專利名稱：一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，是指為了生長(zhǎng)氮化物薄膜、厚膜或者單 晶襯底材料而設(shè)計(jì)制造的一種方便易用、可控性強(qiáng)、可靠性和重復(fù)性高的
氫化物氣相外延裝置(HVPE)，具體地說(shuō)是一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫 化物氣相外延裝置。
背景技術(shù)：
氮化物多元系材料的光譜從0.7ev到6.2ev，可以用于帶間發(fā)光，顏色 覆蓋從紅外到紫外波長(zhǎng)，不僅在光電子應(yīng)用方面，如藍(lán)光、綠光、紫外光 發(fā)光二極管(LED)、短波長(zhǎng)激光二極管(LD)，紫外探測(cè)器、布拉格反射 波導(dǎo)等方面獲得了重要的應(yīng)用和發(fā)展，而且在微電子應(yīng)用方面也得到了廣 泛的關(guān)注，可以制作高溫、高頻和大功率器件，如高電子遷移率晶體管 (HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等。氮化鎵(GaN)材料作為第三 代半導(dǎo)體材料代表之一，具有直接帶隙、寬禁帶、高飽和電子漂移速度、 高擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能。尤其是近些 年來(lái)發(fā)光二極管照明迅猛發(fā)展，氮化物系的LED大量應(yīng)用于顯示器、照明、 指示燈、廣告牌、交通燈等，在農(nóng)業(yè)中作為加速光合成光源，在醫(yī)療中作 為診斷和治療的工具。但是目前，氮化物材料生長(zhǎng)面臨的最大的問(wèn)題是缺
少同質(zhì)襯底，采用傳統(tǒng)的單晶生長(zhǎng)方法很難生長(zhǎng)出體單晶；使用異質(zhì)襯底， 如藍(lán)寶石、碳化硅等存在著由于晶格失配和熱失配帶來(lái)的外延材料缺陷密 度大等的問(wèn)題。而利用氫化物氣相外延的方法具有高生長(zhǎng)速率，高結(jié)晶質(zhì) 量，高均勻性生長(zhǎng)和低的設(shè)備成本和運(yùn)行成本，能夠?qū)崿F(xiàn)氮化物材料的厚 膜生長(zhǎng)，可以生長(zhǎng)出具有襯底厚度的氮化物材料，也稱之為氮化物自支撐 襯底。
本發(fā)明以前有關(guān)用于氮化物單晶襯底制備的氫化物氣相外延裝置存 在金屬源置于反應(yīng)管內(nèi)部，導(dǎo)致整個(gè)反應(yīng)爐的設(shè)計(jì)復(fù)雜，金屬鹵化物的 反應(yīng)效率不易控制而且隨著金屬源的消耗有較大變化，金屬鹵化物的實(shí)際 消耗量無(wú)法精確控制；此外更換或者補(bǔ)充金屬源時(shí)必須暴露整個(gè)反應(yīng)室到 大氣中，影響反應(yīng)室的潔凈程度，也使得整個(gè)操作非常復(fù)雜，增加了設(shè)備 維護(hù)的時(shí)間，降低了生產(chǎn)效率，使得氮化物襯底的成本居高不下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的獨(dú)立供應(yīng)金屬卣化物的氫化物氣相外 延裝置，包括一金屬鹵化物供應(yīng)爐和一氫化物氣相外延爐；其中
金屬鹵化物供應(yīng)爐外部設(shè)有加熱裝置，該供應(yīng)爐設(shè)有通氣管道，通入 鹵族氫化物或者鹵族元素等反應(yīng)氣體或者氮?dú)?、氦氣、氬氣、氫氣等載氣;
該供應(yīng)爐內(nèi)部放置金屬鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的一種或多種，使卣族 氫化物或者鹵族元素與供應(yīng)爐內(nèi)的金屬反應(yīng)生成金屬鹵化物的反應(yīng)氣體，
或者直接放置經(jīng)過(guò)提純的金屬鹵化物；
該供應(yīng)爐設(shè)有反應(yīng)氣體/載氣通道，生成或者直接的金屬鹵化物通過(guò)載 氣攜帶后進(jìn)入氫化物氣相外延爐進(jìn)行氮化物材料的生長(zhǎng)
氫化物氣相外爐延生長(zhǎng)室包括有-
一外延生長(zhǎng)室
一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)，襯底裝置在外延生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速 馬達(dá)，以控制襯底裝置的轉(zhuǎn)速；
反應(yīng)氣體管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室的密封盤(pán)進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，載氣攜帶反 應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體管道進(jìn)入外延生長(zhǎng)室內(nèi)，并流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng) 生長(zhǎng)氮化物薄膜、厚膜或者單晶襯底；
一加熱裝置，環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外-
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，外延生長(zhǎng) 室為石英材料。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，外延生長(zhǎng) 室外的加熱裝置為多溫區(qū)加熱，溫區(qū)數(shù)目為1至3個(gè)，加熱方式為電阻加熱 或者射頻感應(yīng)加熱，每個(gè)溫區(qū)獨(dú)立控制。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，襯底裝置 釆用橡膠圈加真空油脂密封或磁流體密封，轉(zhuǎn)速為10-500轉(zhuǎn)/分鐘。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，載氣為氮 氣、氦氣、氫氣、氬氣或者其混合氣體。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，反應(yīng)氣體 中可以加入一種或者多種金屬有機(jī)源或者摻雜劑流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)， 實(shí)現(xiàn)類似于MOCVD的裝置。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，摻雜劑可 以為SiH4或者M(jìn)g的有機(jī)源如Cp2Mg或者Fe的有機(jī)物如Cp2Fe。
本發(fā)明解決了現(xiàn)有氫化物氣相外延爐金屬源置于反應(yīng)管內(nèi)部，整個(gè)反 應(yīng)爐的設(shè)計(jì)復(fù)雜，金屬鹵化物的反應(yīng)效率不易控制且隨金屬源的消耗有較 大變化，金屬鹵化物的實(shí)際消耗量無(wú)法精確控制；更換或者補(bǔ)充金屬源時(shí) 必須暴露整個(gè)反應(yīng)室到大氣中，影響反應(yīng)室的潔凈程度，操作復(fù)雜等問(wèn)題， 進(jìn)一步簡(jiǎn)化生長(zhǎng)氮化物薄膜、厚膜或者單晶襯底的氫化物氣相外延爐，降 低了設(shè)備維護(hù)的時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，從而降低氮化物襯底的生成成本


圖1是本發(fā)明的獨(dú)立金屬鹵化物源爐設(shè)計(jì)示意圖2是本發(fā)明的實(shí)施例一的示意圖3是本發(fā)明的實(shí)施例二的示意圖4是本發(fā)明的實(shí)施例三的示意圖5是本發(fā)明的實(shí)施例四的示意圖6是本發(fā)明的實(shí)施例五的示意圖7是本發(fā)明的實(shí)施例六的示意圖8是本發(fā)明的實(shí)施例七的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，包括獨(dú)立金屬 鹵化物供應(yīng)爐和氫化物氣相外延爐，其中氫化物氣相外延爐又包括外延 生長(zhǎng)室、生長(zhǎng)室加熱裝置、襯底旋轉(zhuǎn)裝置和氣體管道等。
所述的一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的金屬鹵化物反應(yīng)爐，其所述的金屬
反應(yīng)源可以單獨(dú)作為一個(gè)源爐進(jìn)行反應(yīng)，通過(guò)鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、 鐵(Fe)、鎂(Mg)等不同金屬源和鹵族氫化物包括HC1、 HBr或者HI等或 者鹵族元素如Cl2、 12等反應(yīng)生成相應(yīng)的金屬鹵化物或者直接裝入提純的相 應(yīng)金屬鹵化物， 一種或者多種金屬鹵化物通過(guò)載氣攜帶通入氫化物氣相外 延爐的生長(zhǎng)室用于生長(zhǎng)氮化物材料。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，外延生長(zhǎng)室一般 為耐高溫耐腐蝕的石英等材料。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，外延生長(zhǎng)室加熱 裝置可以為多溫區(qū)加熱，溫區(qū)數(shù)目可以為1至3個(gè)，加熱方式為電阻加熱或 者射頻感應(yīng)加熱，每個(gè)溫區(qū)可以獨(dú)立控制。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，襯底裝置可以具 有旋轉(zhuǎn)功能，采用橡膠圈加真空油脂密封、磁流體密封或者其它方式密封， 旋轉(zhuǎn)由可調(diào)速馬達(dá)控制，直接帶動(dòng)襯底裝置或者通過(guò)齒輪等傳動(dòng)帶動(dòng)襯底 裝置，轉(zhuǎn)速為10-500轉(zhuǎn)/分鐘可調(diào)。
所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，載氣可以采用不 同的氣體，包括氮?dú)?N2)、氦氣(He)、氫氣(H2)、氬氣(Ar)等及其 混合氣體，載氣攜帶反應(yīng)氣體包括氨氣(NH3)以及一種或者多種金屬鹵 化物氣體，同時(shí)可以加入一種或者多種金屬有機(jī)源(MO)或者摻雜劑如 SiH4等進(jìn)入反應(yīng)室，流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)，可以通過(guò)改變氣體的空間分
布和混合時(shí)間長(zhǎng)短等來(lái)減少氣相反應(yīng)的發(fā)生，同時(shí)有效增加氣體在襯底上
的均勻沉積，也可以方便地實(shí)現(xiàn)和MOCVD的集成。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所采取的技術(shù)措施主要為采用獨(dú)立的金屬鹵化物供應(yīng)爐， 從而降低了氫化物氣相外延爐的復(fù)雜程度，減小體積，降低設(shè)備成本；增 加金屬鹵化物的可控性和穩(wěn)定性，使得在整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中都可以保持氮化 物反應(yīng)的完全可控；由于使用了獨(dú)立的金屬鹵化物源，可以方便地和 MOCVD結(jié)合，制備出更高質(zhì)量的氮化物薄膜、厚膜或者單晶襯底材料； 降低了更換或者添加金屬源材料的復(fù)雜程度，增加了氫化物氣相外延爐的
生長(zhǎng)周期，減少了用于維護(hù)的時(shí)間，提高了生產(chǎn)率，降低氮化物薄膜、厚 膜或者單晶襯底的生產(chǎn)成本。
為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作 詳細(xì)的描述
獨(dú)立金屬鹵化物源爐
如圖1所示，為本發(fā)明的獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)爐示意圖。
獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)爐IO外部設(shè)有加熱裝置11 ，該供應(yīng)爐設(shè)有通氣管
道12,通入鹵族氫化物或者鹵族元素等反應(yīng)氣體或者氮?dú)狻⒑?、氬氣?br> 氫氣等載氣；
獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)爐10內(nèi)部放置金屬鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的一種 或多種，使鹵族氫化物或者鹵族元素與反應(yīng)爐內(nèi)的金屬反應(yīng)生成金屬離化 物的反應(yīng)氣體。
獨(dú)立金屬鹵化反應(yīng)爐10上部設(shè)有一反應(yīng)氣體通道13，生成的反應(yīng)氣體 或者提純的金屬鹵化物通過(guò)載氣攜帶進(jìn)入氫化物氣相外延爐進(jìn)行氮化物
材料的生長(zhǎng)。
獨(dú)立金屬鹵化供應(yīng)爐可以使用不同的材料比如石英或者金屬，可以選
擇合適的加熱器比如電阻或者射頻感應(yīng)加熱，將載有高純金屬鎵(Ga)、 銦(In)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鎂(Mg)等的容器放置于爐內(nèi)，通入鹵族 氫化物如HC1、 HBr或者HI甚至鹵族元素如Cl2、 8&或者12等在適當(dāng)?shù)臏囟?下反應(yīng)生成需要的金屬鹵化物如GaCl或者AlCl3等，或者直接放置提純的 金屬鹵化物。反應(yīng)氣體可以通過(guò)鹵族氫化物或者鹵族元素與金屬反應(yīng)后通 過(guò)載氣攜帶進(jìn)入氫化物氣相外延爐進(jìn)行氮化物材料的生長(zhǎng)(如圖la所示)； 也可以直接通過(guò)載氣攜帶金屬鹵化物作為單獨(dú)的金屬鹵化物源使用(如圖 lb所示)，后一種方式可以避開(kāi)鹵族氫化物對(duì)于氫化物氣相外延爐可能的 腐蝕。
實(shí)施例一
如圖2所示，是本發(fā)明的裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，金屬鹵化物供 應(yīng)爐獨(dú)立于氫化物氣相外延爐。該裝置可以增加一個(gè)真空泵，進(jìn)行低壓到 常壓的生長(zhǎng)，同時(shí)可以增加副產(chǎn)物過(guò)濾裝置、尾氣收集處理裝置和自動(dòng)控 制系統(tǒng)。該裝置由外延生長(zhǎng)室l、加熱裝置2、上下底盤(pán)31和32、襯底裝置 4、調(diào)速馬達(dá)5、反應(yīng)氣體管道6組成。其中，外延生長(zhǎng)室l為豎直設(shè)置，加 熱系統(tǒng)2環(huán)繞外延生長(zhǎng)室1外加熱，外延生長(zhǎng)室1上下端面裝有底盤(pán)31進(jìn)行 密封；襯底裝置4由外延生長(zhǎng)室1上方進(jìn)入，襯底8放置方式為面朝下；襯 底裝置4在生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)5;反應(yīng)氣體管道6通過(guò)生長(zhǎng)室下端面 的底盤(pán)32進(jìn)入反應(yīng)室。
以生長(zhǎng)AlGaN材料為例，本發(fā)明的生長(zhǎng)工藝流程是由生長(zhǎng)室加熱裝
置2加熱外延生長(zhǎng)室1;加熱裝置2可以分為多溫區(qū)加熱，襯底8處溫度為 800-1200'C;載氣攜帶金屬鹵化物反應(yīng)器生成的GaCl和AlCl3以適當(dāng)比例和 NH3通過(guò)外延生長(zhǎng)室1底部反應(yīng)氣體管道6進(jìn)入生長(zhǎng)室；GaCl、 A1C1^NH3 混合并在襯底上反應(yīng)生成需要的AlGaN材料；生長(zhǎng)時(shí)，調(diào)速馬達(dá)5控制襯 底裝置4旋轉(zhuǎn)。
本例釆用垂直結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面向下放置，可以利用垂直結(jié)構(gòu)氣流和熱 場(chǎng)均勻性好，襯底面向下避免氣相反應(yīng)物沾污的優(yōu)點(diǎn)。 實(shí)施例二
本例采用垂直結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面向上放置，可以利用垂直結(jié)構(gòu)氣流和熱 場(chǎng)均勻性好，襯底面向上放置方便容易的優(yōu)點(diǎn)。 實(shí)施例三
本例釆用水平結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面垂直于氣流方向，可以利用水平爐操作 簡(jiǎn)單，襯底表面沒(méi)有氣相耗盡和氣相反應(yīng)物沾污，同時(shí)又容易實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)的 優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施例四
本例采用水平結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面水平向上，可以利用水平爐操作簡(jiǎn)單， 襯底放置方便容易的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)例并沒(méi)有畫(huà)出旋轉(zhuǎn)裝置，但是這并不表示本裝置不可以使用旋轉(zhuǎn) 裝置，只是由于旋轉(zhuǎn)裝置更為復(fù)雜，可能需要傳動(dòng)或者其它方式的旋轉(zhuǎn)， 而且為了進(jìn)一步增加均勻性，往往在這里增加專門(mén)設(shè)計(jì)的旋轉(zhuǎn)裝置。
實(shí)施例五
本例采用水平結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面傾斜，可以利用水平爐操作簡(jiǎn)單，部分
克服襯底表面氣相耗盡的優(yōu)點(diǎn)。 實(shí)施例六
本例釆用水平結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面水平向下，可以利用水平爐操作簡(jiǎn)單， 襯底表面避免氣相反應(yīng)物沾污的優(yōu)點(diǎn)。 實(shí)施例七
本例釆用水平結(jié)構(gòu)同時(shí)襯底面傾斜向下，可以利用水平爐操作簡(jiǎn)單， 襯底表面避免氣相反應(yīng)物沾污和減小氣相耗盡的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)以上描述，本發(fā)明采用獨(dú)立金屬鹵化物反應(yīng)爐，從而區(qū)別于已有
的氫化物氣相外延爐，并具備和MOCVD集成更加容易的特性。采用如上 氫化物氣相外延裝置可以避免現(xiàn)有氫化物氣相外延爐設(shè)備復(fù)雜，操作困 難，氣體穩(wěn)定性差和流量難于精確控制的缺點(diǎn)，為提高氮化物薄膜、厚膜 或者單晶襯底材料的生長(zhǎng)效率，降低生長(zhǎng)成本提供了一條可行的解決之道。
權(quán)利要求
1. 一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，包括一金屬鹵化物供應(yīng)爐和一氫化物氣相外延爐；其中金屬鹵化物供應(yīng)爐外部設(shè)有加熱裝置，該供應(yīng)爐設(shè)有通氣管道，通入鹵族氫化物或者鹵族元素等反應(yīng)氣體或者氮?dú)?、氦氣、氬氣、氫氣等載氣；該供應(yīng)爐內(nèi)部放置金屬鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的一種或多種，使鹵族氫化物或者鹵族元素與供應(yīng)爐內(nèi)的金屬反應(yīng)生成金屬鹵化物的反應(yīng)氣體，或者直接放置經(jīng)過(guò)提純的金屬鹵化物；該供應(yīng)爐設(shè)有反應(yīng)氣體/載氣通道，生成或者直接的金屬鹵化物通過(guò)載氣攜帶后進(jìn)入氫化物氣相外延爐進(jìn)行氮化物材料的生長(zhǎng)；氫化物氣相外爐延生長(zhǎng)室包括有；一外延生長(zhǎng)室；一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)，襯底裝置在外延生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)，以控制襯底裝置的轉(zhuǎn)速；反應(yīng)氣體管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室的密封盤(pán)進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，載氣攜帶反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體管道進(jìn)入外延生長(zhǎng)室內(nèi)，并流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物薄膜、厚膜或者單晶襯底；一加熱裝置，環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝 置，其中，外延生長(zhǎng)室為石英材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中，外延生長(zhǎng)室外的加熱裝置為多溫區(qū)加熱，溫區(qū)數(shù)目為1至3個(gè)， 加熱方式為電阻加熱或者射頻感應(yīng)加熱，每個(gè)溫區(qū)獨(dú)立控制。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝 置，其中，襯底裝置采用橡膠圈加真空油脂密封或磁流體密封，轉(zhuǎn)速為 10-500轉(zhuǎn)/分鐘。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝 置，其中，載氣為氮?dú)?、氦氣、氫氣、氬氣或者其混合氣體。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝 置，其中，反應(yīng)氣體中加入一種或者多種金屬有機(jī)源或者摻雜劑流動(dòng)到襯 底上進(jìn)行反應(yīng)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝 置，其中，摻雜劑為SiH4或者M(jìn)g的有機(jī)源如Cp2Mg或者Fe的有機(jī)物如 Cp2Fe。
全文摘要
一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置，其中金屬鹵化物供應(yīng)爐外部設(shè)有加熱裝置，該供應(yīng)爐設(shè)有通氣管道；該供應(yīng)爐內(nèi)部放置金屬鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的一種或多種或者經(jīng)過(guò)提純的金屬鹵化物；該供應(yīng)爐設(shè)有反應(yīng)氣體/載氣通道，生成或者直接的金屬鹵化物通過(guò)載氣攜帶進(jìn)入氫化物氣相外延爐進(jìn)行氮化物材料的生長(zhǎng)；氫化物氣相外爐延生長(zhǎng)室包括有；一外延生長(zhǎng)室；一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)，襯底裝置在外延生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)；反應(yīng)氣體管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室的密封盤(pán)進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，載氣攜帶反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體管道進(jìn)入外延生長(zhǎng)室內(nèi)，并流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底；一加熱裝置，環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外。
文檔編號(hào)C30B25/00GK101205626SQ200610165539
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者曾一平, 李晉閩, 段瑞飛, 王軍喜 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所