專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
在顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光裝置具有諸如快速響應(yīng)時(shí)間和低功耗之類 的優(yōu)點(diǎn)。而且，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光裝置不需要背光單元，所以有機(jī)發(fā)光裝置 可以制造得薄且輕。
有機(jī)發(fā)光裝置包括發(fā)射單元，該發(fā)射單元包括位于陽(yáng)電極與陰電極 之間的有機(jī)發(fā)射層。有機(jī)發(fā)光裝置通過(guò)結(jié)合從陽(yáng)電極接收的空穴和從陰 電極接收的電子而在有機(jī)發(fā)射層內(nèi)形成激子(該激子為電子空穴對(duì))，并 通過(guò)激子恢復(fù)到基態(tài)能級(jí)時(shí)產(chǎn)生的能量而發(fā)射光
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題
有機(jī)發(fā)光裝置由于從各個(gè)亞像素發(fā)射的光而顯示圖像，并且從外部 進(jìn)入的光入射在有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光面板上。然而，因?yàn)槿肷湓诎l(fā)光面 板上的光與從發(fā)光面板發(fā)射的光發(fā)生干涉，所以有機(jī)發(fā)光裝置的對(duì)比度 被降低了。
技術(shù)方案
有機(jī)發(fā)光裝置包括顯示面板和偏光器，該偏光器位于所述顯示面板 上并包括延遲器和偏光膜。所述偏光膜包括基層和位于該基層內(nèi)的屏蔽
(shielding)圖案。所述屏蔽圖案靠近所述顯示面板的區(qū)域比所述屏蔽 圖案遠(yuǎn)離所述顯示面板的區(qū)域大。所述屏蔽圖案形成在所述顯示面板的 非發(fā)射區(qū)域中。 有利效果由于根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置包括屏蔽圖案，因此從外 界進(jìn)入的光被屏蔽，從而提高了對(duì)比度。入射在有機(jī)發(fā)光裝置上的外部 光消失，從而改善了圖像質(zhì)量。


附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說(shuō)明書一起來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原 理，包含附圖是為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，并且這些附圖結(jié)合在本說(shuō)明書 中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。在附圖中-
圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的側(cè)剖視圖2是圖1的部分Z的放大視圖3和圖4是在根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中圖1的
部分Z的放大視圖5至圖7是根據(jù)示例性實(shí)施方式的偏光膜的立體圖；以及
圖8是根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將對(duì)在附圖中示出的發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的側(cè)剖視圖。
如圖1所示，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置包括有機(jī)發(fā)光面
板100和位于該有機(jī)發(fā)光面板100的發(fā)射表面上的偏光器170。
偏光器170包括延遲器175和位于該延遲器175上的偏光膜180。 偏光膜180包括基層180a和屏蔽圖案180b?；鶎?80a可以包含碘類材 料或染料類材料。屏蔽圖案180吸收或反射從外界進(jìn)入的光。屏蔽圖案 180可以成形為類似楔形。因此，屏蔽圖案180靠近有機(jī)發(fā)光面板100的 區(qū)域可以比屏蔽圖案180遠(yuǎn)離有機(jī)發(fā)光面板100的區(qū)域大。屏蔽圖案180 可具有諸如圓錐形和四棱錐形之類的角形和諸如柱形和四棱柱之類的棱 柱形狀。
附著層177a和177b可位于有機(jī)發(fā)光面板100與延遲器175之間或 延遲器175與偏光膜180之間。圖2是圖1的部分Z的放大視圖。
如圖2所示，設(shè)有第一基板110。第一基板110可以由玻璃、塑料 或金屬形成。第一電極150位于第一基板110上。第一電極150可以是 陽(yáng)電極。第一電極150可以包括諸如氧化銦錫(ITO)層之類的透明導(dǎo)電 氧化層。存儲(chǔ)層(bank layer) 155位于第一電極150上，以露出第一電 極150的一部分并限定發(fā)射區(qū)域。第一電極150由存儲(chǔ)層155露出的區(qū) 域限定為發(fā)射區(qū)域E。除了發(fā)射區(qū)域E之外的區(qū)域限定為非發(fā)射區(qū)域N。 換言之，存儲(chǔ)層155可沿著發(fā)射區(qū)域E的外側(cè)形成，并且存儲(chǔ)層155的 邊緣可以傾斜而具有漸縮形狀。
倒梯形(trapper-shaped)阻擋肋163可位于存儲(chǔ)層155上。有機(jī) 發(fā)射層160位于第一電極150由存儲(chǔ)層155露出的區(qū)域上，第二電極165 位于有機(jī)發(fā)射層160上。第二電極165可以是陰電極。第二電極165可 以通過(guò)阻擋肋163而形成圖案。第二電極165可以由諸如鋁(Al)、鎂(Mg) 和銀(Ag)之類的具有低功函數(shù)和優(yōu)良反射率的材料形成。有機(jī)發(fā)射層 160從第一電極150接收空穴并從第二電極165接收電子而形成激子。因 而，有機(jī)發(fā)光裝置由于激子恢復(fù)到基態(tài)能級(jí)時(shí)產(chǎn)生的光而顯示圖像。
上面形成有有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的第一基板110可以附著到第 二基板167，以防止有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)受到外部潮氣和氧氣的影響。
從有機(jī)發(fā)射層160發(fā)射的光被第二電極165反射，因而有機(jī)發(fā)射層 160沿著第一基板110的后方向發(fā)射光。因此，根據(jù)該示例性實(shí)施方式的 有機(jī)發(fā)光裝置為底部發(fā)射型裝置。
偏光器170位于第一基板110的后表面上。附著層177a可以位于有 機(jī)發(fā)光面板100與偏光器170之間。
偏光器170可以包括延遲器175以及包括基層180a和屏蔽圖案180b 的偏光膜180。
延遲器175可以是四分之一波片。延遲器175使從外界進(jìn)入的光波 的相位或從有機(jī)發(fā)光面板100發(fā)射的光波的相位延遲四分之一個(gè)波長(zhǎng)。
偏光膜180位于延遲器175上。附著層177b可以位于延遲器175與 偏光膜180之間?；鶎?80a可以包括碘類材料或染料類材料。更具體地說(shuō)，通過(guò)根據(jù) 由其分子結(jié)構(gòu)確定的偏光方向拉伸均具有不同光吸收特性的碘類材料或 染料類材料并將被拉伸的碘類材料或染料類材料沿著一個(gè)方向排列可以 制成基層180a。為了在可見光的整個(gè)區(qū)域都能夠獲得偏光特性，基層180a 可以包括均具有不同吸收區(qū)域的碘類材料或兩種或更多種二色性染料類 材料。
基層180a的最大有效偏光值可以調(diào)整成與面板100的發(fā)光度曲線中 的最大值相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)或與外部光波的最大強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。
基層180a的透射率和極化率在紅色、綠色和藍(lán)色波長(zhǎng)中彼此之間可 以不同。例如，基層180a的透射率可以增加，而基層180a的極化率在 紅色和綠色波長(zhǎng)中可以降低?；鶎?80a的透射率和極化率可以調(diào)節(jié)成與 紅色、綠色和藍(lán)色的亞像素的壓力電壓相比光效率最大。
屏蔽圖案180b位于基層180a內(nèi)部。屏蔽圖案180b可以形成在與位 于非發(fā)射區(qū)域N中的存儲(chǔ)層155相對(duì)應(yīng)的位置處。由于發(fā)射區(qū)域E是指 第一電極150的露出區(qū)域，即有機(jī)發(fā)射層160與第一電極150的接觸區(qū) 域，因此屏蔽區(qū)域180b可以形成在存儲(chǔ)層155的傾斜區(qū)域中。
屏蔽圖案180b的下部部分的區(qū)域可以與屏蔽圖案180b的上部部分 的區(qū)域不同。例如，屏蔽圖案180b可以具有諸如圓錐形、三棱錐和四棱 錐之類的角形、諸如柱形和四棱柱之類的棱柱形、或者楔形形狀。屏蔽 圖案180b形成在基層180a的內(nèi)部，使得屏蔽圖案180b靠近有機(jī)發(fā)光面 板100的區(qū)域比屏蔽圖案180b遠(yuǎn)離有機(jī)發(fā)光面板100的區(qū)域大。
屏蔽圖案180b可以是不透明的。具體地說(shuō)，屏蔽圖案180b的顏色 可以是黑色的。屏蔽圖案180b可以包含碳黑、碳納米管、氧化硅或氮化 硅。因此，屏蔽圖案180b可以具有光吸收性質(zhì)或光屏蔽性質(zhì)。屏蔽圖案 180b還可以包含金屬粉末。如果屏蔽圖案180b包括金屬粉末，則屏蔽圖 案180b可以具有電磁干涉屏蔽功能。
因而，當(dāng)從外界進(jìn)入的光入射在有機(jī)發(fā)光裝置上時(shí)，入射光的一部 分在偏光膜180的屏蔽圖案180b中被吸收或者被屏蔽圖案180b反射。 入射光的其余部分被偏光膜180的基層180a反射而入射在延遲器170上。延遲器175使入射在延遲器175上的光延遲四分之一個(gè)波長(zhǎng)，并將 線性偏振光改變成圓形偏振光，這是因?yàn)檠舆t器175的中心軸與偏光器 170的中心軸成45度角。
接著，光穿過(guò)延遲器175的部分入射在有機(jī)發(fā)光面板100上，于是 被吸收或漫反射掉。光的其余部分穿過(guò)延遲器175并被延遲半個(gè)波長(zhǎng)。 因而，被反射的光再次穿過(guò)延遲器175而與外部光形成直角，也就是說(shuō) 沒有入射在有機(jī)發(fā)光裝置上，于是消失了。
如上所述，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置通過(guò)位于非發(fā)射區(qū) 域N的屏蔽圖案180b和延遲器175有效地吸收并屏蔽了從外界進(jìn)入的入 射光，而不會(huì)降低孔徑比，由此增加對(duì)比度并提高了有機(jī)發(fā)光裝置的圖 像質(zhì)量。
圖3和圖4是在根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中圖1的 部分Z的放大視圖。
如圖3和圖4所示，薄膜晶體管(TFT)和電連接至該薄膜晶體管(TFT) 的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)位于基板210上。
更具體地說(shuō)，半導(dǎo)體層215位于基板210上。半導(dǎo)體層215可以包 括非晶硅或多晶硅。作為柵絕緣層的第一絕緣層220位于半導(dǎo)體層215 上，柵極225位于第一絕緣層220上，以與半導(dǎo)體層215相對(duì)應(yīng)。
第二絕緣層230位于柵極225上。源極235a和漏極235b位于第二 絕緣層230上，并穿過(guò)第二絕緣層230和第一絕緣層220電連接至半導(dǎo) 體層215。
第三絕緣層240位于源極235a和漏極235b上。第三絕緣層240可 以諸如聚酰亞胺和聚丙稀類樹脂之類的有機(jī)材料、氧化硅或氮化硅。
第一電極250位于第三絕緣層240上。第一電極250可以穿過(guò)第三 絕緣層240電連接至漏極235b。第一電極250可以是陽(yáng)電極。第一電極 250可以包括反射金屬層和具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電層。
存儲(chǔ)層255位于第一電極250上。存儲(chǔ)層255提供第一電極250之 間的電絕緣，并露出第一電極250的一部分。
有機(jī)發(fā)射層260位于露出的第一電極250上。盡管沒有示出，空穴傳輸層和空穴注入層可以位于第一電極250與有機(jī)發(fā)射層260之間。此 外，電子注入層和電子傳輸層可位于有機(jī)發(fā)射層260與第二電極265之 間。
第二電極265位于有機(jī)發(fā)射層260上。第二電極265可以是透射 (transmissive)電極，并包括諸如鋁(Al)、鎂(Mg)和銀(Ag)之類 的具有低功函數(shù)的材料。
因而，有機(jī)發(fā)射層260從第一電極250接收空穴并從第二電極265 接收電子以形成激子。于是，有機(jī)發(fā)光層260由于激子恢復(fù)至基態(tài)能級(jí) 時(shí)產(chǎn)生的光而顯示圖像。從有機(jī)發(fā)射層260發(fā)射的光被第一電極250反 射，通過(guò)第二電極265透射并被發(fā)射到外界。換言之，根據(jù)示例性實(shí)施 例的有機(jī)發(fā)光裝置是頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置。
圖3的薄膜晶體管(TFT)包括半導(dǎo)體層215、第一絕緣層220、柵 極225、第二絕緣層230、源極235a、漏極235b和第三絕緣層240。雖 然在一個(gè)實(shí)施方式中給出了其中第一電極250形成在第三絕緣層240上 的實(shí)施例，但是示例性實(shí)施方式并不局限與此。例如，如圖4所示，第 一電極250可以形成在第二絕緣層230上以電連接至漏極235b。
鈍化層267位于基板210上，薄膜晶體管(TFT)和有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)位于該基板210上。鈍化層267可以以膜或封裝基板的形式形 成。鈍化層267可以包括透明材料以透射由有機(jī)發(fā)射層260產(chǎn)生的光。
偏光器270位于鈍化層267的后表面上。偏光器270可包括延遲器 275和偏光膜280，偏光膜280包括基層280a和屏蔽圖案280b。
延遲器275可以是四分之一波片。延遲器275使從外界進(jìn)入的光波 的相位或從有機(jī)發(fā)光面板200發(fā)射的光波的相位延遲四分之一個(gè)波長(zhǎng)。
偏光膜280的基層280a可以包含碘類材料或染料類材料?；鶎?80a 的最大有效偏光值可以調(diào)整成與有機(jī)發(fā)光面板200的發(fā)光度曲線中的最 大值相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)或與外部光波的最大強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。
屏蔽圖案280b位于基層280a內(nèi)部。屏蔽圖案280b可以位于非發(fā)射 區(qū)域N中。換言之，屏蔽圖案280b可以位于與存儲(chǔ)層255、薄膜晶體管 (TFT)或接觸孔245相對(duì)應(yīng)的位置處。盡管沒有示出，但是除了圖3和
9圖4所示的薄膜晶體管(TFT)之外，其他薄膜晶體管或電容器也可以位 于該非發(fā)射區(qū)域N中。
屏蔽圖案280b的形成材料的示例可包括碳黑、碳納米管、氧化硅或 氮化硅。屏蔽圖案280b還可以包含金屬粉末。如果屏蔽圖案280b包含 金屬粉末，則屏蔽圖案280b可以具有電磁干涉屏蔽功能。
屏蔽圖案280b的下部部分的區(qū)域可以與屏蔽圖案280b的上部部分 的區(qū)域不同。例如，屏蔽圖案280b可以具有諸如圓錐形、三棱錐和四棱 錐之類的角形、諸如柱形和四棱柱之類的棱柱、或者楔形形狀。屏蔽圖 案280b形成在基層280a的內(nèi)部，使得屏蔽圖案280b靠近有機(jī)發(fā)光面板 200的區(qū)域比屏蔽圖案280b遠(yuǎn)離有機(jī)發(fā)光面板200的區(qū)域大。
因此，根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置通過(guò)位于非發(fā)射區(qū)域N中 的屏蔽圖案280b和延遲器275有效地吸收并屏蔽了從外界進(jìn)入的入射 光，而不會(huì)降低孔徑比，由此增加對(duì)比度并提高圖像質(zhì)量。
圖5至圖7為根據(jù)示例性實(shí)施方式的偏光膜的立體圖。
如圖5所示，偏光膜380包括基層380a和屏蔽圖案380b。屏蔽圖 案380b可以具有沿著縱向方向布置的圖案與沿著橫向方向布置的圖案交 叉的柵格形式。
所述縱向方向可以是形成數(shù)據(jù)線的方向，而橫向方向可以是形成掃 描線的方向。
如圖6和圖7所示，屏蔽圖案480b和580b均可以包括沿著縱向方 向布置的圖案或沿著橫向方向布置的圖案。在這種情況下，屏蔽圖案480b 和580b中的每個(gè)的中心軸不必與屏蔽圖案480b和580b中的每個(gè)的基層 成直角。在一些情況下，屏蔽圖案480b和580b中的每個(gè)的中心軸可以 相對(duì)于屏蔽圖案480b和580b中的每個(gè)的基層傾斜。
圖8是根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的平面圖。 如圖8所示，根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括發(fā)射區(qū)域E和 非發(fā)射區(qū)域N。如圖2和圖3所示，發(fā)射區(qū)域E可以由亞像素SP中的存 儲(chǔ)層限定。
屏蔽圖案680b可以形成在非發(fā)射區(qū)域N中。屏蔽圖案680b沿著橫向方向的寬度W可以在10口至30口的范圍內(nèi)。通常，亞像素SP的有機(jī) 發(fā)射層利用遮光板通過(guò)真空淀積形成。為了利用遮光板在各個(gè)亞像素SP 中形成有機(jī)發(fā)射層，發(fā)射區(qū)域E之間沿著橫向方向的距離(即屏蔽圖案 680b沿著橫向方向的寬度W)可以等于或者大于10口。如果屏蔽圖案680b 沿著橫向方向的寬度W等于或小于30口，則分辨率增加。
屏蔽圖案680b沿著縱向方向的寬度H可以從50口至65口。在有源 矩陣型有機(jī)發(fā)光裝置的情況下，亞像素SP包括至少兩個(gè)薄膜晶體管和電 容器，以便驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管。在有源矩陣型有機(jī)發(fā)光裝置為底部發(fā) 射型裝置的情況下，有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光在亞像素SP中的薄膜晶體 管和電容器的形成區(qū)域中不發(fā)射到基板的外部。因而，當(dāng)發(fā)射區(qū)域E之 間沿著縱向方向的距離(例如，屏蔽圖案680b沿著縱向方向的寬度H) 等于或大于50口時(shí)，則確保了薄膜晶體管和電容器的形成區(qū)域。當(dāng)寬度 H等于或小于60口時(shí)，分辨率增加。
屏蔽圖案680b沿著縱向方向的寬度H可以在20口至40口的范圍內(nèi)。 在無(wú)源矩陣型有機(jī)發(fā)光裝置的情況下，因?yàn)閬喯袼豐P不包括用于驅(qū)動(dòng)有 機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管，因此發(fā)射區(qū)域增大。在有源矩陣型有機(jī)發(fā) 光裝置為頂部發(fā)射型裝置的情況下，由有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光不發(fā)射 到基板的后表面而是發(fā)射到基板的前表面。因此，盡管頂部發(fā)射型有機(jī) 發(fā)光裝置包括兩個(gè)薄膜晶體管和電容器，但是頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置 比底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置具有更大的發(fā)射區(qū)域。因而，當(dāng)屏蔽圖案680b 沿著縱向方向的寬度H等于或大于20口時(shí)，發(fā)射層可以形成在每個(gè)亞像 素中。當(dāng)寬度H等于或小于40口時(shí)，分辨率增加。
在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本 發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。因而，只要這些修改和改變落入所附權(quán)利要 求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明就覆蓋所有這些修改和改變。
工業(yè)實(shí)用性
如上所述，由于根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置包括屏蔽圖案， 從外界進(jìn)入的光被屏蔽從而增加了對(duì)比度。入射在有機(jī)發(fā)光裝置上的外界光消失，從而提高了圖像質(zhì)量。因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā) 光裝置具有工業(yè)實(shí)用性。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光裝置，該有機(jī)發(fā)光裝置包括顯示面板；以及偏光器，該偏光器位于所述顯示面板上并包括延遲器和偏光膜，該偏光膜包括基層和位于該基層內(nèi)的屏蔽圖案，該屏蔽圖案的靠近所述顯示面板的區(qū)域比該屏蔽圖案的遠(yuǎn)離所述顯示面板的區(qū)域大，所述屏蔽圖案形成在所述顯示面板的非發(fā)射區(qū)域中。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，該顯示面板包括多個(gè) 位于掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中的亞像素。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述亞像素包括第 一電極；存儲(chǔ)層，該存儲(chǔ)層位于所述第一電極上以露出該第一電極的一 部分；有機(jī)發(fā)射層，該有機(jī)發(fā)射層位于被露出的第一電極上；以及第二 電極，該第二電極位于所述有機(jī)發(fā)射層上。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案形成在與所述存儲(chǔ)層相對(duì)應(yīng)的位置處。
5、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述亞像素包括薄膜 晶體管或電容器。
6、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述薄膜晶體管或電容器形成在所述存儲(chǔ)層下面。
7、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述延遲器為四分之 一波片。
8、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述基層包含碘類材 料或染料類材料，并且所述基層通過(guò)拉伸碘類材料或染料類材料然后使被拉伸的碘類材料 或染料類材料在一個(gè)方向上排列而形成。
9、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案具有角 形、棱柱形或鍥形的形狀。
10、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案是沿著掃描線或數(shù)據(jù)線的形成方向布置的條帶形圖案。
11、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案是沿 著掃描線或數(shù)據(jù)線的形成方向布置的網(wǎng)格形圖案。
12、 如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，沿著所述掃描線的 形成方向布置的屏蔽圖案的寬度在大約IO口至大約30口的范圍內(nèi)。
13、 如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，沿著所述數(shù)據(jù)線的 形成方向布置的屏蔽圖案的寬度在大約50口至大約65口的范圍內(nèi)。
14、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，沿著所述數(shù)據(jù)線的 形成方向布置的屏蔽圖案的寬度在大約20口至大約40口的范圍內(nèi)。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案是不 透明的。
16、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案的顏 色為黑色。
17、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案具有 光吸收特性或光屏蔽特性。
18、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述屏蔽圖案包含碳。
全文摘要
公開了一種有機(jī)發(fā)光裝置。該有機(jī)發(fā)光裝置包括顯示面板；偏光器，該偏光器位于所述顯示面板上并包括延遲器和偏光膜。該偏光膜包括基層和位于該基層內(nèi)的屏蔽圖案。該屏蔽圖案靠近所述顯示面板的區(qū)域比該屏蔽圖案遠(yuǎn)離所述顯示面板的區(qū)域大。所述屏蔽圖案形成在所述顯示面板的非發(fā)射區(qū)域中。
文檔編號(hào)H05B33/22GK101589648SQ200780041482
公開日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2007年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月8日
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