專利名稱：半導(dǎo)體裝置及制法、半導(dǎo)體封裝、電子設(shè)備及制法、電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體封裝、電子設(shè)備、電子儀器和半導(dǎo)體 裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制造方法，尤其適用于半導(dǎo)體封裝等的層 疊結(jié)構(gòu)中。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的三維安裝，例如專利文獻(xiàn) l所公開的那樣，有隔著金屬球?qū)盈B半導(dǎo)體芯片的方法。專利文獻(xiàn)1特開平11-307717號公報(bào) 但是，在將半導(dǎo)體芯片安裝在封裝上時(shí)，由于半導(dǎo)體芯片和封裝之間 的線膨脹系數(shù)等不同，封裝中產(chǎn)生翹曲。因此，隔著金屬球?qū)盈B封裝的方 法中，封裝中產(chǎn)生翹曲后，封裝彼此的間隔產(chǎn)生偏差，金屬球的接合強(qiáng)度 惡化，出現(xiàn)三維安裝時(shí)連接可靠性惡化的問題。發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的目的是提供考慮封裝的翹曲并提高三維安裝時(shí)的連接 可靠性的半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體封裝、電子設(shè)備、電子儀器和半導(dǎo)體裝置的 制造方法以及電子設(shè)備的制造方法發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明之一的形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括形成了突出電極的接合面積彼此不同的多個(gè)第一接合面的第一半導(dǎo) 體封裝；分別與上述第一接合面相對向配置、形成了突出電極的接合面積 彼此不同的多個(gè)第二接合面的第二半導(dǎo)體封裝。由此，可用第一接合面和第二接合面控制突出電極的寬度，可調(diào)整第一接合面和第二接合面之間接合的突出電極的粗細(xì)。因此，第一半導(dǎo)體封 裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制突出電極的打捆(緊束)，可提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述接合面積是接 合上述突出電極的岸面上的絕緣膜的開口面積。由此，通過變更岸面上形成的絕緣膜的開口圖案可改變突出電極的接 合面積，不會使制造工序變復(fù)雜，可調(diào)整第一接合面和第二接合面之間接 合的突出電極的粗細(xì)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述接合面積從上 述半導(dǎo)體封裝的中央部向外周部慢慢變化。由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中的一方或兩方產(chǎn)生翹曲 時(shí)，也可抑制突出電極的打捆(緊束)，并可在第一接合面與第二接合面 之間接合突出電極。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著上述第一半導(dǎo) 體封裝和上述第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔變寬，上述第一接合面的接合面 積和上述第二接合面的接合面積慢慢減小。由此，在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔寬的區(qū)域中，可用第一接合面和第二接合面兩面抑制突出電極的變寬，可在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間使突出電極加粗。因此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中之一方或兩方產(chǎn)生翹曲時(shí)，也可抑制第一半導(dǎo)體封裝和第 二半導(dǎo)體封裝之間的突出電極的打捆(緊束)，可提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，與上述多個(gè)接合面 分別接合的突出電極的體積實(shí)質(zhì)上相同。由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中的一方或兩方產(chǎn)生翹曲時(shí)，也不會變更突出電極的大小，抑制突出電極的打捆(緊束)，不會惡 化生產(chǎn)效率，提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體 封裝；分別隔著體積彼此不同的多個(gè)突出電極層疊在上述第一半導(dǎo)體封裝 上的第二半導(dǎo)體封裝。由此，可調(diào)整第一接合面和第二接合面之間接合的突出電極的粗細(xì)， 即使第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔有偏差的情況下，也可 抑制突出電極的打捆(緊束)，可提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝 之間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述突出電極的體 積從上述半導(dǎo)體封裝的中央部向外周部慢慢變化。由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中的一方一或兩方產(chǎn)生翹曲 時(shí)，也抑制突出電極的打捆(緊束)，不會惡化生產(chǎn)效率，并且可連接第 一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著上述第一半導(dǎo) 體封裝和上述第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔變寬，上述突出電極的體積慢慢 增大。由此，在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔寬的區(qū)域中， 可加粗第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的突出電極，第一半導(dǎo)體封 裝和第二半導(dǎo)體封裝中的一方或兩方產(chǎn)生翹曲時(shí)，也可抑制第一半導(dǎo)體封 裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的突出電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述突出電極的導(dǎo) 電性膏的量不同。由此，通過調(diào)整導(dǎo)電性膏的量可調(diào)整第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封 裝之間的突出電極的粗細(xì)，即使第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的 間隔有偏差的情況下，也可抑制制造工序變復(fù)雜并抑制突出電極的打捆 (緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第一半導(dǎo)體封 裝，包括第一載體基板和倒裝片安裝在上述第一載體基板上的第一半導(dǎo)體 芯片，而上述第二半導(dǎo)體封裝，包括隔著上述突出電極安裝在上述第一載體基板上以使之保持在上述第一半導(dǎo)體芯片上的第二載體基板、搭載在上 述第二載體基板上的第二半導(dǎo)體芯片和密封上述第二半導(dǎo)體芯片的密封 件。由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝的種類不同的情況下，也可 抑制高度增大，并且可在第一半導(dǎo)體封裝上層疊第二半導(dǎo)體封裝，同時(shí)第 一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制突 出電極的打捆(緊束)，可節(jié)省空間，并且可以提高第一半導(dǎo)體封裝和第 二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第一半導(dǎo)體封 裝是在上述第一載體基板上倒裝片安裝上述第一半導(dǎo)體芯片的球柵陣列， 上述第二半導(dǎo)體封裝是模壓密封上述第二載體基板上搭載的第二半導(dǎo)體 芯片的球柵陣列或芯片尺寸封裝。由此，使用通用封裝的情況下，抑制突出電極的打捆(緊束)，并且 層疊不同種類封裝，不會惡化生產(chǎn)效率，提高不同封裝間的連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子設(shè)備，其特征在于，包括形成了突出電 極的接合面積彼此不同的多個(gè)第一接合面的第一載體基板；倒裝片安裝在 上述第一載體基板上的第一電子部件；與上述第一接合面相對向配置、形 成了上述突出電極的接合面積彼此不同的多個(gè)第二接合面的第二載體基 板；上述第二載體基板上搭載的第二電子部件；密封上述第二電子部件的 密封件。由此，可在第一載體基板上層疊第二載體基板，并且可從第一載體基 板和第二載體基板兩側(cè)抑制突出電極的變寬。因此，抑制接合面積的變動量，并且可調(diào)整第一接合面和第二接合面 之間接合的突出電極的粗細(xì)，即使在第一載體基板上，在與第二載體基板 之間的間隔有大的偏差的情況下，也可確保必要的接合面積并且抑制突出 電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子儀器，其特征在于，包括第一載體基板; 倒裝片安裝在上述第一載體基板的第一電子部件；分別隔著體積彼此不同 的多個(gè)突出電極安裝在上述第一載體基板上，以使之保持在上述第一電子 部件上的第二載體基板；上述第二載體基板上搭載的第二電子部件；密封上述第二電子部件的密封件。由此，可在第一載體基板上層疊第二載體基板，并且可從第一載體基 板和第二載體基板兩側(cè)抑制突出電極的變寬。因此，抑制接合面積的變動量，并且可調(diào)整第一接合面和第二接合面 之間接合的突出電極的粗細(xì)，即使在第一載體基板上，在與第二載體基板 之間的間隔有大的偏差的情況下，也可確保必要的接合面積并且抑制突出 電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，對應(yīng)連接于自身封 裝上的對方封裝的翹曲，改變著接合于自身封裝上的突出電極的接合面的 接合面積。由此，對方封裝有翹曲時(shí)也可在自身封裝側(cè)控制突出電極的變寬，可 在自身封裝側(cè)調(diào)整接合于自身封裝的突出電極的粗細(xì)，提高封裝間的連接 可靠性。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子儀器，其特征在于，包括形成了突出電 極的接合面積彼此不同的多個(gè)第一接合面的第一半導(dǎo)體封裝；與上述第一 接合面相對向配置、形成了上述突出電極的接合面積彼此不同的多個(gè)第二 接合面的第二半導(dǎo)體封裝；已安裝上述第二半導(dǎo)體封裝的母基板。由此，通過改變突出電極的接合面積可調(diào)整第一接合面和第二接合面 之間接合的突出電極的粗細(xì)，即使在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之 間的間隔有偏差的情況下也可抑制突出電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子儀器，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體封 裝；分別隔著體積彼此不同的多個(gè)突出電極，層疊在上述第一半導(dǎo)體封裝上的第二半導(dǎo)體封裝；安裝了上述第二半導(dǎo)體封裝的母基板。由此，通過改變突出電極的體積，可調(diào)整第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo) 體封裝之間的突出電極的粗細(xì)，即使在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝 之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制突出電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 在第一半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第一岸面上的絕緣膜上形成開口面積彼此不同的第一開口部的工序；在第二半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第二岸面上的絕緣膜 上形成開口面積彼此不同的第二開口部的工序；在形成上述第二開口部的第二岸面上形成突出電極的工序；通過將上述第二岸面上形成的突出電極 接合于上述第一岸面上，在上述第一半導(dǎo)體封裝上層疊上述第二半導(dǎo)體封 裝的工序。由此，可改變突出電極的接合面積，可控制岸面上的突出電極的變寬。 因此第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中的一方或兩方產(chǎn)生翹曲的情況下，也可抑制突出電極的打捆(緊束)，并且可在第一半導(dǎo)體封裝上層疊 第二半導(dǎo)體封裝。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 通過隔著具有掩膜厚度彼此不同的印刷面的印刷掩膜涂布導(dǎo)電材料，在第 一半導(dǎo)體封裝上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序；在第二半導(dǎo)體封裝上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料將上述第二半導(dǎo)體封裝上形成的突出電極接合在上述第一半導(dǎo)體封裝，從而在上述第一半導(dǎo)體封裝上層疊上 述第二半導(dǎo)體封裝的工序。由此，通過將導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到第一半導(dǎo)體封裝上，可調(diào)整第一半導(dǎo)體 封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的突出電極的粗細(xì)，即使第一半導(dǎo)體封裝和第 二半導(dǎo)體封裝中之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制制造工序的復(fù)雜 化，并且可抑制突出電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 通過控制導(dǎo)電材料的涂布量在第一半導(dǎo)體封裝上形成厚度不同的導(dǎo)電材 料的工序；在第二半導(dǎo)體封裝上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料 將上述第二半導(dǎo)體封裝上形成的突出電極接合在上述第一半導(dǎo)體封裝，從 而在上述第一半導(dǎo)體封裝上層疊上述第二半導(dǎo)體封裝的工序。由此，通過調(diào)整導(dǎo)電性膏的涂布量可調(diào)整第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo) 體封裝之間的突出電極的粗細(xì)，即使第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝中 之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制制造工序的復(fù)雜化，并且可抑制突 出電極的打捆(緊束)。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在 第一載體基板上設(shè)置的第一岸面上的絕緣膜上形成開口面積不同的第一 開口部的工序；在上述第一載體基板上安裝第一電子部件的工序；在第二 載體基板上設(shè)置的第二岸面上的絕緣膜上形成開口面積不同的第二開口部的工序；在上述第二載體基板上安裝第二電子部件的工序；在形成了上 述第二開口部的第二岸面上形成突出電極的工序；通過將上述第二岸面上 形成的突出電極接合于上述第一岸面上，在上述第一載體基板上層疊上述 第二載體基板的工序。由此，可改變突出電極的接合面積，即使在第一載體基板和第二載體 基板中的一方或兩方產(chǎn)生翹曲的情況下，也可抑制突出電極的打捆(緊 束)，并且可在第一載體基板上層疊第二載體基板。根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在第一載體基板上安裝第一電子部件的工序；通過隔著具有掩膜厚度不同的印刷面的印刷掩膜涂布導(dǎo)電材料，在上述第一載體基板上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序；在第二載體基板上安裝第二電子部件的工序；在安裝了 第二電子部件的第二載體基板上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料 將上述第二載體基板上形成的突出電極接合在上述第一載體基板，從而在 上述第一載體基板上層疊上述第二載體基板的工序。由此，通過將導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到第一載體基板上，可調(diào)整第一載體基板 和第二載體基板之間的突出電極的粗細(xì)，即使在第一載體基板和第二載體 基板之間的間隔有偏差的情況下，也可抑制制造工序變復(fù)雜并抑制突出電 極的打捆(緊束)。另外，根據(jù)本發(fā)明之一形式的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包 括在第一載體基板上安裝第一電子部件的工序；通過控制導(dǎo)電材料的涂 布量，在上述第一載體基板上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序；在第二載 體基板上安裝第二電子部件的工序；在安裝上述第二電子部件的第二載體 基板上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料將在上述第二載體基板上 形成的突出電極接合在上述第一載體基板，從而在上述第一載體基板上層 疊上述第二載體基板的工序。由此，通過調(diào)整導(dǎo)電性膏的涂布量，可調(diào)整第一載體基板和第二載體 基板之間的突出電極的粗細(xì)，即使在第一載體基板和第二載體基板之間的 間隔有偏差的情況下，也可抑制制造工序的復(fù)雜化，并抑制突出電極的打捆(緊束)。


圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖； 圖3是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖4是表示第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖； 圖5是表示第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖； 圖6是表示第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖； 圖7是表示第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。 圖中，11、 21、 31、 41、 51、 81、 91、 211 —載體基板，12、 13、 22、 23、 42、 43、 52、 53、 82、 83、 92、 93、 212、 223 —絕緣膜，12、 13a 13c、 22a、 22b、 42a、 43a 43c、 52a、 52b、 82a、 83a、 83b、 92a、 92b、 112、 113a、 113b、 214、 215a、 215b、 226a、 226b-開口部，44a、 44b、 44c、 45a、 45b、 45c、 54a、 54b、 55、 72、 84、 85a、 85b、 85c、 94a、 94b、 95、 214、 215a、 215b、 225a、 225b-岸面，16、 26a、 26b、 46、 56a、 56b、 86、 96a、 96b、 216、 221 —半導(dǎo)體芯片，17、 19、 29a、 29b、 47、 49a、 49b、 49c、 59a、 5%、 87、 99a、 99b、 101a、 101b、 102、 217、 219、 227a、 227b —突出電極，18、 48、 88、 21各向異性導(dǎo)電膜，27a、 27b、 57a、 57b、 97a、 97b—粘接層，28a、 28b、 58a、 58b、 98a、 98b —導(dǎo)電性引線，30、 60、 100 —密封樹脂，71 —母基板，89、 89a、 89b —導(dǎo)電性膏，lll一印刷 掩膜，114一橡皮滾(squeegee) ， 121 —分散器，222—電極墊片，224 — 應(yīng)力緩和層，225 —再配置配線，226—焊料抗蝕劑膜，PKll、 PK12、 PK21、 PK22、 PK31、 PK32、 PK41、 PK42 —半導(dǎo)體封裝具體實(shí)施方式
下面參考

本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備和它們 的制造方法。圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。 該第1實(shí)施方式改變接合突出電極29a， 29b的半導(dǎo)體封裝PKll， PK12 的雙方開口部13a， 13b和開口部22a， 22b的開口直徑的。在圖1中，半導(dǎo)體封裝PK11上設(shè)有載體基板11。并且載體基板11的里面上設(shè)有為配置突出電極19的岸面14。并且，設(shè)置岸面14的載體基板11的里面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜12，絕緣膜12上設(shè)置使岸 面14的表面露出的開口部12a。另一方面，載體基板11的表面上分別設(shè)有用于分別配置突出電極 29a, 29b的岸面15a, 15b，同時(shí)設(shè)置配置突出電極17的岸面15c。并且， 設(shè)置岸面15a 15c的載體基板11的表面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜 13，絕緣膜13上分別設(shè)置使岸面15a 15c的表面露出的開口部13a 13c。這里對應(yīng)突出電極29a， 29b分別設(shè)置的開口部13a， 13b的開口直徑可 以設(shè)定為例如從載體基板11的中央部向外周部慢慢減小。并且載體基板11上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片16，半導(dǎo)體芯片16上設(shè) 有用于倒裝片安裝的突出電極17。并且，半導(dǎo)體芯片16上設(shè)置的突出電 極17隔著各向異性導(dǎo)電片18ACF(各向異性導(dǎo)電膜)接合于岸面15c上。 載體基板11的里面上設(shè)置的岸面14上設(shè)有用于將載體基板11安裝在母 基板上的突出電極19。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK12上設(shè)置載體基板21。并且載體基板21 的里面上設(shè)置分別配置突出電極29a, 29b的岸面24a, 24b。并且設(shè)置岸面 24a， 24b的載體基板21的里面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜22，絕緣膜 22上分別設(shè)有使岸面24a， 24b的表面露出的開口部22a， 22b。這里對應(yīng)突出電極29a， 2%分別設(shè)置的開口部22a， 22b的開口直徑可 以設(shè)定為例如從載體基板21的中央部向外周部慢慢減小。另一方面，載體基板11的表面上設(shè)有用于引線接合連接的岸面25。 并且設(shè)置岸面25的載體基板21的表面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜23， 絕緣膜23上分別設(shè)有使岸面25的表面露出的開口部23a。并且載體基板21上隔著粘接層27a倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片26a，半 導(dǎo)體芯片26a按隔著導(dǎo)電性線28a引線接合連接在岸面25。另外，半導(dǎo) 體芯片26a上避開導(dǎo)電性線28a倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片26b，半導(dǎo)體芯片 26b隔著粘接層27b固定在半導(dǎo)體芯片26a上，同時(shí)隔著導(dǎo)電性線28b引 線接合連接在岸面25。作為導(dǎo)電性線28a， 28b可使用例如Au線、A1線等。載體基板21的里面上設(shè)置的岸面24a， 24b上，以將載體基板21保持 在半導(dǎo)體芯片16上的形態(tài)、分別設(shè)有將載體基板21安裝在載體基板11上用的突出電極29a，29b。這里，使突出電極29a,29b避開半導(dǎo)體芯片16 的搭在區(qū)域來配置，例如可將突出電極29a， 2%配置在載體基板21的里 面的周圍。半導(dǎo)體芯片26a， 26b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板21的整個(gè)一面上設(shè)置密 封樹脂30，由該密封樹脂30密封半導(dǎo)體芯片26a, 26b。密封樹脂30密封 半導(dǎo)體芯片26a， 26b的情況下，可通過使用環(huán)氧樹脂等的熱固化樹脂的模 壓成型等進(jìn)行。這里，由于載體基板11和半導(dǎo)體芯片16等的線膨脹系數(shù)不同，半導(dǎo) 體封裝PK11向下側(cè)翹曲，由于載體基板21和密封樹脂30等的線膨脹系 數(shù)不同，半導(dǎo)體封裝PK12向上側(cè)翹曲。并且，例如半導(dǎo)體封裝PKll向下側(cè)翹曲、半導(dǎo)體封裝PK12向上側(cè)翹 曲的狀態(tài)下，通過分別將突出電極29a，29b接合在載體基板11上設(shè)置的 岸面15a, 15b，可以將載體基板21安裝在載體基板11上。這里，對應(yīng)突出電極29a， 29b的下面分別設(shè)置的開口部13a， 13b的開 口直徑和對應(yīng)突出電極29a，29b的上面分別設(shè)置的開口部22a，22b的開 口直徑雙方設(shè)定為從載體基板11， 21的中央部向外周部分別減小，使得可 從層疊的載體基板11, 21的兩側(cè)控制突出電極29a， 2%的變寬。因此，可抑制突出電極29a,29b的接合面積，并且調(diào)整岸面15a， 15b 和岸面24a，24b之間分別接合的突出電極29a，29b的粗細(xì)，在載體基板 11, 21的翹曲大的情況下，也可確保突出電極29a， 29b的必要的接合面積， 并且可抑制突出電極29a，29b的打捆(緊束)。另外，通過改變開口部13a, 13b的開口直徑和開口部22a， 22b的開口 直徑雙方，在載體基板11,21的翹曲大的情況下，也可不改變突出電極 29a，29b的體積，抑制突出電極29a，29b的打捆(緊束)。因此抑制在載 體基板21上形成突出電極29a, 2%時(shí)的制造效率的惡化，并且提高載體 基板11，21之間的連接可靠性。例如用焊錫球構(gòu)成突出電極29a， 29b的情況下的球直徑都為。0. 3mm, 載體基板21的翹曲為80微米。并且，載體基板ll的開口部13a，13b的 開口直徑為00. 3mm，是一定的，載體基板21的中央部的開口部24b的 開口直徑為。0. 28腿，此時(shí)載體基板21的中央部的安裝高度為0. 205,。此時(shí)，為將載體基板21的端部的安裝高度設(shè)為0.285mm，需要載體基板 21的開口部24a的開口直徑為00. 05mm。因此，開口部24a的開口直徑 變得非常小，突出電極29a和岸面24a的接合面積過小，使得突出電極 29a和岸面24a的接合強(qiáng)度不足。另一方面，載體基板11的中央部的開口部13b的開口直徑維持 00. 3誦、載體基板11的端部的開口部13a的開口直徑小至。0. 28mm時(shí)， 載體基板21的端部的開口部24a的開口直徑可以為cD0.25腿。因此防止 開口部24a的開口直徑過小，可以確保必要的安裝高度。另外，作為載體基板11,21，例如可使用兩面基板、多層配線基板、 疊放基板、帶基板或膜基板等，作為載體基板11，21的材質(zhì)，可使用例如 聚酰胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、？和環(huán)氧樹脂的復(fù)合物或陶瓷等。 作為突出電極16,19, 29a,29b，可使用例如Au塊、由焊錫材料等覆蓋的 Cu塊，Ni塊或焊錫球等。尤其作為突出電極29a， 2%可使用焊錫球或?qū)щ?性膏等。為了將載體基板21安裝在載體基板11上，說明了將突出電極 29a， 2%設(shè)置在載體基板21側(cè)的方法，但也可以在載體基板11側(cè)設(shè)置突 出電極29a， 2%。上述實(shí)施方式中，說明了通過ACF接合在載體基板11上安裝半導(dǎo)體 芯片16的方法，但可使用NCF(非導(dǎo)電膜)接合、ACP(各向異性導(dǎo)電膏)接 合、NCP(非導(dǎo)電膏)接合等的其他壓接接合，可使用焊錫接合、合金接合 等的金屬接合。另外，說明了在將半導(dǎo)體芯片26a,26b安裝在載體基板 21上時(shí)使用了引線接合連接的方法，但可將半導(dǎo)體芯片26a，26b倒裝片 安裝在載體基板21上。另外，上述實(shí)施方式中，說明了在載體基板ll上 安裝1個(gè)半導(dǎo)體芯片16的方法的例子，但載體基板11上可安裝多個(gè)半導(dǎo) 體芯片。載體基板11和載體基板21之間的間隙根據(jù)需要可注入樹脂。上 述實(shí)施方式中，表示出在載體基板11上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片16的例子， 但也可以正片安裝(未示出)。此時(shí)，半導(dǎo)體芯片16可被密封。此時(shí)，載 體基板11的密封半導(dǎo)體芯片16的部分向下凸出變形，未密封的部分向上 凸出變形。另外，上述實(shí)施方式中以下側(cè)的載體基板11向下側(cè)翹曲，上側(cè)的載 體基板21向上側(cè)翹曲的情況為例進(jìn)行說明，但下側(cè)的載體基板11不翹曲、上側(cè)的載體基板21向上側(cè)翹曲的情況下，下側(cè)的載體基板U向下側(cè)翹曲 的情況下，兩個(gè)載體基板11, 21向下側(cè)翹曲并且上側(cè)的載體基板21翹曲 大的情況下也同樣適用。另外，下側(cè)的載體基板ll向上側(cè)翹曲，上側(cè)的載體基板21向下側(cè)翹 曲的情況下，下側(cè)的載體基板11沒有翹曲、上側(cè)的載體基板21向下側(cè)翹 曲的情況下，上側(cè)的載體基板21沒有翹曲下側(cè)的載體基板11向上側(cè)翹曲 的情況下，雙方載體基板11,21向下側(cè)翹曲并且上側(cè)的載體基板11翹曲 大的情況下，雙方載體基板11，21向上側(cè)翹曲，并且下側(cè)的載體基板21 翹曲大的情況下也適用。這些情況下，對應(yīng)突出電極29a,29b的下面分別 設(shè)置的開口部13a， 13b的開口直徑和對應(yīng)突出電極29a, 2%的上面分別設(shè) 置的開口部22a， 22b的開口直徑雙方可設(shè)定為從載體基板ll，21的中央部向外周部分別增大。圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。圖2 (a)中，半導(dǎo)體封裝PKll向下側(cè)翹曲，半導(dǎo)體封裝PK21向上 側(cè)翹曲。并且，半導(dǎo)體封裝PK11上層疊半導(dǎo)體封裝PK12的情況下，在載 體基板22的岸面24a， 24b上分別形成突出電極29a, 29b。這里，作為突 出電極29a， 2%例如使用焊錫球的情況下，實(shí)際上可將球的直徑設(shè)定得相 等(即在制造誤差的范圍內(nèi))。接著如圖2 (b)所示，將形成了突出電極29a, 29b的半導(dǎo)體封裝PK12 安裝在半導(dǎo)體封裝PK11上，通過回流處理分別將突出電極29a， 2%接合 在岸面15a， 15b和岸面24a， 24b上。這里分別對應(yīng)突出電極29a， 2%的下面設(shè)置的開口部13a， 13b的開口 直徑和開口部22a， 22b的開口直徑雙方設(shè)定為，分別從載體基板11, 21的 中央部向外周部減小，使得將球徑相等的焊錫球用作突出電極29a， 2%的 情況下也可抑制突出電極29a，29b的打捆(緊束)，并且可使載體基板21 的安裝高度對應(yīng)載體基板11, 21的翹曲。接著如圖2 (c)所示，在載體基板11的里面上設(shè)置的岸面14上形 成用于將載體基板11安裝在母基板上的突出電極19。圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。 該第2實(shí)施方式在分別變化接合突出電極59a,59b的半導(dǎo)體封裝PK21, PK22雙方的開口部43a， 43b和開口部52a， 52b的開口直徑的同時(shí)， 改變接合突出電極49a 49c的半導(dǎo)體封裝PK21的開口部42a 42c的開 口直徑。圖3中，半導(dǎo)體封裝PK21上設(shè)有載體基板41。并且載體基板41的 里面上設(shè)有用于配置突出電極49a 49c的岸面44a 44c。并且設(shè)置岸面 44a 44c的載體基板41的里面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜42，在絕緣 膜42上設(shè)置分別使岸面44a 44c的表面露出的開口部42a 44c。這里，分別對應(yīng)突出電極49a 49c設(shè)置的開口部42a 44c的開口直 徑可設(shè)定為例如從載體基板41的中央部向外周部慢慢增大。另一方面，載體基板41的表面上分別設(shè)有用于分別配置突出電極 59a， 5%的岸面45a, 45b的同時(shí)，設(shè)有用于配置突出電極47的岸面45c。 并且，設(shè)置岸面45a， 45b， 45c的載體基板41的表面上形成焊料抗蝕劑等 的絕緣膜43，在絕緣膜43上分別設(shè)置使岸面45a 45c的表面露出的幵 口部43a 43c。這里，分別對應(yīng)突出電極59a， 59b設(shè)置的開口部43a， 43b的開口直徑 可設(shè)定為例如從載體基板41的中央部向外周部慢慢減小。并且，載體基板41上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片46，在半導(dǎo)體芯片46 上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極47。并且半導(dǎo)體芯片43上設(shè)置的突出 電極47隔著各向異性導(dǎo)電膜48ACF接合于岸面45c上。在載體基板41的 里面上設(shè)置的岸面44a 44c上設(shè)有用于將載體基板41安裝在母基板71 上的突出電極49a 49c。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK22上設(shè)有載體基板51。并且載體基板51 的里面上分別設(shè)有用于分別配置突出電極59a， 59b的岸面54a， 54b。并且 設(shè)置岸面54a， 54b的載體基板51的里面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜52， 在絕緣膜52上分別設(shè)有使岸面54a, 54b的表面露出的開口部52a， 52b。這里，對應(yīng)突出電極59a， 59b設(shè)置的開口部52a， 52b的開口直徑可設(shè) 定為例如從載體基板51的中央部向外周部慢慢減小。另一方面，載體基板51的表面上設(shè)有用于引線接合連接的岸面55。 并且，設(shè)置岸面55的載體基板51的表面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜 53，在絕緣膜53上設(shè)有使岸面55的表面露出的開口部53a。并且，載體基板51上隔著粘接層57a正片安裝半導(dǎo)體芯片56a，半 導(dǎo)體芯片56a隔著導(dǎo)電性線58a引線接合連接在岸面55。另外，在半導(dǎo) 體芯片56a上避開導(dǎo)電性線58a正片安裝半導(dǎo)體芯片56b，半導(dǎo)體芯片56b 隔著粘接層57b固定在半導(dǎo)體芯片56a上的同時(shí)，隔著導(dǎo)電性線58b引線 接合連接于岸面55。載體基板51的里面上設(shè)置的岸面54a, 54b上分別設(shè)有以將載體基板 51保持在半導(dǎo)體芯片46上的形態(tài)、將載體基板51安裝在載體基板41上 的突出電極59a,59b。這里，使突出電極59a,59b避開半導(dǎo)體芯片46的 搭載區(qū)域來配置，例如在載體基板51的里面周圍配置突出電極59a，59b。 在半導(dǎo)體芯片56a， 56b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板51的整個(gè)一面上設(shè)置密封 樹脂60，通過該密封樹脂60密封半導(dǎo)體芯片56a, 56b。這里，載體基板41、半導(dǎo)體芯片46等的線膨脹系數(shù)不同，例如半導(dǎo) 體組建PK21向下側(cè)翹曲，載體基板51、密封樹脂60等的線膨脹系數(shù)不 同，半導(dǎo)體封裝PK22向上側(cè)翹曲。并且，例如半導(dǎo)體封裝PK21向下側(cè)翹曲、半導(dǎo)體封裝PK22向上側(cè)翹 曲的狀態(tài)下，通過載體基板41上設(shè)置的岸面45a，45b上分別接合突出電 極59a，59b，可以將載體基板51安裝在載體基板41上。另外，通過在母基板71上設(shè)置的岸面72上分別接合突出電極49a 49c，可將層疊載體基板21的載體基板11安裝在母基板71上。這里，將對應(yīng)突出電極59a， 59b的下面分別設(shè)置的開口部43a,43b的 開口直徑和對應(yīng)突出電極59a， 59b的上面分別設(shè)置的開口部52a， 52b的開 口直徑雙方，可設(shè)置為分別從載體基板41，51的中央部向外周部減小，從 而可從層疊的載體基板41， 51的兩側(cè)控制突出電極59a， 5%的變寬。因此，抑制突出電極59a，59b的接合面積的變動量，并且可調(diào)整岸面 45a， 45b和岸面54a， 54b之間分別接合的突出電極59a, 59b的粗細(xì)，即使 載體基板41, 51的翹曲大的情況下，也可確保突出電極59a, 59b的必要的 接合面積，并抑制突出電極59a，59b的打捆(緊束)。另外，在載體基板51和母基板71之間夾持的載體基板41中，不僅 一個(gè)面上設(shè)置的開口部43a， 43b的開口直徑，而且在另一面上設(shè)置的開口 部42a 42c的開口直徑也變化，從而在載體基板41有翹曲的情況下，不僅抑制接合于載體基板51的突出電極59a， 59b的打捆(緊束)，也可抑制 接合于母基板71突出電極49a 49c的打捆(緊束)。因此不僅提高載體 基板41和載體基板51的連接可靠性，還提高載體基板41和母基板71的 連接可靠性。作為載體基板41,51和母基板71，例如使用兩面基板、多層配線基 板、疊放基板、帶基板或膜基板等，作為載體基板41，51和母基板71的 材質(zhì)，可使用例如聚酰胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、？和環(huán)氧樹脂 的復(fù)合物或陶瓷等。作為突出電極46，49a 49c，59a，59b，可使用例如Au 塊、由焊錫材料等覆蓋的Cu塊，Ni塊或焊錫球等。尤其作為突出電極49a 49c， 59a， 59b可使用焊錫球或?qū)щ娦愿嗟?。上述?shí)施方式中，說明了下側(cè)的載體基板41向下側(cè)翹曲、上側(cè)的載 體基板51向上側(cè)翹曲的情況下的例子，但同樣適用于上側(cè)的載體基板51 沒有翹曲、下側(cè)的載體基板41向下側(cè)翹曲的情況，雙方載體基板41，51 向下側(cè)翹曲，下側(cè)的載體基板41翹曲大的情況。另外，下側(cè)的載體基板41向上側(cè)翹曲的情況下，與上側(cè)的載體基板 51的翹曲無關(guān)，都將分別對應(yīng)突出電極49a 49c設(shè)置的開口部42a 42c 的開口直徑設(shè)定為從載體基板41的中央部向外周部慢慢減小。圖4,圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截 面圖。該第3實(shí)施方式通過改變印刷掩膜111的掩膜厚度來調(diào)整印刷在載 體基板81上的導(dǎo)電性膏89a， 89b的厚度的。圖4中，在導(dǎo)體封裝PK31上設(shè)有載體基板81。并且載體基板81的 里面上設(shè)有用于配置圖5 (b)的突出電極102的岸面84。并且設(shè)置岸面 84的載體基板11的里面上形成絕緣膜82，在絕緣膜82上設(shè)有用于使岸 面84的表面露出的開口部82a。另一方面，載體基板81的表面上分別設(shè)有用于分別接合圖5 (a)的 突出電極101a， 101b的岸面85a， 85b，同時(shí)設(shè)有用于配置突出電極87的 岸面85c。并且設(shè)置岸面85a 85c的載體基板81的表面上形成絕緣膜83， 在絕緣膜83上分別設(shè)有用于使岸面85a 85c的表面露出的開口部83a 83c。開口部83a 83c的開口直徑可設(shè)定為實(shí)際上相同。并且，載體基板81上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片86，在半導(dǎo)體芯片86上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極87。并且，半導(dǎo)體芯片86上設(shè)置的突出電極87隔著各向異性導(dǎo)電膜88ACF接合于岸面85c上。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK32上設(shè)有載體基板91。并且載體基板91 的里面上分別設(shè)有用于分別配置突出電極99a, 99b的岸面94a， 94b。并且 設(shè)置岸面94a,94b的載體基板91的里面上形成絕緣膜92，在絕緣膜92 上分別設(shè)有用于使岸面94a，94b的表面露出的開口部92a,92b。開口部 92a， 92b的開口直徑可設(shè)定為實(shí)際上相同。另一方面，載體基板91的表面上設(shè)有用于引線接合連接的岸面95。 并且設(shè)置岸面95的載體基板91的表面上形成絕緣膜93，在絕緣膜93上 設(shè)有用于使岸面95的表面露出的開口部93a。并且，載體基板91上隔著粘接層97a正片安裝半導(dǎo)體芯片96a，半 導(dǎo)體芯片96a隔著導(dǎo)電性線98a引線接合連接在岸面95。另外，在半導(dǎo) 體芯片96a上避開導(dǎo)電性線98a正片安裝半導(dǎo)體芯片96b，半導(dǎo)體芯片96b 隔著粘接層97b固定在半導(dǎo)體芯片96a上，同時(shí)隔著導(dǎo)電性線98b引線接 合連接在岸面95。另外，載體基板91的里面上設(shè)置的岸面94a， 94b上，以將載體基板 91保持在半導(dǎo)體芯片86上的形態(tài)、分別設(shè)有將載體基板91安裝在載體 基板81上的突出電極99a， 9%。在半導(dǎo)體芯片96a，96b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板91的整個(gè)一面上設(shè)置 密封樹脂100，通過該密封樹脂100密封半導(dǎo)體芯片％a， 96b。另一方面，印刷掩膜111上設(shè)有用于填充導(dǎo)電性膏89的開口部 113a， 113b，同時(shí)在印刷掩膜111的轉(zhuǎn)印面?zhèn)壬显O(shè)有可插入半導(dǎo)體芯片86 的開口部112。這里印刷掩膜111的掩膜厚度對應(yīng)開口部113a， 113b的位 置設(shè)定得不同，例如設(shè)定為從印刷掩膜lll的中央部向外周部慢慢加厚。例如，改變印刷掩膜111的掩膜厚度的情況下，將印刷掩膜111的上 面的截面形狀保持平坦，將印刷掩膜111的轉(zhuǎn)印面?zhèn)鹊慕孛嫘螤钭鞒晒?(arch) 狀。并且，半導(dǎo)體封裝PK31向下側(cè)翹曲、半導(dǎo)體封裝PK32向上側(cè)翹曲。 在向半導(dǎo)體封裝PK31上層疊半導(dǎo)體封裝PK32的情況下，向印刷掩膜111 的上面供給導(dǎo)電性膏89。然后，分別向印刷掩膜111的開口部113a， 113b填充導(dǎo)電性膏89時(shí)，將載體基板81壓貼在印刷掩膜111上。并且通過在 供給導(dǎo)電性膏89的印刷掩膜111上移動橡皮輥114，將導(dǎo)電性膏89分別 填充到開口部113a， 113b中。這里，通過從印刷掩膜111的中央部向外周 部慢慢增大掩膜厚度，與配置在中央部的開口部U3b相比，端部配置的 開口部113a的填充量更多。并且，如圖4 (b)所示，通過將印刷掩膜111的開口部113a，113b 填充的導(dǎo)電性膏89轉(zhuǎn)印到載體基板81的岸面85a,85b上，分別將導(dǎo)電性 膏89a，89b印刷到載體基板81的岸面85a，85b上。這里，與開口部13b 中填充的導(dǎo)電性膏89的填充量相比，在開口部113a中填充的導(dǎo)電性膏 89的填充量多。因此，與載體基板81的岸面85b上的導(dǎo)電性膏89b的厚 度相比，岸面85a上導(dǎo)電性膏89a的厚度可加厚。接著如圖4 (c)所示，印刷導(dǎo)電性膏89a， 89b的半導(dǎo)體封裝PK31上 安裝形成了突出電極99a， 9%的半導(dǎo)體封裝PK32。接著如圖5 (a)所示，通過進(jìn)行回流處理，使導(dǎo)電性膏89a，89b和 突出電極99a，99b熔融。并且，分別將導(dǎo)電性膏89a,89b和突出電極 99a，99b構(gòu)成的突出電極101a，101b分別接合在岸面85a， 85b和岸面 94a, 94b上。由此，可在載體基板81的岸面85a， 85b上統(tǒng)一形成導(dǎo)電性膏89a， 8%， 可對應(yīng)載體基板81和載體基板91之間的間隔改變突出電極101a, 101b的 體積。因此，在載體基板81,91有翹曲的情況下，可抑制突出電極 101a， 101b的打捆(緊束)，抑制制造效率的惡化，并且提高載體基板81， 91 之間的連接可靠性。接著如圖5 (b)所示，在載體基板81的里面上設(shè)置的岸面84上形 成將載體基板81安裝在母基板上的突出電極89。圖6是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面 圖，該第4實(shí)施方式通過調(diào)整導(dǎo)電性膏89的涂布量可調(diào)整載體基板81上 涂布的導(dǎo)電性膏89a， 8%的厚度。圖6中，在載體基板81的岸面85a， 85b上形成導(dǎo)電性膏89a， 8%時(shí)， 使用分散器121。并且，按岸面85a,85b調(diào)整導(dǎo)電性膏89的供給量，并 在載體基板81的岸面85a, 85b上形成導(dǎo)電性膏89a， 89b。由此，可對應(yīng)載體基板81和載體基板91之間的間隔改變突出電極lOla， 101b的體積，在載體基板81，91有翹曲的情況下也可抑制突出電極 101a， 101b的打捆(緊束)。圖7是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該 第5實(shí)施方式改變對應(yīng)W-CSP(晶片級一芯片尺寸封裝)的突出電極 227a， 227b設(shè)置的開口部226a, 226b的開口直徑。圖7中，半導(dǎo)體封裝PK41上設(shè)有載體基板211。載體基板211的里 面上設(shè)有用于配置突出電極219的岸面214。并且設(shè)置岸面214的載體基 板211的里面上形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜212，在絕緣膜212上設(shè)有用 于使岸面214的表面露出的開口部212a。另一方面，載體基板211的表面上分別設(shè)有用于分別配置突出電極 229a，229b的岸面215a， 215b，同時(shí)設(shè)有用于配置突出電極217的岸面 215c。并且設(shè)置岸面215a 215c的載體基板211的表面上形成焊料抗蝕 劑等的絕緣膜213，在絕緣膜213上分別設(shè)有用于使岸面215a 215c的 表面露出的開口部213a 213c。這里，對應(yīng)突出電極229a， 229b分別設(shè)置的開口部213a， 213b的開口 直徑可設(shè)定為例如從載體基板211的中央部向外周部慢慢減小。并且，在載體基板211上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片216，半導(dǎo)體芯片216 上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極217。并且，半導(dǎo)體芯片216上設(shè)置的 突出電極217隔著各向異性導(dǎo)電膜21865ACF接合在岸面215c。載體基板 211的里面設(shè)置的岸面214上，設(shè)有為了將載體基板211安裝到母基板上 的突出電極219。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK42上設(shè)置載體基板221，載體基板221上 設(shè)置電極墊片222的同時(shí)，露出電極墊片222，設(shè)置絕緣膜223。并且載 體基板221上露出電極墊片222形成應(yīng)力緩和層224，電極墊片222上形 成沿著應(yīng)力緩和層224延伸的再配置配線225的同時(shí)，在應(yīng)力緩和層224 上設(shè)有用于分別配置突出電極227a， 227b的岸面225a， 225b。并且，在再配置配線225和岸面225a， 225b上形成焊料抗蝕劑膜226， 在焊料抗蝕劑膜226上在應(yīng)力緩和層224中形成分別露出岸面225a， 225b 的開口部226a, 226b。這里，對應(yīng)突出電極227a, 227b分別設(shè)置的開口部226a， 226b的開口 直徑可設(shè)定為例如從半導(dǎo)體芯片221的中央部向外周部慢慢減小。并且，隔著開口部226a， 226b露出的岸面225a， 225b上分別設(shè)有以將 半導(dǎo)體芯片221保持在半導(dǎo)體芯片216上并倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片221的 突出電極227a， 227b。突出電極227a， 227b可避開半導(dǎo)體芯片216的搭載 區(qū)域配置，例如可將突出電極227a， 227b配置在半導(dǎo)體芯片221的周圍。這里，由于載體基板211、半導(dǎo)體芯片216等的線膨脹系數(shù)不同，例 如半導(dǎo)體封裝PK41向下側(cè)翹曲，由于半導(dǎo)體芯片221、應(yīng)力緩和層224 等的線膨脹系數(shù)不同，例如半導(dǎo)體封裝PK42也向下側(cè)翹曲，半導(dǎo)體封裝 PK41比半導(dǎo)體封裝PK42翹曲大。并且，例如在半導(dǎo)體封裝PK41向下側(cè)翹曲、半導(dǎo)體封裝PK42也向下 側(cè)翹曲、半導(dǎo)體封裝PK41比半導(dǎo)體封裝PK42翹曲大的狀態(tài)下，通過分別 將突出電極227a, 227b分別接合于載體基板211上設(shè)置的岸面215a，215b， 可將半導(dǎo)體芯片221安裝在載體基板221上。上述例子中，導(dǎo)體封裝PK41 比半導(dǎo)體封裝PK42翹曲大，但可以是導(dǎo)體封裝PK42比半導(dǎo)體封裝PK41 翹曲大。由此，可將W-CSP層疊在倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片216的載體基板211 上，在半導(dǎo)體芯片216，221的種類、大小不同的情況下也可不在半導(dǎo)體芯 片216， 221之間插入載體基板，將半導(dǎo)體芯片221三維安裝在半導(dǎo)體芯片 216上，同時(shí)可從載體基板211和半導(dǎo)體芯片221的兩側(cè)控制突出電極 227a, 227b的變寬。因此在半導(dǎo)體封裝PK41，PK42有翹曲的情況下，可抑制半導(dǎo)體芯片 216， 221層疊時(shí)的高度增大，并且抑制突出電極227a， 227b的打捆(緊束)， 可抑制三維安裝時(shí)的連接可靠性的惡化，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片216， 221安裝時(shí) 的節(jié)省空間。另外，上述實(shí)施方式中，說明了從半導(dǎo)體芯片221的中央部向外周部 慢慢減小幵口部226a， 226b的開口直徑的情況，但在半導(dǎo)體封裝PK42向 下側(cè)翹曲的情況下，可設(shè)定為從半導(dǎo)體芯片221的中央部向外周部慢慢增 大開口部226a， 226b的開口直徑。上述的半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備可適用于例如液晶顯示裝置、便攜電話、便攜信息終端、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MD(Mini Disc)播放器等的電子儀器，可實(shí)現(xiàn)電子儀器的小型化、輕量化，并且提高電子儀器的可靠性。 上述實(shí)施方式中，舉例說明了安裝半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝的方法， 但本發(fā)明不限于層疊半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝的方法，例如可層疊彈性表面波(SAW)元件等的陶瓷元件、光調(diào)制器和光開關(guān)等的光學(xué)元件、磁傳 感器和生物傳感器等的各種傳感器類等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體封裝；和分別隔著體積彼此不同的多個(gè)突出電極層疊在上述第一半導(dǎo)體封裝上的第二半導(dǎo)體封裝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，突出電極的體 積從上述半導(dǎo)體封裝的中央部向外周部慢慢變化的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著上述第一 半導(dǎo)體封裝和上述第二半導(dǎo)體封裝之間的間隔變寬，上述突出電極的體積 慢慢增大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述突出電極的導(dǎo)電性膏的量不同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一半導(dǎo)體封裝包括第一載體基板和倒裝片安裝在上述第一載體基 板上的第一半導(dǎo)體芯片，而上述第二半導(dǎo)體封裝包括隔著上述突出電極安 裝在上述第一載體基板上，以使之保持在上述第一半導(dǎo)體芯片上的第二載 體基板，搭載在上述第二載體基板上的第二半導(dǎo)體芯片，和密封上述第二 半導(dǎo)體芯片的密封件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第一半導(dǎo) 體封裝是在上述第一載體基板上倒裝片安裝上述第一半導(dǎo)體芯片的球柵 陣列，上述第二半導(dǎo)體封裝是模壓密封上述第二載體基板上搭載的第二半 導(dǎo)體芯片的球柵陣列或芯片尺寸封裝。
7. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括 第一載體基板；倒裝片安裝在上述第一載體基板的第一電子部件； 分別隔著體積彼此不同的多個(gè)突出電極安裝在上述第一載體基板上， 以使之保持在上述第一電子部件上的第二載體基板； 上述第二載體基板上設(shè)置的第二電子部件；密封上述第二電子部件的密封件。
8. —種電子儀器，其特征在于，包括 第一半導(dǎo)體封裝；分別隔著體積彼此不同的多個(gè)突出電極層疊在上述第一半導(dǎo)體封裝 上的第二半導(dǎo)體封裝；安裝上述第二半導(dǎo)體封裝的母基板。
9. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 通過隔著具有掩膜厚度彼此不同的印刷面的印刷掩膜涂布導(dǎo)電材料，在第一半導(dǎo)體封裝上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序； 在第二半導(dǎo)體封裝上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料將上述第二半導(dǎo)體封裝上形成的突出電極接合在 上述第一半導(dǎo)體封裝，從而在上述第一半導(dǎo)體封裝上層疊上述第二半導(dǎo)體 封裝的工序。
10. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括.-通過控制導(dǎo)電材料的涂布量在第一半導(dǎo)體封裝上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序；在第二半導(dǎo)體封裝上形成突出電極的工序；隔著上述導(dǎo)電材料將上述第二半導(dǎo)體封裝上形成的突出電極接合在 上述第一半導(dǎo)體封裝，從而在上述第一半導(dǎo)體封裝上層疊上述第二半導(dǎo)體 封裝的工序。
11. 一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括 在第一載體基板上安裝第一電子部件的工序；通過隔著具有掩膜厚度不同的印刷面的印刷掩膜涂布導(dǎo)電材料，在上述第一載體基板上形成厚度不同的導(dǎo)電材料的工序； 在第二載體基板上安裝第二電子部件的工序； 在安裝第二電子部件的第二載體基板上形成突出電極的工序； 隔著上述導(dǎo)電材料將上述第二載體基板上形成的突出電極接合在上述第一載體基板，從而在上述第一載體基板上層疊上述第二載體基板的工序。
12. —種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在第一載體基板上安裝第一電子部件的工序；通過控制導(dǎo)電材料的涂布量，在上述第一載體基板上形成厚度不同的 導(dǎo)電材料的工序；在第二載體基板上安裝第二電子部件的工序； 在已安裝上述第二電子部件的第二載體基板上形成突出電極的工序； 隔著上述導(dǎo)電材料將上述第二載體基板上形成的突出電極接合在上 述第一載體基板，從而在上述第一載體基板上層疊上述第二載體基板的工序。
全文摘要
考慮封裝的翹曲并提高三維安裝時(shí)的連接可靠性。設(shè)定對應(yīng)突出電極(29a)，(29b)分別設(shè)置的開口部(13a)，(13b)的開口直徑使之從載體基板(11)的中央部向外周部慢慢減小，同時(shí)設(shè)定分別對應(yīng)突出電極(29a)，(29b)設(shè)置的開口部(22a)，(22b)的開口直徑使之從載體基板21的中央部向外周部慢慢減小。
文檔編號H05K1/18GK101241906SQ20081008540
公開日2008年8月13日 申請日期2004年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月24日
發(fā)明者青栁哲理 申請人:精工愛普生株式會社