專利名稱：一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別指為了生長(zhǎng)高質(zhì)量、高均勻性的氮 化物單晶襯底材料而設(shè)計(jì)制備的一種簡(jiǎn)單易用、高可靠性的豎直式氫化物
氣相外延及輔助裝置。
背景技術(shù)：
氮化物多元系材料的光譜從0.7^到6.2 ，可以用于帶間發(fā)光，顏色 覆蓋從紅外到紫外波長(zhǎng)，不僅在光電子應(yīng)用方面，如藍(lán)光、綠光、紫外光 發(fā)光二極管(LED)、短波長(zhǎng)激光二極管(LD)，紫外探測(cè)器、布拉格反射 波導(dǎo)等方面獲得了重要的應(yīng)用和發(fā)展，而且在微電子應(yīng)用方面也得到了廣 泛的關(guān)注，可以制作高溫、高頻和大功率器件，如高電子遷移率晶體管 (HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等。氮化鎵(GaN)材料作為第三 代半導(dǎo)體材料代表之一，具有直接帶隙、寬禁帶、高飽和電子漂移速度、 高擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能。尤其是近些 年來(lái)發(fā)光二極管照明迅猛發(fā)展，氮化物系的LED大量應(yīng)用于顯示器、照 明、指示燈、廣告牌、交通燈等，在農(nóng)業(yè)中作為加速光合成光源，在醫(yī)療 中作為診斷和治療的工具。但是目前，氮化物材料生長(zhǎng)面臨的最大的問(wèn)題 是缺少同質(zhì)襯底，釆用傳統(tǒng)的單晶生長(zhǎng)方法很難生長(zhǎng)出體單晶使用異質(zhì) 襯底，如藍(lán)寶石、碳化硅等存在著由于晶格失配和熱失配帶來(lái)的外延材料 缺陷密度大等的問(wèn)題。而利用氫化物氣相外延的方法具有高生長(zhǎng)速率，高 結(jié)晶質(zhì)量，高均勻性生長(zhǎng)和低的設(shè)備成本和運(yùn)行成本，能夠?qū)崿F(xiàn)氮化物材 料的厚膜生長(zhǎng)，可以生長(zhǎng)出具有襯底厚度的氮化物材料，也稱之為氮化物 自支撐襯底。
本發(fā)明以前有關(guān)用于氮化物單晶襯底制備的外延裝置在生長(zhǎng)時(shí)存在 水平爐受對(duì)流的影響溫度均勻性差，氣相耗盡導(dǎo)致厚膜氮化物材料生長(zhǎng)均 勻性低，填裝金屬源不方便，金屬鹵化物可控性差，反應(yīng)爐使用不方便， 重復(fù)性差等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備氮化物單晶襯底材料的氫化物氣相外
延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外
延裝置，包括
一外延生長(zhǎng)室，為豎直設(shè)置； 外延生長(zhǎng)室上、下端面裝有底盤進(jìn)行密封； 一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)上方，襯底放置方式為面朝下； 襯底裝置在外延生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)，以控制襯底裝置的轉(zhuǎn)速； 一金屬反應(yīng)源放置器，內(nèi)放置金屬源，位于外延生長(zhǎng)室內(nèi)，襯底裝置 下方，至少一反應(yīng)氣體管道通入金屬反應(yīng)源放置器內(nèi)，以通入鹵族氫化物 或者鹵族氣體并與金屬反應(yīng)源放置器中的金屬源反應(yīng)生成金屬卣化物；
至少一載氣管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室下端面的底盤進(jìn)入外延生長(zhǎng)室內(nèi)部， 通過(guò)該載氣管道攜帶氮源氣體進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，在襯底裝置下方混合，并 向上流動(dòng)到襯底裝置上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底；
一副產(chǎn)物收集裝置，與外延生長(zhǎng)室出氣口連接，收集氫化物氣相外延 反應(yīng)的副產(chǎn)物，以防止反應(yīng)氣體管道路堵塞；
一加熱裝置，環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外圓周；
一自動(dòng)控制系統(tǒng)，用以控制載氣的開(kāi)關(guān)、流量和壓力，控制加熱裝置 的溫度和升降溫速度、控制襯底裝置的旋轉(zhuǎn)速度，并進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，金屬反應(yīng)源放置器位于外延生長(zhǎng) 室的外部，并由一管道與外延生長(zhǎng)室內(nèi)部相通；至少一反應(yīng)氣體管道通入 金屬反應(yīng)源放置器內(nèi)，以通入鹵族氫化物或者鹵族氣體并與金屬反應(yīng)源放 置器中的金屬源反應(yīng)生成金屬鹵化物；至少--載氣管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室下 端面的底盤進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，通過(guò)該載氣管道攜帶氮源氣體進(jìn)入外延生長(zhǎng) 室，在襯底裝置下方混合，并向上流動(dòng)到襯底裝置上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物 單晶襯底。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，外延生長(zhǎng)室為耐高溫耐腐蝕的材料。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，襯底為單片或者多片。 所述的氫化物氣相外延裝置，其中，襯底裝置采用橡膠圈加真空油脂
密封或者磁流體密封的方式密封。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，金屬反應(yīng)源放置器為一個(gè)或者多
個(gè)，內(nèi)裝有入鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的一種或者多種金屬源。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，載氣為氮?dú)狻⒑?、氫氣、氬?中的一種或多種。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，副產(chǎn)物收集裝置連接一濕法廢氣 處理裝置，收集的氫化物氣相外延反應(yīng)副產(chǎn)物通過(guò)濕法廢氣處理裝置內(nèi)的 酸性水溶液收集未反應(yīng)的氨氣。
所述的氫化物氣相外延裝置，其中，加熱裝置為獨(dú)立控制的多溫區(qū)，
溫區(qū)數(shù)目為l至5個(gè)，加熱方式為電阻加熱或者射頻感應(yīng)加熱。 所述的氫化物氣相外延裝置，其中，氮源氣體為氨氣。 本發(fā)明可以解決氮化物氣相反應(yīng)水平爐受對(duì)流的影響溫度均勻性差， 氣相耗盡導(dǎo)致厚膜氮化物材料生長(zhǎng)均勻性低，填裝金屬源不方便，金屬囟 化物可控性差，反應(yīng)爐使用不方便，重復(fù)性差等缺點(diǎn)。能夠幫助實(shí)現(xiàn)高速 率生長(zhǎng)高質(zhì)量、高均勻性的氮化物單晶襯底材料，具有較高的反應(yīng)效率， 從而降低了生長(zhǎng)成本。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明的實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是濕法尾氣處理裝置的示意圖； 圖4為自動(dòng)控制系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了一種豎直式襯底面向下制備氮化物單晶襯底的氫化物
氣相外延及輔助裝置，包括豎直式外延生長(zhǎng)室、生長(zhǎng)室加熱裝置、襯底 旋轉(zhuǎn)裝置、金屬反應(yīng)源放置器或者獨(dú)立金屬鹵化物反應(yīng)爐、氣體管道、自 動(dòng)控制系統(tǒng)、反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置和尾氣處理裝置。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的外延生長(zhǎng)室一般為耐高 溫耐腐蝕的石英等材料，采用豎直方式放置，襯底面向下，襯底可以為單 片或者多片，反應(yīng)氣體向上流動(dòng)到襯底處進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的生長(zhǎng)室加熱裝置可以為 多溫區(qū)加熱，溫區(qū)數(shù)目可以為1至5個(gè)，加熱方式為電阻加熱或者射頻感 應(yīng)加熱，每個(gè)溫區(qū)可以獨(dú)立控制。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的襯底裝置具有旋轉(zhuǎn)功 能，采用橡膠圈加真空油脂密封、磁流體密封或者其它方式密封，旋轉(zhuǎn)由 可調(diào)速馬達(dá)控制，轉(zhuǎn)速為10-500轉(zhuǎn)/分鐘。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的金屬反應(yīng)源放置器可以 根據(jù)生長(zhǎng)要求，裝入鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、鐵(Fe)等一種或者 多種金屬源，用于生長(zhǎng)氮化物材料。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的金屬反應(yīng)源可以單獨(dú)作 為一個(gè)源爐進(jìn)行反應(yīng)，包括鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鎂(Mg) 等不同金屬源和鹵族氫化物包括HC1、 HBr、 HI等或者鹵族氣體如入氯氣 等反應(yīng)生成相應(yīng)的金屬鹵化物， 一種或者多種金屬鹵化物通過(guò)載氣攜帶通 入外延生長(zhǎng)室用于生長(zhǎng)氮化物材料。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的載氣可以采用不同的氣 體，包括氮?dú)?N2)、氦氣(He)、氫氣(H2)、氬氣(Ar)等及其混合氣體，載氣攜帶反應(yīng)氣體包括氨氣(NH3)和金屬鹵化物氣體進(jìn)入反應(yīng)室， 在襯底裝置下方混合，并向上流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的使用自動(dòng)控制系統(tǒng)控制 氣體的開(kāi)關(guān)、氣體的流量和壓力的大小，控制加熱裝置的溫度和升降溫速 度，控制襯底的旋轉(zhuǎn)速度等，并進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的使用專門的副產(chǎn)物收集 裝置收集反應(yīng)副產(chǎn)物比如NH4C1，以防止氣路堵塞。
所述的氫化物氣相外延及輔助裝置，其所述的使用專門設(shè)計(jì)的濕法吸 收裝置吸收反應(yīng)剩余的NH3，同時(shí)又不會(huì)造成水的反向擴(kuò)散污染反應(yīng)系統(tǒng)。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所采取的技術(shù)措施有以下幾個(gè)方面 一是采用豎直式外延 生長(zhǎng)室系統(tǒng)，可以有效地解決襯底反應(yīng)表面溫度分布不均勻和水平爐氣相 耗盡導(dǎo)致外延生長(zhǎng)不均勻的問(wèn)題；二是采用襯底面朝下、反應(yīng)源從下方混 合并在襯底上進(jìn)行沉積的設(shè)計(jì)，不會(huì)產(chǎn)生由于氣相反應(yīng)物在重力作用下掉 落到襯底表面污染生長(zhǎng)表面，有利于高質(zhì)量氮化物單晶的生長(zhǎng)；三是金屬
反應(yīng)源可以設(shè)計(jì)為獨(dú)立的金屬和鹵素或者其氫化物進(jìn)行反應(yīng)的爐子，進(jìn)而 增加金屬鹵化物的可控性，增加氫化物氣相外延爐的易操作性和減小體 積；四是金屬反應(yīng)源可以根據(jù)生長(zhǎng)需要更換不同的金屬源材料，用于生長(zhǎng)
不同的氮化物材料；五是可以更換不同的氣體作為載氣，從而改變生長(zhǎng)條 件和氣流發(fā)布；六是使用自動(dòng)控制系統(tǒng)，控制氣體的開(kāi)關(guān)、氣體的流量和 壓力的大小，控制加熱裝置的溫度和升降溫速度，控制襯底的旋轉(zhuǎn)速度等, 并進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄，從而增加系統(tǒng)的重復(fù)性、穩(wěn)定性和易用性；七是使用副 產(chǎn)物收集裝置收集反應(yīng)副產(chǎn)物，以防止系統(tǒng)管路的堵塞，增加系統(tǒng)維護(hù)的
周期；八是使用專門的濕法收集裝置收集廢氣，以避免可能造成的環(huán)境污 染和人身傷害。
為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合具體實(shí)施案例對(duì)本發(fā)明作一詳 細(xì)的描述
實(shí)施例一
如圖1所示，是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該裝置可以增加一個(gè)真空泵，
進(jìn)行低壓到常壓的生長(zhǎng)，裝置由外延生長(zhǎng)室l、加熱裝置2、上下底盤31 和32、襯底裝置4、調(diào)速馬達(dá)5、金屬反應(yīng)源放置器6、反應(yīng)氣體管道7、 副產(chǎn)物收集裝置8、濕法廢氣處理裝置9和自動(dòng)控制系統(tǒng)10組成。其中， 外延生長(zhǎng)室l為豎直設(shè)置，加熱裝置2環(huán)繞外延生長(zhǎng)室1外圓周加熱，外 延生長(zhǎng)室1上下端面裝有底盤31進(jìn)行密封；襯底裝置4由外延生長(zhǎng)室1 上方進(jìn)入，襯底15放置方式為面朝下；襯底裝置4在生長(zhǎng)室外部接有調(diào)
速馬達(dá)5;金屬反應(yīng)源放置器6位于外延生長(zhǎng)室1中；反應(yīng)氣體管道7通
過(guò)生長(zhǎng)室下端面的底盤32進(jìn)入反應(yīng)室；副產(chǎn)物收集裝置8在反應(yīng)室出氣
口通過(guò)過(guò)濾和收集裝置收集氫化物氣相外延反應(yīng)的副產(chǎn)物；濕法廢氣處理
裝置9通過(guò)酸性的水溶液和專門的設(shè)計(jì)既可以收集未反應(yīng)的氨氣，又可以 有效避免水的反向擴(kuò)散(如圖3所示，為本發(fā)明的一種示意圖)。
以生長(zhǎng)GaN材料為例，本發(fā)明的生長(zhǎng)工藝流程是通過(guò)自動(dòng)控制裝置 IO進(jìn)行整體控制(見(jiàn)圖4所示)，由生長(zhǎng)室加熱裝置2加熱外延生長(zhǎng)室1;
加熱裝置2可以分為多溫區(qū)加熱；金屬反應(yīng)源放置器6所處區(qū)域溫度為 800-卯0'C，襯底15處溫度為900-1100"C，載氣、反應(yīng)氣體HC1及NH3通過(guò) 外延生長(zhǎng)室1底部反應(yīng)氣體管道7進(jìn)入生長(zhǎng)室；載氣輸運(yùn)反應(yīng)氣體HC1至金屬反應(yīng)源放置器6， HCl與Ga金屬進(jìn)行反應(yīng)，生成GaCl氣體；載氣運(yùn)輸 GaCl至襯底15;同時(shí)載氣運(yùn)輸反應(yīng)氣體NH3襯底15; GaCl與NH3混合并在 襯底上反應(yīng)生成GaN;生長(zhǎng)時(shí)，調(diào)速馬達(dá)5控制襯底裝置4旋轉(zhuǎn)；生長(zhǎng)過(guò) 程中的副產(chǎn)物NH4Cl通過(guò)副產(chǎn)物收集裝置8收集，尾氣則通過(guò)濕法尾氣處 理裝置9吸收其中的NH3等后排走。 實(shí)施例二
如圖2所示，是本實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。該裝置可以增加--個(gè)真空 泵，進(jìn)行低壓到常壓的生長(zhǎng)，裝置由外延生長(zhǎng)室1、加熱裝置2、上下底 盤31和32、襯底裝置4、調(diào)速馬達(dá)5、金屬鹵化物反應(yīng)器6'、反應(yīng)氣體管 道7、副產(chǎn)物收集裝置8、濕法廢氣處理裝置9和自動(dòng)控制系統(tǒng)10組成。 其中，外延生長(zhǎng)室l為豎直設(shè)置，加熱系統(tǒng)2環(huán)繞外延生長(zhǎng)室1外圓周加 熱，外延生長(zhǎng)室1上下端面裝有底盤31進(jìn)行密封；襯底裝置4由外延生 長(zhǎng)室1上方進(jìn)入，襯底15放置方式為面朝下；襯底裝置4在生長(zhǎng)室外部
接有調(diào)速馬達(dá)5;金屬反應(yīng)源放置器6位于外延生長(zhǎng)室1夕卜；反應(yīng)氣體管 道7通過(guò)生長(zhǎng)室下端面的底盤32進(jìn)入反應(yīng)室；副產(chǎn)物收集裝置8在反應(yīng)
室出氣口通過(guò)過(guò)濾和收集裝置收集氫化物氣相外延反應(yīng)的副產(chǎn)物；濕法廢
氣處理裝置9通過(guò)酸性的水溶液(見(jiàn)圖3)既可以收集未反應(yīng)的氨氣，又
可以有效避免水的反向擴(kuò)散。
以生長(zhǎng)A1N材料為例，本發(fā)明的生長(zhǎng)工藝流程是通過(guò)自動(dòng)控制裝置 IO進(jìn)行整體控制，由生長(zhǎng)室加熱裝置2加熱外延生長(zhǎng)室1;加熱裝置2可
以分為多溫區(qū)加熱，襯底15處溫度為800-1150°C;金屬鹵化物反應(yīng)器6
生成AlCl3以及NH3通過(guò)外延生長(zhǎng)室1底部反應(yīng)氣體管道7進(jìn)入生長(zhǎng)室； A1C13與NH3混合并在襯底上反應(yīng)生成A1N;生長(zhǎng)時(shí)，調(diào)速馬達(dá)5控制襯底 裝置4旋轉(zhuǎn)生長(zhǎng)過(guò)程中的副產(chǎn)物NH4C1通過(guò)副產(chǎn)物收集裝置8收集，尾 氣則通過(guò)濕法尾氣處理裝置9吸收其中的NH3等后排走。
根據(jù)以上描述，本發(fā)明可以解決生長(zhǎng)氮化物單晶襯底材料存在的問(wèn) 題，為生長(zhǎng)高質(zhì)量、均勻性好、重復(fù)穩(wěn)定性好和操作簡(jiǎn)易的氮化物單晶襯 底材料提供了完善的氫化物氣相外延(HVPE)生長(zhǎng)裝置,，
權(quán)利要求
1. 一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置，包括一外延生長(zhǎng)室，為豎直設(shè)置；外延生長(zhǎng)室上、下端面裝有底盤進(jìn)行密封；一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)上方，襯底放置方式為面朝下；襯底裝置在外延生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)，以控制襯底裝置的轉(zhuǎn)速；一金屬反應(yīng)源放置器，內(nèi)放置金屬源，位于外延生長(zhǎng)室內(nèi)，襯底裝置下方，至少一反應(yīng)氣體管道通入金屬反應(yīng)源放置器內(nèi)，以通入鹵族氫化物或者鹵族氣體并與金屬反應(yīng)源放置器中的金屬源反應(yīng)生成金屬鹵化物；至少一載氣管道通過(guò)外延生長(zhǎng)室下端面的底盤進(jìn)入外延生長(zhǎng)室內(nèi)部，通過(guò)該載氣管道攜帶氮源氣體進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，在襯底裝置下方混合，并向上流動(dòng)到襯底裝置上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底；一副產(chǎn)物收集裝置，與外延生長(zhǎng)室出氣口連接，收集氫化物氣相外延反應(yīng)的副產(chǎn)物，以防止反應(yīng)氣體管道路堵塞；一加熱裝置，環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外圓周；一自動(dòng)控制系統(tǒng)，用以控制載氣的開(kāi)關(guān)、流量和壓力，控制加熱裝置的溫度和升降溫速度、控制襯底裝置的旋轉(zhuǎn)速度，并進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄。
2、如權(quán)利要求l所述的氫化物氣相外延裝置，其中，金屬反應(yīng)源放置 器位于外延生長(zhǎng)室的外部，并由一管道與外延生長(zhǎng)室內(nèi)部相通；至少一反 應(yīng)氣體管道通入金屬反應(yīng)源放置器內(nèi)，以通入鹵族氨化物或者卣族氣體并 與金屬反應(yīng)源放置器中的金屬源反應(yīng)生成金屬囪化物；至少---載氣管道通 過(guò)外延生長(zhǎng)室下端面的底盤進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，通過(guò)該載氣管道攜帶氮源氣 體進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，在襯底裝置下方混合，并向上流動(dòng)到襯底裝置上進(jìn)行 反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，外延生長(zhǎng) 室為耐高溫耐腐蝕的材料。
4、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，襯底為單 片或者多片。
5、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，襯底裝置 采用橡膠圈加真空油脂密封或者磁流體密封的方式密封。
6、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，金屬反應(yīng) 源放置器為一個(gè)或者多個(gè)，內(nèi)裝有入鎵、銦、鋁、鐵、鎂中的--種或者多 種金屬源。
7、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，載氣為氮 氣、氦氣、氫氣、氬氣中的--種或多種。
8、 如權(quán)利要求1所述的氫化物氣相外延裝置，其中，副產(chǎn)物收集裝 置連接一濕法廢氣處理裝置，收集的氫化物氣相外延反應(yīng)副產(chǎn)物通過(guò)濕法 廢氣處理裝置內(nèi)的酸性水溶液收集未反應(yīng)的氨氣。
9、 如權(quán)利要求1所述的氫化物氣相外延裝置，其中，加熱裝置為獨(dú) 立控制的多溫區(qū)，溫區(qū)數(shù)目為1至5個(gè)，加熱方式為電阻加熱或者射頻感應(yīng)加熱o
10、 如權(quán)利要求1或2所述的氫化物氣相外延裝置，其中，氮源氣體 為氨氣。
全文摘要
一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置，包括一外延生長(zhǎng)室，為豎直設(shè)置；外延生長(zhǎng)室上、下端面裝有底盤進(jìn)行密封；一襯底裝置設(shè)于外延生長(zhǎng)室內(nèi)上方，襯底放置方式為面朝下；襯底裝置在生長(zhǎng)室外部接有調(diào)速馬達(dá)，以控制襯底裝置的轉(zhuǎn)速；一金屬反應(yīng)源放置器，位于外延生長(zhǎng)室內(nèi)襯底裝置下方或反應(yīng)爐之外；反應(yīng)氣體管道通過(guò)生長(zhǎng)室下端面的底盤進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，載氣通過(guò)反應(yīng)氣體管道進(jìn)入外延生長(zhǎng)室，攜帶反應(yīng)氣體向上流動(dòng)到襯底上進(jìn)行反應(yīng)生長(zhǎng)氮化物單晶襯底；一副產(chǎn)物收集裝置，與外延生長(zhǎng)室出氣口連接，收集反應(yīng)副產(chǎn)物，以防止反應(yīng)氣體管道路堵塞；一加熱裝置環(huán)繞于外延生長(zhǎng)室外圓周；一自動(dòng)控制系統(tǒng)進(jìn)行控制。
文檔編號(hào)C30B25/00GK101205627SQ20061016554
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者喆 劉, 曾一平, 李晉閩, 段瑞飛, 王軍喜, 鐘興儒, 平 馬, 魏同波 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所