專利名稱：多層配線基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層配線基板及其制造方法，更具體地，本發(fā)明涉及一種設(shè)有用以抑制翹曲的加強(qiáng)部件的多層配線基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，采用半導(dǎo)體芯片等的半導(dǎo)體器件的電子器件的高性能化和小型化已取得進(jìn)展。在此過(guò)程中，半導(dǎo)體器件仍然要求高密度化，以期增加管腳數(shù)和實(shí)現(xiàn)小型化。已提供一種采用增層法的多層配線基板作為其上能夠安裝下述半導(dǎo)體器件的基板即，所述半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)了管腳數(shù)量增加和小型化。
這種多層配線基板以如下方式構(gòu)成即，將例如玻璃布覆銅箔層壓板等的加強(qiáng)部件作為芯層，然后在該芯層的兩個(gè)表面上分別形成絕緣層和配線層(參見專利文獻(xiàn)1日本專利未審查公開No.2000-261147)。圖7是示出這種多層配線基板10A的實(shí)例的示意結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖中所示，多層配線基板10A結(jié)構(gòu)如下絕緣層13和配線層14分別層壓在芯基板11的兩個(gè)表面上，在該芯基板11中形成有通孔12。位于芯基板11的上側(cè)和下側(cè)的配線層14通過(guò)通孔12而進(jìn)行電連接。
另一方面，近年來(lái)，在利用上述增層法的多層配線基板中，不具有芯層的多層配線基板已得到開發(fā)(參見專利文獻(xiàn)2日本專利未審查公開No.Hei.10-125818)。圖8為示出不具有芯層的多層配線基板10B的實(shí)例的示意結(jié)構(gòu)的剖視圖。
如圖中所示，不具有芯層的多層配線基板10B(如有必要，后述稱之為無(wú)芯基板)，絕緣層13和配線層14依次層壓在支撐基板16上，然后，去除支撐基板16，從而形成多層配線基板10B(圖8示出去除支撐基板16之前的狀態(tài))。在多層配線基板10B中，在絕緣層13和配線層14形成時(shí)，絕緣層13和配線層14由支撐基板16所支撐。另外，由于支撐基板16是在絕緣層13和配線層14形成后去除的，所以多層配線基板10B能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
在圖7中所示的多層配線基板10A中，由于配線層14能夠微細(xì)地形成，所以高密度化的半導(dǎo)體器件能夠進(jìn)行安裝。然而，由于多層配線基板10A內(nèi)部包括芯基板11，因此，會(huì)出現(xiàn)這樣的問題即，在芯基板11中形成的通孔12難以實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，這使得多層配線基板10A整體上不能制造成高密度的基板。
此外，在芯基板11中形成通孔12時(shí)，所述通孔的開口采用鉆孔器形成。因此，存在這樣一個(gè)問題要形成所述通孔的開口，進(jìn)行鉆孔工序要花長(zhǎng)時(shí)間，并且加工成本也高。再者，由于設(shè)置了芯基板11，所以使得多層配線基板10A的厚度不可避免地會(huì)變厚，這樣就存在前面所述的電子器件小型化受到阻礙的問題。
另一方面，雖然與圖7所示的多層配線基板10A相比較，圖8所示的作為無(wú)芯基板的多層配線基板10B能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化，但是，需要將支撐基板16不可避免地去除，這就存在支撐基板16被浪費(fèi)的問題。另外，由于在多層配線基板10B的制造過(guò)程中需要進(jìn)行去除支撐基板16的蝕刻過(guò)程，而蝕刻過(guò)程要花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間，這就存在制造過(guò)程復(fù)雜化及制造效率低下的問題。再者，由于作為無(wú)芯基板的多層配線基板10B沒有芯基板，所以會(huì)存在這樣的問題即，基板強(qiáng)度下降，因此使得基板很可能會(huì)發(fā)生翹曲。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供了一種可抑制其翹曲的多層配線基板，并且進(jìn)一步提供了多層配線基板的制造方法，所述方法可以以低成本有效制造多層配線基板。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的第一方面，提供了一種包括芯層、絕緣層和配線層的多層配線基板，所述絕緣層和所述配線層層壓在所述芯層的兩側(cè)表面中的每一個(gè)上，所述芯層包括不含加強(qiáng)部件的絕緣材料，以及分別形成于所述絕緣材料的兩側(cè)表面上的銅箔。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，由于不需要玻璃布覆銅箔層壓板等的加強(qiáng)部件，因此，多層配線基板能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化，這樣便減少了部件數(shù)量而使得成本降低。
在本發(fā)明的第一方面中，優(yōu)先地，構(gòu)成芯層的絕緣材料與構(gòu)成絕緣層的材料是相同的。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，絕緣層可以采用與芯層相同的方法進(jìn)行加工。另外，由于在絕緣層和芯層之間不存在熱膨脹系數(shù)差，所以可以抑制多層配線基板發(fā)生翹曲。
在本發(fā)明的第一方面中，優(yōu)先地，所述配線層包括用于連接相鄰層的導(dǎo)通塞(或?qū)祝瑅ias)和配線圖案，并且位于芯層一側(cè)表面上的配線層的導(dǎo)通塞方向與位于芯層另一側(cè)表面上的配線層的導(dǎo)通塞方向相反。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，多層配線基板關(guān)于芯層得到良好的平衡，從而可以抑制多層配線基板的翹曲。
在本發(fā)明的第一方面中，優(yōu)先地，絕緣材料選用增層樹脂。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通塞能夠在芯層中以高密度形成。
在本發(fā)明的第一方面中，銅箔包括圖案配線部分和布置在相鄰圖案配線部分之間的加強(qiáng)部分。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于加強(qiáng)部分是利用未形成圖案配線部分的那些部分而形成的，因此，可以提高芯層的機(jī)械強(qiáng)度。
在本發(fā)明的第一方面中，銅箔可以包括圖案配線部分以及平面狀配線，所述平面狀配線布置于相鄰圖案配線部分之間，起電源或接地配線的作用。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于起電源或接地電極作用的平面狀配線是利用未形成圖案配線部分的那些部分而形成的，因此，可以在改善電源或接地線的電特性的同時(shí)，提高芯層的機(jī)械強(qiáng)度。
另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的第二方面，提供了多層配線基板的制造方法，包括如下步驟依次將絕緣層和配線層層壓在芯層的兩側(cè)表面中的每一個(gè)上，其中，所述配線層包括用于連接相鄰層的導(dǎo)通塞和配線圖案，并且所述芯層包括絕緣材料和分別形成于所述絕緣材料的兩側(cè)表面上的銅箔。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，由于不需要在現(xiàn)有技術(shù)的無(wú)芯基板中所要求的去除支撐基板的蝕刻過(guò)程，因此，可以使制造過(guò)程縮短，以及降低制造成本。另外，由于配線層和絕緣層可以依次層壓在芯層的兩側(cè)表面中的每一個(gè)上，所以可以容易地制造出具有良好平衡且不會(huì)引起翹曲的多層配線基板。
在本發(fā)明的第二方面中，在形成導(dǎo)通塞時(shí)，可以使用激光形成通孔。
根據(jù)此方法，由于可以省去在形成現(xiàn)有技術(shù)的通孔的開口時(shí)所要求的鉆孔工藝，所以能夠以高密度形成通孔和導(dǎo)通塞。
各種實(shí)施方案可包括一個(gè)或更多個(gè)下述優(yōu)點(diǎn)。例如，可實(shí)現(xiàn)薄型化和高密度化，并且能夠有效且容易地制造出薄型化和高密度化的多層配線基板。
其他特征和優(yōu)點(diǎn)在下述詳細(xì)說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書中顯而易見。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的多層配線基板的剖視圖。
圖2A到2G為按照制造順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的多層配線基板的制造方法的簡(jiǎn)圖。
圖3為示出構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的多層配線基板的芯層的剖視圖。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的多層配線基板的剖視圖。
圖5為示出構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的多層配線基板的芯層的剖視圖。
圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的多層配線基板的剖視圖。
圖7為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的實(shí)例的多層配線基板的剖視圖(No.1)。
圖8為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的實(shí)例的多層配線基板的剖視圖(No.2)。
具體實(shí)施例下面，將參照附圖對(duì)實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的多層配線基板100A的簡(jiǎn)圖。如圖中所示，在此具體實(shí)施例中，將以六層結(jié)構(gòu)作為多層配線基板的例子來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。然而，本發(fā)明并不局限于此六層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于具有各種層數(shù)的多層配線基板。
簡(jiǎn)言之，多層配線基板100A是通過(guò)層壓以下各層而構(gòu)成的，所述各層是芯層101A、第一絕緣層104A和104B、配線層105A和105B、第二絕緣層106A和106B以及配線層108A和108B。阻焊層102在第二絕緣層106A的下表面形成，阻焊層109在第二絕緣層106B的上表面形成。
如圖2E所示，芯層101A由絕緣材料112和配線層103構(gòu)成。例如，絕緣材料112由具有熱固性的環(huán)氧增層樹脂形成。另外，配線層103由銅形成，并且由用于連接各層的導(dǎo)通塞部103a和用于沿表面方向進(jìn)行連接的圖案配線部分103b構(gòu)成。
在此實(shí)施例中，絕緣材料112構(gòu)成為未包含加強(qiáng)材料。具體地，如參照?qǐng)D7所作的說(shuō)明所使用的芯基板11是通過(guò)用玻璃布、芳族聚酰胺織造布、LCP織造布等織造布或非織造布浸漬增層樹脂而構(gòu)成的。然而，用在本實(shí)施例中的芯層101A不是在絕緣材料112內(nèi)包含玻璃布等的加強(qiáng)部件構(gòu)成的，而是由增層樹脂構(gòu)成。
如同絕緣材料112，第一絕緣層104A和104B以及第二絕緣層106A和106B都是由具有熱固性的環(huán)氧增層樹脂形成。第一絕緣層104A和104B形成為將芯層101A夾在中間，第二絕緣層106A和106B形成為將芯層101A以及第一絕緣層104A和104B夾在中間。
前面所述的各種增層樹脂并不局限于具有熱固性的增層樹脂，也可以是具有光敏性的增層樹脂或聚酰亞胺等其他絕緣樹脂。
在多層配線基板100A中，配線層105A、105B、108A、108B與芯層101A以及各絕緣層104A、104B、106A、106B一起形成。各配線層105A、105B、108A、108B例如由銅形成。
配線層105A、105B具有相同的結(jié)構(gòu)，都包括導(dǎo)通塞部105a和圖案配線部分105b。導(dǎo)通塞部105a分別在形成于第一絕緣層104A、104B的開口部分處形成，圖案配線部分105b分別在第一絕緣層104A、104B上形成。每個(gè)導(dǎo)通塞部105a的一端與圖案配線部分105b相連接，其另一端與形成于芯層101A的圖案配線部分103b相連接。
每個(gè)配線層108A、108B具有相同的結(jié)構(gòu)，都包括導(dǎo)通塞部108a和圖案配線部分108b。導(dǎo)通塞部108a分別在形成于絕緣層106A、106B的開口部分處形成，圖案配線部分108b分別在絕緣層106A、106B上形成。各導(dǎo)通塞部108a的一端都與圖案配線部分108b相連接，其另一端與形成于配線層105A、105B的圖案配線部分105b相連接。
上述這種結(jié)構(gòu)的多層配線基板100A采用由絕緣材料112形成的芯層101A和配線層103代替了通過(guò)玻璃布等加強(qiáng)的芯基板11，在現(xiàn)有技術(shù)的多層配線基板10A中要求使用該芯基板11(參見圖7)。這樣，由于可以減少部件數(shù)量，所以多層配線基板100A能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化，并且也可以降低成本。
此外，在此實(shí)施例中，由于構(gòu)成芯層101A的絕緣材料112由增層材料形成，該增層材料也構(gòu)成了絕緣層104A、104B、106A、106B，所以絕緣層104A、104B、106A、106B也能采用與芯層101A同樣的方法進(jìn)行加工。
此外，由于在絕緣層104A、104B、106A、106B和芯層101A(絕緣材料112)之間不存在熱膨脹系數(shù)差，因此，可以抑制多層配線基板100A的翹曲。而且，由于每個(gè)絕緣層104A、104B、106A、106B都使用能夠進(jìn)行高密度加工的增層樹脂，因此，每個(gè)導(dǎo)通塞部103a、105a、108a能夠如后面所述以高密度形成。
再者，在根據(jù)本實(shí)施例的多層配線基板100A中，第一絕緣層104A、第二絕緣層106A、配線層105A、配線層108A和第一絕緣層104B、第二絕緣層106B、配線層105B、配線層108B關(guān)于芯層101A而對(duì)稱地布置。
特別地，如同后面所述，每個(gè)導(dǎo)通塞部105a、108a都是在通過(guò)激光加工形成的通孔中鍍上并填充銅而形成為圓錐臺(tái)形。已成形為圓錐臺(tái)形的導(dǎo)通塞部105a、108a也關(guān)于所述芯層101A對(duì)稱布置。即，該圓錐臺(tái)的頂面(其面積比底面小)為朝向芯層101A側(cè)。因此，在芯層101A一側(cè)表面上的導(dǎo)通塞部的方向與在芯層101A另一側(cè)表面上的導(dǎo)通塞部的方向相反。
按照這種方式，由于布置在芯層上側(cè)的結(jié)構(gòu)與布置在其下側(cè)的結(jié)構(gòu)是關(guān)于芯層101A而對(duì)稱布置的，所以使得多層配線基板100A關(guān)于芯層101A獲得良好平衡，因此可以抑制多層配線基板100A的翹曲。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D2A到2G對(duì)關(guān)于前面所述的多層配線基板100A的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在圖2A到2G中，與圖1中相對(duì)應(yīng)的部件標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)。
在制造多層配線基板100A時(shí)，首先要準(zhǔn)備如圖2A所示的芯材111。所述芯材111按如下方式構(gòu)成將銅箔113分別布置在絕緣材料112的兩個(gè)表面上。如上所述，絕緣材料112由具有熱固性的環(huán)氧增層樹脂構(gòu)成。
在芯材111上，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、光敏性樹脂薄膜層壓或涂布法等形成由光敏性樹脂材料構(gòu)成的光阻層(photo resist)。然后，借助于掩模圖案(未示出)將光照射在光阻層上以使該光阻層曝光，從而進(jìn)行制作圖案處理，以分別在如后面所述的各導(dǎo)通塞部103a形成的位置處形成各開口部分。
然后，使用如此經(jīng)過(guò)制作圖案處理的光阻層作為掩膜，以對(duì)一個(gè)表面上的銅箔113進(jìn)行蝕刻。之后，如圖2B所示，剝離光阻層，從而分別在各導(dǎo)通塞部103a形成的位置處形成各激光用開口部分114。
接下來(lái)，如圖2C所示，通過(guò)使用其中形成有激光用開口部分114的銅箔113作為掩模以執(zhí)行激光加工，從而在絕緣材料112中形成導(dǎo)通開口115。可選擇地，激光加工也可直接在銅箔113上執(zhí)行，從而在絕緣材料112中形成導(dǎo)通開口115。
在每個(gè)導(dǎo)通開口115的表面上，通過(guò)無(wú)電解鍍銅形成作為導(dǎo)電路徑的種晶層(未示出)。在種晶層形成之后，接著，如圖2D所示，執(zhí)行電解鍍銅從而在各導(dǎo)通開口115內(nèi)部形成各導(dǎo)通塞部103a。
接下來(lái)，在導(dǎo)通塞部103a形成的芯材111的兩個(gè)表面上，通過(guò)使用絲網(wǎng)印刷法、光敏性樹脂薄膜層壓或涂布法等形成由光敏性樹脂材料構(gòu)成的光阻層。然后，借助于掩模圖案(未示出)將光照射在光阻層上以使該光阻層曝光，從而通過(guò)制作圖案處理以去除除了圖案配線部分103b形成位置以外的光阻層。
接著，使用如此經(jīng)過(guò)制作圖案處理的光阻層作為掩膜，以對(duì)銅箔113進(jìn)行蝕刻。之后，如圖2E所示，剝離光阻層，從而形成由導(dǎo)通塞部103a以及圖案配線部分103b構(gòu)成的配線層103。按照這種方式，制成了芯層101A。
以前面所述方式形成芯層101A時(shí)，絕緣層104A、104B、106A、106B和配線層105A、105B、108A、108B的制造過(guò)程都是以所述芯層101A為芯而進(jìn)行的。在下述的處理過(guò)程中，所述芯層101A的上層和下層的加工都整體地進(jìn)行。
首先，通過(guò)使用涂布具有熱固性的環(huán)氧樹脂等或?qū)訅簶渲∧さ姆椒?，在芯?01A的上下表面分別形成第一絕緣層104A和104B(增層)。接著，通過(guò)在第一絕緣層104A和104B的導(dǎo)通塞部105a的形成位置處進(jìn)行激光加工，分別形成導(dǎo)通開口116A和116B。
圖2F示出在第一絕緣層104A和104B處分別形成導(dǎo)通開口116A和116B的狀態(tài)。
接著，通過(guò)使用電鍍方法在第一絕緣層104A和104B形成配線層105A和105B。即，各所述導(dǎo)通塞部105a分別在第一絕緣層104A和104B的導(dǎo)通開口116A和116B處形成，各圖案配線部分105b分別在第一絕緣層104A和104B的外表面形成。在這種情況下，每個(gè)圖案配線部分105b與導(dǎo)通塞部105a一體地連接，于是，形成配線層105A和105B。
具體地，通過(guò)無(wú)電鍍工藝，在第一絕緣層104A和104B的外表面形成種晶層，然后，通過(guò)光刻法形成與圖案配線部分105b形狀對(duì)應(yīng)的抗蝕圖案。然后，采用抗蝕圖案作為掩模，通過(guò)電解電鍍以沉積銅，接著去除抗蝕圖案和多余的種晶層。這樣，如圖2G所示，從而形成由導(dǎo)通塞部105a和圖案配線部分105b構(gòu)成的配線層105A、105B。
如上所述，當(dāng)?shù)谝唤^緣層104A、104B和配線層105A、105B形成時(shí)，接著形成第二絕緣層106A、106B和配線層108A、108B。由于第二絕緣層106A、106B和配線層108A、108B形成的方法與第一絕緣層104A、104B和配線層105A、105B形成的方法相同，所以省略對(duì)上面所述方法的說(shuō)明。
然后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等在第二絕緣層106A、106B上形成阻焊層102、109。然后，借助于掩模圖案(未示出)將光照射在阻焊層上以使阻焊層曝光，從而進(jìn)行制作圖案處理以分別形成各開口部分102A、109A。設(shè)置所述開口部分102A、109A的形成位置，以使所述形成位置與各相應(yīng)圖案配線部分108b相對(duì)。這樣，在阻焊層102、109形成的狀態(tài)下，圖案配線部分108b處于從開口部分102A、109A暴露出來(lái)的狀態(tài)。另外，所述分別具有開口部分102A、109A的各阻焊層102、109也可以通過(guò)使用絲網(wǎng)印刷法印刷環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂材料而形成。
如圖1所示的多層配線基板100A通過(guò)執(zhí)行前面所述一系列步驟制造而成。根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，由于第一絕緣層104A、第二絕緣層106A、配線層105A、配線層108A以及第一絕緣層104B、第二絕緣層106B、配線層105B、配線層108B分別依次層壓在所述芯層101A的兩個(gè)表面上，因此，可以抑制多層配線基板100A的翹曲。此外，由于所述制造過(guò)程省去了現(xiàn)有技術(shù)的無(wú)芯基板10B(參見圖8)中所要求的使用蝕刻過(guò)程除去支撐基板16的過(guò)程，因此，該制造過(guò)程能夠得以縮短，制造成本得以降低。
此外，由于第一絕緣層104A、第二絕緣層106A、配線層105A、配線層108A以及第一絕緣層104B、第二絕緣層106B、配線層105B、配線層108B分別依次層壓在所述芯層101A的兩個(gè)表面上，因此，多層配線基板100A的上下側(cè)關(guān)于芯層101A獲得良好平衡，這樣便不會(huì)引起翹曲，也易于制造。
此外，在形成導(dǎo)通塞部103a時(shí)，通過(guò)使用激光形成導(dǎo)通開口115，可以省去鉆孔工藝，該鉆孔工藝在形成現(xiàn)有技術(shù)的通孔開口時(shí)是必須的。這樣，導(dǎo)通開口115和導(dǎo)通塞部103a能夠高密度形成。因此，所述多層配線基板100A能夠用作制造高密度化的半導(dǎo)體裝置和電子裝置的基板。
根據(jù)本實(shí)施例的制造方法與在現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行的多層配線基板的制造工藝沒有太大不同，因此，能夠減少設(shè)備成本，相應(yīng)地，也能夠減少多層配線基板100A的成本。另外，根據(jù)本實(shí)施例中多層配線基板100A的制造方法，由于芯層101A以及絕緣層104A、104B、106A、106B的厚度(比如，0.03到0.1毫米)幾乎相同，因此，多層配線基板100A能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
下面，將分別對(duì)根據(jù)本發(fā)明的第二和第三實(shí)施例的多層配線基板100B和100C進(jìn)行說(shuō)明。圖3示出用于根據(jù)第二實(shí)施例的多層配線基板100B的芯層101B，圖4示出根據(jù)第二實(shí)施例的多層配線基板100B。此外，圖5示出用于根據(jù)第三實(shí)施例的多層配線基板100C的芯層101C，圖6示出根據(jù)第三實(shí)施例的多層配線基板100C。在圖3到圖6中，與參照?qǐng)D1到2G說(shuō)明的根據(jù)第一實(shí)施例的多層配線基板100A中結(jié)構(gòu)相同的部分以相同符號(hào)進(jìn)行標(biāo)注，在此省略其說(shuō)明。
在圖3到圖4所示的根據(jù)第二實(shí)施例的多層配線基板100B的特征在于加強(qiáng)部分120以及配線層103在構(gòu)成芯層101B的絕緣材料112處形成。
由于加強(qiáng)部分120由銅箔113(參見圖2A)形成，所以加強(qiáng)部分120可以與圖案配線部分103b的形成同時(shí)形成。此外，加強(qiáng)部分120的布置位置設(shè)置在除圖案配線部分103b的預(yù)設(shè)形成位置以外的位置。這樣，圖案配線部分103b并不受加強(qiáng)部分120的形成所影響。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于使用那些未形成圖案配線部分103b的部分形成加強(qiáng)部分120，因此，芯層101B的機(jī)械強(qiáng)度得以提高，從而可以實(shí)現(xiàn)具有高可靠性、翹曲程度低的多層配線基板100B。
另一方面，圖5和圖6所示的根據(jù)第三實(shí)施例的多層配線基板100C的特征在于平面狀配線(所謂整體圖案(all over pattern))以及配線層103在構(gòu)成芯層101C的絕緣材料112處所形成。雖然此實(shí)施例示出平面狀配線形成為接地層122的例子，但是，平面狀配線可以形成為電源層，另外，平面狀配線也可構(gòu)成為接地層和電源層混合的形式。
由于接地層122也是由銅箔113形成，所以接地層也可以與圖案配線部分103b的形成同時(shí)形成。此外，接地層122的布置位置設(shè)置在除圖案配線部分103b的預(yù)設(shè)形成位置以外的位置。這樣，圖案配線部分103b不受接地層122的形成影響。
根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于作為電源或接地線的平面狀配線通過(guò)使用未形成圖案配線部分103b的部分而形成，所以芯層101C的機(jī)械強(qiáng)度得以提高，同時(shí)改進(jìn)了電源或接地線的電特性。
此外，當(dāng)平面狀配線用作接地層122時(shí)，接地層122能夠起屏蔽層的作用。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好高頻特性的多層配線基板100C。再者，由于可以使銅箔面積變大，所以可以提高芯層101C的機(jī)械強(qiáng)度，并且可以抑制翹曲的發(fā)生。
為了簡(jiǎn)化圖示，前面所述的多層配線基板100A的制造方法示出了這樣過(guò)程即，單個(gè)多層配線基板100A從單個(gè)芯層101A制造出的過(guò)程。然而，實(shí)際上，許多多層配線基板都是由單個(gè)芯層形成的。即，在單個(gè)芯層101A上形成多個(gè)多層配線基板100A。將這些多層配線基板單獨(dú)切開，從而形成單個(gè)多層配線基板100A。這樣，可以提高制造效率。
權(quán)利要求
1.一種多層配線基板，包括芯層；以及絕緣層和配線層，所述絕緣層和所述配線層層壓在所述芯層的兩側(cè)表面中的每一個(gè)上，其中，所述芯層包括不含加強(qiáng)部件的絕緣材料，以及分別形成在所述絕緣材料的兩側(cè)表面上的銅箔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層配線基板，其中，構(gòu)成所述芯層的絕緣材料與構(gòu)成所述絕緣層的材料是相同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層配線基板，其中，所述配線層包括用于連接相鄰層的導(dǎo)通塞和配線圖案，并且位于所述芯層一側(cè)表面上的所述配線層的導(dǎo)通塞方向與位于所述芯層另一側(cè)表面上的所述配線層的導(dǎo)通塞方向相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層配線基板，其中，所述絕緣材料是增層樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層配線基板，其中，所述銅箔包括圖案配線部分和布置在相鄰圖案配線部分之間的加強(qiáng)部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層配線基板，其中，所述銅箔包括圖案配線部分和平面狀配線，所述平面狀配線布置在相鄰圖案配線部分之間，起電源或接地配線的作用。
7.一種多層配線基板的制造方法，包括如下步驟在芯層的兩側(cè)表面中的每一個(gè)上依次層壓絕緣層和配線層，其中，所述配線層包括用于連接相鄰層的導(dǎo)通塞和配線圖案，并且，所述芯層包括絕緣材料和分別在所述絕緣材料的兩側(cè)表面上形成的銅箔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層配線基板的制造方法，其中，在形成所述導(dǎo)通塞時(shí)，使用激光形成通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層配線基板的制造方法，其中，所述芯層包括所述絕緣材料中的導(dǎo)通塞，在形成所述芯層的導(dǎo)通塞時(shí)，使用激光形成通孔。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層配線基板，在該多層配線基板中，絕緣層104A和106A、配線層105A和108A以及絕緣層104B和106B、配線層105B和108B分別層壓在芯層101A的兩個(gè)表面上，該芯層101A由不含加強(qiáng)部件的絕緣材料112和在該絕緣材料112的兩側(cè)表面上形成的銅箔113(圖案配線部分103b)構(gòu)成。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1933697SQ20061012758
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者中村順一 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社