專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，涉及驅(qū)動(dòng)被排列的多個(gè)發(fā)光二極管各 個(gè)的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
作為打印機(jī)等中使感光體感光的部件，有使用把發(fā)光二極管(以下稱(chēng)為
"LED")進(jìn)行直線排列的LED陣列。作為驅(qū)動(dòng)這樣的LED陣列的各LED的 驅(qū)動(dòng)電路，例如有在專(zhuān)利文獻(xiàn)l、 2等中記載的驅(qū)動(dòng)電路。
圖3表示現(xiàn)有的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一例的電路結(jié)構(gòu)圖。該驅(qū)動(dòng)電路 是^f皮半導(dǎo)體集成化了的。
在該圖中，在運(yùn)算放大器10的反相輸入端子上由基準(zhǔn)電壓源11施加了 基準(zhǔn)電壓Vref。運(yùn)算放大器10的輸出端子連接p溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以 下簡(jiǎn)稱(chēng)為"MOS晶體管")M0的柵極，同時(shí)連接p溝道MOS晶體管Ml的 柵極，另外，通過(guò)^^擬開(kāi)關(guān)等的開(kāi)關(guān)12、 13連接p溝道MOS晶體管M2、 M3的柵極。MOS晶體管M0、 Ml、 M2、 M3的源極連接電源Vddl。 MOS晶 體管M0、 Ml構(gòu)成電流反射鏡電路，在開(kāi)關(guān)12、 13接通時(shí)MOS晶體管M0 與MOS晶體管Ml ~M3 —起構(gòu)成電流反射鏡電路。
MOS晶體管M0的漏極連接運(yùn)算放大器10的非反相輸入端子，同時(shí)通過(guò) 電阻Rl接地。MOS晶體管Ml、 M2、 M3的漏極共同連接n溝道MOS晶體 管M4的漏極。開(kāi)關(guān)12、 13，根據(jù)從端子14a、 14b各個(gè)供給的亮度控制用的 開(kāi)關(guān)控制信號(hào)切換導(dǎo)通/關(guān)斷。
MOS晶體管M4的漏極共同連接n溝道MOS晶體管M4、 M5的柵極， MOS晶體管M4、 M5的源極接地，MOS晶體管M4、 M5構(gòu)成電流反射鏡電 路。
MOS晶體管M5的漏極連接p溝道MOS晶體管M6的柵極和漏極。MOS 晶體管M6的柵極通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)等的開(kāi)關(guān)15、 16各個(gè)連接p溝道MOS晶體管M7、 M8的柵極。MOS晶體管M6、 M7、 M8的源極連接電源Vdd2， MOS晶 體管M7、 M8的漏極連接LED (發(fā)光二極管)18的陽(yáng)極，LED 18的陰極接地。
開(kāi)關(guān)15、 16，根據(jù)從端子17a、 17b備個(gè)供給的灰度控制用的開(kāi)關(guān)控制信 號(hào)切換導(dǎo)通/關(guān)斷。MOS晶體管M7、 M8，在開(kāi)關(guān)15、 16接通時(shí)和MOS晶體 管M6構(gòu)成電流反射鏡電^各。開(kāi)關(guān)15在使LED18發(fā)光的定時(shí)接通，開(kāi)關(guān)16 在使LED18的發(fā)光亮度增大進(jìn)行灰度表現(xiàn)的場(chǎng)合接通。
運(yùn)算放大器IO，使通過(guò)基準(zhǔn)電壓Vref和電阻Rl，用(1)式表示的第一 基準(zhǔn)電流Irefl流入MOS晶體管M0的漏極，如果MOS晶體管M0、 Ml的柵 極面積比為1: A，則電流A x Irefl流過(guò)MOS晶體管M4的漏極(開(kāi)關(guān)13接 通的狀態(tài))。
Irefl =Vref/Rl …(l)
在MOS晶體管Ml和MOS晶體管M2、 M3的柵極面積比為10: 1的場(chǎng) 合，當(dāng)使開(kāi)關(guān)12接通來(lái)使MOS晶體管M2導(dǎo)通時(shí)，在MOS晶體管Ml的漏 極電流上加上MOS晶體管M2的漏極電流成為MOS晶體管M4的漏極電流 (1.1 x Axlrefl )。另外，當(dāng)使開(kāi)關(guān)12、 13接通來(lái)使MOS晶體管M2、 M3導(dǎo) 通時(shí)，在MOS晶體管Ml的漏極電流上加上MOS晶體管M2、 M3的漏極電 流成為MOS晶體管M4的漏極電流(1.2 x A x Irefl )。因?yàn)樵揗OS晶體管 M4的漏極電流成為第二基準(zhǔn)電流來(lái)決定MOS晶體管M5、 M6的漏才及電流， 所以不管灰度表現(xiàn)，流過(guò)LED18的電碌通過(guò)開(kāi)關(guān)12的接通成為1.1倍，而使 LED18的發(fā)光亮度成為約1.1倍，通過(guò)開(kāi)關(guān)12、 13的接通成為1.2倍，而使 LED18的發(fā)光亮度成為約1.2倍。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特許第3296882號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特許第2516236號(hào)公報(bào)
在現(xiàn)有的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路中，與MOS晶體管Ml并列地設(shè)置開(kāi)關(guān)12 以及MOS晶體管M2、 M3,通過(guò)進(jìn)行開(kāi)關(guān)12、 13的接通/關(guān)斷控制，來(lái)調(diào)整 LED18的發(fā)光亮度。
在該場(chǎng)合，當(dāng)要更細(xì)致地調(diào)整LED18的發(fā)光亮度時(shí)，必須使與MOS晶 體管Ml并列地設(shè)置的開(kāi)關(guān)以及MOS晶體管的級(jí)數(shù)從十幾級(jí)增加到幾十級(jí)， 有電路規(guī)模變大這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題做出的，其目的是提供一種發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路， 其能夠高精度地調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且還能夠抑制電路規(guī)模的增 大。
本發(fā)明的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，由生成基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流部、和使用 電流反射鏡電路生成基于所述基準(zhǔn)電流的驅(qū)動(dòng)電流供給發(fā)光二極管的電流輸 出部組成，
所述基準(zhǔn)電流部，
具有
運(yùn)算放大器，其控制所述基準(zhǔn)電流以使通過(guò)所述基準(zhǔn)電流流過(guò)電阻電路 發(fā)生的電壓和固定的基準(zhǔn)電壓變得相同；和
基準(zhǔn)電流切換電路，其為與基準(zhǔn)電阻并聯(lián)多個(gè)電阻和晶體管的串聯(lián)電路 形成的電阻電路，根據(jù)控制信號(hào)使所述串聯(lián)電路的晶體管導(dǎo)通或者關(guān)斷來(lái)切換 通過(guò)所述基準(zhǔn)電流的流動(dòng)發(fā)生的電壓，并切換所述基準(zhǔn)電流，
由此，能夠高精度地調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且能夠抑制電路規(guī) 模的增大。
在所述發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路中，
所述多個(gè)串聯(lián)電路的電阻可以具有與所述基準(zhǔn)電阻不同的電阻值。 根據(jù)本發(fā)明，能夠高精度地調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且能夠抑f'J 電路規(guī)模的增大。


圖1是使用本發(fā)明的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的LED陣列裝置的一個(gè)實(shí)施形 態(tài)的方塊結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的電路結(jié)構(gòu)圖。 圖3是現(xiàn)有的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一例的電路結(jié)構(gòu)圖。 符號(hào)說(shuō)明
30運(yùn)算放大器
31基準(zhǔn)電壓源電路
33基準(zhǔn)電流部
534、 35電壓源 _ 36、 38、 40開(kāi)關(guān) 44電流輸出部 45 LED
Mil ~M33 MOS晶體管 R11-R23電阻 Vddl、 Vdd2電源
具體實(shí)施例方式
下面才艮據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。 <LED陣列驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)>
圖1表示使用本發(fā)明的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的LED陣列裝置的一個(gè)實(shí)施 形態(tài)的方塊結(jié)構(gòu)圖。該LED陣列裝置例如是48通道結(jié)構(gòu)。
在該圖中，在移位寄存器20中，對(duì)于1通道例如以48通道數(shù)量的時(shí)間 序列供給6位的發(fā)光時(shí)間數(shù)據(jù)、該數(shù)據(jù)在移位寄存器20中被順序移位并被鎖 存后，被供給脈寬調(diào)制電路22。該脈寬調(diào)制電路22,對(duì)于每一通道生成用發(fā) 光時(shí)間數(shù)據(jù)指示的脈寬的發(fā)光脈沖，向LED陣列驅(qū)動(dòng)電路26供給48通道數(shù) 量的發(fā)光脈沖。
給移位寄存器24對(duì)于1通道例如以48通道數(shù)量的時(shí)間序列供給6位的 發(fā)光時(shí)間數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)我移位寄存器24中被順序移位并被鎖定中，被供給LED 陣列驅(qū)動(dòng)電^各26。 LED陣列驅(qū)動(dòng)電路26,對(duì)于每一通道解碼發(fā)光亮度數(shù)據(jù)， 生成n系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，通過(guò)上述n系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)決定對(duì)于每通道 用發(fā)光脈沖使之導(dǎo)通的MOS晶體管。LED陣列驅(qū)動(dòng)電路26以通道單位驅(qū)動(dòng) 構(gòu)成LED陣列28的48通道的LED。
<發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)>
圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的電路結(jié)構(gòu)圖。該 驅(qū)動(dòng)電路被半導(dǎo)體集成電路化了 。
在該圖中，給運(yùn)算放大器30的反相輸入端子上通過(guò)基準(zhǔn)電壓源電路31 施加基準(zhǔn)電壓Vref。運(yùn)算放大器30的輸出端子連接p溝道MOS晶體管Mll、 M12各個(gè)的柵極。MOS晶體管Mll、 M12各自的源極分別通過(guò)Rll、 R12連接電源Vddl構(gòu)成電流反射鏡電路。MOS晶體管Mll、 M12各自的漏極分別 連接p溝道MOS晶體管M13 、 M14的源極。
MOS晶體管M13、M14的柵極共同連接到MOS晶體管M13的漏極構(gòu)成 電流反射鏡電路。MOS晶體管M13的漏極連接運(yùn)算放大器30的非反相輸入 端子，同時(shí)連接電阻13、 R14、 R15、 R16各個(gè)的一端。電阻13的另一端接地。
MOS晶體管M11-M14,通過(guò)做成級(jí)聯(lián)電流反射鏡電路的結(jié)構(gòu)，MOS 晶體管Ml 1 、 Ml2的漏極電位大體相同，在柵極面積相同的場(chǎng)合，MOS晶體 管M13、 M14的漏極電流大體相同。
電阻R14、 R15、 R16各自的另一端連接n溝道MOS晶體管M31、 M32、 M33的漏極，MOS晶體管M31、 M32、 M33的源極接地。從端子32a、 32b、 32c給MOS晶體管M31、 M32、 M33的柵極供給亮度控制用的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。
MOS晶體管M14的漏極連接n溝道MOS晶體管M15的漏極。MOS晶 體管M15的柵極連接n溝道MOS晶體管M16的柵極構(gòu)成電流反射鏡電流。
MOS晶體管M15、 M16各自的源極分別連接n溝道MOS晶體管M17、 M18的漏極。MOS晶體管M17、 M18的柵極共同連接MOS晶體管M15的漏 極構(gòu)成電流反射鏡電路，MOS晶體管M17、 M18的源極接地。
MOS晶體管M15-M18,通過(guò)做成級(jí)聯(lián)電流反射鏡電路的結(jié)構(gòu)，MOS 晶體管M15、 M16的源極電位大體相同，在柵極面積相同的場(chǎng)合，MOS晶體 管M15、 M16的漏極電流大體相同。另外，通過(guò)在MOS ,體管M15、 M16 的柵極上用電壓源34施加定電壓Va， MOS晶體管M17、 M18的漏極電位成 為Va-Vgsl ( Vgsl是n溝道MOS晶體管的柵極 漏極間電壓)。
上述的運(yùn)算放大器30、基準(zhǔn)電壓源電路31、 MOS晶體管M11-M15以 及M17,構(gòu)成了基準(zhǔn)電流部33。運(yùn)算放大器30,差動(dòng)放大通過(guò)MOS晶體管 M13的漏極電流流過(guò)電阻R13、 R14、 R15、 R16產(chǎn)生的MOS晶體管M13的 漏極電壓和來(lái)自基準(zhǔn)電壓源電路31的基準(zhǔn)電壓Vref，使兩者成為相同那樣來(lái) 控制MOS晶體管Mil的漏極電流，使一定的基準(zhǔn)電流Iref流過(guò)MOS晶體管 M13的漏極。另外，通過(guò)電流反射鏡電路，與基準(zhǔn)電流Iref成比例的電流流過(guò) MOS晶體管M16的漏極。
MOS晶體管M16的漏極連接p溝道MOS晶體管M22的漏極。MOS晶
7體管M22的源極連4妻p溝道MOS晶體管M21的漏極。MOS晶體管M21的 源極通過(guò)電阻R15連4^電源Vdd2。
MOS晶體管M21的柵極連接MOS晶體管M22的漏極，同時(shí)，通過(guò)模 擬開(kāi)關(guān)等的開(kāi)關(guān)36、 38、 40連接p溝道MOS晶體管M23、 M25、 M27的柵 極。當(dāng)開(kāi)關(guān)36、 38、 40接通時(shí)，MOS晶體管M23、 M25、 M27的柵極電位與 MOS晶體管M21的柵極電壓相同，MOS晶體管M23、 M25、 M27導(dǎo)通，當(dāng) 開(kāi)關(guān)36、 38、 40關(guān)斷時(shí)，MOS晶體管M23、 M25、 M27的柵極電位為電源電 壓Vdd2, MOS晶體管M23、 M25、 M27關(guān)斷。
MOS晶體管M23、 M25、 M27各自的源極分別通過(guò)電阻R21、 R22、 R23 連接電源Vdd2, MOS晶體管M23、 M25、 M27在開(kāi)關(guān)36、 38、 40接通時(shí)和 MOS晶體管M21構(gòu)成電流反射鏡電路。
MOS晶體管M22的柵極連接p溝道MOS晶體管M24、 M26、 M28的柵 極。MOS晶體管M23、 M25、 M27各自的漏極分別連接MOS晶體管M24、 M26、 M28的源極，MOS晶體管M22、 M24、 M26、 M28構(gòu)成電流反射鏡電 路。
MOS晶體管M21 M28,通過(guò)做成級(jí)聯(lián)電流反射鏡電路的結(jié)構(gòu)，MOS 晶體管M21、 M23、 M25、 M27的漏極電位大體相同，在柵極面積相同的場(chǎng)合， MOS晶體管M22、 M24、 M26、 M28的漏極電流大體相同。這里，為進(jìn)行灰 度表現(xiàn)，，例如相對(duì)于MOS晶體管M21、 M22的4冊(cè)極面積，分別讓MOS晶體 管M23、 M24的柵極面積為6倍，MOS晶體管M25、 M26的柵極面積為3倍， MOS晶體管M27、 M28的柵極面積為2倍，來(lái)使柵極面積各異。
另夕卜，在MOS晶體管M22、 M24、 M26、 M28的柵極上通過(guò)電壓源35 施加定電壓Vb,使MOS晶體管M22、 M24、 M26、 M28的源極電位為Vb屮 Vgs2 ( Vgs2是p溝道MOS晶體管的柵極 漏極間電壓)。
開(kāi)關(guān)36、 38、 40各自根據(jù)分別從端子37、 39、 41供給的n (這里n-3 ) 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)進(jìn)行切換導(dǎo)通/關(guān)斷。另外，n不限于3。 MOS晶體管M24、 M26、 M28的漏極連接LED45的陽(yáng)極，LED45的陰極接地。
這里，開(kāi)關(guān)36、 38、 40關(guān)斷時(shí)MOS晶體管M23、 M25、 M27關(guān)斷，LED45 不流過(guò)電流。當(dāng)開(kāi)關(guān)36接通時(shí)MOS晶體管M23的漏極電流流過(guò)LED45,當(dāng)
8開(kāi)關(guān)36、 38接通時(shí)MOS晶體管M23、 M25的漏極電流的和流過(guò)LED45,當(dāng) 開(kāi)關(guān)36、 38、 40接通時(shí)MOS晶體管M23、 M25、 M27的漏極電流的和流過(guò) LED45,流過(guò)LED45的電流越大，發(fā)光亮度越大。
上述的開(kāi)關(guān)36、 38、 40、 MOS晶體管M16、 M18 ~ M28構(gòu)成1通道的電 流輸出部44, 48通道的同 一結(jié)構(gòu)的電流輸出部44被連接在基準(zhǔn)電流部33。 各通道的電流輸出部44驅(qū)動(dòng)各自連接的LED45 ( LED陣列28的一部分)。
<發(fā)光二極管的亮度調(diào)整>
這里，電阻R13、 R14、 R15、 R16各個(gè)的電阻值的比，如取1: 2: 4: 8。 在來(lái)自端子32a ~ 32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)都是低電平時(shí)，MOS晶體管M31 ~M33 關(guān)斷，MOS晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13接地。
在來(lái)自端子32a的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)是高電平時(shí)MOS晶體管M31導(dǎo)通，MOS 晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13和電阻R14的并聯(lián)^妄地。同樣，在來(lái)自端子 32b的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)是高電平時(shí)MOS晶體管M32導(dǎo)通，MOS晶體管M13的 漏極通過(guò)電阻R13和電阻R15的并聯(lián)接地，在來(lái)自端子32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào) 是高電平時(shí)，MOS晶體管M33導(dǎo)通，MOS晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13 和電阻Rl 6的并聯(lián)4妄地。
另外，在來(lái)自端子32a、 32b的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)是高電平時(shí)MOS晶體管M31 、 M32導(dǎo)通，MOS晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13和電阻R14和R15的并聯(lián) 接地，在來(lái)自端子32b、 32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)泉高電平時(shí)MOS晶體管M32、 M33導(dǎo)通，MOS晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13和電阻R15和電阻R16的 并聯(lián)d妄地，在來(lái)自端子32a、32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)是高電平時(shí)MOS晶體管M31、 M33導(dǎo)通，MOS晶體管M13的漏才及通過(guò)電阻R13和電阻R14和電阻R16的 并聯(lián)^接地，在來(lái)自端子32a、 32b、 32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)是高電平時(shí)MOS晶體 管M31、 M32、 M33導(dǎo)通，MOS晶體管M13的漏極通過(guò)電阻R13和電阻R14 和電阻Rl5和電阻Rl6的并聯(lián)接地。
亦即，可以把MOS晶體管M13的漏極電阻最大做成電阻R13、最小做 成(R13〃R14〃R15〃R16)。另外，R13〃R14〃R15〃R16表示電阻R13、 R14、 R15、 R16的并聯(lián)的合成電阻。
由此，流過(guò)MOS晶體管M13的漏極的第一基準(zhǔn)電流Iref的最小值Iref(min)
9用(2)式表示，最大值Iref(max)用(3)式表示。 Iref(min) = Vref/R13 …(2) Iref(max) = Vref7 (R13〃 R14〃 R15〃 R16 )…(3)
在本發(fā)明中，通過(guò)來(lái)自端子32a ~ 32c的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)調(diào)整流過(guò)MOS晶 體管M13的漏極的第一基準(zhǔn)電流Iref,以使LED45的發(fā)光亮度為希望值。
在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)要更細(xì)致地調(diào)整LED18的發(fā)光亮度時(shí)，必須把與MOS 晶體管Ml并列設(shè)置的MOS晶體管的級(jí)數(shù)從十幾級(jí)增加到幾十級(jí)，但是在本 發(fā)明中使用MOS晶體管M31、 M32、 M33和電阻R14、 R15、 R16的簡(jiǎn)單的 結(jié)構(gòu)，假定開(kāi)關(guān)信號(hào)的位數(shù)為N時(shí)就能夠進(jìn)行2"種的亮度調(diào)整。
另外，電阻R13與權(quán)利要求所述的基準(zhǔn)電阻相當(dāng)，電阻R13-R16、 MOS 晶體管M31 ~ M33與電阻電路和基準(zhǔn)電流切換電路相當(dāng)。
以上詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于這樣的特定 的實(shí)施形態(tài)，在權(quán)利要求的范圍內(nèi)記載的本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種 變形 變更。
本申請(qǐng)要求基于2006年6月21日提交的日本國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第2006— 171848號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在本申請(qǐng)中通過(guò)參照引用該日本申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，其由生成基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流部、和使用電流反射鏡電路生成基于所述基準(zhǔn)電流的驅(qū)動(dòng)電流供給發(fā)光二極管的電流輸出部組成，其特征在于，所述基準(zhǔn)電流部，具有運(yùn)算放大器，其控制所述基準(zhǔn)電流以使通過(guò)所述基準(zhǔn)電流流過(guò)電阻電路而發(fā)生的電壓和一定的基準(zhǔn)電壓變得相同；和基準(zhǔn)電流切換電路，其為與基準(zhǔn)電阻并聯(lián)多個(gè)電阻和晶體管的串聯(lián)電路所形成的電阻電路，它根據(jù)控制信號(hào)使所述串聯(lián)電路的晶體管導(dǎo)通或者關(guān)斷來(lái)切換由于流過(guò)所述基準(zhǔn)電流而發(fā)生的電壓，并切換所述基準(zhǔn)電流。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述多個(gè)串4關(guān)電^各的電阻的電阻值與所述基準(zhǔn)電阻不同。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，其能夠高精度地調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且能夠抑制電路規(guī)模的增大。發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，由生成基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流部、和使用電流反射鏡電路生成基于基準(zhǔn)電流的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)供給發(fā)光二極管的電流輸出部組成，基準(zhǔn)電流部具有運(yùn)算放大器，其控制基準(zhǔn)電流以使通過(guò)基準(zhǔn)電流流過(guò)電阻電路發(fā)生的電壓和一定的基準(zhǔn)電壓變得相同；和基準(zhǔn)電流切換電路，其為與基準(zhǔn)電阻并聯(lián)多個(gè)電阻和晶體管的串聯(lián)電路形成的電阻電路，它根據(jù)控制信號(hào)使所述串聯(lián)電路的晶體管導(dǎo)通或者關(guān)斷來(lái)切換通過(guò)基準(zhǔn)電流的流動(dòng)發(fā)生的電壓，并切換基準(zhǔn)電流。
文檔編號(hào)H05B37/02GK101473456SQ20078002247
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月21日
發(fā)明者山口公一, 鈴木大介 申請(qǐng)人:三美電機(jī)株式會(huì)社