專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其控制方法，尤其涉及一種能夠降低由薄膜晶體管引起的老化的顯示裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
最近，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)在平板顯示裝置中受到歡迎，因?yàn)樗哂械蛪候?qū)動(dòng)、重量輕和細(xì)長(zhǎng)的形狀、寬視角和高速響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。在OLED基板中形成有多個(gè)驅(qū)動(dòng)OLED的薄膜晶體管(TFT)、在TFT上形成像素的陽(yáng)極、以及生成參考電壓的陰極。對(duì)兩個(gè)電極施加電壓使得空穴和電子結(jié)合生成激子。當(dāng)激子從注入到兩個(gè)電極之間的發(fā)光層被傳輸?shù)交鶓B(tài)時(shí)該激子發(fā)光。通過(guò)調(diào)節(jié)發(fā)射的光OLED顯示圖像。
通常，在OLED基板上形成多個(gè)TFT。為了形成像素，提供連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)的開(kāi)關(guān)晶體管和連接到驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)的驅(qū)動(dòng)晶體管。
OLED的TFT隨驅(qū)動(dòng)時(shí)間逐漸老化，使得沒(méi)有將預(yù)定電壓施加到像素電極成為嚴(yán)重問(wèn)題的源頭。尤其是，數(shù)據(jù)電壓升高越多，驅(qū)動(dòng)電壓也就升高越多。從而，正常的電壓沒(méi)有施加到像素電極。而且，由于有機(jī)材料制成的發(fā)光層的老化，施加到像素電極的電壓或電流值會(huì)偏離正常范圍。而且，由于TFT或發(fā)光層的老化，顯示裝置的亮度會(huì)不一致或隨時(shí)間降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種通過(guò)補(bǔ)償TFT的老化而具有均勻亮度的顯示裝置及其控制方法。
本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分在以下的描述中提出，部分通過(guò)描述是顯而易見(jiàn)的，或可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而了解。
通過(guò)提供顯示裝置實(shí)現(xiàn)前述的和其他目的，該顯示裝置包括驅(qū)動(dòng)晶體管；電連接到該驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電極；檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)幅值的檢測(cè)晶體管；在被檢測(cè)的電信號(hào)和預(yù)定的參考電平之間的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的數(shù)據(jù)電壓的控制器。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該顯示裝置還包括將驅(qū)動(dòng)電壓施加到該驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)；連接到該驅(qū)動(dòng)晶體管柵極的開(kāi)關(guān)晶體管；將該數(shù)據(jù)電壓施加到該開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將柵極開(kāi)啟電壓施加到該開(kāi)關(guān)晶體管的柵線(xiàn)。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該顯示裝置還包括連接到該檢測(cè)晶體管的檢測(cè)線(xiàn)。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該檢測(cè)線(xiàn)與該驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)和該數(shù)據(jù)線(xiàn)中的一個(gè)平行。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該檢測(cè)晶體管的柵極連接到與該柵線(xiàn)相鄰的另一個(gè)柵線(xiàn)。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該控制器包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與該數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電平表并且將補(bǔ)償電壓施加到該數(shù)據(jù)線(xiàn)，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的電信號(hào)的幅值對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓之間的差值。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該電信號(hào)是電壓和電流之一。
通過(guò)提供一種顯示裝置實(shí)現(xiàn)前述的和其他目的，該顯示裝置包括像素電極；檢測(cè)施加到該像素電極的像素電流的檢測(cè)晶體管；在像素電流和預(yù)定的參考電平之間的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的像素電壓的控制器。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該控制器包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與像素電流對(duì)應(yīng)的參考電平表并且將補(bǔ)償電壓施加到該像素電極，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的像素電流的幅值對(duì)應(yīng)的像素電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的像素電壓之間的差值。
通過(guò)提供一種顯示裝置的控制方法實(shí)現(xiàn)前述的和其他目的，該控制方法包括開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)晶體管；檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)；比較檢測(cè)的電信號(hào)與預(yù)定的參考電平；在比較結(jié)果的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的數(shù)據(jù)電壓。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，調(diào)節(jié)將補(bǔ)償電壓施加到該數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)電壓，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的電信號(hào)的幅值對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓之間的差值。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該控制方法還包括檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)的檢測(cè)晶體管。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該電信號(hào)是電壓和電流之一。


結(jié)合附圖從對(duì)實(shí)施例的以下描述使得本發(fā)明的上述和/或其他方面及優(yōu)點(diǎn)將變得明顯且更容易理解，附圖中圖1是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的示意圖；圖2A和2B是示出依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電信號(hào)的輸出對(duì)時(shí)間的圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的參考表；圖4是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置數(shù)據(jù)電壓調(diào)節(jié)的圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置的控制方法的控制流程圖。
具體實(shí)施例方式
參照本發(fā)明的實(shí)施例詳細(xì)描述，作為示例在附圖中說(shuō)明，其中相同的附圖標(biāo)記表示同樣元件。為了解釋本發(fā)明，下面參照附圖描述實(shí)施例。
圖1是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的示意圖，尤其是顯示裝置中提供的像素的等效電路。例如，下面參照OLED解釋依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置。然而，是示例性的實(shí)施例。在提供多個(gè)TFT以驅(qū)動(dòng)顯示裝置以及由于TFT的老化使得顯示裝置亮度變差的情況下，可采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
如圖所示，顯示裝置包括多個(gè)晶體管100、200、300，連接到晶體管100、200、300的多個(gè)信號(hào)線(xiàn)10、20、30、60，以及控制晶體管100、200、300的控制器70。而且，顯示裝置還包括與驅(qū)動(dòng)晶體管200電連接的像素電極40，通過(guò)從像素電極40施加的電壓而發(fā)光的發(fā)光裝置50。而且，盡管沒(méi)有說(shuō)明，顯示裝置還包括通過(guò)控制器70的控制分別驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€(xiàn)10和數(shù)據(jù)線(xiàn)20的柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
多個(gè)信號(hào)線(xiàn)10、20、30、60由柵線(xiàn)10、數(shù)據(jù)線(xiàn)20、驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30和檢測(cè)線(xiàn)60組成。
多個(gè)柵線(xiàn)10N、10N+1彼此平行排列，且與數(shù)據(jù)線(xiàn)20、驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30和檢測(cè)線(xiàn)60垂直相交，以限定像素區(qū)域。包括柵線(xiàn)10N、10N+1和每個(gè)晶體管100、200、300的柵極110、210、310的柵極金屬層可以是單層或多層。柵線(xiàn)10N、10N+1將柵極開(kāi)/關(guān)電壓施加到與柵線(xiàn)10N、10N+1連接的晶體管100、300。
由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層覆蓋這些柵極金屬層。柵極絕緣層將柵極金屬層與數(shù)據(jù)金屬層電絕緣。
與柵線(xiàn)10相交的數(shù)據(jù)線(xiàn)20以及包括每個(gè)晶體管100、200、300的漏極120、220、320和源極的數(shù)據(jù)金屬層與柵極金屬層絕緣。數(shù)據(jù)線(xiàn)20將數(shù)據(jù)電壓施加到開(kāi)關(guān)晶體管100。
驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30與數(shù)據(jù)線(xiàn)20平行，且與柵線(xiàn)10相交，以形成矩陣形狀的像素區(qū)域。通常，驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30是數(shù)據(jù)金屬層且由與數(shù)據(jù)線(xiàn)20相同的層形成。驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30以預(yù)定的恒定電平將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管200。
對(duì)于每個(gè)像素區(qū)域排列這些驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30，但一對(duì)像素區(qū)域共用一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30。換言之，緊鄰驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30排列的一對(duì)像素區(qū)域通過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30被施加驅(qū)動(dòng)電壓。由于線(xiàn)的數(shù)量減少，以及因施加電壓的線(xiàn)的數(shù)量減少使電磁干擾改善，因此使得生產(chǎn)過(guò)程簡(jiǎn)單化。
檢測(cè)線(xiàn)60與數(shù)據(jù)線(xiàn)20和驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)30平行排列。檢測(cè)線(xiàn)60的排列方向不限于本發(fā)明的實(shí)施例并且可與柵線(xiàn)10平行。檢測(cè)線(xiàn)60與柵線(xiàn)10在相同的層形成。然而，在這種情況下，檢測(cè)線(xiàn)60在檢測(cè)線(xiàn)60與柵線(xiàn)10相交的區(qū)域必須與柵線(xiàn)10電分離。為了這一目的，柵線(xiàn)10或檢測(cè)線(xiàn)60通過(guò)橋連接。因此，如果檢測(cè)線(xiàn)60與數(shù)據(jù)線(xiàn)20平行形成，則希望檢測(cè)線(xiàn)60與數(shù)據(jù)線(xiàn)20形成于相同的層上。
開(kāi)關(guān)晶體管100由形成柵線(xiàn)10一部分的柵極110、從數(shù)據(jù)線(xiàn)20分出的漏極120、與漏極120分離的源極130以及在漏極120和源極130之間形成的半導(dǎo)體層(未示出)組成。施加到第N個(gè)柵線(xiàn)10N的柵極開(kāi)啟電壓傳輸?shù)介_(kāi)關(guān)晶體管100的柵極110。因此，從數(shù)據(jù)線(xiàn)20施加的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)漏極120從源極130放電。
驅(qū)動(dòng)晶體管200依據(jù)提供到自己的柵極210的數(shù)據(jù)電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏極220和源極230之間的電流。通過(guò)源極230施加到像素電極40的電壓對(duì)應(yīng)于從柵極210提供的數(shù)據(jù)電壓和從漏極220提供的驅(qū)動(dòng)電壓之間的差值。
存儲(chǔ)電容器Cst用于存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)電壓和驅(qū)動(dòng)電壓之間的差值對(duì)應(yīng)的電壓，并且使施加到驅(qū)動(dòng)晶體管200的柵極210的數(shù)據(jù)電壓和對(duì)于一幀施加到像素電極400的電流保持恒定。
鈍化層(未示出)在漏極220和像素電極40之間形成。而且，漏極220和像素電極40通過(guò)位于鈍化層上的接觸孔(未示出)相互電連接。像素電極40作為陽(yáng)極并且向發(fā)光裝置50中提供空穴。
檢測(cè)晶體管300的柵極310連接到第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1。漏極320連接在驅(qū)動(dòng)晶體管200和像素電極40之間，源極330連接到檢測(cè)線(xiàn)60。柵極開(kāi)啟電壓施加到第N個(gè)柵線(xiàn)10N，使得柵極關(guān)斷電壓施加到第N個(gè)柵線(xiàn)10N，同時(shí)柵極開(kāi)啟電壓施加到第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1。因此，連接到第N個(gè)柵線(xiàn)10N的所有晶體管關(guān)斷，同時(shí)連接到第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1的所有晶體管開(kāi)啟。隨著通過(guò)第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1施加?xùn)艠O電壓，檢測(cè)晶體管300的柵極310被開(kāi)啟。然后，施加到像素電極40的電流通過(guò)漏極320從源極330放電。從源極330釋放的電流通過(guò)檢測(cè)線(xiàn)60輸入到控制器70。換言之，當(dāng)電信號(hào)由開(kāi)關(guān)晶體管100和驅(qū)動(dòng)晶體管200施加到像素電極40時(shí)，檢測(cè)晶體管300指示控制器70檢測(cè)電信號(hào)的幅值。
參照?qǐng)D2A和圖2B，作為示例下面詳細(xì)解釋檢測(cè)晶體管300的開(kāi)啟/關(guān)斷。在圖2A中，通過(guò)時(shí)間基線(xiàn)說(shuō)明施加到圖1中一個(gè)像素的柵極開(kāi)啟電壓和柵極關(guān)斷電壓。在圖2B中，通過(guò)時(shí)間基線(xiàn)說(shuō)明多個(gè)被檢測(cè)的電流。
大約20～25V被作為柵極開(kāi)啟電壓施加，大約-10～-5V被作為柵極關(guān)斷電壓施加。如果以60Hz驅(qū)動(dòng)顯示裝置，則幀必須以每秒60的數(shù)量形成。因此，施加?xùn)艠O開(kāi)啟電壓所需的必要時(shí)間大約是1/(60×柵線(xiàn)的數(shù)量)。因此，頻率、分辨率和柵線(xiàn)數(shù)量越大，必要時(shí)間越短。在非常短的時(shí)間內(nèi)將柵極開(kāi)啟電壓施加到像素電極40，并且當(dāng)形成幀時(shí)施加?xùn)艠O關(guān)斷電壓。
在圖2A中，說(shuō)明了柵極開(kāi)啟電壓和柵極關(guān)斷電壓總共施加4次的示例情況。大約0.00002秒的柵極開(kāi)啟電壓被施加到第N個(gè)柵線(xiàn)10N，接著施加大約0.0003秒的柵極關(guān)斷電壓。柵極關(guān)斷電壓被施加到第N個(gè)柵線(xiàn)10N。同時(shí)，柵極開(kāi)啟電壓被施加到第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1。當(dāng)柵極開(kāi)啟電壓被施加到第N+1個(gè)柵線(xiàn)10N+1時(shí)，開(kāi)啟檢測(cè)晶體管300。因此，如圖2B所示，電流在瞬間被釋放。
如圖2B所示，因?yàn)殡娏鞅会尫诺綑z測(cè)晶體管300，所以通過(guò)像素電極40施加到發(fā)光裝置50的電流首先被突然降低。但是，立即將電流保持在正常水平。被檢測(cè)電流的幅值依賴(lài)于數(shù)據(jù)電壓的幅值，當(dāng)被施加的電壓依次為5V、13V、10V和5V時(shí)，圖中所示的數(shù)值為被檢測(cè)的電流值。當(dāng)施加的數(shù)據(jù)電壓是5V時(shí)被檢測(cè)的電流大約為1.5×10-6A，13V時(shí)被檢測(cè)的電流大約為3.5×10-6A，10V時(shí)被檢測(cè)的電流大約為2.6×10-6A。在圖2中，施加?xùn)艠O開(kāi)啟電壓和柵極關(guān)斷電壓的時(shí)間間隔、被施加電壓的幅值和被檢測(cè)電流的電平可選地設(shè)置以便于解釋本發(fā)明。而且，在實(shí)際的顯示裝置中可以不斷的變化。
控制器70比較被檢測(cè)電流和參考電平表中的預(yù)定電流(A)并且依據(jù)它們之間的差值適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)數(shù)據(jù)電壓?？刂破?0包括存儲(chǔ)器80，該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)與施加到像素電極40的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電平表?？刂破?0基于在存儲(chǔ)器80中存儲(chǔ)的表來(lái)調(diào)節(jié)并校正數(shù)據(jù)電壓。在本發(fā)明的實(shí)施例中，控制器70基于被檢測(cè)電流的幅值來(lái)調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)電壓。然而，控制器70能夠檢測(cè)作為電信號(hào)的電壓和電流。
在圖3中，顯示了在存儲(chǔ)器80中存儲(chǔ)的參考表。在表中，列出了正常的電流，該電流對(duì)應(yīng)于通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)20施加的數(shù)據(jù)電壓。如果由于驅(qū)動(dòng)晶體管200或發(fā)光裝置50沒(méi)有老化而施加正常的電壓，則通過(guò)檢測(cè)晶體管300被檢測(cè)的電流一定是顯示在表中的參考電平。例如以1V的間隔從0V到10V設(shè)置數(shù)據(jù)電壓，且通過(guò)模擬來(lái)計(jì)算與設(shè)置的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電平。圖3的表說(shuō)明任意設(shè)置的數(shù)據(jù)電壓和參考電平以解釋本發(fā)明。然而，在顯示裝置的實(shí)踐應(yīng)用中，該表需要具有更多的詳細(xì)信息，該信息被以0.01V或0.001V的間隔細(xì)分。
在圖4中，顯示用于說(shuō)明顯示裝置的數(shù)據(jù)電壓控制的圖。參照?qǐng)D3和圖4，以下解釋表的使用和控制器70的數(shù)據(jù)電壓控制。在圖4中，顯示了與列在表中的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電平和由于晶體管的老化等引起的漂移電流。當(dāng)數(shù)據(jù)電壓從0V逐漸增加到10V時(shí)，測(cè)量從驅(qū)動(dòng)晶體管200施加到像素電極40的電流。當(dāng)從0V到3V施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)檢測(cè)的電流值幾乎與參考值一致。然而，如果數(shù)據(jù)電壓增加到4V以上，被檢測(cè)電流與參考電平的差值逐漸增加。因此，數(shù)據(jù)電壓越大，數(shù)據(jù)電壓和參考值之間的差值越大。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓是10V時(shí)，被檢測(cè)的電流應(yīng)當(dāng)是3.5×10-6A。然而，被檢測(cè)的實(shí)際電流的幅值大約是1.67×10-6A。并且，這個(gè)實(shí)際的電流是當(dāng)數(shù)據(jù)電壓是8V時(shí)所檢測(cè)的電流(III)。換言之，因?yàn)楸粰z測(cè)的實(shí)際電流比正常應(yīng)當(dāng)被檢測(cè)為1.48×10-6A(I)的電流量小，所以像素電極40被施加8V的電壓而不是10V的電壓。因此，在這種情況下，控制器70額外地將補(bǔ)償電壓施加到數(shù)據(jù)線(xiàn)20。補(bǔ)償電壓是2V，即對(duì)應(yīng)于被檢測(cè)電流的幅值(1.67×10-6A)的數(shù)據(jù)電壓(8V)和對(duì)應(yīng)于參考電平(3.15×10-6A)的數(shù)據(jù)電壓(10V)之間的差值。如上所述，控制器70利用表來(lái)補(bǔ)償應(yīng)當(dāng)被施加到像素電極40的數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)電壓越高，在驅(qū)動(dòng)晶體管200中發(fā)生老化的概率越大。因此，控制器70控制將更高的電壓施加到數(shù)據(jù)線(xiàn)20。如果開(kāi)關(guān)晶體管被第N+2個(gè)柵線(xiàn)10N+2開(kāi)啟，則依據(jù)上述程序的補(bǔ)償電壓通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)20傳輸?shù)较袼仉姌O40。
控制器70包括檢測(cè)被檢測(cè)信號(hào)的傳感器、測(cè)量檢測(cè)信號(hào)的幅值并操作被測(cè)量信號(hào)的操作器、以及將被操作的補(bǔ)償電壓輸出到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以將補(bǔ)償電壓施加到數(shù)據(jù)線(xiàn)20的輸出部件等?？梢罁?jù)不同的算法來(lái)編程該控制器70，而不限于上述的方法。
依據(jù)被檢測(cè)電信號(hào)即被檢測(cè)電流的幅值來(lái)補(bǔ)償數(shù)據(jù)電壓的控制器70，可以是位于顯示裝置中的定時(shí)控制器，且可以是配置在其中以通過(guò)定時(shí)控制器輸出控制信號(hào)的附加控制器。
圖5是示出依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的控制方法的控制流程圖。
首先，在操作S10中，開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)晶體管200。驅(qū)動(dòng)晶體管200由開(kāi)關(guān)晶體管100的源極130開(kāi)啟，且從開(kāi)關(guān)晶體管100施加數(shù)據(jù)電壓。當(dāng)被施加的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管200的源極230傳輸?shù)较袼仉姌O40時(shí)，被傳輸?shù)较袼仉姌O40的電信號(hào)、即依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的被檢測(cè)的電流在操作S20中被檢測(cè)。在操作S30中，控制器70對(duì)被檢測(cè)電流的幅值與預(yù)定的參考值進(jìn)行比較，并在操作S40中，確定它們之間的差值是否超出了預(yù)定的和允許的范圍。預(yù)定的和允許的范圍表示通過(guò)控制器70數(shù)據(jù)電壓的補(bǔ)償所需要的設(shè)置范圍。并且，預(yù)定的和允許的范圍由用于該顯示裝置的晶體管的特性或老化程度來(lái)決定。如果被檢測(cè)電流的幅值與預(yù)定的參考電平之間的差值沒(méi)有超出預(yù)定的和允許的范圍，則在操作S60中，以最初應(yīng)當(dāng)被施加的正常電壓來(lái)施加數(shù)據(jù)電壓。然而，如果差值超出預(yù)定的和允許的范圍，則在操作S50中，控制器70補(bǔ)償數(shù)據(jù)電壓，以補(bǔ)充對(duì)應(yīng)于被檢測(cè)電信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓與對(duì)應(yīng)于參考電平的數(shù)據(jù)電壓之間的差值。已補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)電壓最終通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)20被施加到像素電極40。
盡管已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解不脫離本發(fā)明的原理和精神可對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行改變，該范圍由權(quán)利要求及其等價(jià)物限定。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括驅(qū)動(dòng)晶體管；像素電極，電連接到該驅(qū)動(dòng)晶體管；檢測(cè)晶體管，檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)的幅值；以及控制器，在被檢測(cè)的電信號(hào)和預(yù)定參考電平之間的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的數(shù)據(jù)電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)，將驅(qū)動(dòng)電壓施加到該驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi)關(guān)晶體管，連接到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；數(shù)據(jù)線(xiàn)，將該數(shù)據(jù)電壓施加到該開(kāi)關(guān)晶體管；以及柵線(xiàn)，將柵極開(kāi)啟電壓施加到該開(kāi)關(guān)晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括連接到該檢測(cè)晶體管的檢測(cè)線(xiàn)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中該檢測(cè)線(xiàn)與該驅(qū)動(dòng)電壓線(xiàn)和該數(shù)據(jù)線(xiàn)中的一個(gè)平行。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中該檢測(cè)晶體管的柵極連接到與該柵線(xiàn)相鄰的另一個(gè)柵線(xiàn)。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該控制器包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與該數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電平表并且將補(bǔ)償電壓施加到該數(shù)據(jù)線(xiàn)，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的電信號(hào)的幅值對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓之間的差值。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該電信號(hào)是電壓和電流之一。
8.一種顯示裝置，包括像素電極；檢測(cè)晶體管，檢測(cè)施加到該像素電極的像素電流；以及控制器，在像素電流和預(yù)定參考電平之間的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的像素電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中該控制器包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與該像素電流對(duì)應(yīng)的參考電平表并且將補(bǔ)償電壓施加到該像素電極，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的像素電流的幅值對(duì)應(yīng)的像素電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的像素電壓之間的差值。
10.一種顯示裝置的控制方法，包括開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)晶體管；檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)；比較檢測(cè)的電信號(hào)與預(yù)定的參考電平；以及在比較結(jié)果的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下，調(diào)節(jié)施加到該像素電極的數(shù)據(jù)電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置的控制方法，其中調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)電壓將補(bǔ)償電壓施加到該數(shù)據(jù)線(xiàn)，該補(bǔ)償電壓對(duì)應(yīng)于與檢測(cè)的電信號(hào)的幅值對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓和與參考電平對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓之間的差值。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置的控制方法，還包括檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)的檢測(cè)晶體管。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置的控制方法，其中該電信號(hào)是電壓或電流之一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括驅(qū)動(dòng)晶體管；電連接到該驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電極；檢測(cè)從該驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)皆撓袼仉姌O的電信號(hào)的幅值的檢測(cè)晶體管；在被檢測(cè)的電信號(hào)和預(yù)定的參考電平之間的差值超出預(yù)定的和允許的范圍的情況下、調(diào)節(jié)施加到該像素電極的數(shù)據(jù)電壓的控制器。因此，本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種通過(guò)補(bǔ)償TFT的老化而具有均勻亮度的顯示裝置及其控制方法。
文檔編號(hào)H05B33/08GK1897093SQ20061011080
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月8日
發(fā)明者鄭光哲, 高俊哲, 尹寧秀, 崔凡洛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社