專利名稱：基于強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)領(lǐng)域，具體涉及一種基于強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系的 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
OLED器件的結(jié)構(gòu)依次是陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極。在器件兩 端加電壓時(shí)，空穴和電子分別從陽(yáng)極、陰極注入，傳輸，在發(fā)光層復(fù)合形成激子，激子退 激輻射發(fā)光。為改善器件性能，通常在陽(yáng)極和有機(jī)空穴傳輸層之間增加一層緩沖層，或在陰極和有 機(jī)電子傳輸層之間增加一層緩沖層，或者是在有機(jī)空穴傳輸層或有機(jī)電子傳輸層中進(jìn)行摻 雜。陽(yáng)極緩沖層通常采用高功函數(shù)的金屬(如Pt,Au)、有機(jī)物(如聚噻吩PEDOT: PSS， 金屬酞氰類CuPc)、氧化物(如W03, Mo03， V205， CuOx， Re03， RuOx， IrOx)等，用 于改善空穴的注入和傳輸性能。其中，將氧化物用于改善空穴的注入和傳輸性能的報(bào)道例 如文獻(xiàn)1 (JingzeLi， Masayuki Yahiro， Kenji Ishida， et al "enhanced performance of organic light emitting device by insertion of conducting/insulating WO3 anodic buffer layer", SYNTHETIC METALS，l51(2005) 141-146)在陽(yáng)極ITO表面采用電子束蒸發(fā)\￥03后熱處理 作為緩沖層，得到性能改善的器件；文獻(xiàn)2 (Dong-Seok Leem, Hyung-Dol Park, Jae-Wook Kang, et al " low driving voltage and high stability organic light-emitting diodes with rhenium oxide-doped transporting layer" APPLIED PHYSICS LETTERS,91,011113(2007))采用Re03 摻雜在NPB中得到的器件在驅(qū)動(dòng)電壓、功率效率和壽命方面優(yōu)于未摻雜的器件;文獻(xiàn)3(H.C. Im ， D.C. Choo ， T.W. Kim， et al "Highly efficient organic light-emitting diodes fabricated utilizing nickel-oxide buffer layers between the anodes and the hole transport layers", THIN SOLID FILM,515 (2007) 5099-5102)在陽(yáng)極ITO表面采用熱蒸發(fā)Ni后氧化成NiO作為緩沖層，得到效率提高的器件。現(xiàn)有的理論認(rèn)為在空穴方面加入氧化物的器件性能得以提高 的是源于更匹配的能級(jí)、更平滑的界面等。目前，陰極緩沖層一般用堿金屬鹵化物(如LiF/Al， CsF/Al， LiF/Ca/Al)，在適當(dāng)?shù)慕^ 緣層厚度下，改善器件的電子注入性能，例如文獻(xiàn)1 (L. S. Hung, C. W. Tang, M. G. Mason."Enhanced electron injection in organic electroluminescence devices using an Al/LiF electrode" , APP正D PHYSICS LETTERS, 1997， 70, 152.)發(fā)現(xiàn)在有機(jī)電子傳輸層與陰極金 屬鋁(Al)之間插入一層LiF，在適當(dāng)?shù)慕^緣層厚度(0.5nm)下，能改善器件的電子注入 性能，提高發(fā)光效率；文獻(xiàn)2 (G. E. Jabbour, B. Kippelen, N. R. Armstrong, N. Peyghambarian."Aluminum based cathode structure for enhanced electron injection in electroluminescent organic devices" , APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 73， 1185.)在有機(jī)電子傳輸層與陰極 金屬Al之間插入一層LiF、 CsF與Al的復(fù)合層，改善器件的發(fā)光性能；文獻(xiàn)3(T. M. Brown， R. H. Friend, I. S. Millard, D. J. Lacey， J. H. Burroughes, F. Cacialli. "Efficient electron injection in blue-emitting polymer light-emitting diodes with LiF/Ca/Al cathodes" , APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 79， 174.)采用LiF/Ca/Al的陰極改善聚合物電致發(fā)光器件的性 能。到目前為止，超薄LiF絕緣層依然是最有效的電子注入層。發(fā)明內(nèi)容有機(jī)半導(dǎo)體材料中通常空穴傳輸材料對(duì)于空穴的傳輸速度要大大快于電子傳輸材料 對(duì)于電子的傳輸速度，從而在電致發(fā)光器件中很難實(shí)現(xiàn)電荷傳輸平衡，則電荷結(jié)合效率很 低。電子注入及傳輸方面性能的提高對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件整體性能的改善至關(guān)重要。本發(fā)明將強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物用于有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入與傳輸方面，發(fā)現(xiàn) 有利于改善器件的發(fā)光性能。所謂強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系是指電子之間有效庫(kù)侖相互作用能遠(yuǎn)大 于其能帶密度，即U〉B的體系。這時(shí)，仍用單電子近似，將相互作用簡(jiǎn)單地處理為微擾， 無(wú)法說(shuō)明體系的主要物理性質(zhì)。人們將所有電子-電子相互作用起主要作用，必須對(duì)其進(jìn) 行非微擾處理才能解釋體系主要物理性質(zhì)的多體體系，稱為強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系。很多過(guò)渡族金屬化合物如MnO、 NiO、 CoO，費(fèi)米能處于d帶，但d帶不與其他能帶 交疊，按照能帶論，這些應(yīng)為金屬，但實(shí)際上卻為絕緣體。按照Hubburd模型，這是由于 B/U比值不同。當(dāng)U〉B時(shí)，d電子是定域化的，反之，d電子是退定域的。由于關(guān)聯(lián)能的 存在使本應(yīng)為金屬的固體具有絕緣體的基態(tài)，這種固體稱為莫特絕緣體，屬于強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子 體系。按照莫特的討論，當(dāng)固體的晶格常數(shù)從無(wú)窮大逐漸減小時(shí)，材料會(huì)從絕緣體過(guò)渡到 金屬。按照Hubburd模型，晶格常數(shù)的減小會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)子帶的交疊，同樣會(huì)轉(zhuǎn)變到金屬相， 轉(zhuǎn)變的特征能量是電子間的庫(kù)侖相互作用能。Hubburd模型給出的帶隙在晶格常數(shù)減小時(shí) 緩慢變化到零，電導(dǎo)率不會(huì)有突然的急劇增加。而一些莫特絕緣體中，溫度升高從絕緣體 轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘?，可同時(shí)觀察到電導(dǎo)率階躍式的增大。莫特解釋為在溫度升高時(shí)，電子從一個(gè)格點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到另一格點(diǎn)，相當(dāng)于將一個(gè)電子從下Hubburd帶激發(fā)到上Hubburd帶，而在下 Hubburd帶留下一個(gè)空穴。電子和空穴因庫(kù)侖作用形成束縛態(tài)(稱為激子)。如溫度升高到 在上Hubburd帶中有足夠多的電子。由于屏蔽作用，電子-空穴的相互作用將減弱，這將降 低電子-空穴對(duì)的結(jié)合能，當(dāng)電子濃度達(dá)到臨界值，束縛解除，電導(dǎo)率急劇增加，過(guò)渡到金 屬態(tài)。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光兼電子傳輸層(或發(fā)光層和電 子傳輸層)、陰極，在發(fā)光兼電子傳輸層(或電子傳輸層)與陰極之間還包括一層電子注 入層，所述電子注入層的材料為強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物，其厚度一般為l-10nm，優(yōu)選3-4nm。上述有機(jī)電致發(fā)光器件，其制備方法包括以下步驟1、 在陽(yáng)極上蒸鍍或溶液旋涂空穴傳輸層；2、 在空穴傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂發(fā)光兼電子傳輸層，或者，先蒸鍍或溶液旋涂發(fā) 光層，再蒸鍍或溶液旋涂電子傳輸層；3、 在發(fā)光兼電子傳輸層或電子傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂一層強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物 作為電子注入層；4、 在電子注入層上蒸鍍陰極。本發(fā)明還提供了另一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、陰極，其電子傳輸層中摻雜有強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物，所摻雜的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體 系化合物與有機(jī)電子傳輸材料的質(zhì)量比一般為1 : 0-60 (優(yōu)選1 : 5-15)，即強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體 系化合物可以單獨(dú)或混合其他有機(jī)電子傳輸材料作為電子傳輸層。該有機(jī)電致發(fā)光器件的 制備方法包括以下步驟1、 在陽(yáng)極上蒸鍍或溶液旋涂空穴傳輸層；2、 在空穴傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂發(fā)光層；3、 在發(fā)光層上蒸鍍或溶液旋涂有強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物或者機(jī)電子傳輸材料和強(qiáng)關(guān) 聯(lián)電子體系化合物的混合物形成電子傳輸層；4、 在電子傳輸層上蒸鍍陰極。上述空穴傳輸層所用材料可以為N,N'-雙-(3-萘基)->^,:^-二苯基-[1,1'-二苯基]-4，4'-二胺(MW-diphenyl-iV,A^bis(1, l'-biphenyl)-4,4'-diamine， NPB)，這是目前有機(jī)電致發(fā)光器件中最常用的有機(jī)空穴傳輸材料之一。上述發(fā)光兼電子傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層均可以用8-羥基喹啉鋁 (tris(8-hydroxy)-quinoline-aluminium， Alq3)作為材料，它是目前有機(jī)電致發(fā)光器件中最 常用的有機(jī)電子傳輸材料之一 。上述強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物可以是某些氧化物，如氧化錳(MtiO)、氧化鎳(NiO)、 氧化鈷(CoO)、三氧化二釩(V203)、高溫超導(dǎo)體的銅氧化合物等；也可以是有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體 系化合物，如(4,4，,5，5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高氯酸鹽[(BEDT-TTF)2C10小四甲 基四硒代富瓦烯高氯酸鹽[(TMTSF)2C104]、(4,4，,5，5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高錸酸鹽 [(BEDT-TTF)2Re04]等。上述陰極材料可以是鋁、鎂銀合金、鋰鋁合金、鈣鋁合金等。器件中的有機(jī)層均采用真空蒸鍍制作或者溶液旋涂制作，其方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員 所熟知，于此不再贅述。對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，其導(dǎo)電性較差，電荷遷移率低，而且通?？昭▊鬏敳牧蠈?duì) 于空穴的傳輸速度要大大快于電子傳輸材料對(duì)于電子的傳輸速度。在強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合 物中，在電子間的庫(kù)侖相互作用下，使得原來(lái)不存在關(guān)聯(lián)的能帶分裂成間隔為U (庫(kù)侖關(guān) 聯(lián)能)的兩個(gè)Hubbard能帶。當(dāng)電子間的庫(kù)侖相互作用U大于能隙寬度W時(shí)，由于電子 受強(qiáng)烈的庫(kù)侖相互作用的限制，使得電子不能像金屬中那樣自由地在格點(diǎn)上移動(dòng)，從而表 現(xiàn)為絕緣體。如在外部條件下，當(dāng)Hubbard空帶上被注入電子時(shí)，或者Hubbard滿帶上被注入空穴時(shí)，電子運(yùn)動(dòng)的定域態(tài)即被打破，從而使絕緣體過(guò)渡到金屬態(tài)。因此，在有機(jī)半 導(dǎo)體材料體系中添加強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物可以提高有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子傳導(dǎo)能力，從而改善有機(jī)電致發(fā)光器件的電荷傳輸平衡，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。本發(fā)明采用了不同于通用的氟化鋰(LiF)等絕緣體材料的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物，在 有機(jī)電子傳輸層和陰極金屬之間摻入強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物或者在有機(jī)電子傳輸層中摻 雜強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物，利用其在電荷注入的情況下可以發(fā)生絕緣態(tài)-金屬轉(zhuǎn)變的特性， 提高電子注入及傳輸能力。 一旦轉(zhuǎn)變發(fā)生，具有了金屬的導(dǎo)電性，可以產(chǎn)生大量的自由電 子，增加了電子的注入，不僅可以改善對(duì)電子的傳輸能力，還可以提高器件的電流效率， 降低器件的啟動(dòng)電壓，達(dá)到改善器件發(fā)光性能及量子效率的目的，且其電子注入及傳輸能 力與器件的發(fā)光效率均優(yōu)于通用而有效的LiF超薄絕緣層。


圖la是參比器件一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖lb是參比器件二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖lc是本發(fā)明實(shí)施例一中OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖Id是本發(fā)明實(shí)施例二中OLED器件的結(jié)構(gòu)示意 圖。圖2是參比器件一、參比器件二、實(shí)施例一器件、實(shí)施例二器件的電流密度-電壓曲線。 圖3是參比器件一、參比器件二、實(shí)施例一器件、實(shí)施例二器件的發(fā)光亮度-電壓曲線。 圖4是參比器件一、參比器件二、實(shí)施例一器件、實(shí)施例二器件的外量子效率-電流密 度曲線。圖5是參比器件一、參比器件二、實(shí)施例一器件、實(shí)施例二器件在11V驅(qū)動(dòng)電壓下的 電致發(fā)光光譜。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明改善OLED器件性能的方法，但不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。 參比器件一器件制備方法(1) 清洗ITO (銦錫氧化物)分別在去離子水、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，然后在等離子體清洗儀器中處理1分鐘；(2) 在陽(yáng)極ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，速率0.2-1 A/s，厚度500A;(3) 在空穴傳輸層NPB上真空蒸鍍發(fā)光兼電子傳輸層Alq3，速率0.5-3 A /s，厚度600 A;(4) 在電子傳輸層Alq3上真空蒸鍍陰極Al，厚度1500A。 器件結(jié)構(gòu)參見圖la。參比器件二 器件制備方法(1) 清洗ITO:分別在去離子水、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，然后在等離子體 清洗儀器中處理1分鐘；(2) 在陽(yáng)極ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，速率0.2-lA/s，厚度500A;(3) 在空穴傳輸層NPB上真空蒸鍍發(fā)光兼電子傳輸層Alq3，速率0.5-3 A /s，厚度600A;(4) 在電子傳輸層Alq3上真空蒸鍍LiF，厚度5A;(5) 在LiF上真空蒸鍍陰極Al，厚度1500A。 器件結(jié)構(gòu)參見圖lb。實(shí)施例一1、 材料-基于經(jīng)典材料的OLED綠光器件，增加強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物形成的電子注入層，該 OLED的結(jié)構(gòu)為ITO/NPB/Alq3/MnO/Al。首先在ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，再在 空穴傳輸層上真空蒸鍍發(fā)光兼電子傳輸層Alq3，然后在Alq3上真空蒸鍍強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化 合物——氧化錳(MnO)，最后在MnO上真空蒸鍍陰極Al。器件結(jié)構(gòu)參見圖lc。2、 器件制備方法(1) 清洗ITO:分別在去離子水、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，然后在等離子體 清洗儀器中處理l分鐘；(2) 在陽(yáng)極ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，速率0.2-1 A/s，厚度500A;(3) 在空穴傳輸層NPB上真空蒸鍍發(fā)光兼電子傳輸層Alq3，速率0.5-3 A /s左右， 厚度600 A;(3) 在電子傳輸層Alq3上真空蒸鍍強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物MnO，厚度30A;(4) 在MnO上真空蒸鍍陰極Al，厚度1500A。3、 器件的測(cè)量與結(jié)果器件的電流-電壓-亮度由電流-電壓儀和Photo Research PR-650 spectrophotometer測(cè)量。測(cè)量結(jié)果如圖2 圖5所示，實(shí)施例一的器件在電流密度、亮度、效率方面比參比器 件一有很大提高，而且其性能優(yōu)于LiF作為電子注入層的參比器件二。實(shí)施例二 1、材料基于經(jīng)典材料的OLED綠光器件，通過(guò)在有機(jī)電子傳輸層中摻雜強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合 物，改善有機(jī)電子傳輸材料的電子傳輸能力，從而改善器件的發(fā)光性能。該OLED的結(jié)構(gòu) 為ITO/NPB/Alq3/Alq3 : MnO/Al。首先在ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，再在空穴傳 輸層上真空蒸鍍發(fā)光層Alq3，然后在其上真空蒸鍍Alq3和強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物MnO摻 雜的電子傳輸層，最后在電子傳輸層上真空蒸鍍陰極A1。器件結(jié)構(gòu)參見圖ld。2、 器件制備方法(1) 清洗ITO:分別在去離子水、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，然后在等離子體 清洗儀器中處理1分鐘；(2) 在陽(yáng)極ITO上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，速率0.2-lA/s，厚度500A;(3) 在空穴傳輸層NPB上真空蒸鍍發(fā)光層Alq3，速率0.5-3A/s，厚度300 A;(3) 在發(fā)光層Alq3上真空蒸鍍Alq3和MnO摻雜的電子傳輸層(Alq3 : MnO的質(zhì)量比 為10 : 1)，厚度330A;(4) 在電子傳輸層上真空蒸鍍陰極A1，厚度1500A。3、 器件的測(cè)量與結(jié)果器件的電流-電壓-亮度由電流-電壓儀和Photo Research PR-650 spectrophotometer測(cè)量。測(cè)量結(jié)果如圖2 圖5所示，實(shí)施例一器件在啟亮電壓、電流密度、亮度、效率方面 比參比器件一有很大的改善，比參比器件二有一定改善；實(shí)施例二器件的電流密度比實(shí)施 例一器件提高較少，可能由于部分Alq3與陰極金屬Al的直接接觸而導(dǎo)致電子注入較少， 但是電荷平衡更好，故電流效率最高。以上通過(guò)詳細(xì)實(shí)施例描述了本發(fā)明所提供的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物在有機(jī)電致發(fā)光 器件中改善電子注入與傳輸?shù)膽?yīng)用及其制備方法，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離 本發(fā)明實(shí)質(zhì)的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)做一定的變形或修改，其制備方法也不限 于實(shí)施例中所公開的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光兼電子傳輸層和陰極，或者包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于在發(fā)光兼電子傳輸層與陰極之間或者電子傳輸層與陰極之間還包括由強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物形成的電子注入層。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物形成的電子注入層厚度為l-10nm。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物選自某些氧化物和有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物，所述某些氧化物包括氧化錳、氧化鎳、氧化鈷、三氧化二釩、高溫超導(dǎo)體的銅氧化合物；所述有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物包括 (4,4，，5,5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高氯酸鹽、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸鹽、 (4，4，,5，5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高錸酸鹽。
4. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極， 其特征在于所述電子傳輸層由有強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物單獨(dú)或混合其他有機(jī)電子傳 輸材料構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述電子傳輸層中強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子 體系化合物與其他有機(jī)電子傳輸材料的質(zhì)量比為1 : 0-60。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合 物選自某些氧化物和有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物，所述某些氧化物包括氧化錳、氧化鎳、 氧化鈷、三氧化二釩、高溫超導(dǎo)體的銅氧化合物；所述有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物包括 (4,4',5,5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高氯酸鹽、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸鹽、 (4,4，,5,5'-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高錸酸鹽。
7. —種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟1) 在陽(yáng)極上蒸鍍或溶液旋涂空穴傳輸層；2) 在空穴傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂發(fā)光兼電子傳輸層，或者，先蒸鍍或溶液旋涂發(fā)光 層，再蒸鍍或溶液旋涂電子傳輸層；3) 在發(fā)光兼電子傳輸層或電子傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂一層強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物作 為電子注入層；4) 在電子注入層上蒸鍍陰極。
8. 如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于步驟3)中所述的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物 選自某些氧化物和有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物，所述某些氧化物包括氧化錳、氧化鎳、氧化鈷、三氧化二釩、高溫超導(dǎo)體的銅氧化合物；所述有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物包括 (4,4，,5,5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高氯酸鹽、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸鹽、 (4,4',5,5，-雙二硫乙撐基四硫代富瓦烯)高錸酸鹽；所制作的電子注入層的厚度為 l-10nm。
9. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟1) 在陽(yáng)極上蒸鍍或溶液旋涂空穴傳輸層；2) 在空穴傳輸層上蒸鍍或溶液旋涂發(fā)光層；3) 在發(fā)光層上蒸鍍或溶液旋涂強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物或者有機(jī)電子傳輸材料和強(qiáng)關(guān)聯(lián) 電子體系化合物的混合物形成電子傳輸層；4) 在電子傳輸層上蒸鍍陰極。
10. 如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于所述步驟3)中強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物與電子傳輸材料的質(zhì)量比為i: o-eo;所述強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物選自某些氧化物和有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物，所述某些氧化物包括氧化錳、氧化鎳、氧化鈷、三氧化二釩、高溫超導(dǎo)體的銅氧化合物；所述有機(jī)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系化合物包括(4，4，,5,5，-雙二硫乙撐基四硫 代富瓦烯)高氯酸鹽、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸鹽、(4,4，,5，5，-雙二硫乙撐基四硫代富 瓦烯)高錸酸鹽。
全文摘要
本發(fā)明針對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件中有機(jī)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性較差，電荷遷移率低，而且通?？昭▊鬏敳牧蠈?duì)于空穴的傳輸速度要大大快于電子傳輸材料對(duì)于電子的傳輸速度的情況，在有機(jī)電子傳輸層和陰極金屬之間摻入強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物或者在有機(jī)電子傳輸層中摻雜強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物，利用強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系化合物在電荷注入的情況下可以發(fā)生從絕緣態(tài)到金屬的轉(zhuǎn)變，產(chǎn)生大量的自由電子，增加電子的注入，不僅改善有機(jī)半導(dǎo)體材料對(duì)電子的傳輸能力，還可以提高器件的電流效率，降低器件的啟動(dòng)電壓，達(dá)到改善器件發(fā)光性能及效率的目的，且其電子注入及傳輸能力與器件的發(fā)光效率均優(yōu)于通用而最有效的LiF超薄絕緣層。
文檔編號(hào)H05B33/12GK101217838SQ200810056048
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者羅佳秀, 肖立新, 陳志堅(jiān), 龔旗煌 申請(qǐng)人:北京大學(xué)