專利名稱：電波屏蔽體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電波屏蔽體。
背景技術(shù)：
近年來，事務(wù)所內(nèi)部的個(gè)人手持電話系統(tǒng)(PHS)和無線局域網(wǎng)(LAN)等電波器械正在不斷的迅速普及。伴隨著這一現(xiàn)象，從防止信息泄漏、和防止因外部的入侵電波而引起的錯(cuò)誤工作及防止噪音的方面考慮，整頓辦公室的電波環(huán)境已是必不可少。因此，近年來，已提出了整頓電波環(huán)境的各種技術(shù)[例如日本專利公告公報(bào)平成6-99972號(hào)公報(bào)(平成6年即為1994年)、日本專利公開平成10-169039號(hào)公報(bào)(平成10年即為1998年)等]在日本專利公告公報(bào)平成6-99972號(hào)公報(bào)中，已揭示了利用加入由電波反射體和電波吸收體等構(gòu)成的電磁屏蔽部件的混凝土構(gòu)成大樓樓體的技術(shù)。但是，日本專利公告公報(bào)平成6-99972號(hào)公報(bào)中所記載的電磁屏蔽部件不具有頻率選擇性。也就是，電磁屏蔽部件對(duì)不論何種頻率的入射電波都將進(jìn)行屏蔽。因此，日本專利公告公報(bào)平成6-99972號(hào)公報(bào)所記載的技術(shù)，無法有選擇地屏蔽特定頻率的電波，就連所要屏蔽的頻率以外的電波也都被屏蔽起來了。
另一方面，在日本專利公開平成10-169039號(hào)公報(bào)中，揭示的是使“Y”字形的線狀天線有規(guī)則地排列從而形成電磁屏蔽面，利用此電磁屏蔽面在建筑物內(nèi)部確保電磁屏蔽空間的技術(shù)。據(jù)記載，利用這一技術(shù)能夠僅選擇必要頻率的電波進(jìn)行電磁屏蔽。
此外，以往的眾多電波器械所使用的僅為一種或多種特定頻率的電波(頻帶比在10％以下)。然而，近年來，已提出了使用具有一定寬度的特定頻率帶電波的電波器械(例如手機(jī)等)。伴隨著這一現(xiàn)象，對(duì)用于整頓使用了具有此特定頻率帶電波的電波器械(例如所使用的電波的頻帶比超過10％的電波器械)的辦公室和大樓等電波環(huán)境的電波屏蔽體的需求也在不斷提高。
(發(fā)明所要解決的課題)然而，因?yàn)槿毡緦＠_平成10-169039號(hào)公報(bào)中所記載的技術(shù)是對(duì)特定頻率的電波進(jìn)行屏蔽，所以利用這一技術(shù)存在著難于對(duì)使用了具有特定頻率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)κ褂昧司哂刑囟l率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓的電波屏蔽體。
(解決課題的方法)為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明所涉及的第一電波屏蔽體，其特征在于有選擇地屏蔽特定頻率帶的電波。通過利用此電波屏蔽體，能夠很好地對(duì)使用了具有特定頻率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓。
本發(fā)明所涉及的第一電波屏蔽體，可以包括多種屏蔽用天線，此多種屏蔽用天線有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波。
再者，在本說明書中，所謂“有選擇地屏蔽特定頻率帶電波”的電波屏蔽體，指的是10dB的頻帶比(理想的是20dB的頻帶比，更為理想的是30dB的頻帶比)超過10％的電波屏蔽體。與此相對(duì)，所謂“有選擇地屏蔽特定頻率電波”的電波屏蔽體，指的是10dB的頻帶比在10％以下的電波屏蔽體。
本發(fā)明所涉及的第二電波屏蔽體，其特征在于包括多種屏蔽用天線，此多種屏蔽用天線有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波，且多種屏蔽用天線各自的電波反射頻譜尖峰是不相互獨(dú)立的。換言之，其特征為多種屏蔽用天線的電波反射頻譜尖峰是連續(xù)的。利用此電波屏蔽體，能夠很好地屏蔽特定頻率帶的電波。因此，通過利用此電波屏蔽體能夠很好地對(duì)使用了具有特定頻率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓。
再者，在本說明書中，所謂“電波反射頻譜尖峰是互相獨(dú)立的(不連續(xù)的)”，指的是在電波屏蔽體所具有的電波屏蔽頻譜(電波反射頻譜)中，位于頻譜尖峰之間山谷部的最小電波反射(屏蔽)率與最大頻譜山峰(尖峰)的電波反射(屏蔽)率的比小于50％。另一方面，所謂“電波反射頻譜尖峰是不相互獨(dú)立的(連續(xù)的)”，指的是在電波屏蔽體所具有的電波反射(屏蔽)頻譜中，位于頻譜尖峰之間山谷部的最小電波反射(屏蔽)率與最大頻譜山峰(尖峰)的電波反射(屏蔽)率的比在50％以上。
在本發(fā)明所涉及的第一或第二電波屏蔽體中，多種屏蔽用天線各自都最好具有導(dǎo)電性。換言之，多種屏蔽用天線都最好分別是由導(dǎo)電材料構(gòu)成的。通過利用導(dǎo)電材料構(gòu)成多種屏蔽用天線，能夠提高屏蔽用天線的電波反射率。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)高電波屏蔽率。
還有，在本發(fā)明所涉及的第一或第二電波屏蔽體中，屏蔽用天線的形狀尺寸沒有特別的限定。例如多種屏蔽用天線可以各自都包括從天線中心開始相互成120°的角度呈放射狀延伸，并大致等長(zhǎng)的三條線段狀的第一元件部，和與各第一元件部的外側(cè)端連接而成的線段狀的第二元件部。此時(shí)，多種屏蔽用天線也可包括線段長(zhǎng)度互不相同的第一元件部(在本說明書中，這種形狀的屏蔽用天線稱為“T-Y型天線”)。
第一元件部的線段長(zhǎng)度和第二元件部的線段長(zhǎng)度可以大致相同，也可以互不相同。特別是，第二元件部的線段長(zhǎng)度最好比第一元件部的線段長(zhǎng)度短。每單位面積所包含的各種屏蔽用天線的數(shù)量越多，所得到的電波屏蔽率也就越高。在這種情況下，通過使第二元件部變短，就能夠增加每單位面積中可配置的各種屏蔽用天線的數(shù)量。也就是，根據(jù)此構(gòu)成，能夠比較密集地配置各種屏蔽用天線。因此，實(shí)現(xiàn)屏蔽特定頻率帶電波的更高的電波屏蔽率將成為可能。
在本發(fā)明所涉及的第一或第二電波屏蔽體中，當(dāng)屏蔽用天線為T-Y型天線時(shí)，多種屏蔽用天線的第二元件部分別都最好不是相互平行(特別是，不相互平行且緊密地)配置的。使第二元件部平行相對(duì)時(shí)，各屏蔽用天線的頻率選擇性將升高。換言之，各屏蔽用天線的頻帶比將變窄。因此，存在著各屏蔽用天線的電波反射頻譜尖峰的連續(xù)性降低，對(duì)于特定頻率帶整個(gè)范圍的電波很難得到良好的電波屏蔽率的傾向。通過不使第二元件部平行相對(duì)地排列各種屏蔽用天線，從而能夠保持比較低的各屏蔽用天線的頻率選擇性。換言之，能夠保持比較寬的各屏蔽用天線的頻帶比。因此，對(duì)于具有一定寬度的特定頻率帶整個(gè)范圍的電波，將趨向于可較為容易地獲得偏差小的電波屏蔽率。
在本發(fā)明所涉及的第一或第二電波屏蔽體中，多種屏蔽用天線，可以是由第一屏蔽用天線、第二屏蔽用天線和第三屏蔽用天線三種構(gòu)成的，且第一屏蔽用天線、第二屏蔽用天線和第三屏蔽用天線在一個(gè)方向上按照順序交替排列地構(gòu)成了屏蔽用天線列的同時(shí)，屏蔽用天線列為多列并排排列而成的二次元排列。根據(jù)此構(gòu)成，能夠分別等量且均勻地配置各種屏蔽用天線。因此，能夠均勻且很好地屏蔽所希望的頻率帶整個(gè)范圍的電波。
還有，第一乃至第三屏蔽用天線最好為第一屏蔽用天線是，與該第一屏蔽用天線所屬的屏蔽用天線列相鄰的屏蔽用天線列上的第二屏蔽用天線及第三屏蔽用天線相鄰配置的。
并且，第一乃至第三屏蔽用天線最好排列成為第一屏蔽用天線的天線中心和，位于該第一屏蔽用天線所屬的屏蔽用天線列兩側(cè)的屏蔽用天線列上，且與上述第一屏蔽用天線的兩側(cè)相鄰的第一屏蔽用天線的天線中心構(gòu)成一個(gè)三角形(最好是正三角形)。
根據(jù)此構(gòu)成，能夠分別較為密集地配置第一乃至第三屏蔽用天線。因此，實(shí)現(xiàn)較高電波屏蔽率的電波屏蔽體將成為可能。


圖1是電波屏蔽體1的平面圖。
圖2是圖1中的II-II線處的剖面圖。
圖3是表示屏蔽用天線4(4a、4b及4c)平面形狀的平面圖。
圖4是使電波屏蔽體1的基層材料2一側(cè)粘貼在玻璃(窗玻璃)10上面時(shí)的剖面圖。
圖5是在電波屏蔽體1的基層材料2一側(cè)形成了粘接劑8及保護(hù)膜9，且呈衛(wèi)生紙卷狀卷起來的電波屏蔽體1的模式圖。
圖6是使電波屏蔽體1的反射層3一側(cè)粘貼在玻璃(窗玻璃)10上面時(shí)的剖面圖。
圖7是在電波屏蔽體1的反射層3一側(cè)形成了粘接劑8及保護(hù)膜9，且呈衛(wèi)生紙卷狀卷起來的電波屏蔽體1的模式圖。
圖8是表示電波屏蔽體1的電波屏蔽量(電波的透過衰減量)和頻率之間相互關(guān)系的模式座標(biāo)圖。
圖9是表示包括尺寸間相互差異很大的三種屏蔽用天線的電波屏蔽體的電波屏蔽量(電波的透過衰減量)和頻率之間相互關(guān)系的模式座標(biāo)圖。
圖10是表示實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體的頻率和透過衰減量之間相互關(guān)系的座標(biāo)圖。
(符號(hào)說明)1 電波屏蔽體2 基層材料3 反射層4 屏蔽用天線4a第一屏蔽用天線4b第二屏蔽用天線4c第三屏蔽用天線5 第一元件部6 第二元件部7 屏蔽用天線列8 粘接劑9 保護(hù)膜10玻璃具體實(shí)施方式
以下，關(guān)于本發(fā)明所涉及的實(shí)施例，在參照附圖的同時(shí)加以詳細(xì)說明。
圖1是本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1的平面圖。
圖2是圖1中的II-II線處的剖面圖。
圖3是表示屏蔽用天線4(4a、4b及4c)平面形狀的平面圖。
電波屏蔽體1包括基層材料2和反射層3。反射層3是在基層材料2的表面上，以覆蓋住此表面的方式形成的。此外，在本實(shí)施例中，電波屏蔽體1的形態(tài)是在基層材料2的表面上形成了反射層3，也可以成為在基層材料的內(nèi)部嵌入反射層3的形態(tài)等。
基層材料2的材質(zhì)根據(jù)電波屏蔽體1的使用用途能夠進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。基層材料2，可以是用例如、樹脂、玻璃、紙、橡膠、石膏、瓷磚、木材等構(gòu)成的。
當(dāng)要構(gòu)成具有透光性的電波屏蔽體1時(shí)，有必要用透明的材料構(gòu)成基層材料2。此時(shí)，基層材料2能夠用透明的玻璃或樹脂構(gòu)成。特別是，在彎卷電波屏蔽體1和需要比較薄的電波屏蔽體1時(shí)，成形薄、且富于柔韌性的樹脂是最為適合的材料。
此外，作為玻璃的具體示例，可列舉出蘇打石灰玻璃、石英玻璃等。在這其中，最好的是低成本的蘇打石灰玻璃。
作為透明樹脂的具體材料，可列舉出例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物、聚醚酮醚、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺(尼龍6等)、聚酰亞胺、纖維素系列樹脂(三醋酸纖維素等)、聚亞胺酯、氟系列樹脂(聚四氟乙烯等)、乙烯基化合物(聚氯乙烯等)、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚丙烯腈、乙烯基化合物的附加聚合物、聚異丁烯酸、聚異丁烯酸酯、亞乙烯基化合物(聚氯亞乙烯基等)、氟化亞乙烯基/三氯乙烯共聚物、乙烯基化合物(乙烯/乙酸乙烯基共聚物等)或者氟系列化合物的共聚物、聚醚(聚乙烯氧化物等)、環(huán)氧樹脂、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛等。
當(dāng)用透明樹脂制做基層材料2時(shí)，其厚度最好通常在10微米以上500微米以下。更為理想的是在30微米以上150微米以下。最為理想的是在50微米以上120微米以下。一旦基層材料2比10微米薄的話，反射層3的形成將趨于困難。一旦基層材料2比500微米厚的話，基層材料2的可彎曲性下降，就將趨向于不易彎卷。還有，一旦基層材料2比500微米厚的話，就有透光性下降的傾向。
從增大反射層3面積的角度出發(fā)，基層材料2最好是具有板狀、薄片狀或者膠片狀等表面形狀的物質(zhì)(即平面材料)。
特別理想的基層材料2，不僅具有保護(hù)電波屏蔽體1的機(jī)械耐久性的作用，而且還能夠賦予電波屏蔽體1各種特性(透光性、不燃性、難燃性、非鹵化性、柔軟性、耐沖擊性、耐熱性等)。
還有，也可以是這樣的構(gòu)成，即電波屏蔽體1能夠粘貼在室內(nèi)既存的對(duì)象物體(例如窗、墻、天花板、地板、隔板、桌子上等)上。具體來說，可以是下記這種形態(tài)，即在形成了反射層3一側(cè)的面，及與其相反的面中至少有一面涂抹了粘接劑，在此粘接劑的表面設(shè)置了保護(hù)層后將其卷曲，并能夠根據(jù)所需要的長(zhǎng)度進(jìn)行裁剪。
圖4～圖7顯示的是本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1的制品式樣(使用狀況)。
圖4是使電波屏蔽體1的基層材料2一側(cè)粘貼在玻璃(窗玻璃)10上面時(shí)的剖面圖。在圖4中，電波屏蔽體1，可通過設(shè)置在電波屏蔽體1的基層材料2一側(cè)的粘接劑8粘貼在玻璃10上。
圖5是在電波屏蔽體1的基層材料2一側(cè)形成了粘接劑8及保護(hù)膜9，并卷曲起來的電波屏蔽體1的模式圖。如圖5所示的電波屏蔽體1，能夠按照所需要的長(zhǎng)度進(jìn)行裁剪，并在揭掉保護(hù)膜9后，使其粘貼在玻璃等的上面。
圖6是使電波屏蔽體1的反射層3一側(cè)粘貼在玻璃(窗玻璃)10上面時(shí)的剖面圖。在圖6中，電波屏蔽體1，可通過設(shè)置在反射層3一側(cè)的粘接劑8粘貼在玻璃10上。
圖7是在電波屏蔽體1的反射層3一側(cè)形成了粘接劑8及保護(hù)膜9，并卷曲起來的電波屏蔽體1的模式圖。如圖7所示的電波屏蔽體1，能夠按照所需要的長(zhǎng)度進(jìn)行裁剪，并在揭掉保護(hù)膜9后，使其粘貼在玻璃等的上面。
下面，關(guān)于本實(shí)施例所涉及的反射層3的構(gòu)成，在參照?qǐng)D1～圖3的同時(shí)加以詳細(xì)的說明。
在基層材料2上形成的反射層3，是由多個(gè)第一屏蔽用天線4a和多個(gè)第二屏蔽用天線4b及多個(gè)第三屏蔽用天線4c構(gòu)成的(以下，第一屏蔽用天線4a、第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c總稱為屏蔽用天線4)。多個(gè)第一屏蔽用天線4a和多個(gè)第二屏蔽用天線4b及多個(gè)第三屏蔽用天線4c將有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波。
在本實(shí)施例中，第一屏蔽用天線4a和第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c的形狀是相似的(且此三種屏蔽用天線的尺寸大小為第二屏蔽用天線4b＜第一屏蔽用天線4a＜第三屏蔽用天線4c)。然而，第一屏蔽用天線4a和第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c的形狀也可以不相似。也就是說，也可以由形狀互不相同的多種屏蔽用天線構(gòu)成反射層3。
第一屏蔽用天線4a和第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c具有分別不相互獨(dú)立的(連續(xù)的)電波反射(屏蔽)頻譜尖峰。因此，根據(jù)電波屏蔽體1，能夠有選擇地屏蔽包括第一屏蔽用天線4a所反射的電波頻率和第二屏蔽用天線4b所反射的電波頻率及第三屏蔽用天線4c所反射的電波頻率的頻率帶(例如815MHz以上925MHz以下的頻率帶)的電波。例如本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1具有如圖8所示的電波屏蔽特性(電波的透過衰減特性)。
圖8是表示本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1的電波屏蔽量(電波的透過衰減量)和頻率之間相互關(guān)系的模式座標(biāo)圖。
如圖8所示，在本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1中，第一屏蔽用天線4a的頻譜尖峰P2、和第二屏蔽用天線4b的頻譜尖峰P3、以及第三屏蔽用天線4c的頻譜尖峰P1之間不是相互獨(dú)立的，而是連續(xù)的。也就是說，從底線BL到山谷部的深度H2和從底線BL到最大尖峰P1的深度H1的比在50％以上。而且，利用本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1，尖峰P1～P3之間頻率帶的整個(gè)范圍的電波將被10dB以上的高屏蔽率所屏蔽。還有，10dB的頻帶比超過10％。因此，通過利用此電波屏蔽體1，能夠很好地對(duì)使用了具有特定頻率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓。
還有，將10dB以上所屏蔽的電波頻率的最大值設(shè)定為Fmax，將10dB以上所屏蔽的電波頻率的最小值設(shè)定為Fmin時(shí)，10dB的頻帶比可用2(Fmax-Fmin)/(Fmax+Fmin)表示。
此外，僅在反射層上形成了相互不同的多種屏蔽用天線，將無法實(shí)現(xiàn)可以很好地屏蔽住特定頻率帶整個(gè)范圍電波的電波屏蔽體。
例如，圖9是表示包括尺寸間相互差異很大的三種屏蔽用天線的電波屏蔽體的電波屏蔽量(電波的透過衰減量)和頻率之間相互關(guān)系的模式座標(biāo)圖。
如圖9所示，三種屏蔽用天線的尺寸之間相互差異很大時(shí)，各屏蔽用天線的頻譜尖峰P4～P6是分別獨(dú)立，不連續(xù)的。因此，不能夠很好地屏蔽尖峰P4～尖峰P6范圍整個(gè)頻率帶的波長(zhǎng)。具體來說，無法很好地屏蔽住頻率位于各尖峰相互之間的電波。
如本實(shí)施例所示的那樣，通過利用電波屏蔽頻譜(電波反射頻譜)不相互獨(dú)立(連續(xù)的)的多種屏蔽用天線4a、4b、4c形成反射層3，才能夠?qū)崿F(xiàn)可以有選擇地屏蔽特定頻率帶的電波屏蔽體。
以下，在參照?qǐng)D3的同時(shí)，關(guān)于本實(shí)施例所涉及的屏蔽用天線4的形狀進(jìn)行詳細(xì)地說明。
如圖3所示，屏蔽用天線4就是所謂的T-Y型天線。具體地說，屏蔽用天線4包括三條第一元件部5和三條第二元件部6。三條第一元件部5相互間的長(zhǎng)度是大致相同的。三條第一元件部5，從天線中心C1開始相互形成120°的角度呈放射狀延伸。三條第二元件部6相互間的長(zhǎng)度是大致相同的。三條第二元件部6，是分別和互不相同的第一元件部5的外側(cè)端連接而成的。而且，第二元件部6的相互之間最好是互相分離配置的。換言之，三條第二元件部6最好是在不相互接觸的情況下配置而成的。
屏蔽用天線4所反射的電波的頻率主要取決于第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)。具體地說，第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)越長(zhǎng)，屏蔽用天線4所反射的電波的頻率就越低。在本實(shí)施例中，第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)最短的第二屏蔽用天線4b所反射的電波頻率最高。第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)最長(zhǎng)的第三屏蔽用天線4c所反射的電波頻率最低。第一屏蔽用天線4a所反射的電波頻率在第二屏蔽用天線4b所反射的電波頻率和第三屏蔽用天線4c所反射的電波頻率之間。
為了使第一屏蔽用天線4a、第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c具有分別不獨(dú)立的(連續(xù)的)電波反射(屏蔽)頻譜尖峰，第一屏蔽用天線4a的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)和第二屏蔽用天線4b的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)之差，與具有中間長(zhǎng)度的第一屏蔽用天線4a的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)之間的比率最好在15％以下。而且，第一屏蔽用天線4a的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)和第三屏蔽用天線4c的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)之差，與具有中間長(zhǎng)度的第一屏蔽用天線4a的第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)之間的比率(在本說明書中，將此比率稱為“第一元件比率”。)最好在15％以下。也就是說，在長(zhǎng)度接近的兩個(gè)屏蔽用天線4之間，第一元件比率最好在15％以下。在長(zhǎng)度接近的兩個(gè)屏蔽用天線4之間，第一元件比率更為理想的是在10％以內(nèi)。而最為理想的是在5％以下。
第一元件比率越小，屏蔽用天線4a、4b、4c的電波反射(屏蔽)頻譜尖峰的獨(dú)立性就越具有下降(連續(xù)性上升)的趨勢(shì)。因此，對(duì)于特定頻率帶整個(gè)頻率的屏蔽率(反射率)的偏差將趨于減小。然而，一旦第一元件比率不滿5％的話，利用電波屏蔽體1所能屏蔽的頻率帶的頻帶比(頻帶寬)將有變窄的趨勢(shì)。因此，第一元件比率在5％以上15％以下(特別是在10％以下)是特別理想的。
第二元件部6的線段長(zhǎng)度(L2)既可以和第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)相同，也可以和其不同。第一元件部5和第二元件部6是垂直的，并且第二元件部6在其中央處與第一元件部5的外側(cè)端連接時(shí)，第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)和第二元件部6的線段長(zhǎng)度(L2)最好滿足0＜L2＜2(3)1/2/L1的關(guān)系式。并且，第二元件部6的線段長(zhǎng)度(L2)最好為第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)的0.5倍以上2倍以下。且更為理想的是在0.75倍以上2倍以下。那是因?yàn)楫?dāng)?shù)诙?的線段長(zhǎng)度(L2)在2(3)1/2/L1以上時(shí)，相鄰的第二元件部6將相接觸，從而不能獲得所期望的電波屏蔽效果。也就是說，L2＜2(3)1/2/L1的條件式所規(guī)定的條件是為了不使第二元件部6之間相互接觸(干涉)。
雖然與第一元件部5的線段長(zhǎng)度(L1)相比影響很小，但第二元件部6的線段長(zhǎng)度(L2)還是對(duì)屏蔽用天線4所反射的電波的頻率產(chǎn)生了影響的。因此，通過調(diào)整第二元件部6的線段長(zhǎng)度(L2)，能夠微調(diào)屏蔽用天線4所反射的電波頻率。所以，通過采用像屏蔽用天線4那樣的T-Y型天線，能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)計(jì)所屏蔽頻率帶的寬度寬，且容易設(shè)計(jì)的電波屏蔽體1。
第一元件部5的寬度和第二元件部6的寬度可以相等，也可以互不相等。在本實(shí)施例中，第一元件部5的寬度和第二元件部6的寬度設(shè)定為大致相同的寬度(L3)。在本實(shí)施例中，第一元件部5和第二元件部6的寬度差，最好在第一元件部5的寬度的5％以下。
第一元件部5和第二元件部6的寬度(L3)與屏蔽用天線4的頻率選擇性相關(guān)。具體地說，寬度(L3)越窄，屏蔽用天線4的頻率選擇性就越高，反過來寬度(L3)越寬，屏蔽用天線4的頻率選擇性就越有下降的趨勢(shì)。也就是說，寬度(L3)越寬，特定頻率帶上的電波屏蔽偏差就越有縮小的傾向。因此，寬度(L3)最好在0.3毫米以上。還有，寬度(L3)最好還在3毫米以下。并且，一旦寬度(L3)不滿0.3毫米時(shí)，屏蔽用天線4的形成將趨于困難。
在本實(shí)施例中，屏蔽用天線4是用導(dǎo)電材料構(gòu)成的。也就是說，屏蔽用天線4具有導(dǎo)電性。屏蔽用天線4對(duì)特定頻率電波的電波反射率與屏蔽用天線4的導(dǎo)電率相關(guān)。具體地說，屏蔽用天線4的導(dǎo)電率越高(屏蔽用天線4的電阻越小)，屏蔽用天線4對(duì)特定頻率的電波的電波反射率就變得越大。因此，通過提高屏蔽用天線4的導(dǎo)電性，能夠使屏蔽用天線4對(duì)特定頻率電波的電波反射率增大。也就是，屏蔽用天線4的導(dǎo)電性越高越好。
具體地說，屏蔽用天線4能夠用例如鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、鐵(Fe)、不銹鋼、碳(C)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫鎘(CTO)、摻氟氧化錫(FTO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦·鋅氧化物等的導(dǎo)電材料構(gòu)成。其中，最好用導(dǎo)電性高的鋁(Al)、銀(Ag)等。還有，在利用其透光性時(shí)，最好使用氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫鎘(CTO)、摻氟氧化錫(FTO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦·鋅氧化物的混合物或者合金等。
還有，屏蔽用天線4的制作方法并沒有特別的限定。例如屏蔽用天線4可以按照下記方法進(jìn)行制作，即將通過在粘合劑(例如聚酯樹脂)中分散混入粉末狀的導(dǎo)電材料(例如、銀粉末或鋁粉末等)后制得的糊狀物(以下稱為“導(dǎo)電性糊狀物”)按照所規(guī)定的圖案均勻涂抹在基層材料2上后，使其干燥即可。
導(dǎo)電材料的含有率最好在40重量百分比以上80重量百分比以下。更為理想的是在50重量百分比以上70重量百分比以下。一旦導(dǎo)電材料的含有率未達(dá)到40重量百分比的話屏蔽用天線4的導(dǎo)電性就有下降的趨勢(shì)。另一方面，一旦導(dǎo)電材料的含有率超過80重量百分比的話將很難在樹脂中均勻分散開。
所涂抹的糊狀物的干燥，能夠在例如100℃以上200℃以下的環(huán)境下進(jìn)行。干燥的時(shí)間可設(shè)定為例如10分鐘以上5個(gè)小時(shí)以下。
利用上述的導(dǎo)電性糊狀物的方法制作屏蔽用天線4時(shí)，屏蔽用天線4的厚度最好在10微米以上20微米以下。一旦屏蔽用天線4的厚度小于10微米時(shí)，屏蔽用天線4的導(dǎo)電性就有下降的趨勢(shì)。而一旦屏蔽用天線4的厚度超過20微米時(shí)，圖案的形成性就有下降的趨勢(shì)。
還有，屏蔽用天線4還可以用蒸鍍法、噴鍍法、化學(xué)汽相沉積法(CVD法)等制成。而且，也可以通過將已形成所規(guī)定形狀的由鋁等構(gòu)成的薄膜粘貼在基層材料2上的方法制作屏蔽用天線4。另外，也可以利用例如絲綢印刷法、圖案擠壓法、及通過嵌入模子的埋入法等方法制作屏蔽用天線4。
還有，屏蔽用天線4也可以由形成了多個(gè)微小孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成。也就是，屏蔽用天線4也可以由網(wǎng)眼狀的導(dǎo)電膜構(gòu)成。
下面，關(guān)于屏蔽用天線4a、4b、4c的配置，在參照?qǐng)D1的同時(shí)，加以詳細(xì)的說明。
如圖1所示的那樣，多個(gè)第一屏蔽用天線4a、多個(gè)第二屏蔽用天線4b及多個(gè)第三屏蔽用天線4c，構(gòu)成了在一定的方向上分別按照第一屏蔽用天線4a、第三屏蔽用天線4c及第二屏蔽用天線4b這一順序呈交替狀排列而成的多條屏蔽用天線列7。并且，上述的多條屏蔽用天線列7排列在與屏蔽用天線列7的延伸方向交叉的方向(具有典型性的為垂直交叉方向)上。也就是說，多數(shù)的屏蔽用天線4a、4b、4c在基層材料2上成二次元排列。
各第一屏蔽用天線4a，與該第一屏蔽用天線4a所屬的屏蔽用天線列7相鄰的屏蔽用天線列7上的第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c相鄰。同樣的，各第二屏蔽用天線4b，與該第二屏蔽用天線4b所屬的屏蔽用天線列7相鄰的屏蔽用天線列7上的第一屏蔽用天線4a及第三屏蔽用天線4c相鄰。各第三屏蔽用天線4c，與該第三屏蔽用天線4c所屬的屏蔽用天線列7相鄰的屏蔽用天線列7上的第二屏蔽用天線4b及第一屏蔽用天線4a相鄰。
并且，第一屏蔽用天線4a的天線中心C1，和位于該第一屏蔽用天線4a所屬的屏蔽用天線列7兩側(cè)的屏蔽用天線列7上，且與上述第一屏蔽用天線4a相鄰的第一屏蔽用天線4a的天線中心C1構(gòu)成一個(gè)三角形(最好是正三角形)。還有，第二屏蔽用天線4b的天線中心C1，和位于該第二屏蔽用天線4b所屬的屏蔽用天線列7兩側(cè)的屏蔽用天線列7上，且與上述第二屏蔽用天線4b相鄰的第二屏蔽用天線4b的天線中心C1構(gòu)成一個(gè)三角形(最好是正三角形)。而且，第三屏蔽用天線4c的天線中心C1，和位于該第三屏蔽用天線4c所屬的屏蔽用天線列7兩側(cè)的屏蔽用天線列7上，且與上述第三屏蔽用天線4c相鄰的第三屏蔽用天線4c的天線中心C1構(gòu)成一個(gè)三角形(最好是正三角形)。
通過按照如上所述的那樣配置屏蔽用天線4a、4b、4c，可使諸如第一屏蔽用天線4a的第二元件部6擠進(jìn)屬于與其相鄰的屏蔽用天線列7上的第二屏蔽用天線4b和第三屏蔽用天線4c之間的空間里，從而能夠在橫向上密集地排列多條屏蔽用天線列7。換言之，如圖1所示的那樣，能夠以在第一屏蔽用天線4a所在的區(qū)域R里與其相鄰的屏蔽用天線4的第二元件部6可伸入其中的形態(tài)密集地排列屏蔽用天線4。因此，每單位面積里能夠密集地排列更多的屏蔽用天線4a、4b、4c。
在此，電波屏蔽體1的電波屏蔽率，與每單位面積所包含的屏蔽用天線4的數(shù)量相關(guān)。具體的說，一旦每單位面積所包含的屏蔽用天線4的數(shù)量增加的話，電波屏蔽體1的電波屏蔽率也隨之提高。因此，通過如上所述的那樣密集地配置屏蔽用天線4，能夠?qū)崿F(xiàn)高電波屏蔽率。
還有，根據(jù)上述的屏蔽用天線4的配置方法，能夠使每單位面積中所包含的第一屏蔽用天線4a、第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c的數(shù)量互相大致等同。因此，可以抑制頻率帶上的電波屏蔽偏差。
還有，從增加每單位面積所包含的屏蔽用天線4的數(shù)量的角度考慮，第二元件部6最好比第一元件部5短(L2＜L1)。通過此做法，能夠有效地抑制第二元件部6和相鄰的屏蔽用天線4之間的相互干擾。
還有，在本實(shí)施例中，多個(gè)屏蔽用天線4的第二元件部6之間不要平行相對(duì)地排列。因此，能夠保持屏蔽用天線4較低的頻率選擇性。換言之，能夠保持屏蔽用天線4較寬的頻帶比。所以，對(duì)于特定頻率帶全部的電波能夠?qū)崿F(xiàn)偏差小且良好的電波屏蔽率。
還有，在本實(shí)施例中三條第一元件部5的線段長(zhǎng)(L1)是相互大致等同的，這三條第一元件部5的線段長(zhǎng)(L1)也可以是互不相同的。
在本實(shí)施例中，三種屏蔽用天線4的形狀是相似的，也可以利用形狀不相似的多種屏蔽用天線4構(gòu)成反射層3。
還有，在本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1中，反射層3僅由第一屏蔽用天線4a、第二屏蔽用天線4b及第三屏蔽用天線4c構(gòu)成，但本發(fā)明并不僅僅限定于此構(gòu)成。反射層3中，例如它其中的一部分也可以包含和屏蔽用天線4a、4b、4c形狀不同的圖案。
在本實(shí)施例中，反射層3里設(shè)置了三種屏蔽用天線4，但反射層3中也可以包含兩種屏蔽用天線4或者四種以上的屏蔽用天線4。例如、反射層3中所包含的各種屏蔽用天線4的形狀為相似形時(shí)，各種屏蔽用天線4的尺寸，最好是在反射層3里所包含的屏蔽用天線4中成為基準(zhǔn)的那種屏蔽用天線4尺寸的1±15％(更為理想的是1±10％，最為理想的是1±5％)以內(nèi)。
在本實(shí)施例中，屏蔽用天線4是所謂的T-Y型天線，但屏蔽用天線4也可以是僅由例如從天線中心延伸的多條線段狀的第一元件部構(gòu)成的。具體來說，也可以是僅由三條第一元件部構(gòu)成的“Y”字形天線。
還有，屏蔽用天線4也可以由從天線中心延伸的兩條以下或者四條以上的線段狀的第一元件部，和在各第一元件部的外側(cè)端連接而成的線段狀的第二元件部構(gòu)成的。具體的說，屏蔽用天線4包括從天線中心開始相互成90°角呈放射狀延伸，且大致等長(zhǎng)的四條線段狀的第一元件部，和與各第一元件部的外側(cè)端連接而成的線段狀的第二元件部，即可以是所謂的十字架型天線。
還有，反射層3可以包括例如T-Y型天線、“Y”字型天線、十字架型天線等多種屏蔽用天線。
此外，電波屏蔽體1的尺寸、形狀沒有任何限制。電波屏蔽體1可以是一邊的長(zhǎng)度為數(shù)毫米的小尺寸，而另一邊的長(zhǎng)度為數(shù)米或者這以上的大尺寸。
還有，在俯視時(shí)，電波屏蔽體1的形狀可以為三角形、四邊形(長(zhǎng)方形、正方形)、多角形、圓形、橢圓形等。
(實(shí)施例)如圖1及圖6所示的那樣，制作出與上述實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體1具有相同形態(tài)的電波屏蔽體1，并測(cè)定其電波屏蔽特性。具體來說，通過將PET膠片(厚度為180微米)用作基層材料2，在此基層材料2上涂抹混入了銀的糊狀物，并使其干燥的方法制作成了屏蔽用天線4。然后，將形成了屏蔽用天線4的表面朝下，通過使用丙烯系列的粘接劑8使基層材料2粘貼在玻璃(蘇打石灰玻璃、厚度為5毫米)10上，從而制得了實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體。并且，在本實(shí)施例中，第一屏蔽用天線4a的第一元件部5和第二元件部6的長(zhǎng)度均設(shè)定為28毫米。第三屏蔽用天線4c的第一元件部5和第二元件部6的長(zhǎng)度均設(shè)定為29.4毫米。還有，第二屏蔽用天線4b的第一元件部5和第二元件部6的長(zhǎng)度均設(shè)定為26.6毫米。也就是，將第三屏蔽用天線4c的第一元件部5和第二元件部6的長(zhǎng)度設(shè)定為第一屏蔽用天線4a相對(duì)應(yīng)長(zhǎng)度的1.05倍，而將第二屏蔽用天線4b的長(zhǎng)度設(shè)定為第一屏蔽用天線4a相對(duì)應(yīng)長(zhǎng)度的0.95倍。還有，第一元件部5的寬度和第二元件部6的寬度均設(shè)定為1.2毫米。
制做好后，用安捷倫(Agilent Technologies)公司制作的HP8722D測(cè)定實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體的電波透過衰減量(屏蔽量)。
圖10是表示制得的實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體的頻率和透過衰減量之間相互關(guān)系的座標(biāo)圖。
如圖10所示，本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體在10dB以上時(shí)可屏蔽頻率為641MHz～1073MHz范圍的電波。還有，在20dB以上時(shí)可屏蔽807.5MHz～960.5MHz范圍的電波。也就是說，10dB的頻帶寬(W10)為432MHz，10dB的頻帶比為47.0％。20dB的頻帶寬(W20)為153MHz，20dB的頻帶比為16.6％。
此結(jié)果說明，利用本實(shí)施例所涉及的電波屏蔽體，能夠很好地屏蔽頻帶比較寬的頻率帶整個(gè)范圍的電波。
以上，對(duì)于本發(fā)明的理想的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明所適用的技術(shù)范圍并不只局限于上述實(shí)施例中所記載的范圍。我們同行業(yè)內(nèi)部所理解的是上述實(shí)施例僅為示例，而這些各構(gòu)成要素和各處理過程的組合中，能夠再有各種各樣的變形例，還有這些變形例也都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電波屏蔽體，其特征在于有選擇地屏蔽特定頻率帶的電波。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電波屏蔽體，其特征在于包括多種屏蔽用天線，此多種屏蔽用天線有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波。
3.一種電波屏蔽體，其特征在于包括多種屏蔽用天線，此多種屏蔽用天線有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波，且該多種屏蔽用天線各自的電波反射頻譜尖峰是不相互獨(dú)立的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電波屏蔽體，其特征在于上述的多種屏蔽用天線各自都具有導(dǎo)電性。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電波屏蔽體，其特征在于上述的多種屏蔽用天線各自都包括第一元件部，此三條線段狀的第一元件部，是分別從天線中心開始相互成120°的角度呈放射狀延伸而成的，并且具有大致等同的長(zhǎng)度；和第二元件部，此線段狀的第二元件部，是與上述各第一元件部的外側(cè)端連接而成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電波屏蔽體，其特征在于上述多種屏蔽用天線各自的上述第一元件部的線段長(zhǎng)度都互不相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電波屏蔽體，其特征在于上述多種屏蔽用天線各自的上述第二元件部的線段長(zhǎng)度都比上述第一元件部的線段長(zhǎng)度短。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電波屏蔽體，其特征在于上述多種屏蔽用天線各自的上述第二元件部之間都不是相互平行排列的。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電波屏蔽體，其特征在于上述的多種屏蔽用天線，是由第一屏蔽用天線、第二屏蔽用天線和第三屏蔽用天線三種構(gòu)成的，上述的第一屏蔽用天線、上述的第二屏蔽用天線和上述的第三屏蔽用天線在一個(gè)方向上按照順序交替排列地構(gòu)成了屏蔽用天線列的同時(shí)，該屏蔽用天線列為多列并排排列而成的二次元排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電波屏蔽體，其特征在于上述第一屏蔽用天線，是與該第一屏蔽用天線所屬的屏蔽用天線列相鄰的屏蔽用天線列上的上述第二屏蔽用天線及上述第三屏蔽用天線相鄰的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電波屏蔽體，其特征在于上述的多種屏蔽用天線排列成為上述第一屏蔽用天線的天線中心，和位于該第一屏蔽用天線所屬的屏蔽用天線列兩側(cè)的屏蔽用天線列上，且與該第一屏蔽用天線兩側(cè)相鄰的第一屏蔽用天線的天線中心構(gòu)成一個(gè)三角形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電波屏蔽體，其特征在于上述相鄰的三個(gè)第一屏蔽用天線的天線中心構(gòu)成一個(gè)正三角形。
全文摘要
本發(fā)明，提供能夠?qū)κ褂昧司哂刑囟l率帶電波的電波器械的辦公室等電波環(huán)境進(jìn)行整頓的電波屏蔽體。電波屏蔽體(1)包括三種屏蔽用天線(4a)、(4b)、(4c)，且此三種屏蔽用天線有選擇地反射互不相同的特定頻率的電波。第一屏蔽用天線(4a)和第二屏蔽用天線(4b)及第三屏蔽用天線(4c)的電波反射頻譜尖峰是不相互獨(dú)立的。
文檔編號(hào)H05K9/00GK1940197SQ20061013937
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者工藤敏夫, 柏原一之 申請(qǐng)人:三菱電線工業(yè)株式會(huì)社