專利名稱：：柔性電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種柔性電路基板，特別是但不限于，包括結(jié)合層結(jié)構(gòu)的無粘結(jié)劑的柔性電路基板，還涉及其制備方法。
背景技術(shù)：
：隨著電子工業(yè)向著更薄、更輕、柔性和更加功能性集成產(chǎn)品的方向發(fā)展，人們對(duì)用于如柔性板上芯片(COF)的某些高級(jí)應(yīng)用的細(xì)節(jié)距柔性電路的需求與日俱增。無粘結(jié)劑柔性電路基板被廣泛地應(yīng)用于高性能柔性電路制造中，通常它們由以下三種方法中的任一制備(1)在銅箔上澆鑄液態(tài)聚酰亞胺，(2)高溫層壓銅箔與聚酰亞胺基板，和(3)在聚酰亞胺薄膜上真空沉積金屬，然后進(jìn)行電鍍。與電鍍技術(shù)相結(jié)合的真空沉積是目前超細(xì)節(jié)距應(yīng)用的方法中最具前景的。它的制造方法完全可以與加成性柔性電路(additiveflexiblecircuit)制備方法(即，其中電路線路通過電鍍形成抗蝕層確定的圖案而形成)和減去性柔性電路(subtractiveflexiblecircuit)制備方法(即，其中電路線路通過刻蝕掉由抗蝕層圖案確定的暴露部分而形成)相比。美國專利6,171，714，5,112，462和5，480，730描述了利用真空沉積和繼之以電鍍技術(shù)來制造的柔性電路基板。該制備方法通常從聚酰亞胺薄膜的等離子處理開始。在惰性氣氛中利用真空濺射或真空蒸發(fā)的方法沉積金屬的結(jié)合層。該結(jié)合層可以是包含鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Mo)等或其相關(guān)合金的單層、雙層或多層。結(jié)合層的厚度可以是幾百個(gè)埃也可以是幾個(gè)埃。然后利用真空沉積方法將從幾十納米到2微米的銅種子層施加到結(jié)合層，從而可以為將銅電鍍到理想的厚度而提供充足的電導(dǎo)率。柔性電路通常利用加成性、半加成性或減去性的方法制備。加成性和減去性方法都需要除去銅圖案之間的任何結(jié)合層從而將銅線路隔離開來。根據(jù)實(shí)際需要，如在裝配COF時(shí)，最終電鍍?nèi)鏢n或Ni/Au可被覆蓋在電路線路上。共晶接合是常用的COF裝配技術(shù)之一，特別是用于超細(xì)節(jié)距半導(dǎo)體芯片和鍍錫柔性電路中。在該技術(shù)中，錫和金凸點(diǎn)(bump)相互接觸，然后以等于或大于Sn/Au共熔點(diǎn)的溫度加熱后，通過形成Sn/Au共熔合金，獲得具有IC芯片的柔性電路的接合。為了確保良好的接合質(zhì)量，選擇適當(dāng)?shù)慕雍蠀?shù)(接合機(jī)的階段溫度、工具的溫度、接合強(qiáng)度等)是很重要的。柔性電路的共晶接合中常見的缺陷包括線路翹起和在金焊凸點(diǎn)2的邊緣處PI/Cu的界面分層l，如圖1和圖2所示。相對(duì)較高的接合溫度和接合強(qiáng)度對(duì)消除線路翹起問題是有益處的，但是，它也會(huì)進(jìn)一步惡化PI/Cu的界面分層l。實(shí)際中，由濺射柔性基板制造的一些柔性電路都有小的接合過程窗口(window)。提供具有相對(duì)寬的共晶接合過程窗口的柔性電路和低程度的PI/Cu界面分層是必須的。因此，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式的目的是提供一種柔性電路基板，該基板可以阻止或至少可以減少接合過程中的PI/Cu界面分層；或提供一種柔性電路基板，該基板在熱老化之后仍具有改善的剝離強(qiáng)度保持性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一個(gè)方面是提供一種電路基板，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而隨后施加的金屬，所述電路基板包含介電薄膜和位于該薄膜之上的金屬的一種或多種氧化物層，其中該金屬氧化物層是通過將一種或多種金屬氧化物的金屬濺射到所述薄膜表面上而形成的，所述濺射是在除了至少一種可以提供氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種電路基板，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而隨后施加的金屬，所述基板包括(1)介電薄膜；(2)包含位于所述介電薄膜上所述薄膜之上的金屬氧化物或金屬合金氧化物的結(jié)合層；和(3)在所述結(jié)合層上形成線路的一種或多種金屬的層。其中，所述金屬氧化物層是通過將金屬的一種或多種氧化物中的金屬濺射到薄膜表面形成的，該濺射是在除了至少一種可以提供氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種電路，該電路是(1)介電薄膜；(2)包含位于所述介電薄膜之上的一種或多種金屬的一種或多種氧化物的結(jié)合層；和(3)在所述結(jié)合層上形成線路的一種或多種金屬的層，(4)位于所述金屬線路之上的錫或錫合金的層。其中，所述金屬氧化物層是通過將一種或多種氧化物中的金屬濺射到薄膜表面而形成，濺射是在除了至少一種可以提供氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種電路基板，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而隨后施加的金屬，所述基板包含夾在介電薄膜層和金屬層之間的金屬氧化物結(jié)合層，其中，該金屬氧化物結(jié)合層是在另外除了反應(yīng)性氣體的基本上惰性氣氛中，通過將金屬濺射到介電薄膜表面而形成。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種基板的制備方法，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而隨后施加的金屬，該方法包含以下步驟--在除了至少一種可以為一種或多種金屬提供氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下濺射金屬，由此將一種或多種金屬的一種或多種氧化物的"結(jié)合層(delayer)"沉積到介電薄膜的表面。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種基板的制備方法，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而施加的金屬，該方法包括以下步驟--在除了至少一種可以為一種或多種金屬提供氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下濺射金屬，由此將金屬的一種或多種氧化物的"結(jié)合層"沉積到介電薄膜的表面上；和…在結(jié)合層之上沉積金屬層。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種基板的制備方法，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而隨后施加的金屬，該方法包括以下步驟…在除了至少一種可以為一種或多種金屬提供氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下濺射金屬，由此將金屬的一種或多種氧化物的"結(jié)合層"沉積到介電薄膜的表面；---在結(jié)合層之上沉積金屬層；…將電子互接設(shè)備接合到所述金屬層。該一種或多種金屬的層優(yōu)選被圖案化從而形成線路，該圖案化可以由加成性方法形成線路，也可以由半加成性或減去性方法形成線路。優(yōu)選所述結(jié)合層根據(jù)一種或多種金屬線路被圖案化以暴露介電層。優(yōu)選所述一種或多種金屬線路用共晶接合法接合到如集成電路芯片(IC)、PCB(印制電路板)等電子互接設(shè)備上。位于電子互接設(shè)備與一種或多種金屬層之間的所述接合優(yōu)選是共晶接合。所述共晶接合可以包含錫和金的混合物。芯片可以是帶有金凸點(diǎn)的IC芯片。希望錫是被電鍍到所述一種或多種金屬線路上。優(yōu)選所述共晶接合形成在線路上被鍍的錫與ic芯片上金凸點(diǎn)之間。該介電薄膜可以是任何適當(dāng)?shù)木埘啺罚ǖ幌抻谝陨唐访鸘PILEX從日本東京Ube工業(yè)有限公司購買的材料、以商品名APICAL從美國得克薩斯州Pasadena的Kaneka高技術(shù)材料公司購買的材料、以商品名KAPTON從美國俄亥俄州Circleville的Dupont高性能材料公司購買的材料，包括KAPTONE，KAPTONEN，KAPTONH和KAPTONV。其他如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的聚合物，可以從美國弗吉尼亞外l的Hopewell的DupontTiejin薄膜公司分別以商品MYLAR和TEONEX獲得；聚碳酸酯和聚醚酰亞胺(PEI)，可以從美國馬薩諸塞州的Pittsfeild的通用電氣塑料公司以商品名LEXAN和ULTEM獲得；聚醚醚酮，可以從英國Lancashire的Victrex聚合物公司以商品名PEEK獲得。薄膜優(yōu)選是聚酰亞胺。希望介電薄膜是柔性的。惰性氣氛可以是氬、氖和氮或其他。惰性氣氛優(yōu)選是氬。反應(yīng)性氣體是能提供形成一種或多金屬氧化物的氧。優(yōu)選反應(yīng)性氣體是氧。其他適合的反應(yīng)性氣體包括氧化氮、二氧化氮、五氧化二氮、四氧化二氮和其他。金屬層可以通過電鍍沉積、非電鍍沉積、濺射、蒸發(fā)和其他方法沉積到結(jié)合層上。金屬氧化物中的金屬成分可以是但不限于鎳、鉻、鈷、鉬、銅和它們的合金。金屬氧化物層的金屬成分優(yōu)選含有鎳。適合的金屬層材料包括但不限于銅、鋁、銀、金和它們的合金。在說明書和專利要求書中的"包含"一詞指的是"含有至少一部分"，即，在解釋包括該詞的獨(dú)立權(quán)利要求時(shí)，每一項(xiàng)權(quán)利要求中由該詞所限定的特征都需要存在，而其他的特征也可存在。除非特別指明，"金屬"一詞覆蓋一種或多種金屬或金屬合金。對(duì)本發(fā)明所述領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明的解釋和廣泛不同的實(shí)施例和應(yīng)用中的許多變化并不意味著超出附加權(quán)利要求所定義的本發(fā)明范圍。此處的解釋和描述純粹是說明性的，并不帶有任何限制的意思o(jì)定義在說明書中使用的以下詞的意思如下"線路(trace)"-允許電子在電子元件之間流動(dòng)的印制電路板(PCB)上的金屬聯(lián)結(jié)。"節(jié)距(pitch)"-兩個(gè)相鄰線路中間線的距離"線路翹起(tracelifting)"-在接合之后的剝離測(cè)試中，線路與模具塊剝離。附圖簡(jiǎn)要說明現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述，圖中圖l是共晶接合之后從聚酰亞胺(PI)薄膜邊緣觀察的PI/Cu界面分層1的平面圖。圖2是沿著線路方向的PI/Cu界面分層l的截面圖。在基板和柔性電路的制備中，我們發(fā)現(xiàn)結(jié)合層的成分對(duì)以后的接合和PI/Cu的界面分層性能有著重要影響。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，具有與共晶接合中相似結(jié)合層厚度的常用的Ni-Cr結(jié)合層相比，NiCrOx結(jié)合層可以對(duì)柔性電路提供大大改進(jìn)的耐PI/Cu界面分層。發(fā)現(xiàn)與NiCr結(jié)合層相比，NiCrOx結(jié)合層在共晶接合過程中明顯減少PI/Cu的界面分層。也發(fā)現(xiàn)氧化物結(jié)合層的厚度會(huì)影響到接合和PI/Cu的界面分層性能。雖然結(jié)合層的合適厚度依賴于多種因素，但是發(fā)現(xiàn)等于或大于13埃的厚度提供希望的結(jié)果。該結(jié)合層厚度優(yōu)選是在約13到約300埃的范圍內(nèi)。結(jié)合層的厚度通過將該結(jié)合層溶解在15。/。王水中并通過ICP(感應(yīng)耦合等離子體原子發(fā)射光譜)測(cè)試的方法來評(píng)價(jià)，其中，從元素濃度換算成厚度是以固體材料的密度為基礎(chǔ)。在此，NiCrOx代表該結(jié)合層中Ni、Cr和O元素的任意可能的化學(xué)配比。NiCr合金不同程度的氧化，或NixOy，CrxOy，Ni和/或Cr混合物的任意形式都包括在內(nèi)。不希望限定于任何理論，相信該結(jié)合層中的氧對(duì)阻止共晶接合中PI/Cu界面分層的影響可以應(yīng)用到任何含有Ni合金的結(jié)合層，包括含有Ni合金的雙結(jié)合層和漸變結(jié)合層。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種制造具有NiCrOx結(jié)合層的柔性基板的方法，特別是一種用于將NiCrOx結(jié)合層沉積到如聚酰亞胺(PI)薄膜的聚合物上的方法。該方法利用在含有氬和氧的混合物的氣氛中從NiCr目標(biāo)合金(80%Ni，20%Cr，質(zhì)量比)反應(yīng)性濺射從而沉積NiCrOx結(jié)合層。引入濺射的氧氣流和氬氣流的比可以是在1%到50%的范圍內(nèi)。該結(jié)合層具有粘附在它上面的銅種子層。該銅種子層的厚度大約是從IOO納米到IOOO納米。該銅層可以進(jìn)一步被電鍍到1微米到80微米的厚度。我們發(fā)現(xiàn)，在熱老化之后，帶有NiCK^結(jié)合層的柔性電路基板表現(xiàn)出具有改進(jìn)的剝離強(qiáng)度保持性。例如，與具有NiCr結(jié)合層的基板相比，25(TC下加熱60分鐘之后，在02/八1流為10%氣氛下濺射形成的、具有厚度為40埃的NiCrOx結(jié)合層的基板有更高的、2.99磅/英寸的剝離強(qiáng)度保持性，而NiCr結(jié)合層是僅在純氬氣氣氛下濺射形成的?？偟内厔?shì)是，熱老化之后的剝離強(qiáng)度保持性隨著NiCrOx的厚度和濺射氣體的氧氣含量的增加而增加，而增加濺射氣體的氧氣含量具有更大的影響。不同的結(jié)合層構(gòu)成和沉積方法是公知的，同時(shí)被廣泛地應(yīng)用于柔性電路基板的制備中，特別是應(yīng)用于不考慮以后是否使用加成性的或減去性的電路制備方法、用共晶接合技術(shù)接合的鍍錫柔性電路中。電路可以用許多適合的方法，如減去性的、加成性-減去性的和半加成性的方法制造。典型的減去性電路制造方法首先提供介電基板。該介電基板可以是由聚酯、聚酰亞胺、液晶聚合物、聚氯乙烯、丙烯酸脂、聚碳酸酯或聚烯烴制成的、厚度為約10微米到約600微米之間的聚合物薄膜。本發(fā)明中的結(jié)合層被沉積以后，可以用眾所周知的方法，如氣相沉積或?yàn)R射來沉積傳導(dǎo)層。任選地，該沉積的傳導(dǎo)層可以用眾所周知的方法，如電鍍或非電鍍鍍膜方法將膜鍍到需要厚度。傳導(dǎo)層可以用許多眾所周知的方法，包括光刻，來實(shí)現(xiàn)圖案化。如果使用光刻技術(shù)，則利用標(biāo)準(zhǔn)的具有熱輥的層壓法或其他涂層技術(shù)(如刀涂、模涂，影印滾動(dòng)涂層等)將抗蝕劑迭壓或涂覆到至少介電基板的金屬覆蓋層面上，光致抗蝕劑可以是水性的或基于溶劑的，可以是正性的或負(fù)性的光致抗蝕劑。光致抗蝕劑的厚度從約1微米到50微米。然后將光致抗蝕劑暴露在紫外線等光線下，通過掩模或光刻工具交聯(lián)光致抗蝕層的暴露部分。然后光致抗蝕劑未暴露部分被適當(dāng)?shù)娜軇╋@影直到得到需要的圖案。對(duì)于負(fù)性抗蝕劑，暴露的部分被交聯(lián)而抗蝕劑未暴露部分然后被適當(dāng)?shù)娜芤猴@影。利用適當(dāng)?shù)奈g刻劑將傳導(dǎo)層的暴露部分蝕刻掉。然后用一種合適的蝕刻劑將結(jié)合層的暴露部分蝕刻掉。剩余的(未暴露的)傳導(dǎo)金屬層最終厚度為約5納米到約200微米。然后在適當(dāng)?shù)娜芤褐?，將交?lián)的抗蝕層剝掉。如果需要，該介電薄膜可在基板上被蝕刻形成特征。然后進(jìn)行后續(xù)的諸如覆蓋層和另外鍍層的施加等處理步驟。另一個(gè)形成電路部分的可能方法利用半減去性電鈹法，下列典型步驟順序用本發(fā)明中的結(jié)合層覆蓋在介電基板上。然后利用真空濺射或蒸發(fā)的方法沉積薄的第一傳導(dǎo)層。介電基板和傳導(dǎo)層的材料和厚度在前面的段落中已經(jīng)敘述過。該傳導(dǎo)層可以用在減去性電路制備方法中如上所述相同的方法進(jìn)行圖案化。使用標(biāo)準(zhǔn)的電鍍法或非電鍍法然后對(duì)傳導(dǎo)層的第一暴露部分進(jìn)一步電鍍，直至獲得希望的電路厚度為約5納米到200微米?？刮g層交聯(lián)的暴露部分被剝掉。隨后，用不破壞介電基材的蝕刻劑蝕刻薄的第一傳導(dǎo)層的暴露部分。如果結(jié)合層在暴露處被除去，可用適當(dāng)?shù)奈g刻劑去除。如果需要，介電薄膜可以被蝕刻以在基板中形成特征。然后進(jìn)行后續(xù)的處理步驟，例如覆蓋層和另外鍍層的施加。另一個(gè)形成電路部分的可能方法利用減去法和加成法電鍍的結(jié)合，也稱為減去法-加成法，下列典型步驟順序用本發(fā)明中的結(jié)合層覆蓋介電基板。然后利用真空濺射或蒸發(fā)的方法沉積薄的第一傳導(dǎo)層。介電基板和傳導(dǎo)層的材料和厚度在前面的段落中已經(jīng)敘述過。傳導(dǎo)層可以用包括如上所述的照相平版法的多種公知的方法進(jìn)行圖案化。當(dāng)光致蝕刻劑形成傳導(dǎo)層需要的圖案的正圖案時(shí)，通常使用適當(dāng)?shù)奈g刻劑將暴露的傳導(dǎo)材料蝕刻掉。然后適當(dāng)?shù)奈g刻劑蝕刻結(jié)合層。剩余的(未交聯(lián)的)傳導(dǎo)金屬層優(yōu)選最終厚度為5納米到200微米。然后抗蝕層暴露(交聯(lián))的部分被剝離掉。如果需要，介電薄膜可以被蝕刻以在基板中形成特征。然后進(jìn)行后續(xù)的處理步驟，例如覆蓋層和另外鍍層的施加。下面參考非限制實(shí)驗(yàn)部分對(duì)本發(fā)明作更詳細(xì)的描述。具體實(shí)施例方式我們研究中使用的薄膜將集中在KAPTONE聚酰亞胺上，但是本發(fā)明也能被應(yīng)用到其它類型的聚酰亞胺(PI)，甚至其它聚合物基板。對(duì)比例l-4:現(xiàn)有技術(shù)中眾所周知的一系列柔性電路基板是使用制備濺射方法制備不同級(jí)別的NiCr結(jié)合層厚度(參考表l)，該方法包含如下步驟。(1)將Dupont的聚酰亞胺薄膜KAPTON1.5E在200^0(TC加熱5-30秒以去除真空腔中薄膜的水。(2)在實(shí)施例1中，用濺射方法沉積厚度為10埃的NiCr合金結(jié)合層。濺射的條件2-10mTorr的腔壓；1.76kW的濺射功率和1.5秒的濺射持續(xù)時(shí)間。實(shí)驗(yàn)中所有的濺射的氬氣流固定在450sccm。實(shí)施例2，3和4中不同結(jié)合層厚度的沉積通過變化濺射功率和濺射持續(xù)時(shí)間來實(shí)現(xiàn)。(3)厚度為200nm的種子銅層在3-5mTorr被濺射到NiCr結(jié)合層上。(4)厚度為2.3微米的薄瞬時(shí)(flash)銅層被電鍍到濺射的銅層上。然后通過利用不同結(jié)合層厚度的基板的加成法制備設(shè)計(jì)節(jié)距為40-50微米(總共842個(gè)線路)的柔性電路。厚度為0.51微米/0.21微米的總/純錫層被電鍍到該電路上。利用TAB(帶狀自動(dòng)接合機(jī))接合機(jī)(Shibaura-TTI810)接合所有的柔性電路。有目的地選擇強(qiáng)的接合條件(49(TC的階段溫度，220X:的工具溫度，220N的力和120微米的變形)以區(qū)分不同NiCr結(jié)合層厚度對(duì)PI/Cu界面分層反應(yīng)的影響。根據(jù)穿過銅線路寬度的Sn-Au共熔滲透/覆蓋的百分比來量化接合電路的PI/Cu分層級(jí)別。表1給出了PI/Cu界面分層反應(yīng)和結(jié)合層條件的關(guān)系。從中可以看到，在這些NiCr基板上發(fā)生約100。/。的PI/Cu界面分層。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>實(shí)施例5-9:本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例包含一系列柔性電路基板的形成，其具有5種NiCrOx沉積條件并具有不同的結(jié)合層厚度(參考表2)，其在三種不同02/Ar流速比率(1%，5.5%和10%)的氣氛下濺射，如表2所列。除了結(jié)合層濺射方法，所有制備這5個(gè)NiCrOx基板的方法與對(duì)比例1-4中的方法相同。在實(shí)施例5中，厚度為13埃的NiCrOx結(jié)合層是以1%的02/Ar流速比率的濺射方法沉積。該濺射條件2-10mTorr的腔壓；2.35kW的濺射功率和1.5秒的濺射持續(xù)時(shí)間。實(shí)施例6，7，8和9中不同NiCrOx結(jié)合層厚度的沉積是通過變化濺射功率(2.0-10.0kW)，濺射持續(xù)時(shí)間(1.0-5.0秒)和(VAr流速比率(1%，5.5%和10%)來實(shí)現(xiàn)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>電路制備方法和結(jié)合條件與實(shí)施例l-4中相同。結(jié)合條件示于表2中。通過使用NiCrOx結(jié)合層，PI/Cu界面分離可被顯著降低至低于40。/。的水平。在10。/。O2/Ar流速下濺射的厚度為40A的NiCrOx結(jié)合層提供最低的PI/Cu界面分離，低于10%。對(duì)比例10-13和實(shí)施例14-18具有不同NiCr和NiCrOx結(jié)合層厚度(如表3所示)的對(duì)比例10-13和實(shí)施例14-18的基板分別用對(duì)比例l-4和實(shí)施例5-9中的方法制備。銅層被進(jìn)一步電鍍到25微米的厚度，然后用減去性方法制備所有基板的基板錄'J離測(cè)試樣品。根據(jù)TheInstituteforInterconnectingandPackagingElectronicCircuits,2215StandersRoad,Northbrook，Illinois,(USA)的IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，所有樣品在卯。條件下剝離。表3列出了初始剝離強(qiáng)度和在25(TC加熱60分鐘之后的剝離強(qiáng)度。可以看到結(jié)合層條件(如結(jié)合層厚度，NiCr或NiCrOx和氧含量)對(duì)初始剝離強(qiáng)度沒有明顯的影響。但是它們對(duì)熱老化之后的剝離強(qiáng)度有明顯的影響。高氧含量(如10%02)的NiCrOx可以明顯地改善剝離強(qiáng)度保持性。結(jié)合層厚度對(duì)剝離強(qiáng)度保持性的影響沒有氧含量的影響那么大。25(TC加熱60分鐘的熱老化之后，在02/八1"的流速比率為10%的氣氛下濺射的厚度為40埃的NiCrOx結(jié)合層具有相對(duì)較高的剝離強(qiáng)度保持性，為2.99磅/英寸(lb/in)。在前文描述的參考中是由個(gè)體或整體組成的，這些個(gè)體或整體有眾所周知的等同物。如果這些等同物被分別單獨(dú)提出來，它們?nèi)匀皇潜话ㄔ趦?nèi)。雖然本發(fā)明已經(jīng)用實(shí)施例和參考特定實(shí)施例的方法進(jìn)行了描述，但是必須明白，在不偏離本發(fā)明的范圍或精神的條件下，本發(fā)明是可以進(jìn)行修改和/或改進(jìn)的。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>權(quán)利要求1.一種基板前體，其用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而施加的金屬，所述基板包括(a)介電薄膜；和(b)位于所述薄膜之上的一種或多種金屬的一種或多種氧化物的結(jié)合層，其中，所述金屬氧化物層是通過將一種或多種氧化物的一種或多種金屬濺射到薄膜表面上形成的，所述濺射是在除了至少一種可以提供所述氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。2.—種電路基板，包括(a)介電薄膜；(b)位于所述介電薄膜之上的一種或多種金屬的一種或多種氧化物的結(jié)合層；和(C)位于所述結(jié)合層之上的一種或多種金屬的層，其中，所述金屬氧化物層是通過將一種或多種氧化物的一種或多種金屬濺射到所述薄膜表面上而形成，所述濺射是在除了至少一種可以提供所述氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中，結(jié)合層在所述基板的至少一側(cè)上具有連續(xù)分布。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中，結(jié)合層是金屬的氧化物或多種金屬的多種氧化物。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中，結(jié)合層含有鎳的氧化物。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其在通過熔融結(jié)合層并用ICP法評(píng)價(jià)時(shí)具有13埃到300埃的厚度，厚度的換算是基于固態(tài)本體材料的密度。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)合層，其是用濺射方法沉積的。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中所述介電薄膜是柔性的。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板，其中所述介電薄膜選自如下物質(zhì)的任一種聚酰亞胺、UPILEX、APICAL、KAPTONE、KAPTONEN、KAPTONH、KAPTONV。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板，其中所述介電薄膜選自如下聚合物的任一種PET、PEN、聚碳酸酯、PEI、PEEK等。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中所述金屬層通過電鍍沉積、濺射、非電鍍電沉積中的任何一種或多種方法而沉積到所述結(jié)合層上。全文摘要本發(fā)明涉及一種基板，該基板用于隨后共晶接合為提供電路基板或作為制備電路基板的前體而施加的金屬。該電路基板包含介電薄膜和位于該薄膜之上的金屬的一種或多種氧化物層。該金屬氧化物層是通過將一種或多種金屬氧化物的金屬濺射到所述薄膜表面上而形成的，所述濺射是在除了至少一種可以提供所述氧化物中的氧的反應(yīng)性氣體的惰性氣氛下進(jìn)行的。文檔編號(hào)H05K3/38GK101194542SQ200680020774公開日2008年6月4日申請(qǐng)日期2006年4月4日優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日發(fā)明者王效東,王立平,高劍俠申請(qǐng)人:3M創(chuàng)新有限公司