專利名稱：帶載體的極薄銅箔及印刷電路基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及帶載體的極薄銅箔及使用該帶載體的極薄銅箔的印刷電路基板，特別是涉及適合于高密度極細配線(精細布圖)用的印刷電路板、多層印刷電路板、膜上芯片(chip on film，COF)用電路板的帶載體的極薄銅箔。
背景技術：
通常，作為印刷電路板、多層印刷電路板、膜上芯片用電路板等的基礎的印刷電路基板所使用的銅箔中，熱壓接樹脂基板等的一側(cè)的表面制成粗化面，通過該粗化面發(fā)揮對該基板的錨定效果，提高該基板與銅箔的接合強度，確保作為印刷電路基板的可靠性。
最近，預先以環(huán)氧樹脂之類的粘接用樹脂被覆銅箔的粗化面，將該粘接用樹脂制成半固化狀態(tài)(B階段)的絕緣樹脂層，將得到的帶樹脂的銅箔用作電路形成用的銅箔，將絕緣樹脂層側(cè)熱壓接于基板而制成印刷電路基板，將該印刷電路基板多層層積，從而制造積層電路板。積層電路板是多層印刷電路板的一種，是在絕緣基板上依次形成各1層的絕緣層和導體布圖，對通過激光法或光刻法開口的孔(通路孔)進行鍍覆，使層間導通的同時層積電路層的電路板。
該電路板的通路孔可以進行精細化，從而滿足各種電子元器件的高度集成化，因此對于電路布圖，精細的線寬和線間間距的要求也不斷提高。例如，對于半導體組件所使用的印刷電路板，要求提供具有線寬和線間間距分別在30μm左右的高密度極精細電路的印刷電路板。
作為這樣的精細布圖印刷電路板用的銅箔，如果使用厚的銅箔，則采用蝕刻形成電路時的蝕刻時間長，結(jié)果所形成的電路布圖側(cè)壁的垂直性差，形成的電路布圖的電路線寬窄的情況下，還會引起斷線。因此，作為精細布圖用的銅箔，要求厚9μm以下的銅箔，目前最常用的是厚5μm左右的銅箔，更要求銅箔極薄化。
然而，這樣的薄銅箔(以下也稱極薄銅箔)的機械強度弱，制造印刷電路板時容易產(chǎn)生褶皺和折縫，也會發(fā)生銅箔斷裂，因此作為精細布圖用的極薄銅箔，使用帶載體的極薄銅箔，它通過使極薄銅箔層介以剝離層直接電沉積于作為載體的金屬箔(以下稱作載體箔)的一面而形成。
如上所述，目前大量使用的5μm厚的銅箔以帶載體的極薄銅箔的形式提供。
帶載體的極薄銅箔中，在載體箔的一面依次形成有剝離層和采用銅電鍍層的極薄銅箔，該由銅電鍍層形成的極薄銅箔的最外層表面被加工成粗化面。
形成于載體箔一面的剝離層通常使用有機被膜、Cr金屬、Cr合金、鉻酸鹽等，但是對于近年來使用聚酰亞胺等高溫塑料等作為絕緣基板的電路基板，銅箔與基板的壓制溫度或固化溫度等條件為高溫，因此有機類的剝離層變得無法剝離，所以不能使用有機被膜，而是使用金屬類的剝離層。
作為形成剝離層的金屬，如前所述，主要采用Cr金屬、Cr合金、鉻酸鹽。然而，如果將Cr用于剝離層，則高溫下的電路基板制造工序中，會發(fā)生起泡，剝離性產(chǎn)生不均，對電路基板的穩(wěn)定制造造成一些問題。
此外，這些Cr之類的金屬的一部分被認為對人體有不良影響，推測今后這些金屬可能會被禁止使用。因此，目前必須朝盡量不使用Cr等金屬的方向考慮。

發(fā)明內(nèi)容
如前所述，采用Cr的剝離層缺乏高溫下的印刷電路板的制造穩(wěn)定性，而且Cr金屬可能對人體有影響，所以希望出現(xiàn)采用不使用Cr金屬或?qū)⑵湟种频阶钚∠薅鹊膭冸x層、在高溫下也可容易地剝離的帶載體的極薄銅箔。
鑒于上述的現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的在于提供起泡的發(fā)生得到抑制，不影響載體剝離強度，帶載體的極薄銅箔的制造條件下的管理范圍廣，制造品質(zhì)穩(wěn)定，對環(huán)境無害，置于高溫環(huán)境下也可以容易地剝離載體箔和極薄銅箔的帶載體的極薄銅箔。
此外，本發(fā)明的目的還在于提供使用前述的帶載體的極薄銅箔的作為精細布圖用印刷電路板、多層印刷電路板、膜上芯片用電路板等的基材的印刷電路基板。
本發(fā)明的第1種帶載體的極薄銅箔是由載體箔、剝離層、極薄銅箔構(gòu)成的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，前述剝離層由保持剝離性的金屬A和使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B構(gòu)成，構(gòu)成前述剝離層的金屬A的含量a與金屬B的含量b滿足式10≤a/(a+b)×100≤70。
本發(fā)明的第2種帶載體的極薄銅箔是由載體箔、剝離層、極薄銅箔構(gòu)成的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，前述剝離層由保持剝離性的金屬A與使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B的組成比不同的2層構(gòu)成，構(gòu)成載體箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量c、金屬B的含量d以及構(gòu)成極薄銅箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量e、金屬B的含量f滿足式|c/(c+d)-e/(e+f)|×100≥3。
構(gòu)成前述剝離層的金屬A較好是選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr，金屬B較好是選自Fe、Co、Ni、Cr。
前述剝離層的附著量的總和較好是0.05mg/dm2～50mg/dm2。
本發(fā)明的印刷電路基板為前述帶載體的極薄銅箔的極薄銅箔層積在樹脂基板上而形成的高密度極精細電路用印刷電路基板。
本發(fā)明可以提供剝離層界面上的起泡的發(fā)生得到抑制，不影響載體剝離強度，制造品質(zhì)穩(wěn)定，對環(huán)境無害，置于高溫環(huán)境下也可以容易地剝離載體箔和極薄銅箔的帶載體的極薄銅箔。
此外，本發(fā)明還可以提供使用前述的帶載體的極薄銅箔的作為精細布圖用印刷電路板、多層印刷電路板、膜上芯片用電路板等的基材的印刷電路基板。
具體實施例方式
作為帶載體的極薄銅箔用的金屬載體箔，一般可以使用鋁箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鈦箔、鈦合金箔、銅箔、銅合金箔等，作為極薄銅箔或銅合金箔(以下不需要對它們進行區(qū)分時統(tǒng)稱為極薄銅箔)所使用的載體箔，考慮到其處理的簡便，較好是電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔或壓延銅合金箔。此外，較好是使用其厚度為7μm～200μm的箔。
作為載體箔，如果采用厚度在7μm以下的薄的銅箔，則該載體箔的機械強度弱，所以制造印刷電路基板等時容易發(fā)生褶皺和折縫，存在引起箔斷裂的危險。此外，如果載體箔的厚度在200μm以上，則每單位卷的重量(卷單位重量)增加，因而對生產(chǎn)性產(chǎn)生較大影響，而且對設備也要求更大的張力，設備的成本升高，是不理想的。因此，作為載體箔的厚度，較好是7μm～200μm。
作為載體箔，較好是使用至少一面的表面粗糙度Rz為0.01μm～5.0μm的金屬箔，特別是用于膜上芯片用電路板等而要求辨識性時，較好是Rz為0.01μm～2.0μm。因此，要求膜上芯片用電路板的辨識性等的情況下，使用表面粗糙度的范圍在Rz為2μm～5.0μm的載體箔時，較好是預先對粗糙的表面進行機械研磨或電解研磨，將表面粗糙度平滑化到Rz為0.01μm～2μm的范圍內(nèi)再使用。對于表面粗糙度Rz在5μm以上的載體箔，也可以預先進行機械研磨或電化學溶解，使其平滑化后使用。
本發(fā)明中，設置于載體箔上的剝離層以金屬以及非金屬或金屬的氧化物或者合金的混合物構(gòu)成。特別是，本發(fā)明的剝離層由保持剝離性的金屬A和使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B構(gòu)成。
本發(fā)明中，作為構(gòu)成前述剝離層的金屬A，選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr。
此外，金屬B選自Fe、Co、Ni、Cr。
Cr金屬存在環(huán)境問題，因此特別好是盡量避免使用，或者即使使用，也抑制在所需最小限度的量。
本發(fā)明中，以1層構(gòu)成剝離層的情況下，由前述起到保持剝離性的作用的金屬A的組和使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B的組構(gòu)成。如果按1dm2的單位面積的附著量，將金屬A的組的金屬附著量設為a(mg)，將金屬B的組的金屬附著量設為b(mg)，則金屬A與金屬B的比例滿足10≤a/(a+b)×100≤70。
這是因為，如果金屬A與金屬B的比例不到10％，載體剝離強度變強，極薄銅箔會變得無法剝離，而如果達到大于75％的值，則在剝離層上會無法進行完全的電鍍。該比例特別好為25％～65％。同組的金屬有2種以上的情況下，將這些金屬的附著量相加，作為該組的附著量。
上述組成比的剝離層中，從載體箔的表面開始0.0001μm～0.01μm的厚度的部分達到上述組成比即可。
本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔中，通過以2層以上構(gòu)成剝離層，可以使剝離性進一步穩(wěn)定化，并且抑制起泡的發(fā)生。以2層以上構(gòu)成剝離層的情況下，將構(gòu)成載體箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量設為c，金屬B的含量設為d，將構(gòu)成極薄銅箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量設為e，金屬B的含量設為f時，保持剝離性的金屬A與使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B的組成比較好是滿足式|c/(c+d)-e/(e+f)|×100≥3。
更好是各層滿足式10≤c/(c+d)×100≤70和10≤e/(e+f)×100≤70。
上述2層或以上的層可以用有意改變了組成的電鍍液形成，或者可以不改變電鍍液的組成，通過電鍍條件改變載體箔表面?zhèn)扰c極薄銅箔側(cè)的組成比來形成。在從載體箔側(cè)和極薄銅箔側(cè)開始到總附著厚度的0.1％～5％的厚度中，如果該上下的組成比的差異在3％以上，則產(chǎn)生與有意地設置2層的情況同等的效果。
以2層構(gòu)成剝離層，這2層以不同金屬構(gòu)成的情況下，如果屬于金屬A的金屬種類與屬于金屬B的金屬種類在上述組成比的范圍內(nèi)，則也產(chǎn)生同等的效果。
本發(fā)明中，附著的剝離層的附著量總和較好是0.05mg/dm2～50mg/dm2。不到0.05mg/dm2時，無法充分發(fā)揮作為剝離層的功能，所以是不理想的。此外，即使超過50mg/dm2也可剝離，但如果形成剝離層的金屬種類為難以電鍍的金屬而進行加厚，則會失去平滑性，剝離強度出現(xiàn)不均，穩(wěn)定性消失，還會造成起泡，因此較好是在50mg/dm2以下?？紤]到極薄銅箔的表面的平滑性，更好是在20mg/dm2以下。此外，剝離層表面的粗糙度較好是在載體箔表面的粗糙度的1.5倍以下，而且表面積也在載體箔的表面積的1.5倍以下。如果表面粗糙度和表面積增大，則整體上使載體剝離強度增大，差異也增大。
本發(fā)明中，對于剝離層采用2層時的厚度，2層的總附著量與上述同樣為0.05mg/dm2～50mg/dm2，特別是若極薄銅箔側(cè)的第2層的附著量比載體箔側(cè)的第1層的附著量小，則剝離性容易提高。
此外，為了防止極薄銅箔表面的氧化，較好是在剝離層上設置由低熔點金屬形成的防氧化層。作為低熔點金屬，是作為單質(zhì)熔點在450℃以下的金屬或其合金。具體來說，通過附著Zn、Sn、Bi、In單質(zhì)或以Zn、Sn、Pb、Bi、In中的1種作為主要成分的合金，具有抑制極薄銅箔表面的變色的效果，是優(yōu)選的。
極薄銅箔的形成使用硫酸銅浴、焦磷酸銅浴、氨基磺酸銅浴、氰化銅浴等，在剝離層上通過電鍍形成。電鍍液較好是使用ph1～12之間的銅電鍍液。
極薄銅箔的形成在剝離層表面以Zn等易溶解于電鍍液的金屬形成的情況下，電鍍液中的浸漬時間和電流值、電鍍后的電鍍液除去和水洗、金屬電鍍后即時的電鍍液pH等會決定剝離層表面的狀態(tài)，所以浴的種類必須根據(jù)與剝離層表面和形成于其上的金屬的關系進行選擇。
此外，極薄銅箔在剝離層上的形成由于該剝離層的剝離性，均一的電鍍非常困難，結(jié)果有時在極薄銅箔上會存在大量的針孔。這樣的電鍍條件的情況下，通過首先進行沖擊鍍銅，接著進行通常的電鍍，可以在剝離層上進行均一的電鍍，可以使極薄銅箔上產(chǎn)生的針孔的數(shù)量大幅減少。
通過沖擊鍍附著的銅鍍層厚度較好為0.01μm～1μm，根據(jù)浴的種類不同，其條件也不同，較好是電流密度為0.1A/dm2～20A/dm2，電鍍時間在0.1秒以上。電流密度不到0.1A/dm2時，難以在剝離層上均一地形成電鍍層，而超過20A/dm2時，在電鍍液的金屬濃度較低的沖擊鍍中，產(chǎn)生燒焦鍍層，無法得到均一的銅鍍層，是不理想的。對于電鍍時間，不到0.1秒時，過短而無法得到足夠的鍍層，是不理想的。
通過沖擊鍍在剝離層上形成不損害剝離層的剝離性的厚度0.01μm以上的銅鍍層后，以所需的厚度進行鍍銅，制成極薄銅箔。
此外，如果使與剝離層相接側(cè)的極薄銅箔的表面含有P，則與剝離層的粘接性減弱，所以剝離強度變小。因此，為了調(diào)節(jié)剝離強度，使剝離層側(cè)的極薄銅箔表面含有P是有效的。
為了獲得極薄銅箔表面(不與剝離層相接的面)與絕緣基板的更強的粘接性，較好是對極薄銅箔表面進行粗化處理，使表面的粗糙度Rz為0.2～3.0(μm)。這是因為，粗化處理的粗糙度不到0.2(μm)時，對粘接性沒有太大影響，進行粗化也沒有意義，粗糙度達到3(μm)，則可以獲得足夠的粘接性，所以沒有必要進行超過該值的粗化。
最后，使經(jīng)粗化處理的表面上附著對防銹和耐熱性有效的Ni、Zn或根據(jù)需要采用的Cr。此外，為了提高剝離強度，涂布硅烷也是有效的。
實施例以下，通過實施例對本發(fā)明進行更具體的說明。
各實施例的電鍍條件如下。
(1)電鍍銅的條件<電鍍銅條件1>
Cu2P2O7·3H2O 3～50g/lK4P2O750～350g/lpH 8～11電流密度0.1～5A/dm2<電鍍銅條件2>
Cu2P2O7·3H2O 10～150g/lK4P2O750～400g/lNH3OH(28％) 1～10ml/lpH 8～12浴溫20～60℃<電鍍銅條件3>
硫酸銅(作為Cu金屬) 10～70g/dm3
硫酸30～120g/dm3電流密度1～60A/dm2通電時間1秒～2分鐘浴溫10～70℃(2)電鍍鎳的條件硫酸鎳(作為Ni金屬) 1～120g/dm3硼酸10～50g/dm3電流密度1～60A/dm2通電時間1秒～2分鐘浴溫10～70℃(3)電鍍Mo-Co的條件Co量0.1～20g/dm3Mo量0.05～20g/dm3檸檬酸 5～240g/dm3電流密度0.1～60A/dm2通電時間1秒～5分鐘浴溫10～70℃(4)電鍍Mo-Ni的條件硫酸鎳六水合物 10～100g/dm3鉬酸鈉二水合物 10～100g/dm3檸檬酸鈉30～200g/dm3浴溫10～50℃電流密度0.5～15A/dm2(5)電鍍W-Ni的條件硫酸鎳六水合物 10～100g/dm3鎢酸鈉二水合物 10～100g/dm3檸檬酸鈉30～200g/dm3浴溫30～90℃電流密度0.5～15A/dm2<實施例1>
載體箔→Mo-Co(剝離層)→采用銅鍍層(極薄銅箔)的帶載體的極薄銅箔的制造將一面的Rz為0.8μm的銅箔(厚31μm)作為載體箔，以下述條件通過電鍍Mo-Co形成剝離層。
Co量4.0g/dm3Mo量2.0g/dm3檸檬酸 80g/dm3電流密度2A/dm2通電時間15秒浴溫50℃形成的剝離層的附著量為1.5mg/dm2，組成比為Mo/(Mo+Co)×100＝31。
在形成的剝離層上以<電鍍銅條件1>以0.2μm的厚度進行電鍍銅，再于其上以<電鍍銅條件3>以4.5A/dm2的電流密度進行電鍍銅，形成3μm厚的極薄銅箔，制成帶載體的極薄銅箔。
接著，在Ni0.5mg/dm2、Zn0.05mg/dm2、Cr0.3mg/dm2的表面處理后，進行硅烷偶聯(lián)劑處理(后處理)，獲得帶載體的極薄銅箔。
<實施例2>
載體箔→Mo-Ni(剝離層)→采用銅鍍層(薄銅箔)的帶載體的極薄銅箔的制造將一面的Rz為0.85μm的銅箔(厚31μm)作為載體箔，以下述條件制成Mo-Ni鍍層。
硫酸鎳六水合物50g/dm3鉬酸鈉二水合物60g/dm3檸檬酸鈉 90g/dm3浴溫 30℃電流密度 3A/dm2通電時間 20秒形成的剝離層的附著量為2.4mg/dm2，組成比為Mo/(Mo+Ni)×100＝29。
接著，在剝離層上以<電鍍銅條件1>形成0.2μm厚的銅鍍層后，再使用<電鍍銅條件3>以電流密度為4.5A/dm2的電鍍形成銅鍍層，形成3μm厚的極薄銅箔，制成帶載體的極薄銅箔。
接著，在Ni0.5mg/dm2、Zn0.05mg/dm2、Cr0.3mg/dm2的表面處理后，進行硅烷偶聯(lián)劑處理(后處理)，獲得帶載體的極薄銅箔。
<實施例3>
載體箔→W-Ni(剝離層)→采用銅鍍層(極薄銅箔)的帶載體的極薄銅箔的制造將一面的Rz為0.82μm的銅箔(厚31μm)作為載體銅箔，以下述條件制成W-Ni鍍層。
硫酸鎳六水合物50g/dm3鎢酸鈉二水合物60g/dm3檸檬酸鈉 90g/dm3浴溫 70℃電流密度 2.5A/dm2通電時間 18秒形成的剝離層的附著量為1mg/dm2，組成比為W/(W+Ni)×100＝20。
接著，在形成的剝離層上通過前述<電鍍銅條件1>以0.2μm的厚度形成銅鍍層后，再通過<電鍍銅條件3>以3.5A/dm2的電流密度進行電鍍，形成3μm厚的極薄銅箔，制成帶載體的極薄銅箔。
接著，在Ni0.5mg/dm2、Zn0.05mg/dm2、Cr0.3mg/dm2的表面處理后，進行硅烷偶聯(lián)劑處理(后處理)，獲得帶載體的極薄銅箔。
<實施例4>
載體箔→Mo-Co(第一層)→Mo-Co(第二層)(剝離層)→采用銅鍍層(極薄銅箔)的帶載體的極薄銅箔的制造將一面的Rz為0.74μm的銅箔(厚22μm)作為載體銅箔，以下述條件制成Mo-Co鍍層。
<第一層的電鍍條件>
Co量 4.0g/dm3Mo量 3.0g/dm3檸檬酸 80g/dm3電流密度 2A/dm2通電時間 10秒浴溫 50℃<第二層的電鍍條件>
Co量 4.0g/dm3Mo量 1.5g/dm3檸檬酸 80g/dm3電流密度 2A/dm2通電時間 5秒浴溫 50℃形成的剝離層(第一層+第二層)的附著量為2.3mg/dm2，第一層為Mo/(Mo+Co)×100＝56，第二層為Mo/(Mo+Co)×100＝23。
接著，以<電鍍銅條件1>以0.2μm的厚度形成銅鍍層后，再使用<電鍍銅條件3>，以3.5A/dm2的電流密度進行電鍍，形成3μm厚的極薄銅箔，制成帶載體的極薄銅箔。
接著，在Ni0.5mg/dm2、Zn0.05mg/dm2、Cr0.3mg/dm2的表面處理后，進行硅烷偶聯(lián)劑處理(后處理)，獲得帶載體的極薄銅箔。
<比較例1>
1.載體箔將載體箔的表面粗糙度Rz為1.2μm的銅箔作為載體箔。
2.剝離層的形成在前述載體銅箔上附著Cr金屬，形成剝離層。
3.極薄銅箔的形成以Cu2P2O7·3H2O 30g/lK4P2O7300g/lpH8電流密度 4A/dm2的條件進行厚1μm的電鍍后，以Cu濃度50g/lH2SO4100g/l電流密度 20A/dm2的條件進行電鍍而形成3μm厚的極薄銅箔，再通過公知的方法進行附著銅粒子的粗化處理。
作為防銹處理和表面處理，在經(jīng)粗化處理的極薄銅箔上，通過公知的方法，進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體的極薄銅箔。
<比較例2>
1.載體箔將載體箔的表面粗糙度Rz為1.2μm的銅箔作為載體箔。
2.剝離層的形成在前述載體銅箔上連續(xù)地進行Cr的電鍍，形成附著量1.5mg/dm2的鍍Cr剝離層。表層形成有水合氧化物。
3.極薄銅箔的形成在該鍍Cr剝離層上，以Cu2P2O7·3H2O30g/lK4P2O7300g/lpH 8電流密度 1.5A/dm2的條件進行60秒的沖擊鍍，再以Cu2P2O7·3H2O30g/lK4P2O7300g/lpH 8電流密度 4A/dm2的條件形成厚1μm的鍍層后，以Cu濃度 50g/lH2SO4100g/l電流密度 20A/dm2的條件進行電鍍而形成3μm厚的極薄銅箔，再通過公知的方法進行附著銅粒子的粗化處理。
作為防銹處理和表面處理，在經(jīng)粗化處理的極薄銅箔上，通過公知的方法，進行鍍鋅和鉻酸鹽處理，得到帶載體的極薄銅箔。
<評價>
如下制成上述實施例和比較例中制成的帶載體的極薄銅箔的載體剝離強度的評價用樣品，進行評價。
(1)載體剝離強度的測定和起泡確認用樣品將帶載體的極薄銅箔(實施例1～4和比較例1、2)切割成長250mm、寬250mm后，在350℃的溫度下加熱10分鐘，制成起泡確認用樣品。
此外，在經(jīng)上述熱處理的樣品的極薄銅箔側(cè)以雙面膠帶粘附樹脂基板，制成帶載體箔的聚酰亞胺載體剝離強度測定用單面覆銅層壓板。
(2)針孔確認樣品將帶載體的極薄銅箔(實施例1～4和比較例1、2)切割成長250mm、寬250mm，將透明膠帶粘附在極薄銅箔側(cè)，將極薄銅箔從載體箔上剝離，制成針孔確認用的樣品。
<極薄銅箔的特性評價>
(1)載體剝離強度的測定方法和起泡的確認(a)起泡的確認目視觀察載體箔上的極薄銅箔是否膨起，計數(shù)起泡的數(shù)量。其結(jié)果示于表1。
(b)載體剝離強度的測定將通過上述(1)的方法制成的試樣按照JISC6511所規(guī)定的方法，以10mm的測定試樣寬度從載體箔上剝離極薄銅箔，重復3次，測定載體剝離強度。評價結(jié)果示于表1。
(c)針孔的確認對上述(2)針孔測定用樣品從下方進行光照，計數(shù)可見的光點數(shù)量，作為針孔數(shù)。
表1


<評價結(jié)果>
比較例1的帶載體的極薄銅箔的載體剝離強度高，起泡少。另一方面，比較例2的帶載體的極薄銅箔的載體剝離強度低，起泡多。由此，比較例顯示出載體剝離強度低則起泡多、起泡數(shù)少則載體剝離強度高的傾向。
相反地，本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔的載體剝離強度低，起泡也少。
此外，若比較有無防擴散層的情況，則無防擴散層的情況與有防擴散的情況相比，存在載體剝離強度稍高的傾向，但實用上不會成為問題。
本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔與如比較例所示的剝離層的主要成分為Cr的以往的帶載體的極薄銅箔相比，起泡和載體剝離強度都更穩(wěn)定。
此外，通過采用2層構(gòu)成該剝離層的2種成分的金屬組成比不同的層，改變與載體箔側(cè)相接的部分和與極薄銅箔相接的部分的組成比，得到更穩(wěn)定的帶載體的極薄銅箔。
另外，現(xiàn)在環(huán)境問題越來越重要，由于完全不使用Cr或僅微量使用，本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔可以提供作為對環(huán)境無害的材料。
上述實施例中，作為剝離層，使用了Mo-Co、Mo-Ni、W-Ni的層，除此之外，Mo-Fe、V-Fe、V-Co、V-Ni、Mn-Fe、Mn-Co、Mn-NI、W-Fe、W-Co的組合也可以獲得同樣的效果。
如上所述，本發(fā)明可以提供不影響載體剝離強度，剝離層界面上的起泡的發(fā)生得到抑制，對環(huán)境無害，置于高溫環(huán)境下也可以容易地剝離載體箔和極薄銅箔的帶載體的極薄銅箔。
此外，本發(fā)明可以提供使用前述的帶載體的極薄銅箔，作為精細布圖用的印刷電路板、多層印刷電路板、膜上芯片用電路板等的基材，制造品質(zhì)穩(wěn)定的印刷電路基板，具有良好的效果。
權利要求
1.帶載體的極薄銅箔，它是由載體箔、剝離層、極薄銅箔構(gòu)成的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，前述剝離層由保持剝離性的金屬A和使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B構(gòu)成，構(gòu)成前述剝離層的金屬A的含量a與金屬B的含量b滿足式10≤a/(a+b)×100≤70。
2.帶載體的極薄銅箔，它是由載體箔、剝離層、極薄銅箔構(gòu)成的帶載體的極薄銅箔，其特征在于，前述剝離層由保持剝離性的金屬A與使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B的組成比不同的2層構(gòu)成，構(gòu)成載體箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量c、金屬B的含量d以及構(gòu)成極薄銅箔側(cè)的剝離層的金屬A的含量e、金屬B的含量f滿足式|c/(c+d)-e/(e+f)|×100≥3。
3.如權利要求1所述的帶載體的極薄銅箔，其中，構(gòu)成前述剝離層的金屬A選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr，金屬B選自Fe、Co、Ni、Cr。
4.如權利要求2所述的帶載體的極薄銅箔，其中，構(gòu)成前述剝離層的金屬A選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr，金屬B選自Fe、Co、Ni、Cr。
5.如權利要求1所述的帶載體的極薄銅箔，其中，前述剝離層的附著量的總和為0.05mg/dm2～50mg/dm2。
6.如權利要求2所述的帶載體的極薄銅箔，其中，前述剝離層的附著量的總和為0.05mg/dm2～50mg/dm2。
7.高密度極精細電路用印刷電路基板，其特征在于，將權利要求1～6中任一項所述的帶載體的極薄銅箔的極薄銅箔層積在樹脂基板上而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供剝離層界面上不發(fā)生起泡、載體剝離強度低、對環(huán)境無害、置于高溫環(huán)境下也可以容易地剝離載體箔和極薄銅箔的帶載體的極薄銅箔，以及使用前述的帶載體的極薄銅箔的、可以制造品質(zhì)穩(wěn)定地制造精細布圖用的印刷電路板等的基材的印刷電路基板。本發(fā)明的帶載體的極薄銅箔由載體箔、剝離層、極薄銅箔構(gòu)成，前述剝離層由保持剝離性的金屬A和使極薄銅箔的電鍍易于實施的金屬B構(gòu)成，構(gòu)成前述剝離層的金屬A的含量a與金屬B的含量b滿足式10≤a/(a+b)×100≤70。此外，使用所述的帶載體的極薄銅箔制作印刷電路基板。
文檔編號H05K1/09GK1984526SQ20061016888
公開日2007年6月20日 申請日期2006年12月14日 優(yōu)先權日2005年12月15日
發(fā)明者鈴木裕二, 茂木貴實, 星野和弘, 藤澤哲, 川上昭 申請人:古河電路銅箔株式會社