專利名稱：一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及高頻線圈技術領域，具體的說是一種一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈。
背景技術：
目前在硅芯、單晶硅及其它晶體材料區(qū)熔方式生產(chǎn)的工藝過程中，使用的是一種單目高頻線圈，其結構為導電紫銅圓盤及位于中心部位的長圓孔、開口和冷卻機構及導電紫銅管組成。其工作原理大致如下；首先對高頻線圈通入高頻電流對原料棒進行感應加熱，使原料棒上端頭形成熔化區(qū)，再將仔晶插入熔化區(qū)，然后慢慢提升仔晶，熔化了的原料就會跟隨仔晶上升，形成一個新的圓柱型硅芯或其它單晶體材料。這種高頻線圈的缺點是一次只能拉制一根硅芯或其它晶體材料，效率不高，造成人力及能源的浪費。這種高頻線圈也可以采取加大內(nèi)孔，使其能一次拉制出多根硅芯或其它晶體，但需要數(shù)倍地增加功率，對能源造成更大浪費，加重高頻線圈工作強度。因而這種方法也是不可取的。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有高頻線圈的上述缺陷，本實用新型的目的是提供一種一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈。該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈不僅結構合理，且具有耗電少，一次同時生產(chǎn)加工兩根，可大大提高工作效率等優(yōu)點。
為實現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本實用新型采用如下技術方案該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，在紫銅圓盤的中心部位設置有兩個內(nèi)孔，在紫銅圓盤的上表面設置有呈“S”形環(huán)繞結構的銅管，在紫銅圓盤的兩個由內(nèi)孔分別向外部延伸的防止高頻電流就近回流的段開縫。
該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其紫銅圓盤的下部面為呈漸進形階梯狀。
該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，紫銅圓盤上的銅管可利用銀銅焊接使其與紫銅圓盤形成一體。
該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其銅管在紫銅圓盤的上表面呈“S”形環(huán)繞結構。
該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其紫銅圓盤上設置有兩個由內(nèi)孔分別向外部延伸有防止高頻電流就近回流的段開縫。
由于采用上述技術方案，本實用新型的有益效果是該一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈。該高頻線圈的優(yōu)點是一次可生產(chǎn)兩根硅芯或其它材料晶體，提高了生產(chǎn)效率。在高頻線圈的中部形成了兩個小線圈，磁力線集中，形成閉合，減少了能量損失。將冷卻水直接送入線圈的中部，避免了傳統(tǒng)線圈中部靠近原料棒容區(qū)熱量大容易被燒壞的缺陷。本設計中的雙目高頻線圈電流采用“S”形環(huán)繞結構的設計，從而使高頻電流在線圈周圍均勻分布。本高頻線圈可大大提高生產(chǎn)效率，提高能量利用率，延長高頻線圈使用壽命，可大大降低人工及生產(chǎn)成本，本設計特別適合于較小的原料棒的加工生產(chǎn)。


圖1是本實用新型的工作原理示意圖。
圖2是本實用新型的高頻電流工作原理示意圖。
圖3是本實用新型的結構示意圖。
圖4是圖3的B向視圖。
圖5是是圖3的A-A視圖。
圖中1-仔晶；2-硅芯；3-磁力線；4-原料棒熔區(qū)；5-紫銅圓盤；6-原料棒；7-高頻電流；8-銅管；9-段開縫；1 0-下部面具體實施例下面結合副圖給出本實用新型的較佳實施例。
如圖1、2、3、4、5中所示一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其紫銅圓盤(5)的中心部位設置有兩個的內(nèi)孔，在紫銅圓盤(5)的上表面設置有呈“S”形環(huán)繞結構的銅管(8)，其紫銅圓盤(5)上的銅管(8)可利用銀銅焊接使其與紫銅圓盤(5)形成一體的高頻線圈，在紫銅圓盤(5)的兩個內(nèi)孔分別向外部延伸有防止高頻電流(7)就近回流的段開縫(9)，其紫銅圓盤(5)的下部面(10)為呈漸進形階梯狀。
使用時；本高頻線圈須與高頻加熱設備配套使用，其高頻設備必須有一根上軸和一根下軸，上下軸必須豎直安裝且同心，本高頻線圈安裝在上下軸中間。并與上下軸保持垂直，高頻線圈固定不動，上下軸可以分別做上下升降運動。工作前，將原料棒(6)豎直安裝在下軸上，通過一個仔晶夾頭將仔晶(1)豎直安裝在上軸的下部，開始工作時，首先啟動下軸上升，將原料棒(6)送至高頻線圈下方，以原料棒上端頭貼近高頻線圈且不與高頻線圈接觸為最佳，對高頻線圈的銅管(8)通入高頻電流(7)，使紫銅圓盤(5)產(chǎn)生磁力線(3)，對原料棒(6)進行感應加熱，待原料棒(6)上端頭被熔化以后，啟動上軸下降，把仔晶(1)通過紫銅圓盤(5)的雙開內(nèi)孔插至原料棒熔區(qū)(4)，然后上軸帶著仔晶(1)慢慢上升，這樣原料棒(6)上被熔化的料就會跟隨仔晶(1)上升，形成一個新的晶體，這個新的晶體就是硅芯。在上軸上升的同時下軸也要上升，因為原料棒上被熔的部分被仔晶(1)帶走以后，原料棒(6)需要向高頻線圈靠近，以形成新的熔區(qū)。這樣，當硅芯(2)的生長達到所需長度時，此生產(chǎn)過程即完成。
權利要求1.一種一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其特征在于在紫銅圓盤(5)的中心部位設置有兩個內(nèi)孔，在紫銅圓盤(5)的上表面設置有呈“S”形環(huán)繞結構的銅管(8)，在紫銅圓盤(5)的兩個由內(nèi)孔分別向外部延伸的防止高頻電流(7)就近回流的段開縫(9)。
2.如權利要求1所述的一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其特征在于其紫銅圓盤(5)的下部面(10)為呈漸進形階梯狀。
3.如權利要求1所述的一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其特征在于紫銅圓盤(5)上的銅管(8)可利用銀銅焊接使其與紫銅圓盤(5)形成一體。
4.如權利要求3所述的一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其特征在于其銅管(8)在紫銅圓盤(5)的上表面呈“S”形環(huán)繞結構。
5.如權利要求1所述的一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，其特征在于其紫銅圓盤(5)上設置有兩個由內(nèi)孔分別向外部延伸的段開縫(9)。
專利摘要一次可生產(chǎn)兩根硅芯及其它晶體材料的雙目高頻線圈，涉及高頻線圈技術領域；在紫銅圓盤(5)的中心部位設置有兩個內(nèi)孔，在紫銅圓盤(5)的上表面設置有呈“S”形環(huán)繞結構的銅管(8)，在紫銅圓盤(5)的兩個由內(nèi)孔分別向外部延伸的防止高頻電流(7)就近回流的段開縫(9)本設計中的雙目高頻線圈電流采用“S”形環(huán)繞結構的設計，從而使磁力線在線圈周圍均勻分布。本高頻線圈可大大提高生產(chǎn)效率，提高能量利用率，延長高頻線圈使用壽命，可大大降低人工及生產(chǎn)成本。
文檔編號H05B6/36GK2926264SQ20062003158
公開日2007年7月25日 申請日期2006年4月14日 優(yōu)先權日2006年4月14日
發(fā)明者劉朝軒 申請人:劉朝軒