專(zhuān)利名稱(chēng)：一種多晶硅薄膜的制備方法及其制備系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅薄膜的制備方法及其 制備系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
自從1964年多晶硅薄膜開(kāi)始在集成電路中被用作隔離介質(zhì)，以及1966 年出現(xiàn)第l只多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以來(lái)，多晶硅 薄膜以其所具有的各種良好電學(xué)特性，目前已被廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電 路和各種半導(dǎo)體分立器件的制作中。例如利用重?fù)诫s低阻多晶硅薄膜可 作為MOS晶體管的柵極，而在此基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的Si柵N溝道技術(shù)極大地促 進(jìn)了集成電路的迅速發(fā)展。尤其是以重?fù)诫s多晶硅薄膜替代原來(lái)的鋁(Al) 膜作為MOS晶體管的柵極后，由于實(shí)現(xiàn)了自對(duì)準(zhǔn)柵，從而減小了器件的寄生 電容，使電路的動(dòng)作速度大大提高；與此同時(shí)，由于多晶硅柵與Si的功函 數(shù)差較小，因而降低了MOS晶體管的開(kāi)啟電壓，使得充放電.幅度降低，提高 了器件的頻率特性，并降低了集成電路的功耗。此外，在MOS集成電路中， 重?fù)诫s多晶硅薄膜還常用作電容器的極板、MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器電荷存儲(chǔ)元件的 極板、浮柵器件的浮柵和電荷耦合器件的電極等。輕摻雜多晶硅薄膜則常 用于集成電路中MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器的負(fù)載電阻及其他電阻器。
上述多晶硅薄膜在制作時(shí)，為了促進(jìn)多晶硅晶核的形成，需對(duì)其襯底 進(jìn)行溫度控制，現(xiàn)有技術(shù)中溫度控制裝置通常由加熱元件及溫度計(jì)構(gòu)成， 然而，利用此種溫度控制裝置對(duì)襯底的溫度進(jìn)行控制時(shí)，需經(jīng)常人為地留意溫度計(jì)的溫度，使用時(shí)，當(dāng)襯底加熱到預(yù)定溫度時(shí)，人為地調(diào)整加熱元 件的工作功率，這樣給操作帶來(lái)很多不便，而且人為的控制精度也不夠準(zhǔn) 確，影響了多晶硅薄膜的成膜質(zhì)量。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中的難題，提供一種操作方便、且控 制精準(zhǔn)的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，另外本發(fā)明還提供了一種多晶硅薄膜的 制備方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為 一種多晶硅薄膜的制備方法， 該制備方法所使用的系統(tǒng)包括真空室、與真空室連接的抽真空系統(tǒng)、蒸發(fā) 裝置、發(fā)熱元件與發(fā)熱元件連接的溫度探測(cè)裝置及分別與發(fā)熱元件、溫度 探測(cè)裝置連接的溫度控制器，其包括以下步驟a、 將鍍膜材料及襯底置于真空室內(nèi)，并利用抽真空系統(tǒng)對(duì)真空室抽真空，b、 利用發(fā)熱元件對(duì)襯底進(jìn)行升溫加熱；c、 利用膜厚監(jiān)控裝置監(jiān)控薄膜的膜厚；d、 當(dāng)溫度探測(cè)裝置探測(cè)到襯底到達(dá)一設(shè)定溫度時(shí)，溫度探測(cè)裝置反饋 一信號(hào)至溫度控制器，溫度控制器控制發(fā)熱元件保持在一設(shè)定功率，使村 底保持溫度穩(wěn)定；e、 利用蒸發(fā)裝置蒸發(fā)鍍膜材料，并在襯底上沉積成膜，完成鍍制多晶 硅薄膜過(guò)程。步驟c中設(shè)定溫度為60(TC。在步驟c中，溫度控制器通過(guò)控制流過(guò)發(fā)熱元件的電流大小來(lái)控制發(fā)熱量。
另外，本發(fā)明還公開(kāi)一種多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，包括用于放置鍍膜 材料及襯底的真空室、與真空室連接的抽真空系統(tǒng)、蒸發(fā)鍍膜材料的蒸發(fā) 裝置、及對(duì)薄膜厚度進(jìn)行監(jiān)控的膜厚監(jiān)控裝置，該制備系統(tǒng)還包括用于加 熱襯底的發(fā)熱元件、探測(cè)襯底溫度的溫度探測(cè)裝置及用于控制發(fā)熱元件工 作功率的溫度控制器。
該溫度探測(cè)裝置包括與村底連接的溫度測(cè)量探頭及與溫度測(cè)量探頭連 接的溫度顯示器。
發(fā)熱元件為鴒發(fā)熱絲或鉬發(fā)熱絲；該蒸發(fā)裝置為電子槍。
該抽真空系統(tǒng)主要由初級(jí)機(jī)械泵、二級(jí)擴(kuò)散泵、用于測(cè)量真空室的高 低真空度的電離規(guī)管、用于測(cè)量擴(kuò)散泵的前級(jí)真空度熱偶規(guī)管組成。
該抽真空系統(tǒng)還包括用于對(duì)真空室充氣的磁力充氣閥，及與磁力充氣 閥互鎖的高真空蝶閥。
本發(fā)明通過(guò)用于加熱襯底的發(fā)熱元件、探測(cè)襯底溫度的溫度探測(cè)裝置 及用于控制發(fā)熱器工作功率的溫度控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)襯底溫度的實(shí)時(shí)控制， 使得對(duì)襯底溫度的控制實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，且對(duì)村底溫度的監(jiān)控與發(fā)熱元件的功 率設(shè)定由溫度控制器完成，較人為控制相比，大大提高了控制的精準(zhǔn)度。 且由通過(guò)控制電子槍的束流與相關(guān)參數(shù)，可以有效控制鍍膜材料的蒸發(fā)速 率，并在一定程度上影響材料在襯底上的沉積速率，通過(guò)溫度顯示器，可 以知道襯底的溫度變化，通過(guò)對(duì)膜厚監(jiān)控裝置的操控，可以實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)控 薄膜厚度。


圖1為本發(fā)明多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明制備系統(tǒng)中的抽真空系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明多晶硅薄膜的制備方法的工作流程圖。
具體實(shí)施方式
下面簡(jiǎn)單說(shuō)明多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)及其制備方法的基本原理。 在一定的過(guò)冷度下，固相或液相的自由能比氣相的自由能低，氣相中形 成半徑為r的球狀固相或液相核時(shí)引起體系的自由能的改變^為W = -(4;zT3/3Q)A// + 4;rr2a (1) 這里Q是原子體積，A/z是一個(gè)原子由氣相轉(zhuǎn)變?yōu)楣滔嗷蛞合嘁鸬淖杂赡?的降低值，"是比界面能。上式第一項(xiàng)是形成體積為4wV3的晶核引起的自 由能的降低，第二項(xiàng)是形成面積為4;r,的界面引起的自由能的升高。由于自由能降低的第 一項(xiàng)隨 一 而變化，自由能增加的第二項(xiàng)隨一 而變 化，^一開(kāi)始隨r而增大，在臨界半徑r。處達(dá)到極大，此時(shí)的自由能為^。， 它被稱(chēng)為成核功。r小于臨界半徑^;時(shí)體自由能的降低還趕不上界面引起的 自由能的升高，r大于臨界半徑/;后情形相反，隨r的增大，^迅速下降。 很容易從^/辦=0計(jì)算出臨界晶核的半徑為7;=2Qor/A// (2) 由此式可見(jiàn)，臨界晶核半徑和A/z成反比。相應(yīng)地成核功dA為^ =(16;r/3)Q2a3/A//2 (3) 由此式可見(jiàn)，成核功和A/z的平方成反比。成核率(單位時(shí)間單位氣相體積 內(nèi)成核數(shù))和獲得成核功的扭克率成正比、即和exp(-J么/A:r)成正比。要使成 核率增大，必須使^。減小，也就是使過(guò)冷度增大(使A/z增大)。如果晶態(tài)核是多面體，例如核的外形是尺寸為L(zhǎng)的立方體，則 -(iL3/Q)A// + 6I2a (4) 由此計(jì)算得到臨界核尺寸A為L(zhǎng)c=4Q r/A// (5)而成核功dA為#c=32QV/A//2 (6) 即立方體晶核的成核功卻￡的系數(shù)比球形晶核增大大約一倍，這是因?yàn)榱⒎?晶核的表面積/體積比大于球形核的表面積/體積比，對(duì)自由能的變化不利。 如果晶態(tài)核釆取接近球形的多面體，并且這些外形由低表面能的界面組成， 則多面體的成核功可以比J求形核j氐。在已有襯底上成核和上述均勻成核顯著不同，它被稱(chēng)為非均勻成核。 設(shè)襯底上的核呈球冠狀，設(shè)球面的曲率半徑為r,球面和4十底的潤(rùn)濕角為 6 ,則球冠底的半徑r sin 6> 、球冠高為Kl - cos 6)。 表面張力和界面張力平衡時(shí)有下列關(guān)系"cos^ = ( 7 )這里"為球冠晶核球面的張力，a'是襯底的表面張力，a〃是晶核和襯底的 界面張力。晶核和4于底間的界面面積A = 2訂2 sin2 6 , J求冠面積 A' = 2;zT2(l-cose) = 2;n^ ,球冠體積V等于半張角為6的部分球體減去半張角為e的圓錐體，即V = (4;zr3 / 3)[2;r(1 - cos《)/ 4;r〗-;zr2 sin2 <9(r cos紹) =;r,(2_2cos6>_cos6>sin20)/3 (8) =7zr3(2-3cos6>-cos3 P)/3如以球冠高度h= r(l - cos 代入，此體積可以表示為V =- /j / 3)。在給定球冠晶核體積下，潤(rùn)濕角6決定球冠的曲率半徑r和球冠高度/ 半徑之比h/r， e愈小，h/r愈小，球冠愈平坦。 ^t冠核的形成功
= -(;zr3 / 3Q)(1 - cos (9)2 (2 + cos 6>) △〃 -冗0 sin P) V' - "") + 2;rr2 (1 - cos爭(zhēng)(9) 第一項(xiàng)是成核獲得的自由能的降低，第二項(xiàng)是球冠底面由村底原來(lái)的 表面能轉(zhuǎn)化為晶核/襯底界面能引起的自由能變化，第三項(xiàng)是球冠表面(球 面)能引起的自由能增大。
一般地^開(kāi)始隨r而增大，它會(huì)在臨界半徑處達(dá)在極大。利用(9)式 可以得到
t^ = -[(;zr3/3Q)A// + ;zr2"](2-3cose + cos36>) (10)
它在臨界半徑^ =20"/么//處達(dá)到極大值
械=(16;zQV/3A//2)[(l-cosP)2(2 + cos^)/4] (")
=(16;zQV/3A〃2)/(<9)
/(。為形狀因子，當(dāng)潤(rùn)濕角為0時(shí)，二維生長(zhǎng)，球冠變?yōu)楦采w襯底的單原
子層，此時(shí)的成核功等于零，但這是宏觀(guān)理論的結(jié)果，從微觀(guān)考慮二維成
核時(shí)，這仍需要一定的成核功；潤(rùn)濕角不為0時(shí)，島狀生長(zhǎng)。
由于在襯底上不均勻成核時(shí)一般總有一定的潤(rùn)濕角，由圖可見(jiàn)它的成
核功比氣相中球核均勻成核的成核功小，所以膜^牛更偏向于在襯底上成核，
并且其減小的程度隨潤(rùn)濕角的減小而增大。
總之，在一般的薄膜生長(zhǎng)條件下，從氣相沉積到襯底上的原子會(huì)相互聚
集在一起成核長(zhǎng)大。其驅(qū)動(dòng)力來(lái)自于固相的自由能比氣相的自由能低，且
在襯底上的成核功比氣相中球核均勻成核的成核功小。
也就是說(shuō)，在薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程中，當(dāng)P。是沉積物的飽和蒸氣壓，主要取決于溫度，溫度越高，飽和蒸氣壓越大。P是沉積物的實(shí)際氣壓。P/P。 比率越大，氣相沉積的成核能量勢(shì)壘越低，臨界核半徑越小。如果基片溫 度很低，使沉積材料在該處的飽和蒸氣壓P。為零，這時(shí)即使沉積材料的實(shí) 際氣壓P不大，成核勢(shì)壘也將很小甚至接近于零，臨界核半徑也接近于零， 可能只由一兩個(gè)原子組成，即使單個(gè)原子吸附在基片上也會(huì)成核，而不會(huì) 被解離回氣態(tài)，從而以非晶態(tài)核形式沉積形成非晶態(tài)膜。如果襯底溫度較 高，使沉積材料在該處的飽和蒸氣壓較大，同時(shí)通過(guò)蒸發(fā)或者輸運(yùn)氣相沉 積材料形成適當(dāng)小的過(guò)飽和蒸氣壓，使P/P。比率接近于1,這時(shí)的成核勢(shì)壘 和臨界核半徑都很大，如果以晶體作襯底，在籽晶表面沉積形成的二維核 只要比二維臨界核小就會(huì)被解離回氣態(tài)，因此成核趨勢(shì)很小，主要以晶體
生長(zhǎng)形式沉積，從而形成多晶膜。
本發(fā)明通過(guò)在真空鍍膜機(jī)的真空室內(nèi)搭建一個(gè)溫度探測(cè)與控制系統(tǒng)， 使用電子束熱蒸發(fā)法與加熱襯底相結(jié)合制備多晶硅薄膜。
把鍍膜材料和襯底放置入真空室后，開(kāi)動(dòng)抽真空系統(tǒng)工作，對(duì)真空室 抽真空。當(dāng)真空室內(nèi)的真空度達(dá)到一定要求后，溫度探測(cè)與控制系統(tǒng)開(kāi)始
對(duì)襯底進(jìn)行升溫。當(dāng)襯底溫度升到所需溫度的時(shí)候，保持襯底溫度穩(wěn)定。 此時(shí)，開(kāi)膜厚監(jiān)控裝置，開(kāi)始對(duì)襯底上沉積的薄膜膜厚進(jìn)行監(jiān)控，并使用 電子槍轟擊硅靶材，以電子槍的能量蒸發(fā)鍍膜材料。當(dāng)監(jiān)控膜厚到達(dá)所設(shè) 計(jì)厚度時(shí)，則停止鍍制，完成鍍制多晶硅薄膜過(guò)程。在鍍制過(guò)程中，當(dāng)制 備條件滿(mǎn)足多晶硅薄膜生長(zhǎng)條件，被蒸發(fā)的硅材料沉積在襯底上后，即得 到多晶硅薄膜。
通過(guò)控制電子槍的束流與相關(guān)參數(shù)，可以控制硅靶材的蒸發(fā)速率，并在一定程度上影響材料在襯底上的沉積速率。通過(guò)控制溫度探測(cè)與控制系 統(tǒng)，可以控制加熱襯底的溫度。通過(guò)溫度探測(cè)器的顯示，可以知道襯底的 溫度變化。通過(guò)對(duì)膜厚監(jiān)控裝置的操控，可以實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)控薄膜厚度。 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
如圖l所示， 一種多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，包括用于放置鍍膜材料及
襯底13的真空室U、與真空室11連接的抽真空系統(tǒng)16、及蒸發(fā)鍍膜材料 的蒸發(fā)裝置20,該制備系統(tǒng)還包括用于加熱襯底13的發(fā)熱元件14、探測(cè) 襯底13溫度的溫度探測(cè)裝置17及用于控制發(fā)熱元件14工作功率的溫度控 制器18。
該溫度探測(cè)裝置17包括與襯底13連接的溫度測(cè)量探頭及與溫度測(cè)量 探頭連接的溫度顯示器。上述發(fā)熱元件14可為鴒絲燈；該制備系統(tǒng)還包括 對(duì)薄膜厚度進(jìn)行監(jiān)控的膜厚監(jiān)控裝置19。
上述抽真空系統(tǒng)主要是由初級(jí)機(jī)械泵5和二級(jí)擴(kuò)散泵4組成，如圖2 所示。電離規(guī)管1及熱偶規(guī)管10用于測(cè)量真空室11的高低真空度及擴(kuò)散 泵4的前級(jí)真空度。并通過(guò)真空計(jì)來(lái)讀取真空度。磁力充氣閥9用于對(duì)真 空室ll充氣，其與高真空蝶閥2互鎖。當(dāng)三通閥8抽出時(shí)，機(jī)械泵5對(duì)真 空室11抽氣，高閥關(guān)閉(處于圖中的水平位置)，擴(kuò)散泵4處于預(yù)熱狀態(tài)， 氣體經(jīng)由相應(yīng)的管道到機(jī)械泵5被排出。當(dāng)三通閥8推進(jìn)時(shí)，機(jī)械泵5對(duì) 系統(tǒng)抽氣。高閥打開(kāi)(處于圖中的豎直位置)，氣體從擴(kuò)散泵4抽到儲(chǔ)氣桶 7,再經(jīng)過(guò)三通閥8到機(jī)械泵5，再排出室外。
上述蒸發(fā)裝置可為電子槍?zhuān)娮訕屖菍⒏咚龠\(yùn)動(dòng)的電子流在磁場(chǎng) 中聚集成細(xì)束轟擊到被鍍材料的表面，電子束的動(dòng)能轉(zhuǎn)換成熱能，使材料迅速升溫而蒸發(fā)，達(dá)到的溫度高達(dá)3000 ~ 6000攝氏度。陰極在接 通直流電壓后，發(fā)熱產(chǎn)生電子，電子在有孔陽(yáng)極的加速電壓下加速，經(jīng) 過(guò)小孔進(jìn)入磁場(chǎng)，高速運(yùn)動(dòng)的電子束在磁場(chǎng)中受到洛倫茲力的作用而 改變運(yùn)動(dòng)方向，通過(guò)調(diào)整^f茲場(chǎng)的大小可以控制電子束打在陽(yáng)極上的落 點(diǎn)位置，陽(yáng)極在真空室中是由裝有膜料的坩堝組成。
另外，本發(fā)明還提供了一種多晶硅薄膜的制備方法，其包括以下步驟
a、 將鍍膜材料及襯底置于真空室內(nèi)，并利用抽真空系統(tǒng)對(duì)真空室進(jìn)行 抽真空，利用真空計(jì)檢查真空室是否到達(dá)目標(biāo)真空度，是則執(zhí)行下一步驟， 否則繼續(xù)對(duì)真空室抽真空，直到滿(mǎn)足要求；
b、 利用溫度控制器Ajl熱元件對(duì)襯底進(jìn)行升溫加熱，并一直加熱直到 一設(shè)定溫度，本發(fā)明設(shè)定溫度為60(TC,利用溫度測(cè)量探頭測(cè)量襯底的溫度， 當(dāng)達(dá)到設(shè)定溫度時(shí)，則執(zhí)行步驟c,當(dāng)?shù)陀谠O(shè)定溫度時(shí)，發(fā)熱元件保持原有 功率，繼續(xù)對(duì)襯底進(jìn)4于加熱；
c、 當(dāng)溫度探測(cè)裝置探測(cè)到襯底達(dá)到60(TC時(shí)，溫度控制器控制發(fā)熱元 件保持在一i殳定功率，使襯底保持溫度穩(wěn)定；
d、 開(kāi)啟膜厚監(jiān)控裝置對(duì)膜厚進(jìn)行實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)控；
e、 利用蒸發(fā)裝置蒸發(fā)鍍膜材料，并在襯底上沉積成膜，本發(fā)明的蒸發(fā) 裝置為電子槍?zhuān)秒娮訕屴Z擊I4M材料，本發(fā)明為硅靶材，以電子槍的 能量蒸發(fā)鍍膜材料。當(dāng)監(jiān)控膜厚系統(tǒng)監(jiān)控到薄膜到達(dá)所設(shè)計(jì)厚度時(shí)，則停 止鍍制，從而完成鍍制多晶硅薄膜過(guò)程。在鍍制過(guò)程中，當(dāng)制備條件滿(mǎn)足 多晶硅薄膜生長(zhǎng)條件，被蒸發(fā)的硅材料沉積在襯底上后，即得到多晶硅薄 膜。
權(quán)利要求
1、一種多晶硅薄膜的制備方法，該制備方法所使用的系統(tǒng)包括真空室(11)、與真空室連接的抽真空系統(tǒng)(16)、蒸發(fā)裝置(20)、膜厚監(jiān)控裝置(19)、發(fā)熱元件(14)與發(fā)熱元件(14)連接的溫度探測(cè)裝置(17)及分別與發(fā)熱元件(14)、溫度探測(cè)裝置(17)連接的溫度控制器(18)，其包括以下步驟a、將鍍膜材料及襯底置于真空室內(nèi)，并利用抽真空系統(tǒng)對(duì)真空室抽真空；b、利用發(fā)熱元件對(duì)襯底進(jìn)行升溫加熱；c、當(dāng)溫度探測(cè)裝置探測(cè)到襯底到達(dá)一設(shè)定溫度時(shí)，溫度探測(cè)裝置反饋一信號(hào)至溫度控制器，溫度控制器控制發(fā)熱元件保持在一設(shè)定功率，使襯底保持溫度穩(wěn)定；d、開(kāi)啟膜厚監(jiān)控裝置監(jiān)控薄膜的膜厚；e、利用蒸發(fā)裝置蒸發(fā)鍍膜材料，并在襯底上沉積成膜，完成鍍制多晶硅薄膜過(guò)程。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于步驟 c中it定溫度為60(TC。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于在步 驟c中，溫度控制器通過(guò)控制流過(guò)發(fā)熱元件的電流大小來(lái)控制發(fā)熱量。
4、 一種多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，包括用于放置鍍膜材料及襯底(13 ) 的真空室(11)、與真空室(11)連接的抽真空系統(tǒng)(16)、蒸發(fā)| 材料 的蒸發(fā)裝置(20)、及對(duì)薄膜厚度進(jìn)行監(jiān)控的膜厚監(jiān)控裝置(19)，其特征在于該制備系統(tǒng)還包括用于加熱襯底(13)的發(fā)熱元件(14 )、探測(cè)襯底(13) 溫度的溫度探測(cè)裝置(17)及用于控制發(fā)熱元件(14)工作功率的溫度控 制器(18X
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，其特征在于該溫 度探測(cè)裝置(17)包括與襯底(13)連接的溫度測(cè)量探頭及與溫度測(cè)量探 頭連接的溫度顯示器。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，其特征在于發(fā)熱 元件(14)為鴒發(fā)熱絲或鉬發(fā)熱絲。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，其特征在于該蒸 發(fā)裝置(20)為電子槍。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4至7任一項(xiàng)所述的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，其特征在于該抽真空系統(tǒng)(16)主要由初級(jí)機(jī)械泵(5)、 二級(jí)擴(kuò)散泵(4)、用于測(cè)量真空室(11)的高低真空度的電離規(guī)管(1)、用于測(cè)量擴(kuò)散泵(4) 的前級(jí)真空度熱偶規(guī)管(10)組成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)，其特征在于該抽 真空系統(tǒng)(16)還包括用于對(duì)真空室(11)充氣的磁力充氣閥(9),及與 磁力充氣閥(9)互鎖的高真空蝶閥(2)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種多晶硅薄膜的制備方法，該制備方法所使用的系統(tǒng)包括真空室、抽真空系統(tǒng)、蒸發(fā)裝置、發(fā)熱元件、膜厚監(jiān)控裝置、溫度探測(cè)裝置及溫度控制器，其包括以下步驟將鍍膜材料及襯底置于真空室內(nèi)，并利用抽真空系統(tǒng)對(duì)真空室抽真空；利用發(fā)熱元件對(duì)襯底進(jìn)行升溫加熱；當(dāng)溫度探測(cè)裝置探測(cè)到襯底到達(dá)一設(shè)定溫度時(shí)，溫度探測(cè)裝置反饋一信號(hào)至溫度控制器，溫度控制器控制發(fā)熱元件保持在一設(shè)定功率，使襯底保持溫度穩(wěn)定；開(kāi)啟膜厚監(jiān)控裝置監(jiān)控薄膜的膜厚；利用蒸發(fā)裝置蒸發(fā)鍍膜材料，并在襯底上沉積成膜，完成鍍制多晶硅薄膜過(guò)程。另外，本發(fā)明還涉及一種多晶硅薄膜的制備系統(tǒng)。本發(fā)明操作方便且對(duì)襯底溫度控制的精準(zhǔn)度大大提高。
文檔編號(hào)C30B29/06GK101319362SQ20081002815
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日
發(fā)明者張豪杰, 林龍智, 江紹基, 汪河洲 申請(qǐng)人:中山大學(xué)