絕緣劑用的原料組合物(下層用粘接劑)樹脂組合物①將濃度25％的甲酚型環(huán)氧樹脂(日本化藥制，分子量2500)和濃度80wt％的丙烯基化合物溶解在DMDG中形成樹脂溶液，將35單位重量的該樹脂溶液、3.15單位重量的感光性單體(東亞合成制，ARONIXM315)、0.5單位重量的消泡劑(SAMNOPUKO制，S-65)和3.6單位重量的NMP攪拌混合后得到。
樹脂組合物②將12單位重量的聚醚磺(PES)和14.49單位重量的平均粒徑為0.5μm的環(huán)氧樹脂顆粒(三洋化成制，POLYMERPOLE)混合后，進(jìn)而添加30單位重量的NMP，用珠泡混合機(jī)(beads mixer)攪拌混合后得到。
硬化劑組合物③將2單位重量的咪唑硬化劑(四國(guó)化成制，2E4MZ-CN)、2單位重量的光起始劑(CIBA GEIGY IRUGAKYUA I-907)、0.2單位重量的光增感劑(日本化藥制，DETX-S)和1.5單位重量的NMP攪拌混合后得到。
C.配制樹脂填充劑用的用的原料組合物樹脂組合物①將100單位重量的雙酚F型環(huán)氧單體(油化雪陸(シエル)制，分子量310，YL983U)、170單位重量的表面涂敷了硅烷粘接劑的平均粒徑為1.6μm的SiO2球狀顆粒(ADOMATEC制，CRS 1101-CE，這里最大顆粒的大小在后述內(nèi)層銅圖形的厚度(15μm)以下)和1.5單位重量的平整劑(SAMNOPUKO制，PELENOLE S4)攪拌混合，并在23±1℃的狀態(tài)下將該混合物的粘度調(diào)整到45000～49000cps后得到。
硬化劑組合物②6.5單位重量的咪唑硬化劑(四國(guó)化成制，2E4MZ-CN)。
D.阻焊劑組合物將溶解在DMDG中的60％重量的甲酚型環(huán)氧樹脂(日本化藥制)的50％環(huán)氧基丙烯化后得到感光性低聚物(分子量4000)，將46.67克這樣的感光性低聚物、15.0克溶解在甲基乙基酮中的80％重量的雙酚A型樹脂(油化雪陸制，EPICOTE 1001)、1.6克咪唑硬化劑(四國(guó)化成制，2E4MZ-CN)、3克的感光性單體的多價(jià)丙烯基單體(日本化藥制，R604)、1.5克的多價(jià)丙烯基單體(共榮社化學(xué)制，DPE6A)和0.71克分散系消泡劑(SAMNOPUKO制造，S-65)混合，進(jìn)而對(duì)該混合物添加2克的作為光起始劑的二苯丙酮(關(guān)東化學(xué)制造)和0.2克的作為光增感劑的米期勒氏酮(關(guān)東化學(xué)制造)，在25的狀態(tài)下將該混合物的粘度調(diào)整到2.0Pa·s后得到阻焊劑混合物。
再有，粘度測(cè)定使用B型粘度計(jì)(東京計(jì)器，DVL-B型)，60rpm時(shí)使用轉(zhuǎn)子No.4，6rpm時(shí)使用轉(zhuǎn)子No.3。
接下來(lái)，參照?qǐng)D3～9說(shuō)明封裝基板100的制造方法。
E.封裝基板的制造(1)在由厚度為1mm的玻璃環(huán)氧樹脂或BT(雙馬來(lái)酰亞胺三嗪)樹脂形成的基板30的兩面層壓18μm的銅箔32，形成含銅層疊板30A，并將其作為起始材料(參照?qǐng)D3的工序(A))。首先，對(duì)上述含銅層疊板30A進(jìn)行鉆孔處理，再進(jìn)行非電解電鍍處理，利用圖案蝕刻在基板30的兩面形成內(nèi)層銅圖形34U、34D和通孔36(圖3的工序(B))。
(2)對(duì)形成了內(nèi)層銅圖形34U、34D和通孔36的基板30進(jìn)行水洗，干燥后，作為氧化浴(黑化浴)使用NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)和Na3PO4(6g/l)、作為還原浴使用NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)進(jìn)行氧化-還原處理，由此在內(nèi)層銅圖形34U、34D和通孔36的表面形成了粗化層38(圖3的工序C)。
(3)將配制C的樹脂填充劑用的原料組合物進(jìn)行混合混練后得到樹脂填充劑。
(4)使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)將上述(3)配制后得到的24小時(shí)以內(nèi)的樹脂填充劑40涂敷在基板30的兩面，使其填充在導(dǎo)體電路(內(nèi)層銅圖形)34U和導(dǎo)體電路34U之間和通孔36中，在70℃的條件下干燥20分鐘，對(duì)另一面，同樣將樹脂填充劑填充在導(dǎo)體電路24之間和通孔36中，在70℃的條件下干燥20分鐘(參照?qǐng)D3的工序(D))。
(5)利用使用了#600帶狀研磨紙(三共理化學(xué)制)的帶式磨砂機(jī)研磨上述(4)的處理結(jié)束后的基板30的一個(gè)面，使其內(nèi)層銅圖形34U、34D的表面和通孔36的接點(diǎn)36a的表面不留下樹脂填充劑40，接著，進(jìn)行拋光研磨，用來(lái)除去因上述帶式磨砂機(jī)的研磨引起的擦傷。對(duì)基板的另一面也同樣進(jìn)行這樣的一連串的研磨處理(圖4的工序(E))。
其次，在100℃、120℃、150℃、和180℃的條件下分別進(jìn)行1小時(shí)、3小時(shí)、1小時(shí)和7小時(shí)的加熱處理，使樹脂填充劑40硬化。
這樣一來(lái)，就得到了一種布線基板，該布線基板不但除去了填充在通孔36等的樹脂填充劑40的表層部和內(nèi)層導(dǎo)體電路34U、34D上面的粗化層38，使基板30兩面平滑，而且，樹脂填充劑40和內(nèi)層導(dǎo)體電路34的側(cè)面經(jīng)粗化層38而牢固地粘接在一起，此外，通孔36的內(nèi)壁面和樹脂填充劑40經(jīng)粗化層38而牢固地粘接在一起。即，通過(guò)該工序，使樹脂填充劑40的表面和內(nèi)層銅圖形34的表面在同一平面上。
(6)對(duì)形成導(dǎo)體電路34U、34D的基板30進(jìn)行堿性脫脂和軟刻蝕，其次，使用由氯化鈀和有機(jī)酸形成的觸媒溶液進(jìn)行處理，使其帶有Pd觸媒，在該觸媒活性化后，浸漬在由3.2×10-2mol/l的硫酸銅、3.9×10-3mol/l的硫酸鎳、5.4×10-2mol/l的絡(luò)合物催化劑、3.3×10-1mol/l的次亞磷酸鈉、5.0×10-1mol/l的硼酸和0.1g/l的界面活性劑(日信化學(xué)工業(yè)制，SURFIL 465)構(gòu)成的PH＝9的非電解電鍍液中，浸漬1分鐘后，使之以4秒1次的頻率進(jìn)行縱向和橫向振動(dòng)，在導(dǎo)體電路34和通孔36的接點(diǎn)36A的表面形成由Cu-Ni-P形成的針狀合金覆蓋層和粗化層42(圖4的工序(F))。
進(jìn)而，在溫度為35℃、PH＝1.2的條件下，使0.1mol/l的氟硼化錫和1.0mol/l的硫代尿素進(jìn)行Cu-Sn置換反應(yīng)，在粗化層的表面形成厚度為0.3μm的Sn層(未圖示)。
(7)將配制B的層間樹脂絕緣劑用的原料組合物攪拌混合，將粘度調(diào)整到1.5Pa.s后得到層間樹脂絕緣劑(下層用)。
其次，將配制A的非電解電鍍用粘接劑用的原料組合物攪拌混合，將粘度調(diào)整到7Pa.s后得到非電解電鍍用粘接劑(上層用)。
(8)使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)在上述(6)的基板的兩面涂敷從上述(7)得到的粘度為1.5Pa.s的配制后24小時(shí)以內(nèi)的層間樹脂絕緣劑(下層用)44，在水平狀態(tài)下放置20分鐘后，在60℃的條件下干燥(預(yù)烘烤)30分鐘，其次，涂敷從上述(7)得到的粘度為7Pa.s的配制后24小時(shí)以內(nèi)的感光性粘接劑溶液(下層用)46，在水平狀態(tài)下放置20分鐘后，在60℃的條件下干燥(預(yù)烘烤)30分鐘，形成厚度為35μm的粘接劑50d(圖4的工序(G))。
(9)在上述(8)中形成了粘接劑的基板的兩面，粘接印刷有φ85μm的黑圓的遮光膜(未圖示)，利用超高壓水銀燈以500mJ/cm2的強(qiáng)度曝光。再將其在DMTG溶液中進(jìn)行顯影，進(jìn)而，利用超高壓水銀燈對(duì)該基板30以3000mJ/cm2的強(qiáng)度曝光，在100℃、120℃和150℃的條件下分別進(jìn)行1小時(shí)、1小時(shí)和3小時(shí)的加熱處理(后烘烤)，由此，形成具有相當(dāng)于遮光膜的φ85μm的尺寸精度的開口(通孔形成用開口)48的厚度為35μm的層間樹脂絕緣層(2層構(gòu)成)50(參照?qǐng)D5的工序(H))。再有，在成為通孔的開口48上部分地露出鍍錫層(未圖示)。
(10)將形成開口48的基板在鉻酸中浸漬19分鐘，溶解并除去存在層間樹脂絕緣層50表面的環(huán)氧樹脂顆粒，由此，使該層間樹脂絕緣層50的表面粗化(參照?qǐng)D5的工序(I))，然后，在中和溶液(SPRAY社制)中浸漬后進(jìn)行水洗。
進(jìn)而，通過(guò)對(duì)已進(jìn)行粗面化處理了(粗化深度6μm)的該基板的表面施加鈀觸媒處理，使層間樹脂絕緣層50的表面和通孔用開口48的內(nèi)壁面形成觸媒核。
(11)將基板浸漬在如下組成的非電解電鍍水溶液中，在整個(gè)粗面形成厚度為0.6μm的非電解銅電鍍膜52(參照?qǐng)D5的工序(J))，非電解電鍍水溶液EDTA 150g/l硫酸銅 20g/lHCHO 30g/lNaOH 40g/lα、α’-聯(lián)二吡啶80g/lPGE 0.1g/l非電解電鍍條件在70℃的溶液溫度下進(jìn)行30分鐘(12)在上述(11)中形成的非電解銅電鍍膜52上貼上市售的感光性干膜，再放上掩模，以100mJ/cm2的強(qiáng)度曝光，用0.8％的碳酸鈉進(jìn)行顯影處理，形成厚度為15μm的電鍍抗蝕膜54(參照?qǐng)D5的工序(K))。
(13)接著，在下述條件下對(duì)未形成電鍍抗蝕膜的部分進(jìn)行電解銅電鍍，形成厚度為15μm的電解銅電鍍膜56(參照?qǐng)D5的工序(L))。
電解電鍍水溶液

硫酸 180g/l硫酸銅 80g/l添加劑(ATOTEX JAPAN制，KAPARASIDO GL)1ml/l電解電鍍條件電流密度1A/dm2時(shí)間30分鐘溫度室溫(14)用5％的KOH剝離除去了電鍍抗蝕膜后，再用硫酸和過(guò)氧化氫的混合液對(duì)該電鍍抗蝕膜下的非電解電鍍膜52進(jìn)行蝕刻處理，并將其溶解除去，形成由非電解銅電鍍膜52和電解銅電鍍膜56形成的厚度為18μm的導(dǎo)體電路58U、58D和通孔60U、60D(參照?qǐng)D6的工序(M))。
(15)進(jìn)行與(6)同樣的處理，在導(dǎo)體電路58U、58D和通孔60U、60D的表面形成由Cu-Ni-P形成的粗化面62，進(jìn)而，對(duì)該表面進(jìn)行Sn置換(參照?qǐng)D7的工序(N))。
(16)通過(guò)反復(fù)進(jìn)行上述(7)～(15)的工序，進(jìn)而形成上層的導(dǎo)體電路。即，使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)在基板30的兩面涂敷層間樹脂絕緣劑(下層用)，形成絕緣劑層144。此外，使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)在該絕緣劑層144上涂敷感光性粘接劑(上層用)，形成粘接劑層146(參照?qǐng)D7的工序(O))。在形成了絕緣劑層144和粘接劑層146的基板30的兩面，粘接遮光膜，并進(jìn)行曝光、顯影，形成具有開口(通孔形成用開口148)的層間樹脂絕緣層150，然后，將該層間樹脂絕緣層150做成粗面(參照?qǐng)D7的工序(P))。此后，在進(jìn)行了該粗面化處理的該基板30的表面上形成非電解銅電鍍膜152(參照?qǐng)D8的工序(Q))。接下來(lái)，在非電解銅電鍍膜152上設(shè)置電鍍抗蝕膜154后，在未形成抗蝕膜的部分上形成電解銅電鍍膜156(參照?qǐng)D8的工序(R))。接著，用KOH剝離除去電鍍抗蝕膜154后，溶解除去該電鍍抗蝕膜154下的非電解電鍍膜152，形成導(dǎo)體電路158U、158D和通孔160U、160D(參照?qǐng)D8的工序(S))。接著，在導(dǎo)體電路158和通孔160的表面形成粗化面162，再在該粗化面162的表面上形成粗化層162(圖9的工序9(T))。但是，不對(duì)在該導(dǎo)體電路158和通孔160的表面形成的粗化面162進(jìn)行Sn置換。
(17)在從上述(16)得到的基板30的兩面涂敷45μm厚的上述D.中說(shuō)明了阻焊劑組合物70α。接著，經(jīng)70℃20分鐘和70℃30分鐘的干燥處理后，粘接畫有圓形圖案(掩蔽圖案)的厚度為5mm的遮光膜(未圖示)，以1000mJ/cm2強(qiáng)度的紫外線曝光，進(jìn)行DMTG顯影處理。接著，在80℃、100℃、120℃和150℃的條件下分別進(jìn)行1小時(shí)、1小時(shí)、1小時(shí)和3小時(shí)的加熱處理，形成在焊接區(qū)部分(包含通孔和周圍的接點(diǎn))具有開口(孔徑200μm)71的阻焊層(厚度20μm)70(參照?qǐng)D9的工序(U))。
(18)其次，將該基板30在由2.31×10-1mol/l的氯化鎳、2.8×10-1mol/l的次亞磷酸鈉、1.85×10-1mol/l的檸檬鈉構(gòu)成的PH＝4.5的非電解鎳電鍍液中浸漬20分鐘，在開口部71形成厚度為5μm的鎳電鍍層72。進(jìn)而，在80℃的條件下，將該基板30在由4.1×10-2mol/l的氰化金鉀、1.87×10-1mol/l的氯化銨、1.16×10-1mol/l的檸檬酸鈉和1.7×10-1mol/l的次亞磷酸鈉構(gòu)成的非電解金電鍍液中浸漬7分20秒鐘，在鍍鎳層上形成厚度為0.03μm的鍍金層74，由此，在通孔160U、160D和導(dǎo)體電路158U、158D上形成焊接區(qū)75U、75D(參照?qǐng)D1)。
(19)接著，在阻焊層70的開口部71上刷上焊接膏，并在200℃的條件下進(jìn)行回流(reflow)，由此，形成焊接凸點(diǎn)(焊接體)76U、76D，最后形成封裝基板100(參照?qǐng)D1)。
再有，在上述實(shí)施形態(tài)中，示出了利用半添加劑法形成的封裝基板的例子，但本發(fā)明的構(gòu)成當(dāng)然也適用于利用全添加劑法來(lái)形成的封裝基板。
在第1實(shí)施形態(tài)中，在層間樹脂絕緣層50和層間樹脂絕緣層150之間形成的導(dǎo)體電路58U之間形成虛擬圖形58M，但也可以代之以在芯片襯底30上形成的內(nèi)層銅圖形34D之間或是在最外層導(dǎo)體電路158U之間形成虛擬圖形58M。
如上所述，在第1實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，在形成封裝基板的IC芯片一側(cè)的信號(hào)線的導(dǎo)體電路之間形成虛擬圖形，增加封裝基板的IC芯片一側(cè)的金屬部分，調(diào)整該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，因此，在封裝基板的制造和使用過(guò)程中，不會(huì)發(fā)生翹曲。
(第2實(shí)施形態(tài))參照?qǐng)D10～圖12說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板的構(gòu)成。圖10示出第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板的截面圖。圖11(A)示出封裝基板的平面，圖11(B)示出安裝在該封裝基板上的IC芯片的底面，圖12示出在將IC芯片80裝置在圖10所示的封裝基板的上面的狀態(tài)下將封裝基板安裝在母板90上的狀態(tài)的截面。該封裝基板如圖12所示那樣，上面設(shè)有用來(lái)與IC芯片80的焊接區(qū)82一側(cè)連接的焊接凸點(diǎn)76U，下面一側(cè)設(shè)有用來(lái)與母板90的焊接凸點(diǎn)92連接的焊接區(qū)76D，起在IC芯片80和母板90之間傳送信號(hào)等和對(duì)從母板來(lái)的電源供給進(jìn)行中繼的作用。
如圖10所示那樣，在封裝基板的芯片襯底30的上面和下面形成成為接地層的內(nèi)層銅圖形34U、34D。此外，在內(nèi)層銅圖形的34U的上層介入層間樹脂絕緣層50形成作為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U和通孔60U，通孔60貫通該層間樹脂絕緣層50。在導(dǎo)體電路58U的上層，通過(guò)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158U、虛擬圖形159和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160U。該虛擬圖形159在圖11所示的導(dǎo)體電路158U的外周、即沿封裝基板的周邊部形成。在該導(dǎo)體電路158U和通孔160U上形成支撐焊接凸點(diǎn)76U的焊接區(qū)75U。這里，IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)75U的直徑為120～170μm。
另一方面，在芯片襯底30的下面?zhèn)鹊慕拥貙?內(nèi)層銅圖形)34D的上層經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成作為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58D。在該導(dǎo)體電路58D的上層，通過(guò)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158D和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160D，在該導(dǎo)體電路158D和通孔160D上形成支撐焊接凸點(diǎn)76D的焊接區(qū)75D。這里，母板側(cè)的焊接區(qū)75D的直徑為600～700μm。
圖11(A)是封裝基板200的平面圖、即是圖10的A矢視圖。這里，圖10相當(dāng)圖11(A)的X2-X2縱截面。如圖11(A)和圖10所示，在構(gòu)成信號(hào)線的導(dǎo)體電路158U的外周，在阻焊層70的下層形成寬度10mm的虛擬圖形159。這里，所謂虛擬圖形是指沒有電連接或電容器等的存在，單單是機(jī)械意義上的圖形。
與圖23的上述現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板相同，在第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，其IC芯片80一側(cè)的表面(上面)配置的焊接區(qū)76U小(直徑為120～170μm)，故焊接區(qū)金屬部分占的比例小。另一方面，母板90側(cè)的表面(下面)配置的焊接區(qū)75D大(直徑為600～700μm)，故金屬部分占的比例大。這里，在本實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，在封裝基板的IC芯片一側(cè)的最外層導(dǎo)體電路158U的外周形成虛擬圖形159，所以，封裝基板的靠IC芯片側(cè)的金屬部分增加了，從而調(diào)整了該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，同時(shí)，因金屬制的虛擬圖形159的作用而提高了封裝基板周邊部的機(jī)械強(qiáng)度，在后述的封裝基板的制造和使用過(guò)程中，封裝基板不會(huì)發(fā)生翹曲。
圖11(A)示出已完成的封裝基板的平面圖(圖10的A矢視圖)，圖11(B)示出IC芯片的底面圖。使該封裝基板100在裝載IC芯片80的狀態(tài)下通過(guò)回流爐，如圖12所示，經(jīng)焊接凸點(diǎn)76U安裝該IC芯片。然后，將安裝了IC芯片的封裝基板100安裝在母板90上，使其通過(guò)回流爐，由此進(jìn)行該封裝基板100到母板90的安裝。
該第2實(shí)施形態(tài)～后述的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板的制造方法與參照?qǐng)D3～圖9說(shuō)明過(guò)的上述第1實(shí)施形態(tài)一樣，故省略其說(shuō)明。
再有，在上述第2實(shí)施形態(tài)中，雖然是在層間樹脂絕緣層150上的最外層的導(dǎo)體電路158U的周圍形成了虛擬圖形159，但也可以代之以在芯片襯底30上形成的內(nèi)層銅圖形34D、或者在層間樹脂絕緣層50-層間樹脂絕緣層150之間的導(dǎo)體電路58U的周圍形成虛擬圖形159。
在以上說(shuō)明過(guò)的第2實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，在封裝基板的IC芯片一側(cè)的導(dǎo)體電路的周圍形成虛擬圖形，封裝基板的IC芯片一側(cè)的金屬部分增加了，從而調(diào)整了該IC芯片一側(cè)和母板一側(cè)的金屬部分的比例，在封裝基板的制造和使用過(guò)程中，封裝基板不會(huì)發(fā)生翹曲。
(第3實(shí)施形態(tài))參照?qǐng)D13說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的封裝基板的構(gòu)成。
在封裝基板300的芯片襯底30的上面形成作為信號(hào)線的內(nèi)層銅圖形34U，在下面形成作為信號(hào)線的內(nèi)層銅圖形34D。此外，在內(nèi)層銅圖形34U的上層經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成作為電源層的導(dǎo)體電路58U。在該導(dǎo)體電路58U的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層的導(dǎo)體電路158U和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160U，在該通孔160U上形成焊接凸點(diǎn)76U。即，在第3實(shí)施形態(tài)中，在安裝在形成電源層的導(dǎo)體電路58U上的通孔160U上形成焊接凸點(diǎn)76U，可以使該電源層與外部焊接凸點(diǎn)(未圖示)直接連接。
另一方面，在芯片襯底30的下面一側(cè)的信號(hào)線(內(nèi)層銅圖形)34D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成成為接地層的導(dǎo)體電路58D。在該導(dǎo)體電路58U的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層的導(dǎo)體電路158D和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160D。在該通孔160D上形成焊接凸點(diǎn)76D。即，在本實(shí)施形態(tài)中，在安裝在形成接地層的導(dǎo)體電路58D上的通孔160D上形成焊接凸點(diǎn)76D，可以使該接地層與外部焊接凸點(diǎn)(未圖示)直接連接。
本實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成是，將配置在支撐最外層導(dǎo)體電路158U、158D的層間樹脂絕緣層150的下側(cè)的導(dǎo)體電路58U、58D作為電源層、接地層，通孔160U、160D直接連接在該導(dǎo)體電路58U、58D上，在該通孔上形成焊接凸點(diǎn)76U、76D，所以電源層或接地層與焊接凸點(diǎn)的連接不需要布線，因此，不會(huì)受到因重疊在布線上的噪聲引起的影響，能夠降低在集成電路和母板之間授受信號(hào)和對(duì)從母板一側(cè)來(lái)的電源供給進(jìn)行中繼時(shí)的噪聲的影響。此外，正因?yàn)橛行┑胤讲恍枰季€，所以能夠謀求布線基板的高密度化。再有，在本實(shí)施形態(tài)的多層印刷布線基板中，分別將導(dǎo)體電路58U、58D作為電源層和接地層，但導(dǎo)體電路58U或?qū)w電路58D也可以在同一層內(nèi)，將起電源層作用的導(dǎo)體電路和起接地層作用的導(dǎo)體電路拼湊在一起形成。
接下來(lái)參照?qǐng)D14說(shuō)明第3實(shí)施形態(tài)的變形例的多層印刷布線基板。
圖14是表示本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的多層印刷布線基板的構(gòu)成的截面圖。在芯片襯底230的上面和下面形成成為接地層的內(nèi)層銅圖形234U、234D。即，利用將基板230夾在中間的接地層(內(nèi)層銅圖形)234U和接地層(內(nèi)層銅圖形)234D形成電容器。
此外，在內(nèi)層銅圖形234U的上層經(jīng)層間樹脂絕緣層250形成作為信號(hào)線的導(dǎo)體電路258U。在該導(dǎo)體電路258U的上層，形成貫通層間樹脂絕緣層350的通孔360U，在該通孔360U上形成焊接凸點(diǎn)376U。
另一方面，在基板230的下面?zhèn)鹊慕拥貙?內(nèi)層銅圖形)234D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層250形成成為信號(hào)線的導(dǎo)體電路258D。在該導(dǎo)體電路258D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層350形成成為電源層的導(dǎo)體電路388D。在該導(dǎo)體電路388D的上層，形成貫通層間樹脂絕緣層390的通孔380D，在該通孔380D上形成焊接凸點(diǎn)376D。即，在本實(shí)施形態(tài)中，在安裝在形成電源層的導(dǎo)體電路388D上的通孔380D上形成焊接凸點(diǎn)376D，可以使該電源層與外部焊接凸點(diǎn)(未圖示)直接連接。
第3實(shí)施形態(tài)的變形例的構(gòu)成是，將通孔380D直接連接在構(gòu)成電源層的導(dǎo)體電路388D上，在該通孔上形成焊接凸點(diǎn)376D，所以電源層與焊接凸點(diǎn)的連接不需要布線，因此，不會(huì)受到因重疊在布線上的噪聲引起的影響。
如上所述，在第3實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，將支撐最外層導(dǎo)體電路的絕緣層下層的內(nèi)層導(dǎo)體電路作為電源層和/或接地層，通孔直接連接在該第2導(dǎo)體電路上，在該通孔上形成焊接凸點(diǎn)，所以電源層或接地層與焊接凸點(diǎn)的連接不需要布線，因此，不會(huì)受到因重疊在布線上的噪聲引起的影響，此外，正因?yàn)橛行┑胤讲恍枰季€，所以能夠謀求布線基板的高密度化。
此外，在第3實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，將配置在支撐最外層導(dǎo)體電路的第2層間樹脂絕緣層的下側(cè)的第2導(dǎo)體電路作為電源層和/或接地層，通孔直接連接在該第2導(dǎo)體電路上，在該通孔上形成焊接凸點(diǎn)，所以電源層或接地層與焊接凸點(diǎn)的連接不需要布線，因此，不會(huì)受到因重疊在布線上的噪聲引起的影響，此外，正因?yàn)橛行┑胤讲恍枰季€，所以能夠謀求布線基板的高密度化。
(第4實(shí)施形態(tài))參照?qǐng)D15說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的封裝基板的構(gòu)成。在封裝基板400的芯片襯底30的上面和下面形成成為接地層的內(nèi)層銅圖形34U、34D。此外，在內(nèi)層銅圖形34U的上層經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成成為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U，并貫通該層間樹脂絕緣層50形成通孔60U。在該導(dǎo)體電路58U的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158U和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160U，在該導(dǎo)體電路158U、通孔160U上形成支撐焊接凸點(diǎn)76U的焊接區(qū)75U。這里，IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)75U的直徑為133～177μm。
另一方面，在基板30的下面一側(cè)的內(nèi)層銅圖形34D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成成為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58D。在該導(dǎo)體電路58D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158D和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160D，在該導(dǎo)體電路158D、通孔160D上形成支撐焊接凸點(diǎn)76D的焊接區(qū)75D。該母板一側(cè)的焊接區(qū)75D的直徑為600μm。此外，在將芯片襯底30夾在中間而對(duì)向配置的內(nèi)層銅圖形34U、34D上配置接地(電極)層，利用兩內(nèi)層銅34U、34D形成電容器。
圖16(A)是在芯片襯底30上面形成的內(nèi)層銅圖形34U的平面圖。在該內(nèi)層銅圖形34U上形成用來(lái)與上層一側(cè)和下層一側(cè)連接的接點(diǎn)-焊接區(qū)41。圖16(B)是將圖16(A)中的B所示的區(qū)域內(nèi)的接點(diǎn)-焊接區(qū)41放大后的圖。圖16(B)的X3-X3截面相當(dāng)于圖15(B)的X3-X3截面。
如圖16(B)所示那樣，該接點(diǎn)-焊接區(qū)41是將圖15所示的通孔36的接點(diǎn)41a和與貫通上層的層間樹脂絕緣層50的通孔60U連接的焊接區(qū)41b做成一體形成的，在該接點(diǎn)一焊接區(qū)41的周圍配置寬度約200μm的絕緣緩沖帶43。
這里，在本實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，如圖16(B)所示那樣，將接點(diǎn)41a和焊接區(qū)41b做成一體，該接點(diǎn)41a和焊接區(qū)41b不通過(guò)布線進(jìn)行連接，所以，縮短了下層(芯片襯底30的下層一側(cè)的導(dǎo)體電路58D)和上層(層間樹脂絕緣層50)的上側(cè)的導(dǎo)體電路58U之間的傳送路徑，能夠提高信號(hào)的傳送速度，同時(shí)，能夠降低電阻值。此外，因該接點(diǎn)41a和焊接區(qū)41b不通過(guò)布線進(jìn)行連接，故不象上述圖24(A)所示的現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板那樣，應(yīng)力集中于布線和接點(diǎn)以及布線和焊接區(qū)之間的連接部，因此，不會(huì)由于因應(yīng)力的集中而產(chǎn)生的裂縫而在封裝基板內(nèi)發(fā)生斷線。在此，已對(duì)芯片襯底30上側(cè)的內(nèi)層銅圖形34U進(jìn)行了圖示和說(shuō)明，下側(cè)的內(nèi)層銅圖形34D的構(gòu)成也一樣的。
接下來(lái)，參照?qǐng)D17和圖18說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板。在上述圖15所示的第4實(shí)施形態(tài)中，在形成于芯片襯底30兩面的內(nèi)層銅圖形34U、34D上形成接地層(電極層)34G和接點(diǎn)一焊接區(qū)41。與此不同，在第2實(shí)施形態(tài)中，與圖16(A)所示的情況一樣，在形成于層間樹脂絕緣層50上層的導(dǎo)體電路58U、58D上形成電源層(電極層)58G和接點(diǎn)-焊接區(qū)61。
圖17是第4實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板的截面圖，圖18(A)是在層間樹脂絕緣層50上面形成的導(dǎo)體電路58U的平面圖。在該導(dǎo)體電路58U上形成電源層58G和用來(lái)與上層一側(cè)和下層一側(cè)連接的接點(diǎn)-焊接區(qū)61。圖18(B)是將圖18(A)中的B所示的區(qū)域內(nèi)的接點(diǎn)-焊接區(qū)61放大后的圖。圖18(B)的X4-X4截面與圖17的X4-X4截面相當(dāng)。
如圖17所示那樣，該接點(diǎn)-焊接區(qū)61是將與內(nèi)層銅圖形34U連接的通孔60U的接點(diǎn)61a和與貫通上層的層間樹脂絕緣層150的通孔160U連接的焊接區(qū)61b做成一體形成的，如圖18(B)所示那樣，在該接點(diǎn)-焊接區(qū)61的周圍配置寬度約200μm的絕緣緩沖帶63。
在該第4實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板中，將接點(diǎn)61a和焊接區(qū)61b做成一體，該接點(diǎn)61a和焊接區(qū)61b不通過(guò)布線進(jìn)行連接，所以，縮短了下層(芯片襯底30的上層一側(cè)的內(nèi)層銅圖形34U)和上層(層間樹脂絕緣層150)的上側(cè)的導(dǎo)體電路158U之間的傳送路徑，能夠提高信號(hào)的傳送速度，同時(shí)，能夠降低電阻值。此外，因該接點(diǎn)61a和焊接區(qū)61b不通過(guò)布線進(jìn)行連接，故不象上述圖24(A)所示的現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板那樣，應(yīng)力集中于布線和接點(diǎn)以及布線和焊接區(qū)之間的連接部，因此，不會(huì)由于因應(yīng)力的集中而產(chǎn)生的裂縫而在封裝基板內(nèi)發(fā)生斷線。
再有，在上述實(shí)施形態(tài)中，將形成圓形的接點(diǎn)和焊接區(qū)做成一體，但對(duì)于本發(fā)明，也可以將橢圓形、多邊形等種種形狀的接點(diǎn)和焊接區(qū)做成一體。
如上所述，在第4實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，接點(diǎn)和焊接區(qū)不通過(guò)布線進(jìn)行連接，所以，縮短了下層和上層的導(dǎo)體電路(導(dǎo)體層)之間的傳送路徑，能夠提高信號(hào)的傳送速度，同時(shí)，能夠降低電阻值。此外，因該接點(diǎn)和焊接區(qū)不通過(guò)布線進(jìn)行連接，故應(yīng)力不集中于布線和接點(diǎn)以及布線和焊接區(qū)之間的連接部，因此，不會(huì)由于因應(yīng)力的集中而產(chǎn)生的裂縫而在封裝基板內(nèi)發(fā)生斷線。
(實(shí)施形態(tài)5)參照?qǐng)D19和圖20說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板的構(gòu)成。圖19示出其截面的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板500如圖20所示，構(gòu)成為所謂集成電路封裝的形式，在上面裝載IC芯片80的狀態(tài)下將其安裝在母板90上。
在封裝基板的芯片襯底30的上面和下面上形成成為接地層的內(nèi)層銅圖形34U、34D。此外，在內(nèi)層銅圖形34U的上層經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成成為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U，并貫通該層間樹脂絕緣層50形成通孔60U。在該導(dǎo)體電路58U的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158U和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160U，在該導(dǎo)體電路158U、通孔160U上形成支撐焊接凸點(diǎn)76U的焊接區(qū)75U。這里，IC芯片一側(cè)的焊接區(qū)75U的直徑為133～177μm。
另一方面，在芯片襯底30的下面一側(cè)的接地層(內(nèi)層銅圖形)34D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層50形成成為信號(hào)線的導(dǎo)體電路58D。在該導(dǎo)體電路58D的上層，經(jīng)層間樹脂絕緣層150形成最外層導(dǎo)體電路158D和貫通該層間樹脂絕緣層150的通孔160D，在該通孔160D上形成支撐焊接凸點(diǎn)76D的焊接區(qū)75D。這里，母板一側(cè)的焊接區(qū)75D的直徑為600μm。
在該第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，通過(guò)在通孔160D上形成母板60一側(cè)的焊接凸點(diǎn)76D，使焊接凸點(diǎn)和通孔直接連接，所以，即使封裝基板出現(xiàn)裂縫，在焊接凸點(diǎn)76D和通孔160D之間也不會(huì)發(fā)生斷線。即，在上述圖23(B)所示的現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板600中，通過(guò)布線378使焊接凸點(diǎn)375D與通孔360連接，該焊接區(qū)375D上放置焊接凸點(diǎn)376D，所以，當(dāng)內(nèi)部出現(xiàn)裂縫L2時(shí)，因該裂縫L2之故有時(shí)連接通孔376D和焊接凸點(diǎn)376D的布線斷開，焊接凸點(diǎn)376D與通孔360D的連接斷開。與此相反，在第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板中，即使出現(xiàn)裂縫，在焊接凸點(diǎn)76D和通孔160D之間也不會(huì)因裂縫而發(fā)生斷線。
接下來(lái)，說(shuō)明將IC芯片80安裝到圖19所示的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板500上的情況。如圖20所示，將IC芯片80放置在封裝基板500的焊接區(qū)76U上并使該IC芯片80的焊接區(qū)82與其對(duì)應(yīng)，使其通過(guò)加熱爐，據(jù)此使封裝基板500的焊接區(qū)76U熔融在IC芯片80的焊接區(qū)82上，因此，封裝基板500和IC芯片80便連接在一起了。
然后，對(duì)在利用加熱使焊接區(qū)76U熔融在焊接區(qū)82上并使其固化時(shí)滲出的焊劑進(jìn)行凈化處理。在此，將氯乙烯(chloroethene)等有機(jī)溶劑注入封裝基板500和IC芯片80的間隙中，除去焊劑。然后，將樹脂填充在封裝基板500和IC芯片80的間隙中，進(jìn)行樹脂充填。同時(shí)，用樹脂對(duì)整個(gè)IC芯片80進(jìn)行模塑，到此，IC芯片80的安裝完畢。
接下來(lái)，將封裝基板500安裝在母板90上。使母板90的焊接區(qū)92與封裝基板500的焊接區(qū)76D對(duì)應(yīng)地放置，使其通過(guò)加熱爐，據(jù)此使封裝基板500的焊接區(qū)76U熔融在IC芯片80的焊接區(qū)82上，因此，封裝基板500和IC芯片90便連接在一起了。然后，象圖20所示那樣，將樹脂94填充在封裝基板500和母板90的間隙中，進(jìn)行樹脂密封，到此安裝完畢。
下面，參照?qǐng)D20和圖21說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板501。
在上述圖19所示的第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板500中，1個(gè)通孔160D上放置1個(gè)焊接凸點(diǎn)76D。與此不同，在第5實(shí)施形態(tài)的封裝基板500中，如圖21所示那樣，在多個(gè)(3個(gè))通孔260、260、260上放置1個(gè)焊接凸點(diǎn)276。即，如與圖21的X5-X5截面相當(dāng)?shù)膱D22(圖22中的X6-X6剖面線相當(dāng)圖21的X5-X5剖面線)所示那樣，通孔260是由3個(gè)相互靠近的通孔構(gòu)成的，在該3個(gè)通孔260共用的接點(diǎn)260a上，形成鍍鎳層72和鍍金層74，從而形成1個(gè)大的接點(diǎn)275。而且，在該大的接點(diǎn)275上放置大的焊接凸點(diǎn)276。
在該第5實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板501中，通過(guò)焊接凸點(diǎn)276在通孔260上形成，使焊接凸點(diǎn)276和通孔260直接連接，因此，即使例如在封裝基板501中出現(xiàn)裂縫，焊接凸點(diǎn)276和通孔260之間也不會(huì)發(fā)生斷線。此外，因焊接凸點(diǎn)276在多個(gè)通孔260、260、260上形成，即使多個(gè)通孔中的1個(gè)與導(dǎo)體電路58D斷開，也可利用其余的通孔使焊接凸點(diǎn)276與導(dǎo)體電路58D連接，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)防失效功能。
此外，如上所述，IC芯片80一側(cè)的焊接區(qū)75U的直徑為133～170μm，母板一側(cè)的焊接區(qū)75D的直徑為6000μm，大小相差4～5倍，在1個(gè)通孔上形成母板一側(cè)的大的焊接區(qū)75D很困難。因此，在第5實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板501中，使焊接凸點(diǎn)276在多個(gè)通孔260、260、260上形成，依此形成大的焊接凸點(diǎn)。這里，在上述變形例中，在3個(gè)通孔上形成1個(gè)焊接凸點(diǎn)，但也可以在2個(gè)或4個(gè)以上的通孔上形成1個(gè)焊接凸點(diǎn)。
如上所述，在第5實(shí)施形態(tài)的變形例的封裝基板中，通過(guò)使焊接凸點(diǎn)在通孔上形成，使焊接凸點(diǎn)與通孔直接連接，因此，即使封裝基板出現(xiàn)裂縫，焊接凸點(diǎn)276和通孔260之間也不會(huì)發(fā)生斷線。此外，因焊接凸點(diǎn)276在多個(gè)通孔上形成，即使多個(gè)通孔中的1個(gè)例如在內(nèi)部斷開，也可利用其余的通孔使焊接凸點(diǎn)與通孔連接，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)防失效功能。此外因焊接凸點(diǎn)在多個(gè)通孔上形成，故能夠形成比通孔大的焊接區(qū)。
在上述實(shí)施形態(tài)中，舉出了將封裝基板直接安裝在母板上例子，但對(duì)于通過(guò)子板將封裝基板連接在母板上的情況，也能夠很適合地使用本發(fā)明的封裝基板。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板，其中，在芯子基板的兩面上形成導(dǎo)體層，進(jìn)而經(jīng)層間樹脂絕緣層再形成導(dǎo)體層，將上述芯子基板某一面的導(dǎo)體層作為電極層使用，其特征在于將配置在形成上述電極層的導(dǎo)體層上的芯子基板貫通用的通孔的接點(diǎn)和與貫通上面一側(cè)的層間樹脂絕緣層的通孔連接用的焊接區(qū)做成一體化。
全文摘要
在封裝基板中，在IC芯片一側(cè)的表面(上面)上的焊接區(qū)小(直徑為133～170μm)，焊接區(qū)的金屬部分所占的比例小，另一方面，母板等一側(cè)的表面(下面)上的焊接區(qū)大(直徑為600μm)，金屬部分的比例大。這里，在本封裝基板中，在封裝基板的IC芯片一側(cè)的形成信號(hào)線的導(dǎo)體電路58U、58U之間形成虛擬圖形58M，由此，封裝基板的IC芯片的一側(cè)的金屬部分增加，從而調(diào)整該IC芯片一側(cè)與母板一側(cè)的金屬部分的比例，使封裝基板在制造工序和使用過(guò)程中不產(chǎn)生翹曲。
文檔編號(hào)H05K1/11GK1971899SQ20061010190
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期1998年9月28日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月17日
發(fā)明者淺井元雄, 森要二 申請(qǐng)人:伊比登株式會(huì)社