專利名稱：利用激光形成電路板的盲孔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種形成電路板的盲孔的方法，且特別是有關(guān)于 一 種利用激光形成電路板的盲孔的方法。
背旦 眾技術(shù)
在現(xiàn)今的f電路板技術(shù)領(lǐng)域中，多層電j路板
multi-layercircuit board) 通常具有多個(gè)導(dǎo)電盲
孔c 0ndu c t i v eblindVia)結(jié)構(gòu)，而由這些導(dǎo)電盲
孔結(jié)構(gòu)，多層電路板中的多層線路得以相鄰層間電性
連接為了滿足巨前電路板朝向縮小線路寬度與線路
間距以及提咼線路密度的發(fā)展趨勢(shì)，這些導(dǎo)電盲孔結(jié)
構(gòu)般都是采用激光鉆孔工藝(laserd r i 11 ing來(lái)
形成
般多層電路板的多層線路通常是采用銅箔來(lái)制
成由于銅箔的執(zhí)傳導(dǎo)系數(shù)很大，導(dǎo)熱效果相當(dāng)好，
因此當(dāng)對(duì)銅箔直接照射激光束時(shí)，銅箔會(huì)很快地將激
5光束所產(chǎn)生的熱能分散，進(jìn)而造成熱能不易累積在銅
箔下方的介電層如此，激光束很難直接從銅箔的表
面進(jìn)行直接激光鉆孔工藝。
為了解決上述的問(wèn)題，在已知激光鉆孔工藝中，
會(huì)先對(duì)銅箔進(jìn)行光刻與蝕刻工藝，以形成具有多個(gè)開
□的銅箔層(COnformal mask),而這些開口會(huì)暴露位
于銅箔下方的介電層。之后，對(duì)這些開口照射激光束，以熔燒在這些開□內(nèi)的介電層。如此，多個(gè)盲孔得以形成接著，進(jìn)行填孔電鍍工藝(viafi 11 i n gpia ti ng)，以形成多個(gè)導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)'
然而，由于這些開口是經(jīng)由光刻與蝕刻工藝而形
成的，即這些開□需要經(jīng)過(guò)上光阻、曝光及顯影等步
驟才能形成，因此上述的激光鉆孔工藝太過(guò)繁雜。此
外，在光刻的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生對(duì)位的誤差7 而此種誤差
會(huì)造成這些開口與激光束的相對(duì)位置偏移，除了造成
激光束無(wú)法完全熔燒開口中暴露出的介電層以形成完
整孔形的盲孔外，甚至也容易導(dǎo)致激光束損害電路板
的線路，進(jìn)而降低電路板的工藝良率,
針對(duì)上述的缺點(diǎn)，有人提出一種改良的激光鉆孔
工藝，其如圖1A .至圖1 E所示。圖1A至圖1E是已
知種激光鉆孔工藝的流程的剖面示意圖。;主 i冃先參閱
圖1A，首先，在_-內(nèi)層電路板11 0上壓合一介電層1 20與銅箔1 3 0 ，其中內(nèi)層電路板1 1 0包括
一介電層112與 一 銅線路層1 1 4 ，而介電層1 2
0位于銅箔30與銅線路層1 1 4之間。
請(qǐng)參閱圖1A與圖1 B ，接著，對(duì)銅箔1 3 0進(jìn)行
黑化處理，以形成一氧化銅層l 4 0。黑化處理乃是
將銅箔130的表面氧化，所以在進(jìn)行黑化處理后，
一部分的銅箔13 0因?yàn)榛瘜W(xué)氧化反應(yīng)而變成氧化銅
層140為了能對(duì)銅箔1 3 0進(jìn)行黑化處理，圖1 A
所示的銅箔130的厚度T1需要超過(guò)6微米。
請(qǐng)參閱圖1B與圖1C，接著，對(duì)氧化銅層14 0
照射激光束1 。由于氧化銅層1 4 0的熱傳導(dǎo)系數(shù)
小于銅箔130，因此激光束Ll所產(chǎn)生的熱能在介電
層120累積。如此，多個(gè)盲孔B 1 (圖1 C僅繪示一
個(gè))得以形成
請(qǐng)參閱圖1C與圖1 D ，之后，移除氧化銅層1 4
0 ，以暴露出銅箔1 3 0 。請(qǐng)參閱圖1 E ，接著，進(jìn)行
填孔電鍍工藝以及對(duì)銅箔1 3 o進(jìn)行光刻與蝕刻工藝，以形成多個(gè)導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)1 5 0以及 一 銅線路層13 0'。
然而，圖1A至圖1E所示的激光鉆孔工藝需要通過(guò)黑化處理，而在移除氧化銅層1 4 0后的銅箔1 30 (如圖1 D所示)，其表面會(huì)變的粗糙，造成銅箔130厚度的均勻性變差。這樣會(huì)降低工藝的穩(wěn)定性，
進(jìn)而影響電路板工藝的良率

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供種利用激光形成電路板的盲孔的方
法，應(yīng)用在制作電路板的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供種利用激光形成電路板的盲孔的方
法以提咼電路板工藝的良率
本發(fā)明提供種利用激光形成電路板的盲孔的方
法首先，提供基板，其包括 一 第 一 導(dǎo)電層、第
—導(dǎo)電層以及一配置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間
的絕緣層。接著，沉積 一 低執(zhí) "、、傳導(dǎo)材料層于第一導(dǎo)電
層上，苴 z 、中低熱傳導(dǎo)材料層的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第—導(dǎo)
電層的執(zhí) 八、、傳導(dǎo)系數(shù)。
之后，對(duì)低熱傳導(dǎo)材料層照射
激光束，以形成至少 一 盲孔，其中盲孔從低熱傳導(dǎo)材
料層延伸至第二導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述低熱傳導(dǎo)材料層的
材質(zhì)是選自于由鋅、鎳、鉻以及錫所組成的族群<
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述低熱傳導(dǎo)材料層的
厚度介于0 . Q 1微米至3微米。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一導(dǎo)電層的厚度
小于6微米。
8在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，在沉積低熱傳導(dǎo)材料層之后，低熱傳導(dǎo)材料層全面性覆蓋第 一 導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，在沉積低熱傳導(dǎo)材料層之后，低熱傳導(dǎo)材料層局部覆蓋第一導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成盲孔之后，還包括移除低熱傳導(dǎo)材料層。
本發(fā)明另提供 一 種利用激光形成電路板的盲孔的方法。首先，形成一線路基板，其包括一第一線路層、一第二線路層、 一配置于第一線路層與第二線路層之間的絕緣層以及 一 配置于第 一 線路層上的 一 低熱傳導(dǎo)材料層。第 一 線路與第二線路內(nèi)埋于絕緣層內(nèi)，且第一線路的表面與絕緣層的表面實(shí)質(zhì)上切齊，而低熱傳導(dǎo)材料層的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第 一 線路層的熱傳導(dǎo)系
數(shù)接著，對(duì)低執(zhí) "、、傳導(dǎo)材料層昭射—-激光束，以形成
至少盲孔，其中盲孔從低執(zhí) "、、傳導(dǎo)材料層延伸至第
線路層
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成線路基板的方
法包括，首先，在承載基板上依序沉積低執(zhí) V \、、傳導(dǎo)材
料層與一第導(dǎo)電層接著，圖案化第導(dǎo)電層，以
形成第線路層之后，由半固化膠片，壓合承載
基板于第線路層上，中第線路層相對(duì)于第線
路層接著，移除承載基板，以暴露出低熱傳導(dǎo)材料
9層。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述低熱傳導(dǎo)材料層的
材質(zhì)是選自于由鋅、鎳、鉻以及錫所組成的族群。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述低熱傳導(dǎo)材料層的
厚度介于o.0 1微米至3微米。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，在形成盲孔之后，還包
括移除低熱傳導(dǎo)材料層。
本發(fā)明因采用低熱傳導(dǎo)材料層，以使得絕緣層得
以被激光束加熱。如此，低熱傳導(dǎo)材料層與第 一 導(dǎo)電
層或第一線路層)得以向外爆開而形成盲孔。相較
于已知技術(shù)而言，本發(fā)明的第一導(dǎo)電層或第 一 線路
層的表面較為平坦，厚度也較為均勻如此，本發(fā)
明能大幅提升工藝的穩(wěn)定性，進(jìn)而提高電路板工藝的良率。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下 文特舉 一 些實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，
其中
圖1 A至圖1 E是已知 一 種激光鉆孔工藝的流程的 剖面示意圖。圖2 A至圖2 E是本發(fā)明第 一 實(shí)施例的利用激光形
成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。
圖3 A至圖3 B是本發(fā)明第二實(shí)施例的利用激光形 成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。
圖4 A至圖4 H是本發(fā)明第三實(shí)施例的利用激光形 成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
第 一 實(shí)施例
圖2 A至圖2 E是本發(fā)明第 一 實(shí)施例的利用激光形 成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。請(qǐng)先參 閱圖2A,首先，提供一基板2 1 0，其包括一第一導(dǎo) 電層2 1 2a、 一第二導(dǎo)電層2 1 2b以及一絕緣層2 1 4，而絕緣層2 1 4配置于第一導(dǎo)電層2 1 2a與第 二導(dǎo)電層2 1 2 b之間。
本實(shí)施例的基板2 1 0可以是銅箔基板(Copper Clad Laminate, CCL)或是其它能用來(lái)制造電路板的 基板。第一導(dǎo)電層2 1 2a與第二導(dǎo)電層2 1 2b的材 質(zhì)可以是銅、鋁或其它適當(dāng)?shù)慕饘俨牧希^緣層2 1 4例如是半固化膠片(prepreg)，且絕緣層2 1 4 可包括樹脂與玻璃纖維。
請(qǐng)參閱圖2 B ，接著，沉積 一 低熱傳導(dǎo)材料層2 2
ii0于第 一 導(dǎo)電層2 1 2 a上，其中沉積低熱傳導(dǎo)材料層 22Q 的方法可包括電鍍法、無(wú)電電鍍法 (electroless plating)或化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD )， 或者也可以包括物理氣相 沉積法(Physical Vapor Deposition, PVD)， 例如蒸 鍍法或?yàn)R鍍法(sputter )。
低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0全面性覆蓋第 一 導(dǎo)電層2
1 2 a ，而低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第 一導(dǎo)電層2 1 2 a的熱傳導(dǎo)系數(shù)，且低熱傳導(dǎo)材料層2
2 O的材質(zhì)可以是金屬，或者是陶瓷、氧化物或其它 非金屬材料。低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的厚度T 2可以介 于O.Ol微米至3微米。當(dāng)然，為了因應(yīng)不同的產(chǎn)品 設(shè)計(jì)與需求，低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的厚度T 2也可以 是在3微米以上。
在第一導(dǎo)電層2 1 2a的材質(zhì)為銅，以及低熱傳導(dǎo) 材料層2 2 0的材質(zhì)為金屬的前提下，低熱傳導(dǎo)材料 層2 2 0的材質(zhì)為熱傳導(dǎo)系數(shù)小于銅的金屬材料，例 如鋅、鎳、鉻或錫。因此，低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的 材質(zhì)可包括鋅、鎳、鉻、錫或其它適當(dāng)?shù)慕饘?，或?這些金屬的任意組合。
請(qǐng)參閱圖2 B與圖2 C ，接著，對(duì)低熱傳導(dǎo)材料層 2 2 Q照射 一 激光束L 2 ，以形成至少 一 盲孔B 2 ，其
12中盲孔B 2從低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0延伸至第二導(dǎo)電 層2 1 2b，而激光束L2可以是由二氧化碳激光或其 它適當(dāng)?shù)募す鈾C(jī)臺(tái)所提供。
由于低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第 一導(dǎo)電層212a的熱傳導(dǎo)系數(shù)，因此激光束L2所產(chǎn) 生的熱能能經(jīng)由低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0與第 一 導(dǎo)電層 2 1 2 a的傳遞而累積在絕緣層2 1 4內(nèi)。這樣使得絕 緣層2 1 4因局部受熱而汽化與膨脹，而低熱傳導(dǎo)材 料層2 2 0與第一導(dǎo)電層2 1 2a因?yàn)闊o(wú)法承受絕緣 層2 1 4的膨脹而向外爆開。如此，盲孔B 2得以形成。
此外，在盲孔B2形成之后，在這些盲孔B2內(nèi)會(huì) 殘留 一 些膠渣。因此，在本實(shí)施例中，可以對(duì)盲孔B 2進(jìn)行去膠渣(desmear )，以去除在盲孔B 2內(nèi)的膠渣， 并清潔盲孔B2所暴露的第二導(dǎo)電層212b的表面。
值得 一 提的是，低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的材質(zhì)可 以選用低化學(xué)活性或具有良好抗腐蝕能力的材料，例
如鉻。如此，可確保低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0在被激光 束L 2照射以前不會(huì)變質(zhì)或劣化，以提高工藝的穩(wěn)定性。
請(qǐng)參閱圖2C與圖2D，在形成盲孔B2之后，可
以移除低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0 ，以使第 一 導(dǎo)電層2 1
2 a裸露出來(lái)。上述移除低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0的方法
13可以包括蝕刻工藝、研磨法或其它適當(dāng)?shù)姆椒ā?br> 請(qǐng)參閱圖2 D與圖2 E ，接著，可進(jìn)行填孔電鍍工
藝以及移除部分第一導(dǎo)電層2 1 2a與部分第導(dǎo)電
層21 2 b 。如此，導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)2 3 0 、第線路層
212a，以及第二線路層2 1 2b，得以形成，而
種電路板2 0 0基本上己制造完成。
值得一提的是，雖然圖2E所示的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)2
30填滿整個(gè)盲孔B 2 ，但是在其它未繪示的實(shí)施例
中，導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)2 3 O也可以僅覆蓋盲孔B2的孔壁
而未填滿盲孔B 2 。因此，圖2 E所示的導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)
230僅為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。
必須注意的是，圖2 E所示的電路板2 00為種
雙面電路板 (double sided circuit board)，但是本
實(shí)施例亦可以應(yīng)用在制造具有三層或三層以上線路的
多層電路板，而且熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域者能根據(jù)
圖2A至圖2E以及上述的內(nèi)容輕易地理解如何將本實(shí)
施例的利用激光形成電路板的盲孔的方法應(yīng)用在制造
二層或三層以上線路的電路板。因此，在此強(qiáng)調(diào)，圖
2A至圖2 E僅為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明
從上述內(nèi)容得知，由低熱傳導(dǎo)材料層220，激
光束L 2能加熱以汽化絕緣層2 1 4 。如此，低扭 '"、傳導(dǎo)
材料層2 2 0與第一導(dǎo)電層2 1 2a得以向外爆開，而孔工藝(請(qǐng)參考圖1A至圖1E)而言，第一導(dǎo)電層2 1 2 a的厚度可以小于6微米(如圖2 A所示)，且第 一導(dǎo)電層212a的表面較為平坦，厚度也較為均勻。
第二實(shí)施例
圖3 A至圖3 B是本發(fā)明第二實(shí)施例的利用激光形 成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。請(qǐng)參閱 圖3 A與圖3 B ，本實(shí)施例與第 一 實(shí)施例相似，因此以
下僅介紹二者差異之處，其在于本實(shí)施例的低熱傳導(dǎo) 材料層2 2 0'在沉積之后會(huì)局部覆蓋第一導(dǎo)電層2
1 2 a。
詳細(xì)而言，低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0 '可以只覆蓋 在需要被激光束L 2照射的地方，即低熱傳導(dǎo)材料層2
2 0'可以只分布在要形成盲孔B2的所在之處。因 此，低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0 '可以用來(lái)標(biāo)記要被激光 束L 2照射的地方。
在低熱傳導(dǎo)材料層2 2 0 '沉積之后，對(duì)低熱傳
導(dǎo)材料層2 2 0 ，照射激光束L 2 。如此，盲孑L B 2得 以形成。在盲孔B 2形成之后，后續(xù)所進(jìn)行的工藝與第 一實(shí)施例相同，故不再重復(fù)敘述。
占
光
PT7二
理
處
黑
較
目
形
得
2
B
孔
亡目
15第三實(shí)施例
圖4 A至圖4 H是本發(fā)明第三實(shí)施例的利用激光形
成電路板的盲孔的方法的流程的剖面示意圖。請(qǐng)先參
閱圖4E，首先，形成一線路基板3 1 0，其包括一第
線路層3 1 2a、 一第二線路層3 1 2b、 一絕緣層
314以及 一 低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6 。
絕緣層3 1 4配置于第一線路層3 1 2a與第二
線路層3 1 2b之間，且第一線路3 1 2a與第二線路
312b內(nèi)埋于絕緣層3 1 4內(nèi)，其中第一線路31 2
a的表面與絕緣層3 1 4的表面實(shí)質(zhì)上切齊。也就是
說(shuō)線路基板3 1 Q基本上可算是 一 種內(nèi)埋式線路板。低犰 "、、傳導(dǎo)材料層3 1 6配置于第 一 線路層3 1 2 a上，而低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第一線路
層312 a的熱傳導(dǎo)系數(shù)。另外，第二線路層3 :1 2 b
可以是線路基板3 1 0所具有的多層線路的其中之
在本實(shí)施例中，第一線路層312a與第二線路層 3 1 2b的材質(zhì)可以是銅、鋁或其它適當(dāng)?shù)慕饘俨牧希?br> 而在第—線路層3 1 2 a的材質(zhì)為銅的條件下，低熱傳
導(dǎo)材料層3 1 6的材質(zhì)為熱傳導(dǎo)系數(shù)小于銅的金屬材料。因此，低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6的材質(zhì)可包括鋅、
鎳、鉻錫或其它適當(dāng)?shù)慕饘?，或是這些金屬的任意組合。此外，低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6的厚度可以是介 于O.Ol微米至3微米。當(dāng)然，為了因應(yīng)不同的產(chǎn)品
設(shè)計(jì)與需求，低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6的厚度也可以是 在3微米以上。
形成線路基板3 1 0的方法有很多種，而在本實(shí) 施例中，形成線路基板3 1 0的方法可以包括以下步 驟。請(qǐng)先參閱圖4 A ，首先，在 一 承載基板3 2 0上依 序沉積低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6與第 一 導(dǎo)電層3 1 2 a '，其中低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6可以全面性地覆蓋承 載基板3 2 Q的表面。低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6與第一 導(dǎo)電層3 1 2 a '的沉積方法與第 一 實(shí)施例中的低熱 傳導(dǎo)材料層2 2 0相同，而承載基板3 2 0可以是金 屬板，例如鋁板。當(dāng)然，承載基板3 2 0也可以是由 塑料、陶瓷或是其它非金屬材料所制成。
當(dāng)承載基板3 2 0為鋁板，而第一導(dǎo)電層3 1 2 a'的材質(zhì)為銅時(shí)，第一導(dǎo)電層3 1 2a'不能直接附 著在承載基板3 2 0上，因此第一導(dǎo)電層3 1 2a，可 由低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6以附著在承載基板3 2 0 上。也就是說(shuō)，低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6可當(dāng)作第 一 導(dǎo) 電層3 1 2 a'與承載基板3 2 0之間的粘著層 (adhesive layer), 而為了使第一導(dǎo)電層3 1 2a， 能附著在承載基板3 2 0上，低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6接著，圖案化第一導(dǎo)電層 3 1 2a'，以形成第一線路層3 1 2a。圖案化第一 導(dǎo)電層3 1 2a'的方法可以采用光刻與蝕刻工藝。
請(qǐng)參閱圖4B與圖4C，之后，由一半固化膠片3 1 4，，壓合承載基板3 2 0于第二線路層3 1 2b 上，其中第 一 線路層3 1 2 a相對(duì)于第二線路層3 1 2 b。請(qǐng)參閱圖4C與圖4D，在壓合承載基板3 2 O之后， 半固化膠片3 1 4，會(huì)固化而變成絕緣層3 1 4。
請(qǐng)參閱圖4 D與圖4 E ，接著，移除承載基板3 2 0 ，以暴露出低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6 。如此，線路基
板3 1 Q得以形成。此外，在本實(shí)施例中，移除承載
基板3 2 Q的方法可包括蝕刻工藝。
請(qǐng)參閱圖4E與圖4F，在形成線路基板3 1 0之 后，對(duì)低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6照射激光束L 2 ，以形成 至少 一 盲孔B 3 ，其中盲孔B 3從低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6延伸至第二線路層3 1 2b。在盲孔B3形成之后， 可以對(duì)盲孔B 3進(jìn)行去膠渣，以去除在盲孔B 3內(nèi)的膠 渣，并清潔盲孔B3所暴露的第二線路層312b的表 面。
請(qǐng)參閱圖4F與圖4G，在形成盲孔B3之后，可 移除低熱傳導(dǎo)材料層3 1 6 ，而低熱傳導(dǎo)材料層3 1
186的移除方法可以包括蝕刻工藝或研磨法。
請(qǐng)參閱圖4 G與圖4 H ，接著，可進(jìn)行填孔電鍍工 藝。如此，導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)3 3 0 、第 一 線路層3 1 2 a 以及第二線路層3 1 2 b得以形成，而 一 種電路板3 0 0基本上己制造完成。雖然圖4 H所示的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu) 3 3 0填滿整個(gè)盲孔B 3 ，但是在其它未繪示的實(shí)施例 中，導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)3 3 0也可以僅覆蓋盲孔B3的孔壁 而未填滿盲孔B 3 。因此，圖4 H所示的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu) 3 3 0僅為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。
必須注意的是，圖4 H所示的電路板3 0 0是 一 種 具有二層以上線路的多層電路板。然而，本實(shí)施例亦 可以應(yīng)用在制造僅具有二層線路的雙面電路板，而熟 悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域者能根據(jù)圖4A至圖4H以及上
述的內(nèi)容輕易地理解如何將本實(shí)施例的利用激光形成
電路板的盲孔的方法應(yīng)用在制造雙面電路板因此，
在此強(qiáng)調(diào)圖4A至圖4 H僅為舉例說(shuō)明，并非限定本
發(fā)明
綜上所述，本發(fā)明由低熱傳導(dǎo)材料層以使激光束
能加熱以汽化絕緣層。如此，低熱傳導(dǎo)材料層與第
導(dǎo)電層或第線路層)得以向外爆開而形成盲孔
相較于己知利用黑化處理的激光鉆孔工藝而、.-，本發(fā)
明的第導(dǎo)電層(或第 一 線路層)的表面較為平坦，厚度也較為均勻如此，
定性，進(jìn)而提高電路板工
次由于本發(fā)明能
因此第導(dǎo)電層的厚度不
能適用于厚度較薄的第一
少電路板的整體厚度，以
勢(shì)
雖然本發(fā)明已以實(shí)施
限定本發(fā)明，任何所屬技
在不脫離本發(fā)明的精神和
與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保
界定的為準(zhǔn)
本發(fā)明能大幅提升工藝的穩(wěn)
藝的良率。
不靠黑化處理而形成盲孔，
需要超過(guò)6微米故本發(fā)明
導(dǎo)電層。如此，本發(fā)明能減
滿足現(xiàn)今電路板薄型化的趨
例揭露如上然并非用以
術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，
范圍內(nèi)，當(dāng)可作匙許的更動(dòng)
護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所
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權(quán)利要求
1、一種利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，包括提供一基板，其包括一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層以及一配置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的絕緣層；沉積一低熱傳導(dǎo)材料層于該第一導(dǎo)電層上，其中該低熱傳導(dǎo)材料層的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于該第一導(dǎo)電層的熱傳導(dǎo)系數(shù)；以及對(duì)該低熱傳導(dǎo)材料層照射一激光束，以形成至少一盲孔，其中該盲孔從該低熱傳導(dǎo)材料層延伸至該第二導(dǎo)電層。
2、如權(quán)利要求1所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，其中該低執(zhí)傳導(dǎo)材料層的材質(zhì)是選自于由鋅、鎳、鉻以及錫所:組,成的族群<
3、如權(quán)利要求1所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，中該第導(dǎo)電層的厚度小于6微米
4、如權(quán)利要求1所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，中在沉積該低熱傳導(dǎo)材料層之后，該低熱傳導(dǎo)材料層全面性覆蓋該第-■導(dǎo)電層
5、如權(quán)利要求1所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，其中在沉積該低執(zhí) "、、傳導(dǎo)材料層之后，該低熱傳導(dǎo)材料層局部覆蓋該第--導(dǎo)電層。
6、如權(quán)利要求1所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，其中在形成該盲孔之后，還包括移除該低熱傳導(dǎo)材料層。
7、一種利用激光形成電路板的盲孔的方法， 其特征在于，包括形成一線路基板，其包括 一 第 一 線路層、—— 線路層、一配置于該第 一 線路層與該第二線路層之間的絕緣層以及1配置于該第 一 線路層上的低執(zhí) /、"傳導(dǎo)材料層，其中該第 一 線路與該第二線路內(nèi)埋于該絕緣層內(nèi)，且該第 一 線路的表面與該絕緣層的表面實(shí)質(zhì)上切齊，該低熱傳導(dǎo)材料層的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于該第一線路層的熱傳導(dǎo)系數(shù)；以及對(duì)該低熱傳導(dǎo)材料層照射 一 激光束，以形成至少—盲孔，其中該盲孔從該低熱傳導(dǎo)材料層延伸至該第線路層
8、如權(quán)利要求7所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，其特征在于，其中形成該線路基板的方法包括在承載基板上依序沉積該低熱傳導(dǎo)材料層與一第一導(dǎo)電層圖案化該第一導(dǎo)電層，以形成該第 一 線路層；由一半固化膠片，壓合該承載基板于該第二線路層上，苴 z 、中該第線路層相對(duì)于該第二線路層；以及移除該承載基板，以暴露出該低熱傳導(dǎo)材料層。
9、 如權(quán)利要求7所述的利用激光形成電路板的盲孔的方法，特征在于，其中該低熱傳導(dǎo)材料層的材質(zhì)是選白于由鋅、鎳、鉻以及錫所組成的族群。
10、如權(quán)利要求7所述的利用激光制作電路板的盲孔的方法，特征在于，其中在形成該盲孔之后，還包括移除該低執(zhí)傳導(dǎo)材料層。
全文摘要
一種利用激光形成電路板的盲孔的方法。首先，提供一基板，其包括一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層以及一配置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的絕緣層。接著，沉積一低熱傳導(dǎo)材料層于第一導(dǎo)電層上，而低熱傳導(dǎo)材料層的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第一導(dǎo)電層的熱傳導(dǎo)系數(shù)。之后，對(duì)低熱傳導(dǎo)材料層照射一激光束，以形成至少一從低熱傳導(dǎo)材料層延伸至第二導(dǎo)電層的盲孔。由此盲孔，以制造電路板的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101466199SQ20071016217
公開日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者李介民, 陳俊謙 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司