專利名稱：數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和具有其的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、采用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器及驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種能夠顯示具有均勻明度(brightness)的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、采用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器及驅(qū)動發(fā)光顯示器以顯示具有均勻明度的圖像的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在正在開發(fā)平板顯示器(FPD)，其通常比陰極射線管(CRT)輕并且更小型化。FPD包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和發(fā)光顯示器。
發(fā)光顯示器可利用有機發(fā)光二極管(OLED)來顯示圖像，OLED在電子和空穴復合時產(chǎn)生光。發(fā)光顯示器通常響應速度快、功率消耗量相對低。
圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖1中所示，發(fā)光顯示器可包括像素單元30、掃描驅(qū)動器10、數(shù)據(jù)驅(qū)動器20和時序控制器50。像素單元30可包括連接到掃描線S1～Sn和數(shù)據(jù)線D1～Dm的多個像素40。掃描驅(qū)動器10可驅(qū)動掃描線S1～Sn。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1～Dm。時序控制器50可控制掃描驅(qū)動器10和數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。
時序控制器50可基于外部提供的同步信號(未示出)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS可提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器20，掃描驅(qū)動控制信號SCS可提供到掃描驅(qū)動器10。時序控制器50可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)向數(shù)據(jù)驅(qū)動器20提供數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動器10可從時序控制器50接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器10可基于接收到的掃描驅(qū)動控制信號SCS來產(chǎn)生掃描信號(未示出)。產(chǎn)生的掃描信號可通過掃描線S1～Sn被順序提供到像素單元30。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可從時序控制器50接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可基于接收到的數(shù)據(jù)DATA和數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(未示出)。與提供到掃描線S1～Sn的掃描信號中的每個同步地，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號中相應的數(shù)據(jù)信號可提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm。
像素單元30可連接到第一電源ELVDD和第二電源ELVSS，第一電源ELVDD用于向像素40提供第一電壓VDD，第二電源ELVSS用于向像素40提供第二電壓VSS。像素40與第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號一起，可根據(jù)相應的數(shù)據(jù)信號來控制流過各OLED的電流。因此，像素40可基于第一電壓VDD信號、第二電壓VSS信號和數(shù)據(jù)信號來產(chǎn)生光。
在公知的發(fā)光顯示器中，像素40中的每個可包括像素電路，像素電路包括用于選擇性提供各數(shù)據(jù)信號和各掃描信號的至少一個晶體管，其中，各掃描信號用于選擇性地選通和斷開發(fā)光顯示器的各像素40。
發(fā)光顯示器中的各像素40響應各數(shù)據(jù)信號的不同值來產(chǎn)生預定明度的光。例如，當相同的數(shù)據(jù)信號施加到顯示器的所有像素40時，通常理想的是顯示器的所有像素40產(chǎn)生相同的明度。然而，各像素40產(chǎn)生的明度不僅取決于數(shù)據(jù)信號，還取決于各像素40的特性例如像素電路中的各晶體管的閾值電壓。
通常，各晶體管的閾值電壓和/或電子遷移率存在差異，這使得不同的晶體管具有不同的閾值電壓和電子遷移率。晶體管的特性也可隨著時間和/或使用而改變。例如，晶體管的閾值電壓和電子遷移率會取決于晶體管的導通/截止的經(jīng)歷。
因此，在發(fā)光顯示器中，各像素響應各數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生的明度取決于可包括在各像素電路中的晶體管的特性。閾值電壓和電子遷移率的這種變化可阻擾或阻礙顯示均勻圖像。因此，閾值電壓和電子遷移率的這種變化還可阻礙具有期望明度的圖像的顯示。
雖然通過控制像素40中的像素電路的結(jié)構(gòu)來至少部分補償晶體管的閾值電壓的差異是可能的，但是仍然需要能夠補償電子遷移率變化的電路和方法。也期望不管電子遷移率的變化如何都能夠顯示具有均勻明度的圖像的OLED。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明因此提供了一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器，其基本克服了由于相關(guān)領(lǐng)域的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
因此，本發(fā)明實施例的一個特征在于提供了一種能夠驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素以顯示具有均勻明度的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，和使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器，以及驅(qū)動該發(fā)光顯示器的方法。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點中的至少一個可通過提供一種基于像素的k位外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來實現(xiàn)，其中k為自然數(shù)，其中，像素通過數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路可電連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括伽瑪電壓發(fā)生器，產(chǎn)生多個等級電壓；電流吸收器，在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，通過數(shù)據(jù)線從像素接收預定電流；電壓發(fā)生器，在一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，產(chǎn)生逐漸增加的比較電壓；比較器，將基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓與逐漸增加的比較電壓作比較，并基于比較的結(jié)果來產(chǎn)生邏輯信號；補償單元，基于邏輯信號來產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，其中p為自然數(shù)；數(shù)-模轉(zhuǎn)換器，利用p位的補償數(shù)據(jù)和k位的外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，并基于合成數(shù)據(jù)的位值來從多個等級電壓中選擇一個作為像素的數(shù)據(jù)信號。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括開關(guān)單元，在一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線；緩沖器，布置在數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和開關(guān)單元之間。伽瑪電壓發(fā)生器可產(chǎn)生2k+p個等級電壓。產(chǎn)生的合成數(shù)據(jù)可以是(k+p)位的，數(shù)-模轉(zhuǎn)換器可通過采用k位數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最高有效位的高位并采用p位補償數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最低有效位的低位來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)。
電流吸收器可包括電流源，用于接收預定的電流；第一晶體管，設(shè)置在數(shù)據(jù)線和比較器之間，第一晶體管在第一部分時間段內(nèi)導通；第二晶體管，設(shè)置在數(shù)據(jù)線和電流源之間，第二晶體管在第一部分時間段內(nèi)導通；電容器，在其中充入補償電壓。
預定電流的值可等于或大于像素可用來發(fā)出最大明度的光的最小電流的值，最大的明度可對應于當多個等級電壓中的最大的一個施加到像素時像素的明度。電壓發(fā)生器可包括計數(shù)器，計數(shù)器可基于在第一部分時間段內(nèi)接收的時鐘信號來產(chǎn)生計數(shù)信號；增壓單元，可響應來自計數(shù)器的計數(shù)信號來逐漸增加電壓，并產(chǎn)生比較電壓；緩沖器，布置在增壓單元和比較器之間。補償單元可包括存儲單元，存儲單元可暫時存儲p位的補償數(shù)據(jù)；調(diào)節(jié)單元，調(diào)節(jié)單元可基于時鐘信號來增加p位補償數(shù)據(jù)的位值，并基于邏輯信號將p位的補償數(shù)據(jù)發(fā)送到存儲單元。當比較電壓的電壓值被確定為大于或等于p位補償電壓的電壓值時，比較器可產(chǎn)生邏輯信號。
開關(guān)單元可包括在第二部分時間段內(nèi)導通的至少一個晶體管。開關(guān)單元可包括兩個晶體管，這兩個晶體管彼此連接以形成傳輸門。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路還可包括移位寄存器，可順序地產(chǎn)生取樣脈沖；取樣鎖存器單元，包括至少一個取樣鎖存器，用于基于取樣脈沖來接收和存儲k位的外部提供的數(shù)據(jù)；保持鎖存器單元，可接收存儲在取樣鎖存器單元中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)，并將存儲在保持鎖存器單元中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)提供給數(shù)-模轉(zhuǎn)換器。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括電平轉(zhuǎn)變單元，電平轉(zhuǎn)變單元可增加存儲在保持鎖存器單元中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)的電壓電平，并將電壓轉(zhuǎn)變了的k位外部提供的數(shù)據(jù)提供給數(shù)-模轉(zhuǎn)換器。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點的至少一個通過提供一種發(fā)光顯示器來單獨地實現(xiàn)，該發(fā)光顯示器包括像素單元，包括多個像素，像素連接到n條掃描線中的一條、多條發(fā)射控制線中的一條和多條數(shù)據(jù)線中的一條，其中n是整數(shù)；掃描驅(qū)動器，掃描驅(qū)動器在各掃描周期內(nèi)分別順序地將n個掃描信號提供給n條掃描線，并分別順序地將發(fā)射控制信號提供給發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，在n個掃描信號中的一個被施加到n條掃描線中的相應的一條的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可基于分別從像素流向數(shù)據(jù)線的電流來產(chǎn)生補償電壓，在一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，利用產(chǎn)生的補償電壓和外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生多個補償數(shù)據(jù)，并基于產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)從多個等級電壓中選擇一個，并且將多個等級電壓中所選擇的一個提供到各像素。
像素中的每個可與n條掃描線中的兩條連接，在掃描周期的每個內(nèi)，在兩條掃描線中的第二條掃描線接收n個掃描信號中相應的一個之前，兩條掃描線中的第一條掃描線接收n個掃描信號中相應的一個，像素的每個可包括發(fā)光器，從第一電源接收電流；第一晶體管和第二晶體管，各具有第一電極，第一電極連接到與像素相關(guān)的相應的一條數(shù)據(jù)線，當兩個掃描信號中的第二個掃描信號被提供時，第一晶體管和第二晶體管導通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當兩個掃描信號中的第一個掃描信號被提供時，第三晶體管導通；第四晶體管，可控制提供到發(fā)光器的電流的量，第四晶體管的第一端與第一電源連接；第五晶體管，具有與第四晶體管的柵電極連接的第一電極和與第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當所述兩個掃描信號中的第一個掃描信號被提供時第五晶體管導通，使得第四晶體管如二極管般操作。
像素中的每個還可包括第一電容器，具有第一電極和第二電極，第一電極與第一晶體管的第二電極和第四晶體管的柵電極中的一個連接，第二電極與第一電源連接；第二電容器，具有與第一晶體管的第二電極連接的第一電極和與第四晶體管的柵電極連接的第二電極。像素中的每個還可包括第六晶體管，具有與第四晶體管的第二電極連接的第一端和與有機發(fā)光二極管連接的第二端，當各發(fā)射控制信號被提供時，第六晶體管截止，其中，在用于基于所選擇的等級電壓驅(qū)動像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，電流吸收器從像素接收預定電流，在基于所選擇的等級電壓來驅(qū)動像素的一個完整周期的第二部分時間段之前出現(xiàn)第一部分時間段，在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，第六晶體管截止。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點的至少一個可通過提供一種基于像素的k位的外部提供的數(shù)據(jù)驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的方法來單獨地實現(xiàn)，其中，像素通過數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路可電連接，該方法可包括在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第一個部分時間段內(nèi)，通過數(shù)據(jù)線從像素接收預定電流；在一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)產(chǎn)生逐漸增加的比較電壓；將基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓與逐漸增加的比較電壓作比較，并基于比較的結(jié)果來產(chǎn)生邏輯信號；基于邏輯信號來產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，其中p是自然數(shù)；利用p位的補償數(shù)據(jù)和k位的外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，并基于合成數(shù)據(jù)的位值來從多個等級電壓中選擇一個作為像素的數(shù)據(jù)信號，其中k是自然數(shù)；在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，通過數(shù)據(jù)線將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到像素，第一部分時間段與第二部分時間段不同。
產(chǎn)生邏輯信號的步驟可包括當比較電壓的電壓值被確定為等于或大于p位補償電壓的電壓值時產(chǎn)生邏輯信號。合成數(shù)據(jù)可以是(k+p)位，產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)的步驟可包括采用k位數(shù)據(jù)DATA作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最高有效位的高位并采用p位補償數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最低有效位的低位。


通過參照附圖的對本發(fā)明示例性實施例的詳細描述，本發(fā)明的這些和其它特征和優(yōu)點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員變得顯而易見，在附圖中圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的示意圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖；圖3示出了在圖2中示出的發(fā)光顯示器中可采用的一個示例性像素的電路圖；圖4示出了驅(qū)動圖3中示出的像素可采用的示例性波形；圖5示出了在圖2中示出的發(fā)光顯示器中可采用的另一個示例性像素的電路圖；圖6示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一實施例的框圖；圖7示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第二實施例的框圖；圖8示出了將圖3中示出的像素和圖6中示出的電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、伽瑪電壓發(fā)生器、比較器、補償單元、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的示意圖；圖9示出了圖8中的電壓發(fā)生單元產(chǎn)生的電壓的一般模式；圖10示出了驅(qū)動圖8中示出的像素、開關(guān)單元和電流吸收單元可采用的示例性波形；圖11示出了采用開關(guān)單元的另一實施例的圖8中示出的連接方案；圖12是用于示出將圖5中示出的像素與圖6中示出的伽瑪電壓單元、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的電壓發(fā)生單元、用于發(fā)光顯示器的各通道/列的數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、比較器、補償單元、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的第二實施例的示意圖。
具體實施例方式
2005年8月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名為“數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和采用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法”的第2005-0070437號韓國專利申請，通過引用完全包含于此。
現(xiàn)在，將在下文中參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來實施，不應該被理解為受限于這里提出的實施例。相反，提供這些事實例，使得該公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標號始終表示相同的元件。
在下文中，將參照圖2至圖12來描述本發(fā)明的示例性實施例。在采用本發(fā)明的一個或多個方面的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和方法中，基于從各像素提供到電流吸收器的電流可產(chǎn)生補償電壓，補償電壓可用于產(chǎn)生補償數(shù)據(jù)。產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)和外部提供的數(shù)據(jù)可用于產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)。隨后，合成數(shù)據(jù)可用于從多個等級電壓中選擇一個等級電壓，從而使得不管晶體管的特性例如閾值電壓、遷移率如何都能夠顯示具有均勻明度的圖像。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖。
如圖2中所示，發(fā)光顯示器可包括掃描驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120、像素單元130和時序控制器150。像素單元130可包括多個像素140。像素單元130可包括例如布置成n行、m列的n×m個像素140，其中，n和m都可以是整數(shù)。像素140可連接到掃描線S1～Sn、發(fā)射控制線E1～En和數(shù)據(jù)線D1～Dm。像素140可分別形成在由發(fā)射控制線E1～En和數(shù)據(jù)線D1～Dm分隔的區(qū)域中。掃描驅(qū)動器110可驅(qū)動掃描線S1～Sn和發(fā)射控制線E1～En。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1～Dm。時序控制器150可控制掃描驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括一個或多個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。
時序控制器150可響應外部提供的同步信號(未示出)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。由時序控制器150產(chǎn)生的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS可提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。由時序控制器150產(chǎn)生的掃描驅(qū)動控制信號SCS可提供到掃描驅(qū)動器110。時序控制器150可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)來向數(shù)據(jù)驅(qū)動器120提供數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動器110可從時序控制器150接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器110可基于接收到的掃描驅(qū)動控制信號SCS來產(chǎn)生掃描信號SS1～SSn，并可分別順序地向掃描線S1～Sn提供掃描信號SS1～SSn。掃描驅(qū)動器110可順序地向發(fā)射控制線E1～En提供發(fā)射控制信號ES1～ESn?？商峁┌l(fā)射控制信號ES1～ESn中的每個，例如可提供從低電壓信號改變到高電壓信號的發(fā)射控制信號，使得“選通”發(fā)射控制信號例如高電壓信號與掃描信號SS1～SSn中的至少兩個至少部分疊置。因此，在本發(fā)明的實施例中，發(fā)射控制信號ES1～ESn的脈寬可等于或大于掃描信號SS1～SSn的脈寬。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可從時序控制器150接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可基于接收到的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和數(shù)據(jù)DATA來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。與施加到掃描線S1～Sn的掃描信號SS1～SSn同步地，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可被提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm。例如，當?shù)谝粋€掃描信號SS 1被提供時，所產(chǎn)生的與像素140(1)(1～m)對應的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm同步地提供到在第1行中的第1個像素至第m個像素，當?shù)趎個掃描信號SSn被提供時，所產(chǎn)生的與像素140(n)(1～m)對應的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm同步地提供到在第n行中的第1個像素至第m個像素。
在用于驅(qū)動一個或多個像素140的一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1～Dm提供預定電流。例如，一個水平周期1H可對應于與為了驅(qū)動各像素140提供到各像素140的掃描信號SS1～SSn中的一個以及數(shù)據(jù)信號DS1～DSm中相應的一個相關(guān)的完整周期。在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1～Dm提供預定的電壓。例如，一個水平周期1H可對應于與為了驅(qū)動各像素140提供到各像素140的掃描信號SS1～SSn中的一個以及數(shù)據(jù)信號DS1～DSm中相應的一個相關(guān)的完整周期。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括至少一個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200用于在一個水平周期1H的第一時間段和第二時間段內(nèi)提供這種預定的電流和預定的電壓。在下面的描述中，在第二時間段內(nèi)會提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm的預定電壓將被表示為數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。
像素單元130可被連接到第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref(未示出)，其中，第一電源ELVDD向像素140提供第一電壓VDD，第二電源ELVSS向像素140提供第二電壓VSS，參考電源ELVref向像素140提供參考電壓Vref。第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref可由外部提供。像素140可接收第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號，并可根據(jù)數(shù)據(jù)信號DS1～DSm來控制流過各發(fā)光器件/材料例如OLED的電流，其中，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可由數(shù)據(jù)驅(qū)動器120提供到像素140。因此，像素140可對應于接收到的數(shù)據(jù)DATA來產(chǎn)生光分量。
像素140中的一些或全部可分別從第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref接收第一電壓VDD信號、第二電壓VSS信號和參考電壓Vref信號。像素140可利用參考電壓Vref信號來補償閾值電壓和/或第一電壓VDD信號的壓降。補償?shù)牧靠苫诜謩e由參考電源ELVref和第一電源ELVDD提供的參考電壓Vref信號和第一電壓VDD信號的電壓值之間的差。像素140可響應各數(shù)據(jù)信號DS1～DSm提供從第一電源ELVDD經(jīng)過例如OLED到第二電源ELVSS的各電流。在本發(fā)明的實施例中，像素140的每個可具有例如圖3或圖5中示出的結(jié)構(gòu)。
圖3示出了在圖2示出的發(fā)光顯示器中可采用的第nm個示例性像素140nm的電路圖。為了簡便起見，圖3示出了第nm個像素，該第nm個像素可為在第n行的掃描線Sn和第m列數(shù)據(jù)線Dm的交叉處設(shè)置的像素。第nm個像素140nm可連接到第m條數(shù)據(jù)線Dm、第n-1條掃描線Sn-1、第n條掃描線Sn和第n條發(fā)射控制線En。為了簡便起見，圖3僅示出了一個示例性像素140nm。在本發(fā)明的實施例中，示例性像素140nm的結(jié)構(gòu)可用于發(fā)光顯示器的所有像素140或部分像素140。
參照圖3，第nm個像素140nm可包括發(fā)光材料/器件例如OLEDnm以及用于向相關(guān)發(fā)光材料/器件提供電流的第nm個像素電路142nm。
第nm個OLEDnm可響應第nm個像素電路142nm提供的電流來產(chǎn)生預定顏色的光。第nm個OLEDnm可由例如有機材料、熒光體材料和/或無機材料形成。
在本發(fā)明的實施例中，第nm個像素電路142nm可產(chǎn)生補償電壓，用于補償在像素140之中和/或像素140內(nèi)的變化，使得像素140可顯示具有均勻明度的圖像。在各掃描周期中，第nm個像素電路142nm可利用掃描信號SS1～SSn中的前一個提供的掃描信號來產(chǎn)生補償電壓。在本發(fā)明的實施例中，一個掃描周期可對應于被順序提供的掃描信號SS1～SSn。因此，在本發(fā)明的實施例中，在各周期內(nèi)，在提供第n個掃描信號SSn之前可先提供第n-1個掃描信號SSn-1，并且當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到發(fā)光顯示器的第n-1條掃描信號線時，第nm個像素電路142nm可采用第n-1個掃描信號SSn-1來產(chǎn)生補償電壓。例如，在第二列中的第二像素即2-2像素14022可利用第一掃描信號SS1來產(chǎn)生補償電壓。
補償電壓可補償源電壓信號的壓降和/或由第nm個像素電路142nm中的晶體管的閾值電壓導致的壓降。例如，基于補償電壓，第nm個像素電路142nm可補償晶體管的閾值電壓例如像素電路142nm中的第四晶體管M4nm的閾值電壓和/或第一電壓VDD信號的壓降，其中，補償電壓可利用在相同掃描周期內(nèi)的前一個提供的掃描信號來產(chǎn)生。
在本發(fā)明的實施例中，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，像素電路142nm可補償?shù)谒木w管M4nm的閾值電壓和第一電源ELVDD的壓降，并且當?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，像素電路142nm可充入與數(shù)據(jù)信號對應的電壓。在本發(fā)明的實施例中，像素電路142nm可包括第一晶體管M1nm至第六晶體管M6nm、第一電容器C1nm和第二電容器C2nm，用于產(chǎn)生補償電壓并驅(qū)動發(fā)光材料/器件。
第一晶體管M1nm的第一電極可與數(shù)據(jù)線Dm連接，第一晶體管M1nm的第二電極可與第一節(jié)點N1nm連接。第一晶體管M1nm的柵電極可連接到第n條掃描線Sn。當?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，第一晶體管M1nm可導通。當?shù)谝痪w管M1nm導通時，數(shù)據(jù)線Dm可與第一節(jié)點N1nm電連接。
第一電容器C1nm的第一電極可與第一節(jié)點N1nm連接，第一電容器C1nm的第二電極可與第一電源ELVDD連接。
第二晶體管M2nm的第一電極可與數(shù)據(jù)線Dm連接，第二晶體管M2nm的第二電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接。第二晶體管M2nm的柵電極可與第n條掃描線Sn連接。當?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線時，第二晶體管M2nm可導通。當?shù)诙w管M2nm導通時，數(shù)據(jù)線Dm可被電連接到第四晶體管M4nm的第二電極。
第三晶體管M3nm的第一電極可與參考電源ELVref連接，第三晶體管M3nm的第二電極可與第一節(jié)點N1nm連接。第三晶體管M3nm的柵電極可與第n-1條掃描線Sn-1連接。當?shù)趎-1個掃描信號被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第三晶體管M3nm可導通。當?shù)谌w管M3nm導通時，參考電壓Vref可與第一節(jié)點N1nm電連接。
第四晶體管M4nm的第一電極可與第一電源ELVDD連接，第四晶體管M4nm的第二電極可與第六晶體管M6nm的第一電極連接。第四晶體管M4nm的柵電極可與第二節(jié)點N2nm連接。
第二電容器C2nm的第一電極可與第一節(jié)點N1nm連接，第二電容器C2nm的第二電極可與第二節(jié)點N2nm連接。
在本發(fā)明的實施例中，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供時，第一電容器C1nm和第二電容器C2nm可被充電。具體地講，第一電容器C1nm和第二電容器C2nm可被充電，第四晶體管M4nm可將與第二節(jié)點N2nm處的電壓對應的電流提供到第六晶體管M6nm的第一電極。
第五晶體管M5nm的第二電極可與第二節(jié)點N2nm連接，第五晶體管M5nm的第一電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接。第五晶體管M5nm的柵電極可與第n-1條掃描線Sn-1連接。當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第五晶體管M5nm可導通，使得電流流過第四晶體管M4nm。因此，第四晶體管M4nm可如二極管般操作。
第六晶體管M6nm的第一電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接，第六晶體管M6nm的第二電極可與第nm個OLEDnm的陽極連接。第六晶體管M6nm的柵電極可與第n條發(fā)射控制線En連接。當發(fā)射控制信號ESn例如高電壓信號被提供到第n條發(fā)射控制線En時，第六晶體管M6nm可截止，而當沒有發(fā)射控制信號被提供到第n條發(fā)射控制線En時，例如當?shù)碗妷盒盘柋惶峁┑降趎條發(fā)射控制線En時，第六晶體管M6nm可導通。
在本發(fā)明的實施例中，提供到第n條發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號ESn可被提供，以與第n-1個掃描信號SSn-1和第n個掃描信號SSn至少部分疊置，其中，第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1，第n個掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn。因此，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1例如低電壓被提供到第n-1條掃描線Sn-1和第n個掃描信號SSn例如低電壓被提供到第n條掃描線Sn時，第六晶體管M6nm可截止，使得預定電壓可充入第一電容器C1nm和第二電容器C2nm。在其它時間段內(nèi)，第六晶體管M6nm可導通，從而使第四晶體管M4nm和第nm個OLEDnm彼此電連接。在圖3中示出的示例性實施例中，晶體管M1nm～M6nm是PMOS型晶體管，當?shù)碗妷盒盘柋惶峁┑礁鳀烹姌O時，晶體管M1nm～M6nm可導通，當高電壓信號被提供到各柵電極時，晶體管M1nm～M6nm可截止。然而，本發(fā)明不限于PMOS器件。
在圖3示出的像素中，因為參考電源ELVref不向像素140提供電流，所以不會發(fā)生參考電壓Vref的壓降。因此，不管像素140的位置如何，都能夠保持參考電壓Vref信號的電壓值一致。在本發(fā)明的實施例中，參考電壓Vref的電壓值可與第一電壓ELVDD相等或不同。
圖4示出了驅(qū)動圖3中示出的示例性的第nm個像素140nm可采用的示例性波形。如圖4中所示，用于驅(qū)動第nm個像素140nm的各水平周期1H可分為第一時間段和第二時間段。在第一時間段內(nèi)，預定電流(PC)可分別流過數(shù)據(jù)線D1～Dm。在第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm被提供到各像素140。在第一時間段內(nèi)，各PC可從各像素140被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200能夠至少部分用作電流吸收器。在第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可從數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200被提供到像素140。為了簡便起見，在下面的描述中，將假設(shè)至少在最初，即在像素140的操作可導致任何壓降之前，參考電壓Vref信號的電壓值等于第一電壓VDD信號的電壓值。
將參照圖3和圖4來詳細描述操作像素140中的第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm的示例性方法。首先，第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1，以控制可與第n-1條掃描線Sn-1連接的m個像素的選通操作/關(guān)斷操作。當掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm中的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm可導通。當?shù)谖寰w管M5nm導通時，電流可流過第四晶體管M4nm，使得第四晶體管M4nm可如二極管般操作。當?shù)谒木w管M4nm如二極管般操作時，第二節(jié)點N2nm的電壓值可對應于第一電源ELVDD提供的第一電壓VDD信號的電壓與第四晶體管M4nm的閾值電壓之間的差。
更具體地講，當?shù)谌w管M3nm導通時，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號可被提供到第一節(jié)點N1nm。第二電容器C2nm可被充以與第一節(jié)點N1nm和第二節(jié)點N2nm之間的差對應的電壓。在本發(fā)明的實施例中，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD可至少初始地相等，即在像素140的操作期間可導致任何壓降之前可相等，與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應的電壓可充入第二電容器C2nm。在第一電壓VDD信號的預定壓降發(fā)生的本發(fā)明的實施例中，第四晶體管M4nm的閾值電壓和與第一電源ELVDD的壓降的大小對應的電壓可被充入第二電容器C2nm。
在本發(fā)明的實施例中，在第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1的時間段內(nèi)，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和對應于第一電壓VDD的壓降的電壓之和相對應的預定電壓可被充入第二電容器C2nm。通過在第m列的第n-1個像素的操作期間存儲與來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓之和對應的電壓，隨后能夠在第nm個像素140nm的操作期間利用所存儲的電壓來補償?shù)谝浑妷篤DD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第n個掃描信號SSn提供到第n條掃描線Sn之前，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和參考電壓信號Vref同第一電壓VDD信號之間的差的和對應的電壓可充入第二電容器C2nm。當?shù)趎個掃描信號SSn提供到第n條掃描線Sn時，第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可導通。在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，當?shù)趎m個像素140nm的像素電路142nm中的第二晶體管M2nm導通時，PC可從第nm個像素140nm通過數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。在本發(fā)明的實施例中，PC可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。隨后，響應提供的PC，預定電壓可被充入第一電容器C1nm和第二電容器C2nm。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可基于預定電壓的值即當如上所述PC吸收時會產(chǎn)生的補償電壓來重置伽瑪電壓單元(未示出)的電壓。來自伽瑪電壓單元(未示出)的重置電壓可用于產(chǎn)生將被分別提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。
在本發(fā)明的實施例中，在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可被分別提供到各數(shù)據(jù)線D1～Dm。更具體地講，例如，在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DSm可通過第一晶體管M1nm被提供到各第一節(jié)點N1nm。然后，與數(shù)據(jù)信號DSm和第一電源ELVDD之間的差對應的電壓可被充入第一電容器C1nm。第二節(jié)點N2nm可隨后懸浮，并且第二電容器C2nm可保持先前充入的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第m列的第n個像素被控制并且掃描信號SSn-1被提供到前一掃描線Sn-1的時間段內(nèi)，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降對應的電壓可充入第nm個像素140nm的第二電容器C2nm，以補償來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第n個掃描信號Sn被提供到第n條掃描線Sn的時間段內(nèi)，伽瑪電壓單元(未示出)的電壓可被重置，利用各重置的伽瑪電壓，使得包括在與各數(shù)據(jù)線D1～Dm相關(guān)的相應的第n個像素140n中的晶體管的電子遷移率可被補償，并且各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可被提供到第n個像素140n。因此，在本發(fā)明的實施例中，晶體管的閾值電壓和電子遷移率的不一致可以得到補償，從而可顯示具有均勻明度的圖像。以下將描述用于重置伽瑪電壓單元的電壓的過程。
圖5示出了圖2中示出的發(fā)光顯示器可采用的第nm個像素140nm’的另一個示例性實施例。圖5中示出的第nm個像素140nm’的結(jié)構(gòu)與圖3中示出的第nm個像素140nm的結(jié)構(gòu)基本相同，除了像素單元142nm’中的第一電容器C1nm’的布置以及與第一節(jié)點N1nm’和第二節(jié)點N2nm’的連接之外。在圖5中示出的示例性實施例中，第一電容器C1nm’的第一電極可與第二節(jié)點N2nm’連接，第一電容器C1nm’的第二電極可與第一電源ELVDD連接。第二電容器C2nm的第一電極可與第一節(jié)點N1nm’連接，第二電容器C2nm的第二電極可與第二節(jié)點N2nm’連接。第一節(jié)點N1nm’可與第一晶體管M1nm的第二電極、第三晶體管M3nm的第二電極和第二電容器C2nm的第一電極連接。第二節(jié)點N2nm’可與第四晶體管M4nm的柵電極、第五晶體管M5nm的第二電極、第一電容器C1nm的第一電極和第二電容器C2nm的第二電極連接。
在下面的描述中，將采用圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中的采用的相同的參考標號來描述在圖5中示出的第nm個像素140nm’的示例性實施例中的相同的特征。
將參照圖4和圖5來詳細描述用于操作像素140中的第nm個像素140nm’的第nm個像素電路142nm’的示例性方法。首先，在驅(qū)動第n-1個像素140(n-1)(1 to m)，即布置在第(n-1)行的像素的水平周期內(nèi)，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第n個像素140(n)(1to m)即布置在第n行的像素的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm可導通。
當?shù)谖寰w管M5nm導通時，電流可流過第四晶體管M4nm，使得第四晶體管M4nm可以如二極管般操作。當?shù)谒木w管M4nm如二極管般操作時，通過與由第一電源ELVDD減去第四晶體管M4nm的閾值電壓得到的值對應的電壓可被提供到第二節(jié)點N2nm’。與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應的電壓可充入第一電容器C1nm’。如圖5中所示，第一電容器C1nm’可設(shè)置在第二節(jié)點N2nm’和第一電源ELVDD之間。
當?shù)谌w管M3nm導通時，參考電源ELVref的電壓可被施加到第一節(jié)點N1nm’。然后，第二電容器C2nm可被充以與第一節(jié)點N1nm’和第二節(jié)點N2nm’之間的差對應的電壓。在第n-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1并且第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可截止的時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DSm可不被提供到第nm個像素140nm’。
然后，在用于驅(qū)動第nm個像素140nm’的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可導通。當?shù)诙w管M2nm導通時，在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，各PC可從第nm個像素140nm’通過數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。PC可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。響應PC，預定電壓可被充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可利用響應PC施加的補償電壓來重置伽瑪電壓單元的電壓，以利用伽瑪電壓單元的各重置電壓來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS。
然后，在用于驅(qū)動第nm個像素140nm’的一個水平周期的第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DSm可被提供到第一節(jié)點N1nm’。與數(shù)據(jù)信號DSm對應的預定電壓可被充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm。
當提供數(shù)據(jù)信號DSm時，第一節(jié)點N1nm’的電壓可從參考電源ELVref的電壓Vref減小為數(shù)據(jù)信號DSm的電壓。此時，由于第二節(jié)點N2nm’可懸浮，所以第二節(jié)點N2nm’的電壓值可響應第一節(jié)點N1nm’的壓降的量來減小。第二節(jié)點N2nm’會出現(xiàn)的電壓的減小量可由第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm的電容來決定。
當?shù)诙?jié)點N2nm’的電壓減小時，與第二節(jié)點N2nm’的電壓值對應的預定電壓可被充入第一電容器C1nm’。當參考電源ELVref的電壓值被固定時，充入第一電容器C1nm’的電壓的量可由數(shù)據(jù)信號DSm來決定。即，在圖5中示出的第nm個像素140nm’中，因為充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm的電壓值可由參考電源ELVref和數(shù)據(jù)信號DSm來決定，所以不管第一電源ELVDD的壓降如何，都可以充入期望的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，伽瑪電壓單元的電壓可被重置，利用重置的伽瑪電壓，使得包括在各像素140中的晶體管的電子遷移率可被補償，并且可提供各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號。在本發(fā)明的實施例中，晶體管的閾值電壓之間的不一致及晶體管的電子遷移率的偏差可被補償，因此使得能夠顯示具有均勻明度的圖像。
圖6示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一實施例的框圖。為了簡便起見，在圖6中，假設(shè)數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200具有j個通道(channel)，其中j是大于或等于2的自然數(shù)。
如圖6中所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可包括移位寄存器單元210、取樣鎖存器單元220、保持鎖存器單元230、補償單元240、數(shù)-模轉(zhuǎn)換單元(在下文中被稱作“DAC單元”)250、比較器單元260、第一緩沖器270、電流提供單元280、選擇器290、伽瑪電壓單元300和電壓發(fā)生單元310。
移位寄存單元210可從時序控制器150接收源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP。移位寄存單元210可利用源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP，以在源移位時鐘SSC的每個周期內(nèi)將源起始脈沖SSP移位的同時，順序地產(chǎn)生j個取樣信號。移位寄存單元210可包括j個移位寄存器2101-210j。
取樣鎖存器單元220可響應移位寄存單元210順序提供的取樣信號來順序地存儲各數(shù)據(jù)DATA。取樣鎖存器單元220可包括j個取樣鎖存器2201-220j，以存儲j個數(shù)據(jù)DATA。取樣鎖存器2201-220j中的每個可具有與數(shù)據(jù)DATA的位數(shù)對應的大小。例如，當數(shù)據(jù)DATA由k位組成時，取樣鎖存器2201-220j中的每個可具有k位的大小。
保持鎖存器單元230可從取樣鎖存器單元220接收數(shù)據(jù)DATA，以在源輸出使能SOE信號輸入時存儲數(shù)據(jù)DATA。當SOE信號輸入到保持鎖存器單元230時，保持鎖存器單元230可提供存儲在其中的數(shù)據(jù)DATA。保持鎖存器單元230可包括j個保持鎖存器2301-230j，以存儲j個數(shù)據(jù)DATA。保持鎖存器2301-230j中的每個可具有與數(shù)據(jù)DATA的位數(shù)對應的大小。例如，保持鎖存器2301-230j中的每個可具有k位的大小，使得各數(shù)據(jù)DATA可被存儲。
在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，電流提供單元280可從與數(shù)據(jù)線D1-Dj連接的像素140吸收PC。例如，電流提供單元280可從各像素140中吸收電流。如以下所討論的，各像素可吸收至電流提供單元280的電流量可對應于或大于將被提供到每個像素140的各發(fā)光器例如OLED的使之以最大的明度發(fā)光的最小電流量。電流提供單元280可有助于當各電流吸收至第二緩沖單元260時分別產(chǎn)生預定的補償電壓。電流提供單元280可包括j個電流吸收器2801-280j。
在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)，電壓發(fā)生單元310可產(chǎn)生電壓例如比較電壓。如圖9中所示，比較電壓可以以階梯狀方式增大。電壓發(fā)生單元310可以向比較器單元260提供產(chǎn)生的比較電壓。比較器單元260可包括j個通道的每個的比較器2601-260j。在本發(fā)明的實施例中，電壓發(fā)生單元310可向與j個通道的每個相關(guān)的比較器2601-260j提供產(chǎn)生的比較電壓。
比較器單元260可將電流吸收器2801-280j提供的補償電壓與電壓發(fā)生單元310提供的比較電壓作比較。比較器單元260可將與各比較的比較結(jié)果對應的j個邏輯信號提供給補償單元240。例如，當階梯狀增長的比較電壓的電壓超過相應的補償電壓時，比較器2601-260j中的每個可產(chǎn)生邏輯信號，各比較器2601-260j可將與各比較結(jié)果對應的各邏輯信號提供給補償單元240。
補償單元240可包括分別與j個通道的每個相關(guān)的j個補償器2401-240j。補償器2401-240j中的每個可根據(jù)從各比較器2601-260j輸入的各邏輯信號的輸入時序來產(chǎn)生補償數(shù)據(jù)，并可將產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)提供到DAC單元250。在下面的描述中，為了簡便起見，將假設(shè)補償器2401-240j中的每個產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，其中，p為自然數(shù)。
DAC單元250可包括j個DAC 2501-250j。DAC 2501-250j中的每個可從保持鎖存器2301-230j中的一個接收k位數(shù)據(jù)DATA，并從補償器2401-240j中的一個接收p位補償數(shù)據(jù)。基于從各保持鎖存器2301-230j接收的k位數(shù)據(jù)DATA和從各補償器2401-240j接收的p位補償數(shù)據(jù)，DAC 2501-250j可分別產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)。
通過將k位的數(shù)據(jù)DATA布置為包括最高有效位MSB的高位并將p位的補償數(shù)據(jù)布置為包括最低有效位LSB的低位，DAC 2501-250j可產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)?；诋a(chǎn)生的合成數(shù)據(jù)，DAC 2501-250j可從伽瑪電壓單元300產(chǎn)生的多個等級電壓中選出一個等級電壓來作為數(shù)據(jù)信號DS1-DSj。DAC 2501-250j可基于(k+p)位合成數(shù)據(jù)的位值來選擇等級電壓中的一個。
伽瑪電壓單元300可向DAC單元250提供預定數(shù)目的等級電壓。如圖8中所示，伽瑪電壓單元300可包括多個分壓電阻器R1-Rl，用于產(chǎn)生2k+p個等級電壓。伽瑪電壓單元300產(chǎn)生的等級電壓可被提供到DAC 2501-250j中的每個。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可僅包括一個伽瑪電壓單元300。
第一緩沖器270可將來自DAC單元250的各數(shù)據(jù)信號DS1-DSj提供到選擇器290。因此，在本發(fā)明的實施例中，第一緩沖器270可包括j個第一緩沖器2701-270j，和/或選擇器290可包括j個開關(guān)單元2901-290j。j個第一緩沖器2701-270j可分別將各DAC 2501-250j所選擇的數(shù)據(jù)信號DS1-DSj提供到各開關(guān)單元2901-290j。
選擇器290可控制數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j之間的電連接。在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，或者在一個水平周期的除了第一時間段外的任何時間段內(nèi)，選擇器290可將數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j電連接。在本發(fā)明的實施例中，僅在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，選擇器290可將數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j電連接。在除了各水平周期的第二時間段外的時間段內(nèi)，選擇器290可保持數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j電斷開。
如圖7中所示，在本發(fā)明的一個或多個方面的第二示例性實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可包括電平轉(zhuǎn)變單元320，電平轉(zhuǎn)變單元320可與保持鎖存器單元230連接。電平轉(zhuǎn)變單元320可增大保持鎖存器單元230提供的數(shù)據(jù)DATA的電壓電平，并可將電平改變了的結(jié)果提供給DAC單元250。當從外部系統(tǒng)提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)DATA具有高電壓電平時，通常應該提供具有耐高壓特性的電路組件，從而增加了制造成本。在本發(fā)明的實施例中，從外部系統(tǒng)提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)DATA可具有低的電壓電平，并且可通過電平轉(zhuǎn)變單元320將低的電壓電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦叩碾妷弘娖健?br> 圖8示出了連接第nj個像素140nj與如圖6中所示的伽瑪電壓單元300、電壓發(fā)生單元310、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器(DAC)單元250j、第一緩沖器270j、補償單元240j、開關(guān)單元290j、比較器260j、電流吸收器280j的連接方案的第一實施例的示意圖。為了簡便起見，圖8僅示出了一個通道即第j個通道，并假設(shè)數(shù)據(jù)線Dj與根據(jù)圖3中示出的像素140nm的示例性實施例的第nj個像素140nj連接。
如圖8中所示，伽瑪電壓單元300可包括多個分壓電阻器R1-Rl。分壓電阻器R1-Rl可置于參考電源Vref和第三電源電壓VSS’之間。分壓電阻器R1-Rl可劃分參考電源Vref和第三電源電壓VSS’之間的電壓，以產(chǎn)生多個等級電壓(V0-V2k+p-1)，并可將產(chǎn)生的等級電壓(V0-V2k+p-1)提供到DAC 250j。在本發(fā)明的實施例中，相同的電源或不同的電源例如ELVSS可被用來提供第二電壓VSS信號和第三電源電壓VSS’信號。
電壓發(fā)生單元310可包括計數(shù)器3101、增壓單元3102和第二緩沖器3103。計數(shù)器3101可以是p位的計數(shù)器，并可每當信號例如時鐘信號CLK被輸入時，增加預定增量的值例如1或1位，。計數(shù)器3101可僅在水平周期1H的第一時間段內(nèi)操作。如圖9中所示，在水平周期的第一時間段內(nèi)，計數(shù)器3101可產(chǎn)生計數(shù)信號，該計數(shù)信號隨著每個時鐘信號增加1，例如每當時鐘信號從高信號改變成低信號或者從低信號改變成高信號時該計數(shù)信號增加1。計數(shù)器3101可將產(chǎn)生的計數(shù)信號提供到增壓單元3102。雖然在圖9中2p被示出為具有16的值，但是p可以是任意的自然數(shù)。
響應計數(shù)器3101輸出的計數(shù)信號的值的增加，增壓單元3102可產(chǎn)生例如以樓梯狀的方式增大的電壓。增壓單元3102可將產(chǎn)生的電壓提供到第二緩沖器3103。第二緩沖器3103可將從增壓單元3102輸入的電壓提供到比較器260j。在本發(fā)明的實施例中，相同的電壓發(fā)生單元310可將產(chǎn)生的電壓提供給比較器2601-260j...260m中的全部、一些或僅一個。
如圖8中所示，電流吸收器280j可包括第十二個晶體管M12j、第十三個晶體管M13j、電流源Imaxj和第三電容器C3j。電流源Imaxj可與第十三晶體管M13j的第一電極連接。第三電容器C3j可連接在第三節(jié)點N3j和地電壓源GND之間?？捎傻诙刂菩盘朇S2來控制第十二個晶體管M12j和第十三個晶體管M13j。第十二晶體管M12的第一電極也可與第三節(jié)點N3j連接。
第十二晶體管M12j的柵電極可與第十三晶體管M13j的柵電極連接。第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可接收第二控制信號CS2。第十二晶體管M12j的第二電極可與第十三晶體管M13j的第二電極及數(shù)據(jù)線Dj連接。第十二晶體管M12j的第一電極可與比較器260j連接。第十二晶體管M12j通過第二控制信號CS2在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可導通，并在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可截止。
第十三晶體管M13j的柵電極可與第十二晶體管M12j的柵電極連接，第十三晶體管的第二電極可與數(shù)據(jù)線Dj連接。第十三晶體管M13j的第一電極可與電流源Imaxj連接。第十三晶體管M13j通過第二控制信號CS2在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可導通，在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可截止。
在第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導通的第一時間段內(nèi)，電流源Imaxj可用作電流吸收器，可從各像素140nj接收發(fā)光器例如OLED所需的使得像素140nj能夠發(fā)射具有最大明度的光的最小電流。
當電流通過各像素140nj被提供到電流源Imaxj時，第三電容器C3j可存儲施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓。第三電容器C3j在第一時間段內(nèi)可充入施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓，并且即使在第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j截止時也保持第三節(jié)點N3j的補償電壓均勻。
如上所述，比較器260j可將第二緩沖器3103提供的電壓與電流吸收器280j提供的補償電壓作比較，并可基于比較的結(jié)果將邏輯信號提供給補償器240j。當?shù)诙彌_器3103提供的電壓被確定為具有等于或大于補償電壓的電壓值的值時，比較器260j可產(chǎn)生邏輯信號。當確定第二緩沖器3103提供的電壓具有等于或大于補償電壓的電壓值的值時，比較器260j可將補償電壓和/或邏輯信號提供給補償器240j。在本發(fā)明的實施例中，當確定第二緩沖器3103提供的電壓具有等于或大于補償電壓的電壓值的值時，比較器260j可僅將補償電壓提供給補償器240j。
分別與j個通道相關(guān)的比較器2601-260j可在相同的時間或不同的時間產(chǎn)生各邏輯信號。在本發(fā)明的實施例中，比較器2601-260j中的每個可基于各補償電壓的電壓值來產(chǎn)生各邏輯信號。例如，在一個水平周期1H內(nèi)，例如在第n個水平周期內(nèi)，當從各第二緩沖器3103提供的電壓具有等于或大于各補償電壓的電壓值的值時，j個通道的每個中的第n個像素140n，即140n1、140n2...、140nj可被驅(qū)動，并且像素140n1、140n2...、140nj中的每個可分別將補償電壓提供給各比較器2601-260j。
以下將描述用于提供各補償電壓來補償例如像素單元中的像素的不同晶體管中的電子遷移率的差的示例性方法。分別提供給j個電流吸收器2801-280j的補償電壓，可基于在各水平周期內(nèi)被驅(qū)動的j個通道中的每個的各像素140的特性來確定。
如圖8中所示，補償器240j可包括調(diào)節(jié)單元241和存儲單元242。雖然僅示出補償器240j，但是這里所描述的特征可適用于補償器2401-240j中的每個。例如，補償器2401-240j中的每個可分別包括調(diào)節(jié)單元和存儲單元，使得在具有j通道的實施例中，可以存在j個調(diào)節(jié)單元和j個存儲單元。
調(diào)節(jié)單元241可以每當時鐘信號CLK輸入時將p位的補償數(shù)據(jù)位值加1。在本發(fā)明的實施例中，當邏輯信號從比較器260j輸入時，調(diào)節(jié)單元241可將作為補償數(shù)據(jù)的p位補償數(shù)據(jù)提供到存儲單元242。補償數(shù)據(jù)的位值可基于從比較器260j輸入的邏輯信號來確定。因此，在本發(fā)明的實施例中，各邏輯信號由比較器260j提供得越晚，位值增加得越多，因此導致形成補償數(shù)據(jù)的高位值。邏輯信號由比較器260j提供得越早，位值可增加得越少，因此導致形成補償數(shù)據(jù)的低位值。
存儲單元242可暫時存儲由調(diào)節(jié)單元241提供的補償數(shù)據(jù)。所存儲的補償數(shù)據(jù)可被提供到DAC 250j。
如以上所討論的，DAC 250j可使用k位的數(shù)據(jù)DATA和p位的補償數(shù)據(jù)來產(chǎn)生k+p位的合成數(shù)據(jù)，并且DAC 250j響應所產(chǎn)生的合成數(shù)據(jù)的位值來選擇多個等級電壓(V0-V2k+p-1)中的一個等級電壓作為數(shù)據(jù)信號DSj。多個等級電壓(V0-V2k+p-1)中的所選擇的一個可被提供到第一緩沖器270j。在本發(fā)明的實施例中，可通過補償數(shù)據(jù)的電壓值來確定可與合成數(shù)據(jù)的低位對應的p位補償數(shù)據(jù)，使得即使包含在像素140中的晶體管的遷移率不均勻，像素單元130也能夠顯示均勻的圖像。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可使用補償電壓來產(chǎn)生補償數(shù)據(jù)，其中，補償電壓可基于像素140中的晶體管的特性例如遷移率、閾值電壓等來產(chǎn)生，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可選擇與補償數(shù)據(jù)的值對應的數(shù)據(jù)信號DS，因此能夠補償不一致例如晶體管的電子遷移率的不同和/或閾值電壓的不同。
如圖8中所示，第一緩沖器270j可向開關(guān)單元290j發(fā)送DAC 250j提供的數(shù)據(jù)信號DSj。開關(guān)單元290j可包括第十一個晶體管M11j。第十一個晶體管M11j由如圖10中所示的第一控制信號CS1來控制。在本發(fā)明的實施例中，第十一個晶體管M11j在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可導通，在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可截止。結(jié)果，在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)數(shù)據(jù)信號DSj可被提供到數(shù)據(jù)線Dj，而在一個水平周期1H的其它時間段內(nèi)不提供數(shù)據(jù)信號DSj。
圖10示出了可用于驅(qū)動圖8中示出的像素、開關(guān)單元290j和電流吸收單元280j的示例性波形。將參照圖8和圖10來詳細解釋用于產(chǎn)生將被提供到像素140的各數(shù)據(jù)信號DS1-DSj的示例性方法。在下面的描述中，以上在圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中的相同的標號，將被用來描述在圖8中示出的第nj個像素140nj的示例性實施例中的相同的特征。
首先，掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1。當掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第三晶體管M3nj和第五晶體管M5nj可導通。通過從第一電源ELVDD減去第四晶體管M4nj的閾值電壓得到的電壓值隨后可被施加到第二節(jié)點N2nj，參考電源ELVref的電壓可被施加到第一節(jié)點N1nj。與第四晶體管M4nj的閾值電壓和第一電源ELVDD的壓降對應的電壓隨后可被充入第二電容器C2nj。
施加到第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式1和等式2來表示。
VN1＝Vref[等式2]VN2＝ELVDD-|VthM4|在等式1和等式2中，VN1、VN2和VthM4分別表示施加到第一節(jié)點N1j的電壓，施加到第二節(jié)點N2j的電壓和第四晶體管M4nj的閾值電壓。
從掃描信號SSn-1提供到第n-1條掃描線Sn-1截止的時間至掃描信號SSn提供到第n條掃描線Snj的時間，第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj可以是懸浮的。因此，在這個時間內(nèi)，充入第二電容器C2nj的電壓值不會改變。
隨后，第n個掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，使得第一晶體管M1nj和第二晶體管M2nj可導通。當掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，在第n條掃描線Sn被驅(qū)動的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導通。當?shù)谑w管M12j和第十三晶體管M13j導通時，可吸收通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj、第二晶體管M2nj、數(shù)據(jù)線Dj和第十三晶體管M13nj流過電流源Imax的電流。
當電流通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj和第二晶體管M2nj流過電流源Imaxj時，可應用等式3。
Imax=12μpCoxWL(ELVDD-VN2-|VthM4|)2]]>在等式3中，μp、Cox、W和L分別表示電子遷移率、氧化層的電容、溝道的寬度和溝道的長度。
當通過等式3得到的電流流過第四晶體管M4nj時施加到第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式4來表示。
VN2=ELVDD-2ImaxμpCoxLW-|VthM4|]]>通過第二電容器C2nj的耦合，施加到第一節(jié)點N1nj的電壓可用等式5來表示。
VN1=Vref-2ImaxμpCoxLW=VN3]]>在等式5中，電壓VN1可對應于施加到第一節(jié)點N1nj的電壓，電壓VN3可對應于施加到第三節(jié)點N3j的電壓。在本發(fā)明的實施例中，當電流被電流源Imaxj吸收時，滿足等式5的電壓可施加到第三節(jié)點N3j。
如在等式5中看到的，施加到第三節(jié)點N3j的電壓會受包括在向電流源Imaxj提供電流的像素140nj中的晶體管的電子遷移率影響。因此，例如當像素140的每個中電子遷移率變化時，在像素140的每個中，當電流提供到電流源Imaxj時施加到第三節(jié)點N3nj的電壓值會變化。
在等式5中示出的補償電壓會受包含在像素140nj中的晶體管的遷移率影響。因此，當電流吸收至電流源Imaxj時，施加到第三節(jié)點N3的電壓值可基于各像素140的特性而不同。
如以上所討論的，施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓可提供到各比較器260j。比較器260j可將電壓發(fā)生單元310提供的比較電壓與電流吸收器280j提供的補償電壓作比較，并可基于比較的結(jié)果將邏輯信號提供到補償器240j。然后，比較器260j可產(chǎn)生邏輯信號，并將邏輯信號提供到補償器240j。可基于電流吸收器280j提供的補償電壓的電壓值來確定邏輯信號的產(chǎn)生時間。
補償器240j可響應邏輯信號的產(chǎn)生時間來產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，所產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)可提供到DAC 250j。然后，DAC 250j可響應k位的數(shù)據(jù)DATA和p位的補償數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，DAC 250j可響應所產(chǎn)生的合成數(shù)據(jù)的位值來從多個等級電壓中選擇一個等級電壓作為數(shù)據(jù)信號DSj。DAC 250j可將所選擇的數(shù)據(jù)信號DSj提供到第一緩沖器270j?？捎赏獠刻峁┑膋位數(shù)據(jù)DATA及p位補償數(shù)據(jù)可響應各電流吸收器280j提供的補償電壓的電壓值來產(chǎn)生。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)信號DS的電壓值可基于提供吸收電流的各像素140中的晶體管的特性例如遷移率、閾值電壓等來確定。
在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)，第十一晶體管M11j可導通。提供到第一緩沖器270j的數(shù)據(jù)信號DSj可通過第十一晶體管M11j、數(shù)據(jù)線Dj和第一晶體管M1nj提供到第一節(jié)點N1j。隨后，第一電容器C1nj可被充以對應于數(shù)據(jù)信號DSj的預定電壓。
如圖10中所示，可控制提供到第n條發(fā)光控制線En的發(fā)射控制信號ESn，例如控制其從高信號改變成低信號，并且第六晶體管M6nj可導通。然后，第四晶體管M4nj可將與充入第一電容器C1nj和第二電容器C2nj中的電壓對應的電流通過第六晶體管M6nj提供到OLEDnj。在本發(fā)明的實施例中，因為數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值可由各像素140nj中的晶體管的遷移率來確定，所以，不管第四晶體管M4nj的特性例如電子遷移率和閾值電壓如何，OLEDnj可被提供與所選擇的等級電壓對應的電流，使得可顯示均勻的圖像。
在本發(fā)明的實施例中，如以上所討論的，可采用不同的開關(guān)單元。圖11示出采用開關(guān)單元290j’的另一實施例的圖8中示出的連接方案。圖11中示出的示例性連接方案與圖8中示出的示例性連接方案基本相同，除了開關(guān)單元290j’的另一實施例之外。在下面的描述中，將采用以上采用的相同的標號來描述圖11中示出的示例性實施例的相同的特征。
如圖11中所示，另一示例性開關(guān)單元290j’可包括第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j，第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j可以以傳輸門的形式彼此連接。第十四晶體管M14j可接收第二控制信號CS2，其中，第十四晶體管M14j可以是PMOS型晶體管。第十一晶體管M11j可接收第一控制信號CS1，其中，第十一晶體管M11j可以是NMOS型晶體管。在這種實施例中，當?shù)谝豢刂菩盘朇S1的極性與第二控制信號CS2的極性相反時，第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j可同時導通和截止。
在第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j可以以傳輸門的形式彼此連接的本發(fā)明的實施例中，電壓-電流特性曲線可以是直線的形式，開關(guān)誤差可被最小化。
圖12示出第nj個像素140nj’與如圖6中所示的對于特定通道的伽瑪電壓單元300、電壓發(fā)生單元310、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器(DAC)單元250、第一緩沖器270j、補償單元240j、開關(guān)單元290j、比較器260j和電流吸收器280j的連接方案的第二示例性實施例的示意圖。為了簡便起見，圖12僅示出了一個通道，即j通道，并假設(shè)數(shù)據(jù)線Dj與根據(jù)圖5中示出的像素140nm’的示例性實施例的第n個像素140nj’連接。圖12中示出的示例性連接方案與圖8中示出的示例性連接方案基本相同。在下面的描述中，將采用以上采用的相同的標號來描述圖12中示出的示例性實施例中的相同特征。因此，下面將僅簡要描述施加到像素140nj’的電壓和/或信號或者由像素140nj’提供的電壓和/或信號。
如圖12中所示，像素140nj’的第一電容器C1nj’可連接在第一電源ELVDD和第二節(jié)點N2nj’之間。在本發(fā)明的實施例中，例如采用像素140nj’的實施例中，即使當像素140nj’的第一節(jié)點N1nj’的電壓可大大改變即為(C1+C2)/C2時，第二節(jié)點N2nj的電壓也可逐漸改變。作為第二節(jié)點N2nj的逐漸改變的電壓的結(jié)果，與采用圖3中示出的像素140nm的情況相比，可以給伽瑪電壓單元300設(shè)置較大的電壓范圍。當伽瑪電壓單元300的電壓范圍可以較大時，第十一晶體管M11j和第一晶體管M1nj的開關(guān)誤差減小。
在采用本發(fā)明的一個或多個方面的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和方法中，基于從各像素提供到電流吸收器的電流可產(chǎn)生補償電壓，該補償電壓可用于產(chǎn)生補償數(shù)據(jù)。所產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)和外部提供的數(shù)據(jù)可用于產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)。隨后，合成數(shù)據(jù)可用于從多個等級電壓中選擇一個等級電壓，從而不管晶體管的特性例如閾值電壓、遷移率等如何，都能夠顯示具有均勻明度的圖像。
在這里已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實施例，雖然采用了特定的術(shù)語，但是這些術(shù)語只是總體和描述性地解釋，而不是出于限制的目的。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求所提出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對形式和細節(jié)作各種改變。
權(quán)利要求
1.一種基于像素的k位的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述像素可通過數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路電連接，其中，k是自然數(shù)，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括伽瑪電壓發(fā)生器，產(chǎn)生多個等級電壓；電流吸收器，在用于驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，所述電流吸收器通過所述數(shù)據(jù)線從所述像素接收預定電流；電壓發(fā)生器，在所述一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，產(chǎn)生逐漸增加的比較電壓；比較器，將基于所述預定電流產(chǎn)生的補償電壓與逐漸增加的所述比較電壓作比較，并基于比較的結(jié)果來產(chǎn)生邏輯信號；補償單元，基于所述邏輯信號來產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，其中，p是自然數(shù)；數(shù)-模轉(zhuǎn)換器，利用p位的補償數(shù)據(jù)和k位的外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，并基于所述合成數(shù)據(jù)的位值從所述多個等級電壓中選擇一個來作為所述像素的數(shù)據(jù)信號。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括開關(guān)單元，在所述一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到所述數(shù)據(jù)線；緩沖器，布置在所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和所述開關(guān)單元之間。
3.如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括在所述第二部分時間段內(nèi)導通的至少一個晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括兩個晶體管，所述兩個晶體管彼此連接以形成傳輸門。
5.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述伽瑪電壓發(fā)生器產(chǎn)生2k+p個等級電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所產(chǎn)生的合成數(shù)據(jù)是(k+p)位的，所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器通過采用k位數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最高有效位的高位并采用p位補償數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最低有效位的低位來產(chǎn)生所述合成數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電流吸收器包括電流源，用于接收所述預定電流；第一晶體管，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述比較器之間，所述第一晶體管在所述第一部分時間段內(nèi)導通；第二晶體管，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述電流源之間，所述第二晶體管在所述第一部分時間段內(nèi)導通；電容器，在其中充入所述補償電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述預定電流的值等于或大于所述像素可用來發(fā)射最大明度的光的最小電流的值；所述最大明度對應于當所述多個等級電壓中的最大的一個施加到所述像素時的像素的明度。
9.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電壓發(fā)生器包括計數(shù)器，基于在所述第一部分時間段內(nèi)接收到的時鐘信號來產(chǎn)生計數(shù)信號；增壓單元，響應來自所述計數(shù)器的所述計數(shù)信號來逐漸增加電壓，并產(chǎn)生所述比較電壓；緩沖器，布置在所述增壓單元和所述比較器之間。
10.如權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述補償單元包括存儲單元，所述存儲單元暫時存儲所述p位的補償數(shù)據(jù)；調(diào)節(jié)單元，所述調(diào)節(jié)單元基于所述時鐘信號來增加所述p位補償數(shù)據(jù)的位值，并基于所述邏輯信號將所述p位的補償數(shù)據(jù)發(fā)送到所述存儲單元。
11.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，當所述比較電壓的電壓值被確定為大于或等于所述p位補償電壓的電壓值時，所述比較器產(chǎn)生所述邏輯信號。
12.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括移位寄存器，順序地產(chǎn)生取樣脈沖；取樣鎖存器單元，包括至少一個取樣鎖存器，用于基于所述取樣脈沖來接收和存儲所述k位的外部提供的數(shù)據(jù)；保持鎖存器單元，接收存儲在取樣鎖存器單元中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)，并將存儲在所述保持鎖存器單元中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)提供給所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器。
13.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括電平轉(zhuǎn)變單元，增大存儲在所述保持鎖存器中的k位的外部提供的數(shù)據(jù)的電壓電平，并將電壓改變了的k位的外部提供的數(shù)據(jù)提供給所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器。
14.一種發(fā)光顯示器，包括像素單元，包括多個像素，所述像素連接到n條掃描線中的一條、多條發(fā)射控制線中的一條和多條數(shù)據(jù)線中的一條，其中n是整數(shù)；掃描驅(qū)動器，所述掃描驅(qū)動器在各掃描周期內(nèi)分別順序地將n個掃描信號提供給n條掃描線，并用于分別順序地將發(fā)射控制信號提供給所述發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括在n個掃描信號中的一個施加到所述n條掃描線中的相應的一條的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，基于從所述像素流到所述數(shù)據(jù)線的預定電流來產(chǎn)生補償電壓；利用所產(chǎn)生的補償電壓和外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生多個補償數(shù)據(jù)；基于所產(chǎn)生的補償數(shù)據(jù)從多個等級電壓中選擇一個；在所述一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，將所述多個等級電壓中所選擇的一個提供給各像素。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的一個連接到n條掃描線中的兩條，在所述掃描周期的每個內(nèi)，在所述兩條掃描線中的第二條掃描線接收所述n個掃描信號中的相應的一個之前，所述兩條掃描線中的第一條掃描線接收所述n個掃描信號中的相應的一個，所述像素中的每個包括發(fā)光器，從第一電源接收電流；第一晶體管和第二晶體管，各具有第一電極，所述第一電極連接到與所述像素相關(guān)的相應的一條數(shù)據(jù)線，當所述兩個掃描信號中的第二個掃描信號被提供時，所述第一晶體管和所述第二晶體管導通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與所述第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當所述兩個掃描信號中的第一個掃描信號被提供時，所述第三晶體管導通；第四晶體管，所述第四晶體管控制提供到所述發(fā)光器的電流的量，所述第四晶體管的第一端與所述第一電源連接；第五晶體管，具有與所述第四晶體管的柵電極連接的第一電極和與所述第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當所述兩個掃描信號中的第一個掃描信號被提供時，所述第五晶體管導通，使得所述第四晶體管如二極管般操作。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個還包括第一電容器，具有第一電極和第二電極，所述第一電極與所述第一晶體管的第二電極和所述第四晶體管的柵電極中的一個連接，所述第二電極與所述第一電源連接；第二電容器，具有與所述第一晶體管的所述第二電極連接的第一電極和與所述第四晶體管的所述柵電極連接的第二電極。
17.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個還包括第六晶體管，具有與所述第四晶體管的所述第二電極連接的第一端和與所述有機發(fā)光二極管連接的第二端，當各發(fā)射控制信號被提供時，所述第六晶體管截止，其中，在用于基于所選擇的等級電壓驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，所述電流吸收器從所述像素接收所述預定電流，在基于所選擇的等級電壓來驅(qū)動所述像素的一個完整周期的所述第二部分時間段之前出現(xiàn)所述第一部分時間段，在用于驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，所述第六晶體管截止。
18.一種基于像素的k位的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素的方法，其中，所述像素可通過數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路電連接，所述方法包括在用于驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第一個部分時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線從所述像素接收預定電流；在所述一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)產(chǎn)生逐漸增加的比較電壓；將基于所述預定電流產(chǎn)生的補償電壓與逐漸增加的所述比較電壓作比較，并基于比較的結(jié)果來產(chǎn)生邏輯信號；基于所述邏輯信號來產(chǎn)生p位的補償數(shù)據(jù)，其中p是自然數(shù)；利用所述p位的補償數(shù)據(jù)和所述k位的外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，并基于所述合成數(shù)據(jù)的位值來從多個等級電壓中選擇一個作為所述像素的數(shù)據(jù)信號，其中k是自然數(shù)；在用于驅(qū)動所述像素的所述一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到所述像素，所述第一部分時間段與所述第二部分時間段不同。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，產(chǎn)生所述邏輯信號的步驟包括當所述比較電壓的電壓值被確定為等于或大于所述p位補償電壓的電壓值時產(chǎn)生所述邏輯信號。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述合成數(shù)據(jù)是(k+p)位，產(chǎn)生所述合成數(shù)據(jù)的步驟包括采用k位數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最高有效位的高位并采用p位補償數(shù)據(jù)作為(k+p)位補償數(shù)據(jù)的包括最低有效位的低位。
全文摘要
一種用于發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括伽瑪電壓發(fā)生器，產(chǎn)生等級電壓；電流吸收器，在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，通過數(shù)據(jù)線從像素接收預定電流；電壓發(fā)生器，在第一部分時間段內(nèi)，產(chǎn)生逐漸增加的比較電壓；比較器，將基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓與比較電壓作比較，并基于比較的結(jié)果來產(chǎn)生邏輯信號；補償單元，基于邏輯信號來產(chǎn)生補償數(shù)據(jù)；數(shù)－模轉(zhuǎn)換器，利用補償數(shù)據(jù)和外部提供的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生合成數(shù)據(jù)，基于合成數(shù)據(jù)的位值來從多個等級電壓中選擇一個作為像素的數(shù)據(jù)信號。
文檔編號H05B33/14GK1909042SQ20061010899
公開日2007年2月7日 申請日期2006年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月1日
發(fā)明者鄭寶容, 柳道亨, 金烘權(quán), 權(quán)五敬 申請人:三星Sdi株式會社, 漢陽大學校產(chǎn)業(yè)協(xié)力團