專利名稱：封裝基板的植球側表面結構及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板的植球側表面結構及其制法，尤指一種 電性連接墊表面具有金屬凸緣的封裝基板。
背景技術：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品亦逐漸邁入多功能、高性能
的研發(fā)方向。為滿足半導體封裝件高積集度(Integration)以及微型 化(Miniaturization)的封裝需求，承載半導體芯片的封裝基板，逐 漸由單層板演變成多層板(Multi-layer Board),從而于有限的空間 下，通過層間連接技術(Interlayer Connection)以擴大封裝基板上 可利用的線路面積，以因應高電子密度的集成電路(Integrated Circuit)的使用需求。
目前用以承載半導體芯片的封裝基板包括有打線式封裝基板 (PBGA)、芯片尺寸封裝(CSP)基板及覆晶基板(FCBGA)等，以下是以覆
晶基板供半導體芯片封裝舉例說明，如圖1所示，覆晶技術使提供一 封裝基板11，其包括置晶側(chip disposing side)的第一表面11a 及植球側(ball disposing side)的第二表面lib,于該第一表面11a 表面具有多個提供電性連接一半導體芯片12的第一電性連接墊111， 該第一電性連接墊111表面形成有由焊料所制成的第一導電元件13a， 又于該第二表面lib表面具有提供電性連接其它電子裝置如印刷電路 板的第二電性連接墊112，于該第二電性連接墊112表面形成有由焊料 所制成的第二導電元件13b，而該半導體芯片12具有多個電極墊121， 于該電極墊121表面形成有金屬凸塊14，以將該半導體芯片12的金屬 凸塊14以覆晶方式對應于封裝基板11的第一導電元件13a，并在足以 使該第一導電元件13a熔融的回焊溫度條件下，將第一導電元件13a 回焊至相對應的金屬凸塊14，使該半導體芯片12電性連接該封裝基板 11。但是，該封裝基板11的第二表面lib上的第二電性連接墊112與 第二導電元件13b之間的接觸面積局限于該第二電性連接墊112露出 的面積大小，使該第二導電元件13b與第二電性連接墊112之間接觸 面積不足而降低其間的結合力，導致該第二導電元件13b容易產(chǎn)生脫 落；如目前封裝基板ll用以提供與印刷電路板電性連接的第二電性連 接墊112的間距由800um縮小至300um，第二電性連接墊112的開孔 孔徑由500 ii m縮小至250 u m，該用以電性連接的面積僅剩1/4導致導 電元件結合力嚴重降低。
請參閱圖2A至圖2E，為現(xiàn)有增加該封裝基板的植球側表面的電性 連接墊與導電元件之間接觸面積的制法，是于封裝基板20的植球側表 面具有電性連接墊201，且于該表面及電性連接墊201表面形成有絕緣 保護層21，于該絕緣保護層21中形成有開孔210以露出該電性連接墊 201的部分表面，如圖2A所示；于該絕緣保護層21上及電性連接墊 201的露出表面形成有一導電層22，如圖2B所示；接著于該導電層22 上形成有一阻層23，且該阻層23經(jīng)曝光顯影的圖案化制程以形成環(huán)狀 開口 230，以露出該電性連接墊201上及該絕緣保護層21開孔210周 緣的導電層22，如圖2C所示；之后通過該導電層22作為電鍍的電流 傳導路徑以于該環(huán)狀開口 230中電鍍形成貼靠在該絕緣保護層21的開 孔210周緣的凸緣24，如圖2D所示；最后，移除該阻層23及其所覆 蓋的導電層22，以露出該凸緣24及電性連接墊201的部分表面，如圖 2E所示。
但是，該凸緣24與電性連接墊201之間具有導電層22，該凸緣 24并非直接與該電性連接墊201結合，即該凸緣24與電性連接墊201 之間并非一體，而降低該凸緣24與電性連接墊201之間的結合強度； 此外，該制程僅能形成凸緣24貼靠在該絕緣保護層21的開孔210周 緣的結構特征，使后續(xù)形成于該凸緣24與電性連接墊201上的如錫 球的導電元件于有限空間下所能增加的接觸面積有限，導致該錫球容 易產(chǎn)生脫落的情況。另外，因對位偏移問題，易使內(nèi)部側壁厚度不一 致而影響側壁凸緣的形成。
因此，如何提供一種電性連接墊與導電元件之間增加結合力的結 構，以避免現(xiàn)有技術中該導電元件因結合面積降低導致脫落的問題，實已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的主要目的是提供一種封 裝基板的植球側表面結構及其制法，能增加該表面結構供導電元件接 著的接觸面積。
本發(fā)明的又一 目的是提供一種封裝基板的植球側表面結構及其制 法，能增加該表面結構與導電元件之間的結合力。
為達到上述及其它目的，本發(fā)明提供一種封裝基板的植球側表面 結構，該封裝基板具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球 側分別具有第一及第二線路層，于該封裝基板的置晶側及第一線路層 上形成有第一絕緣保護層，該植球側表面結構包括金屬墊，為該第
二線路層的一部分；金屬凸緣，環(huán)設于該金屬墊上；以及第二絕緣保 護層，位于該封裝基板的植球側上，并具有小于該金屬凸緣外徑尺寸 的第二開孔，以露出該金屬凸緣的部分表面。
本發(fā)明復提供另一種封裝基板的植球側表面結構，該封裝基板具 有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有第一及第 二線路層，于該封裝基板的置晶側及第一線路層上形成有第一絕緣保
護層，該植球側表面結構包括金屬墊，為該第二線路層的一部分；
金屬凸緣，環(huán)設于該金屬墊上；以及第二絕緣保護層，位于該封裝基 板的植球側上，并具有大于該金屬墊尺寸的第二開孔以露出該金屬凸 緣及金屬墊。
依上述的結構，位于該金屬墊及金屬凸緣上具有表面處理層或導
電元件，其中該表面處理層為有機保焊劑(OSP)、鎳/金(Ni/Au)、鎳/ 鈀/金(Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或該表面處理層為金 (Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中一者；而該導電元件 為錫球；又位于該封裝基板表面與金屬墊之間具有導電層。
本發(fā)明復提供一種封裝基板的植球側表面結構的制法，包括提 供一核心板，并于該核心板的兩相對表面形成有第一金屬層及第二金 屬層；于該第二金屬層上電鍍形成金屬塊；于該第一金屬層上形成第 三阻層，并形成有第三開口以露出該第一金屬層的部分表面，且于該第二金屬層及金屬塊上形成第四阻層，并形成第四開口以露出該第二金屬層的部分表面及第五開口以露出該金屬塊的部分表面；移除該第三及第四阻層的第三及第四開口中的第一及第二金屬層，以于該核心 板的兩相對表面分別形成第一線路層、第二線路層及金屬墊，并移除該第五開口中的金屬塊，以形成金屬凸緣環(huán)設于該金屬墊上；移除該 第三及第四阻層；于該核心板及第一線路層上形成有第一絕緣保護 層，且形成有第一開孔以露出該第一線路層的部分表面而成為電性連 接墊；以及于該核心板、第二線路層及其上的金屬墊上形成第二絕緣 保護層，該第二絕緣保護層形成有第二開孔，以露出該金屬凸緣的部 分表面。依上述的制法，該第二開孔不大于該金屬凸緣的外徑，或該第二 開孔大于該金屬墊的外徑。該核心板為表面具有介電層的兩層或多層線路板或絕緣板；該金 屬凸緣的外形為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬 墊的外形為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬凸緣 的外徑不大于該金屬墊的外徑。該第二金屬層上電鍍形成金屬塊的制法，包括于該第一金屬層 及第二金屬層上分別形成第一及第二阻層，且該第二阻層形成有第二 開口以露出該第二金屬層的部分表面；于該第二阻層的第二開口中的 第二金屬層上電鍍形成金屬塊；以及移除該第一及第二阻層以露出該 第一、第二金屬層及金屬塊。依上述的制法，復包括該第五開口中的金屬塊是移除部分上表面 以于該金屬墊上形成一金屬層，于該金屬凸緣及金屬層上形成有表面 處理層，該表面處理層為有機保焊劑(OSP)、鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或該表面處理層為金(Au)、 銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中一者，復包括于該表面處理 層上形成有為錫球的導電元件；或于該金屬凸緣及金屬層上形成有為 錫球的導電元件。本發(fā)明復提供另一實施例，復包括該第五開口中的金屬塊完全被 移除以露出該金屬墊的部分表面，于該金屬凸緣及金屬墊上形成有表 面處理層，該表面處理層為有機保焊劑(OSP)、鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或該表面處理層為金(Au)、 銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中一者，復包括于該表面處理 層上形成有為錫球的導電元件；或于該金屬凸緣及金屬墊上形成有為 錫球的導電元件。
本發(fā)明復提供另一種封裝基板的植球側表面結構的制法，包括.-提供一核心板；于該核心板表面形成有導電層；于該核心板兩表面的 導電層上分別形成有第一及第二阻層，且該第一及第二阻層形成有第 一及第二開口以露出該導電層的部分表面；于該核心板兩表面的第一 及第二阻層的第一及第二開口中分別電鍍形成第一線路層及第二線路 層，其中該第二線路層并具有金屬墊；于該第一阻層及第一線路層表 面形成有第三阻層，又于該第二阻層及第二線路層表面形成有第四阻 層，且該第四阻層形成有環(huán)狀開口以露出該金屬墊部分表面；該導電 層作為電流傳導路徑，以于該金屬墊表面電鍍形成金屬凸緣；移除該 第二阻層、第一阻層及其所覆蓋的導電層，并移除該第四阻層、第三 阻層及其所覆蓋的導電層，從而以露出該第一線路層、第二線路層及 其金屬墊上的金屬凸緣；于該核心板及第一線路層上形成有第一絕緣 保護層，且形成有第一開孔以露出該第一線路層的部分表面而成為電 性連接墊；以及于該核心板、第二線路層及其上的金屬墊上形成第二 絕緣保護層，該第二絕緣保護層形成有第二開孔，以露出該金屬凸緣 的部分表面。
依上述的制法，該第二開孔不大于該金屬凸緣的外徑，或該第二 開孔大于該金屬墊的外徑。
該核心板為表面具有介電層的兩層或多層線路板、銅箔基板 (C(3卯er Clad Laminates, CCL)及絕緣板的其中一者;該金屬凸緣的
外形為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬墊的外形 為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬凸緣的外徑不 大于該金屬墊的外徑。
又依上述的制法，復包括于該金屬凸緣及金屬墊上形成有表面處 理層，該表面處理層為有機保焊劑(OSP)、鎳/金(M/Au)、鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或該表面處理層為金(Au)、 銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中一者；復包括于該表面處理層上形成有為錫球的導電元件；或于該金屬凸緣及金屬墊上形成有為 錫球的導電元件。本發(fā)明的封裝基板的植球側表面結構，是于該金屬墊表面形成有 金屬凸緣，使該金屬墊表面具有較大的接觸面積，此外，亦可通過調 整絕緣保護層的開孔形式，從而使位于該電性連接墊表面的導電元件 增加結合面積，且于該金屬墊與金屬凸緣之間并無現(xiàn)有的導電層，從 而提高該金屬墊與金屬凸緣之間的結合強度，使后續(xù)形成于該金屬墊 與金屬凸緣上的導電元件避免產(chǎn)生脫落。


圖1為現(xiàn)有技術于封裝基板表面接置半導體芯片的示意圖；圖2A至圖2E為現(xiàn)有封裝基板的電性連接墊上形成凸緣的制法剖 視圖；圖3A至圖3H為本發(fā)明封裝基板的植球側表面結構的第一實施例制法剖視圖；圖3F'為圖3F的另一實施例； 圖3H，為圖3H的另一實施例；圖4A至圖4G為本發(fā)明封裝基板的植球側表面結構的第二實施例 制法剖視圖；圖4G'為圖4G的另一實施例；圖5A為絕緣保護層定義電性連接墊的金屬墊及金屬凸緣上形成有 表面處理層的實施例， 圖5B為圖5A的表面處理層上形成有導電元件的實施例；圖5C為絕緣保護層定義電性連接墊的金屬墊及金屬凸緣上形成有導電元件的實施例；圖6A為非絕緣保護層定義電性連接墊金屬墊及金屬凸緣上形成有表面處理層的實施例；圖6B為圖6A的表面處理層上形成有導電元件的實施例；以及 圖6C為該非絕緣保護層定義電性連接墊金屬墊及金屬凸緣上形成有導電元件的實施例。元件符號簡單說明
11、 20、 3封裝基板lla第一表面
lib第二表面
111第一電性連接墊
112第二電性連接墊
12半導體芯片
121電極墊
13a第一導電元件
13b第二導電元件
14金屬凸塊
201電性連接墊
21絕緣保護層
210開孔
22、 301導電層23阻層
230、320d 環(huán)狀開口
24凸緣
3a罷曰翩 直日日w
3b植球惻
30核心板
310b:' 金屬墊
31a第一金屬層
31a，第一線路層
31b第二金屬層
31b，第二線路層32a第一阻層
320a第一開口
32b第二阻層
320b第二開口
32c第三阻層
12320c第三開口32d第四阻層320d第四開口321d第五開口33金屬塊33，金屬凸緣331，金屬層34a第一絕緣保護層340a第一開孔34b第二絕緣保護層340b 、.340b， 第二開孔35表面處理層36導電元件37a絕緣保護層定義電性連接墊(SMD Pad)37b非絕緣保護層定義電性連接墊(SMD Pad)具體實施方式
以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術 人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功 效。第一實施例請參閱圖3A至圖3H，是顯示本發(fā)明的封裝基板的植球側表面結構 制法第一實施例的剖面示意圖。如圖3A所示，首先提供一核心板30，并于該核心板30的兩相對 表面形成有第一金屬層31a及第二金屬層31b，該核心板30為表面具 有介電層的兩層或多層線路板或絕緣板。有關于線路板的制程技術繁 多，但是乃業(yè)界所周知的制程技術，其非本案技術特征，故未再予贅 述。如圖3B所示，于該第一金屬層31a及第二金屬層31b上分別形成 第一及第二阻層32a、 32b，該第一及第二阻層32a、 32b可為一例如干膜或液態(tài)光阻等光阻層(Photoresist),其是利用印刷、旋涂或貼合等 方式形成于該第一金屬層31a及第二金屬層31b上，再通過曝光、顯 影等方式加以圖案化，使該第二阻層32b形成有第二開口 320b以露出 該第二金屬層31b的部分表面。
如圖3C所示，通過該第二金屬層31b作為電流傳導路徑，以在顯 露于該第二阻層32b的第二開口 320b中的第二金屬層31b上電鍍形成 金屬塊33。
如圖3D所示，移除該第一及第二阻層32a、 32b以露出該第一、 第二金屬層31a、 31b及金屬塊33。
如圖3E所示，于該第一金屬層31a上形成第三阻層32c，并形成 有第三開口 320c以露出該第一金屬層31a的部分表面，而于該第二金 屬層31b及金屬塊33上形成第四阻層32d，并形成第四開口 320d以露 出該第二金屬層31b的部分表面及第五開口 321d以露出該金屬塊33 的部分表面。
如圖3F及圖3F'所示，以蝕刻方式移除該第三及第四阻層32c、 32d的第三及第四開口 320c、 320d中的第一及第二金屬層31a、 31b， 并移除該第五開口 321d中的金屬塊33，以于該核心板30的兩相對表 面分別形成第一線路層31a，、第二線路層31b，及金屬墊310b，， 其中，該金屬塊33的部分厚度被移除，以形成金屬凸緣33'環(huán)設于該 金屬墊310b，上，且于該金屬凸緣33，內(nèi)的金屬墊310b，上形成一金 屬層331'(如圖3F所示)或完全移除該第五開口 321d中的金屬塊33， 以形成金屬凸緣33"環(huán)設于該金屬墊310b，上(如圖3F，所示)；使 該核心板30、第一線路層31a'及第二線路層31b'構成封裝基板3， 且該封裝基板3具有兩相對的置晶側3a及植球側3b，該置晶側3a及 植球側3b分別具有該第一及第二線路層31a， 、 31b，。
如圖3G所示，移除該第三及第四阻層32c、 32d以露出該第一線 路層31a'、第二線路層31b'、金屬墊310b'及環(huán)設于該金屬墊310b' 上的金屬凸緣33'。
如圖3H及3H，所示，于該核心板30及第一線路層31a，上形成 有第一絕緣保護層34a，且形成有第一開孔340a以露出該第一線路層 31a'的部分表面而成為電性連接墊，從而供電性連接半導體芯片，又于該核心板30、第二線路層31b，及其上的金屬墊310b，上形成第二 絕緣保護層34b，并形成有第二開孔340b，且該第二開孔340b的尺寸 d2小于該金屬凸緣33'的外徑尺寸dl，以該露出金屬凸緣33'的部 分表面，而為絕緣保護層定義電性連接墊(Solder Mask Defined Pad, SMDPad)37a，如圖3H所示；或該第二開孔340b，的尺寸d4大于該金 屬墊310b，的尺寸d3，以露出該金屬墊310b，及金屬凸緣33'，而為 非絕緣保護層定義電性連接墊(Non Solder Mask Defined Pad, NSMD Pad) 37b ，如圖3H，所示。
本發(fā)明提供一種封裝基板的植球側表面結構，如圖3H所示，該封 裝基板3具有兩相對的置晶側3a及植球側3b，于該置晶側3a及植球 側3b分別具有第一及第二線路層31a， 、 31b，，于該置晶側3a及第一 線路層31a'上形成有第一絕緣保護層34a，該植球側表面結構包括 金屬墊310b，，為該第二線路層31b，的一部分；金屬凸緣33，，環(huán)設 于該金屬墊310b'上；以及第二絕緣保護層34b，位于該封裝基板3 的植球側3b上，并具有第二開孔340b。
依上述的結構，該第二開孔340b的尺寸小于該金屬凸緣33'外徑 的尺寸，并露出該金屬凸緣33'的部分表面，而為絕緣保護層定義電 性連接墊(Solder Mask Defined Pad, SMD Pad) 37a ;或該第二開孔 340b，的尺寸大于該金屬墊310b，的尺寸，并露出該金屬墊310b，及 金屬凸緣33'，而為非絕緣保護層定義電性連接墊(Non Solder Mask Defined Pad, NSMD Pad)37b。 i亥金屬凸緣33'的外形為圓形、橢圓形、 矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬墊310b'的外形為圓形、橢圓形、 矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬凸緣33'的外徑不大于該金屬墊 310b，的外徑。
第二實施例
請參閱圖4A至圖4G，是顯示本發(fā)明的封裝基板的植球側表面結構
制法第二實施例的剖面示意圖。
如圖4A所示，首先，提供具有兩相對表面的核心板30，并于該核 心板30表面形成有導電層301。該核心板30為絕緣板、銅箔基板 (Copper Clad Laminates, CCL)或表面具有介電層的兩層或多層線路板。有關于線路板的制程技術繁多，但是乃業(yè)界所周知的制程技術，
其非本案技術特征，故未再予贅述。如圖4B所示，于該核心板30兩 表面的導電層301上分別形成有第一及第二阻層32a、 32b，且該第一 及第二阻層32a、 32b形成有第一及第二開口 320a、 320b以露出該導 電層301的部分表面。
如圖4C所示，通過該導電層301作為電流傳導路徑以于該核心板 30兩表面的第一及第二阻層32a、 32b的第一及第二開口 320a、 320b 中分別電鍍形成第一線路層31a'及第二線路層31b'，其中該第二線 路層31b'并具有金屬墊310b'。
如圖4D所示，于該第一阻層32a及第一線路層31a，表面形成有 第三阻層32c，又于該第二阻層32b及第二線路層31b，表面形成有第 四阻層32d，且該第四阻層32d形成有環(huán)狀開口 320d以露出該金屬墊 310b，部分表面。
如圖4E所示，又通過該導電層301作為電流傳導路徑，以于該金 屬墊310b，表面電鍍形成金屬凸緣33'。
如圖4F所示，移除該第二阻層32b、第一阻層32a及其所覆蓋的 導電層301，并移除該第四阻層32d、第三阻層32c及其所覆蓋的導電 層301，從而以露出該第一線路層 31a'、第二線路層31b'及其金屬墊 310b，上的金屬凸緣33'。
如圖4G及圖4G'所示，于該核心板30及第一線路層31a，上形 成有第一絕緣保護層34a，且形成有第一開孔340a以露出該第一線路 層31a'的部分表面而成為電性連接墊，從而供電性連接半導體芯片， 又于該核心板30、第二線路層31b'及其上的金屬墊310b'上形成第 二絕緣保護層34b，并形成有小于該金屬凸緣33'外徑尺寸的第二開 孔340b，以露出該金屬凸緣33'的部分表面，而為絕緣保護層定義電 性連接墊(Solder Mask Defined Pad, SMD Pad)37a，如圖4G所示； 或該第二開孔340b，的尺寸大于該金屬墊310b，的尺寸，以露出該金 屬墊310b，及金屬凸緣33，，而為非絕緣保護層定義電性連接墊(Non Solder Mask Defined Pad， NSMDPad)37b，如第4G，圖所示。i亥金屬 凸緣33'的外形為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金 屬墊310b'的外形為圓形、橢圓形、矩形及不規(guī)則形的其中一者；該金屬凸緣33，的外徑不大于該金屬墊310b，的外徑。
請參閱圖5A至圖5C，復可于絕緣保護層定義電性連接墊(SMD Pad) 37a上形成表面處理層35，該表面處理層35為有機保焊劑(OSP)、 鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或 該表面處理層35為金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cii)所組群組的其中 一者，如圖5A所示，再于該表面處理層35上形成為錫球的導電元件 36，如圖5 B所示；或于該絕緣保護層定義電性連接墊(SMD Pad)37a上形成為錫球的導電元件36，如圖5C所示。
請參閱第6A至6C圖，復可于非絕緣保護層定義電性連接墊(NSMD Pad) 37b上形成表面處理層35，該表面處理層35為有機保焊劑(OSP)、 鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)、錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者，或 該表面處理層35為金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中 一者，如圖6A所示，再于該表面處理層35上形成為錫球的導電元件 36,如圖6 B所示 ，或于該非絕緣保護層定義電性連接墊(NSMD Pad)37b上形成為錫球的導電元件36，如圖6C所示。
本發(fā)明的封裝基板的植球側表面結構，是于該金屬墊表面形成有 金屬凸緣，使該金屬墊表面具有較大的接觸面積，此外，亦可通過調 整絕緣保護層的開孔形式，從而使位于該電性連接墊表面的導電元件 增加結合面積，且于該金屬墊與金屬凸緣之間并無現(xiàn)有的導電層，從 而提高該金屬墊與金屬凸緣之間的結合強度，使后續(xù)形成于該金屬墊 與金屬凸緣上的導電元件避免產(chǎn)生脫落。
上述實施例是用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于 限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇 下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應以權利 要求書的范圍為依據(jù)。
權利要求
1.一種封裝基板的植球側表面結構，該封裝基板具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有第一及第二線路層，于該封裝基板的置晶側及第一線路層上形成有第一絕緣保護層，該植球側表面結構包括金屬墊，為該第二線路層的一部分；金屬凸緣，環(huán)設于該金屬墊上；以及第二絕緣保護層，位于該封裝基板的植球側上，并具有小于該金屬凸緣外徑的尺寸的第二開孔，以露出該金屬凸緣的部分表面。
2. 根據(jù)權利要求1所述的封裝基板的植球側表面結構，其中，該 金屬凸緣的外徑不大于該金屬墊的外徑。
3. 根據(jù)權利要求1所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括金 屬層，位于該金屬凸緣內(nèi)的該金屬墊上。
4. 根據(jù)權利要求3所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括表 面處理層，位于該金屬凸緣及金屬層上。
5. 根據(jù)權利要求4所述的封裝基板的植球側表面結構，其中，該 表面處理層為有機保焊劑(OSP)、鎳/金(Ni/Au)、鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)、 錫/鉛(Sn/Pb)的其中一者。
6. 根據(jù)權利要求4所述的封裝基板的植球側表面結構，其中，該 表面處理層為金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及銅(Cu)所組群組的其中一者。
7. 根據(jù)權利要求1所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括表 面處理層，位于該金屬墊及金屬凸緣上。
8. 根據(jù)權利要求1所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括導 電層，位于該封裝基板表面與金屬墊之間。
9. 一種封裝基板的植球側表面結構，該封裝基板具有兩相對的置 晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有第一及第二線路層，于 該封裝基板的置晶側及第一線路層上形成有第一絕緣保護層，該表面 結構包括金屬墊，為該第二線路層的一部分；金屬凸緣，環(huán)設于該金屬墊上；以及第二絕緣保護層，位于該封裝基板的植球側上，并具有大于該金 屬墊尺寸的第二開孔，以露出該金屬凸緣及金屬墊。
10. 根據(jù)權利要求9所述的封裝基板的植球側表面結構，其中，該 金屬凸緣的外徑不大于該金屬墊的外徑。
11. 根據(jù)權利要求9所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括金 屬層，位于該金屬凸緣內(nèi)的該金屬墊上。
12. 根據(jù)權利要求11所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括 表面處理層，位于該金屬凸緣、金屬層及金屬墊上。
13. 根據(jù)權利要求9所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括表 面處理層，位于該金屬墊及金屬凸緣上。
14. 根據(jù)權利要求9所述的封裝基板的植球側表面結構，復包括導 電層，位于該封裝基板表面與金屬墊之間。
15. —種封裝基板的植球側表面結構的制法，包括 提供一核心板，并于該核心板的兩相對表面形成有第一金屬層及——"^^JM^S^ ; 于該第二金屬層上電鍍形成金屬塊；于該第一金屬層上形成第三阻層，并形成有第三開口以露出該第 一金屬層的部分表面，且于該第二金屬層及金屬塊上形成第四阻層， 并形成第四開口以露出該第二金屬層的部分表面及第五開口以露出該 金屬塊的部分表面；移除該第三及第四阻層的第三及第四開口中的第一及第二金屬 層，以于該核心板的兩相對表面分別形成第一線路層、第二線路層及 金屬墊，并移除該第五開口中的金屬塊，以形成金屬凸緣環(huán)設于該金 屬墊上；移除該第三及第四阻層；于該核心板及第一線路層上形成有第一絕緣保護層，且形成有第 一開孔以露出該第一線路層的部分表面而成為電性連接墊；以及于該核心板、第二線路層及其上的金屬墊上形成第二絕緣保護層， 該第二絕緣保護層形成有第二開孔，以露出該金屬凸緣的部分表面。
16. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法，其中，該第二開孔不大于該金屬凸緣的外徑。
17. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第二開孔大于該金屬墊的外徑。
18. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該核心板為表面具有介電層的兩層或多層線路板及絕緣板的其 中一者。
19. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該金屬凸緣的外徑不大于該金屬墊的外徑。
20. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第二金屬層上電鍍形成金屬塊的制法，包括于該第一金屬層及第二金屬層上分別形成第一及第二阻層，且該 第二阻層形成有第二開口以露出該第二金屬層的部分表面；于該第二阻層的第二開口中的第二金屬層上電鍍形成金屬塊， 以及移除該第一及第二阻層以露出該第一、第二金屬層及金屬塊。
21. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第五開口中的金屬塊是移除部分厚度以于該金屬墊上形成一金屬層c
22. 根據(jù)權利要求21所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 復包括于該金屬凸緣及金屬層上形成有表面處理層。
23. 根據(jù)權利要求15所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第五開口中的金屬塊完全移除以露出該金屬墊的部分表面。
24. 根據(jù)權利要求23所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 復包括于該金屬凸緣及金屬墊上形成有表面處理層。
25. —種封裝基板的植球側表面結構的制法，包括 提供一核心板；于該核心板表面形成有導電層；于該核心板兩表面的導電層上分別形成有第一及第二阻層，且該 第一及第二阻層形成有第一及第二開口以露出該導電層的部分表面；于該核心板兩表面的第一及第二阻層的第一及第二開口中分別電鍍形成第一線路層及第二線路層，其中該第二線路層并具有金屬墊； 于該第一阻層及第一線路層表面形成有第三阻層，又于該第二阻層及第二線路層表面形成有第四阻層，且該第四阻層形成有環(huán)狀開口以露出該金屬墊部分表面；該導電層作為電流傳導路徑，以于該金屬墊表面電鍍形成金屬凸緣；移除該第二阻層、第一阻層及其所覆蓋的導電層，并移除該第四 阻層、第三阻層及其所覆蓋的導電層，從而以露出該第一線路層、第 二線路層及其金屬墊上的金屬凸緣；于該核心板及第一線路層上形成有第一絕緣保護層，且形成有第 一開孔以露出該第一線路層的部分表面而成為電性連接墊；以及于該核心板、第二線路層及其上的金屬墊上形成第二絕緣保護層， 該第二絕緣保護層形成有第二開口，以露出該金屬凸緣的部分表面。
26. 根據(jù)權利要求25所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第二開孔不大于該金屬凸緣的外徑。
27. 根據(jù)權利要求25所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該第二開孔大于該金屬墊的外徑。
28. 根據(jù)權利要求25所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該核心板為表面具有介電層的兩層或多層線路板、銅箔基板 (Copper Clad Laminates, CCL)及絕緣板的其中一者。
29. 根據(jù)權利要求25所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 其中，該金屬凸緣的外徑不大于該金屬墊的外徑。
30. 根據(jù)權利要求25所述的封裝基板的植球側表面結構的制法， 復包括于該金屬凸緣及金屬墊上形成有表面處理層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝基板的植球側表面結構，該封裝基板具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有第一及第二線路層，于該封裝基板的置晶側及第一線路層上形成有第一絕緣保護層，該植球側表面結構包括金屬墊，為該第二線路層的一部分；金屬凸緣，環(huán)設于該金屬墊上；以及第二絕緣保護層，位于該封裝基板的植球側上，并具有小于該金屬凸緣外徑尺寸的第二開孔，以露出該金屬凸緣的部分表面。藉以增加該表面結構供導電元件接著的接觸面積，從而避免位于該表面結構表面的導電元件因結合力不足產(chǎn)生脫落的情況。本發(fā)明提供一種封裝基板的植球側表面結構的制法。
文檔編號H05K1/02GK101409273SQ20071015137
公開日2009年4月15日 申請日期2007年10月8日 優(yōu)先權日2007年10月8日
發(fā)明者許詩濱 申請人:全懋精密科技股份有限公司