專利名稱：：布線電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及布線電路基板，詳細(xì)來說，涉及帶電路的懸浮基板等的布線電路基板。
背景技術(shù)：
：硬盤驅(qū)動器中所使用的帶電路的懸浮基板，是在支持磁頭的懸浮基板上、通過絕緣層形成布線電路圖形的布線電路基板。該帶電路的懸浮基板，由于阻擋磁頭與磁盤相對運(yùn)動時(shí)的氣流，在與磁盤之間保持微小的間隙，能夠得到磁頭良好的懸浮姿態(tài)，因此近年來，正廣泛普及。在這樣的帶電路的懸浮基板上，通常，在其前端部形成萬向支架(gimbal)部，該萬向支架部具有安裝放有磁頭的滑塊用的舌(tongue)部；以及配置在該舌部的寬度方向兩側(cè)并形成布線電路圖形的外支架(outrigger)部。然后，為了精密調(diào)整滑塊相對于磁盤的懸浮姿態(tài)(角度)，該外支架部的剛性成為重要的因素。另一方面，近年來，根據(jù)數(shù)據(jù)高密度化的觀點(diǎn)，對于這樣的帶電路的懸浮基板，必須實(shí)現(xiàn)信號的高頻化，但是若要力圖高頻化，則導(dǎo)體圖形中的傳輸損耗增大。因此，提出例如在懸浮體上依次層疊下部導(dǎo)體、絕緣層、記錄側(cè)線路及重放側(cè)線路構(gòu)成的導(dǎo)體，來減少導(dǎo)體的傳輸損耗(例如，參照特開2005-11387號公報(bào))。然而，近年來，隨著滑塊的小型化，要求更精密地調(diào)整滑塊相對于磁盤的懸浮姿態(tài)(角度)。但是，若如特開2005-11387號公報(bào)的提案那樣，沿導(dǎo)體設(shè)置下部導(dǎo)體，則外支架部的剛性增大，難以精密調(diào)整滑塊的懸浮姿態(tài)(角度)。本發(fā)明的目的在于，提供能夠減少導(dǎo)體圖形的傳輸損耗、同時(shí)能夠提高對安裝元器件的操作性的布線電路基板。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的布線電路基板，具有金屬支持基板；在前述金屬支持基板上形成的金屬箔；在前述金屬支持基板上覆蓋前述金屬箔那樣地形成的第1絕緣層；以及形成在前述第1絕緣層上并且具有多個(gè)布線的導(dǎo)體圖形，前述金屬箔沿各前述布線的長度方向配置，使得在厚度方向與各前述布線的一部分不相對，而且，使得在厚度方向與各前述布線的剩下的部分相對。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，最好在前述金屬支持基板上形成在厚度方向與各前述布線的前述一部分相對的開口部。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，最好前述布線電路基板是帶電路的懸浮基板。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，最好在前述金屬支持基板上，形成在厚度方向與各前述布線的前述一部分相對并且俯視圖為實(shí)質(zhì)上U字形狀的開口部，具有被前述開口部夾住并安裝磁頭的舌部；以及配置在前述開口部的外側(cè)的外支架部。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，最好前述金屬箔的與各前述布線相對的面積，對于各前述布線的面積100%來說，是70%以上。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，還最好具有介于前述金屬箔與前述金屬支持基板之間的第1金屬薄膜。另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，還最好具有介于前述第l金屬薄膜與前述金屬支持基板之間的第2絕緣層。根據(jù)本發(fā)明的布線電路基板，由于金屬箔在厚度方向與各布線的剩下部分相對，因此能夠利用簡單的層構(gòu)成，減少導(dǎo)體圖形的傳輸損耗。另外，由于金屬箔在厚度方向與各布線的一部分不相對，因此能夠減小與各布線的一部分相對應(yīng)的部分的剛性。所以，若將安裝元器件安裝在該部分的附近，則能夠確保對安裝元器件有很好的操作性。其結(jié)果，能夠力圖減少傳輸損耗，同時(shí)確保很好的操作性。圖l所示為作為本發(fā)明的布線電路基板的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的帶電路的懸浮基板的平面圖。圖2為圖1所示的帶電路的懸浮基板的前端部的放大圖，(a)所示為主要部分平面圖，(b)所示為主要部分背面圖。圖3為圖2所示的前端部的剖視圖，(a)所示為A-A線剖視圖，(b)所示為B-B線剖視圖，(c)所示為C-C線剖視圖。圖4所示為圖3所示的帶電路的懸浮基板的制造方法的制造工序圖，是與圖3(a)相對應(yīng)的剖視圖，(a)所示為準(zhǔn)備金屬支持基板的工序，(b)所示為在金屬支持基板上形成第2襯底絕緣層的工序，(c)所示為在第2襯底絕緣層上形成第1金屬薄膜的工序，(d)所示為在第1金屬薄膜上形成金屬箔、同時(shí)除去從金屬箔露出的第1金屬薄膜的工序。圖5所示為接著圖4的、圖3所示的帶電路的懸浮基板的制造方法的制造工序圖，是與圖3(a)相對應(yīng)的剖視圖，(e)所示為在金屬箔的表面形成第2金屬薄膜的工序，(f)所示為在第2襯底絕緣層上形成第1襯底絕緣層的工序(g)所示為在第1襯底絕緣層上依次形成第3金屬薄膜及導(dǎo)體圖形的工序。圖6所示為接著圖5的、圖3所示的帶電路的懸浮基板的制造方法的制造工序圖，是與圖3(a)相對應(yīng)的剖視圖，(h)所示為在導(dǎo)體圖形的表面形成第4金屬薄膜的工序，(i)所示為在第1襯底絕緣層上形成覆蓋絕緣層的工序，(j)所示為將金屬支持基板進(jìn)行外形加工、形成缺口部的工序。具體實(shí)施例方式圖l所示為作為本發(fā)明的布線電路基板的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的帶電路的懸浮基板的平面圖，圖2為圖l所示的帶電路的懸浮基板的前端部的放大圖，(a)所示為主要部分平面圖，(b)所示為主要部分背面圖，圖3為圖2所示的前端部的剖視圖，(a)所示為A-A線剖視圖，(b)所示為B-B線剖視圖，(c)所示為C-C線剖視圖。另外，在圖1中，為了明確表示導(dǎo)體圖形8相對于金屬支持基板2的相對配置，省略后述的第2襯底絕緣層3、第1襯底絕緣層5及覆蓋絕緣層11。在圖1中，該帶電路的懸浮基板l在安裝硬盤驅(qū)動器的磁頭(未圖示)的金屬支持基板2上，一體形成將磁頭與讀寫基板(未圖示)連接用的導(dǎo)體圖形8。導(dǎo)體圖形8將在后面敘述，它具有與磁頭的連接端子連接用的磁頭側(cè)連接端子部15;與讀寫基板的連接端子連接用的外部側(cè)連接端子部16;以及將磁頭側(cè)連接端子部15與外部側(cè)連接端子部16(以下，有時(shí)將它們簡稱為「端子部23」)連接用的多條布線17，并形成一體。金屬支持基板2形成為沿長度方向延伸的俯視圖實(shí)質(zhì)上曲柄形狀。在金屬支持基板2的長度方向一個(gè)端部(以下，稱為前端部)，設(shè)置磁頭側(cè)連接端子部15。另外，在金屬支持基板2的長度方向另一個(gè)端部(以下，稱為后端部)，設(shè)置外部側(cè)連接端子部16。然后，該帶電路的懸浮基板1如圖3(C)所示，具有金屬支持基板2;在金屬支持基板2上形成的作為第2絕緣層的第2襯底絕緣層3;以及在第2襯底絕緣層3上形成的第l金屬薄膜6。另外，帶電路的懸浮基板l具有在第1金屬薄膜6上形成的金屬箔4;在第2襯底絕緣層3上覆蓋金屬箔4那樣地形成的第2金屬薄膜7;以及在第2襯底絕緣層3上覆蓋第2金屬薄膜7那樣地形成的、作為第l絕緣層的第l襯底絕緣層5。另外，帶電路的懸浮基板l具有在第1襯底絕緣層5上形成的第3金屬薄膜9;在第3金屬薄膜9上形成的導(dǎo)體圖形8;以及在第1襯底絕緣層5上覆蓋導(dǎo)體圖形8那樣地形成的第4金屬薄膜10。另外，帶電路的懸浮基板l具有在第1襯底絕緣層5覆蓋第4金屬薄膜10那樣地形成的覆蓋絕緣層11。金屬支持基板2由金屬箔或金屬薄板形成。另外，金屬支持基板2的長度及寬度可根據(jù)其目的和用途適當(dāng)選擇。在金屬支持基板2的表面的、與導(dǎo)體圖形8相對應(yīng)的部分形成第2襯底絕緣層3，并且沿長度方向連續(xù)地形成。另外，如圖2所示，在長度方向途中，在寬度方向兩側(cè)互相隔開間隔沿長度方向配置2條第2襯底絕緣層3。另外，在帶電路的懸浮基板1的前端部及后端部(在圖2中未圖示)，寬度方向兩側(cè)的各第2襯底絕緣層3沿寬度方向連續(xù)那樣地形成第2襯底絕緣層3。第2襯底絕緣層3的寬度可適當(dāng)選擇，配置在長度方向途中的各第2襯底絕緣層3的寬度Wl例如為0.035mm，最好為0.13mm。如圖3(c)所示，在第2襯底絕緣層3的表面，形成第1金屬薄膜6作為在厚度方向與形成金屬箔4的部分相對的圖形。另外，第1金屬薄膜6介于金屬箔4與第2襯底絕緣層3之間。金屬箔4是在第2襯底絕緣層3之上，在第1金屬薄膜6的表面，形成作為在厚度方向與形成導(dǎo)體圖形8的部分相對的圖形。更具體來說，在第l金屬薄膜6的整個(gè)上表面形成金屬箔4。另外，將金屬箔4形成為比第2襯底絕緣層3的寬度要窄，在長度方向途中配置的各金屬箔4的寬度W2例如為0.024.99mm，最好為0.092.99mm。在金屬箔4的表面、覆蓋金屬箔4那樣地形成第2金屬薄膜7。更具體來說，在金屬箔4的上面及側(cè)面、和第1金屬薄膜6的側(cè)面，覆蓋它們那樣地形成第2金屬薄膜7。另外，該第2金屬薄膜7介于金屬箔4及第l金屬薄膜6、與第l襯底絕緣層5之間。在第2襯底絕緣層3上，覆蓋第2金屬薄膜7那樣地形成第1襯底絕緣層5。更具體來說，在寬度方向覆蓋第2金屬薄膜7的側(cè)面及上面那樣地在第2襯底絕緣層3的整個(gè)上表面形成第1襯底絕緣層5。在長度方向途中配置的第1襯底絕緣層5的寬度例如可以與第2襯底絕緣層3的寬度Wl相同或不同，例如為O.035mm，最好為0.13mm。在第1襯底絕緣層5的表面，形成第3金屬薄膜9作為在厚度方向與形成導(dǎo)體圖形8的部分相對的圖形。另外，該第3金屬薄膜9介于第l襯底絕緣層5與導(dǎo)體圖形8之間。在第1襯底絕緣層5之上，將導(dǎo)體圖形8配置在第3金屬薄膜9的表面。如圖l所示，將導(dǎo)體圖形8形成為作為由在長度方向途中沿長度方向平行狀設(shè)置的多條(例如4條)布線17a、17b、17c及17d和與各布線17連接的端子部23構(gòu)成的布線電路圖形。在導(dǎo)體圖形8中，從寬度方向一側(cè)向?qū)挾确较蛄硪粋?cè)依次并排配置布線17a、17b、17c及17d。再如圖2(a)所示，分別與各第2襯底絕緣層3相對應(yīng)那樣地設(shè)置布線17a及17b、和布線17c及17d的每l對。如圖l所示，沿寬度方向排列配置各端子部23，形成作為寬度較寬的矩形連接盤。各布線17的前端與磁頭側(cè)連接端子部15連接，各布線17的后端與外部側(cè)連接端子部16連接。各布線17的寬度例如為10150um，最好為20100um。布線17a與17b之間的間隔、以及布線17c與17d之間的間隔例如為10200iim，最好為20150um。另外，布線17b與17c之間的間隔在長度方向途中例如為101000ym，最好為15500ura。各布線17的長度Ll可適當(dāng)選擇，例如為5200mm，最好為10100mra。如圖3(c)所示，在導(dǎo)體圖形8的表面，覆蓋導(dǎo)體圖形8那樣地形成第4金屬薄膜10。更具體來說，在各布線17的上面及側(cè)面、和第3金屬薄膜9的側(cè)面，覆蓋它們那樣地形成第4金屬薄膜10。另外，該第4金屬薄膜10介于導(dǎo)體圖形8及第3金屬薄膜9、與覆蓋絕緣層ll之間。另外，雖未圖示，但使端子部23露出那樣地形成第4金屬薄膜10。在第1襯底絕緣層5上，覆蓋第4金屬薄膜10那樣地形成覆蓋絕緣層11。更具體來說，覆蓋第4金屬薄膜10的側(cè)面及上面那樣地在第1襯底絕緣層5的整個(gè)上表面形成覆蓋絕緣層11。另外，參照圖2(a)那樣地、使端子部23露出那樣地形成覆蓋絕緣層11。然后，在該帶電路的懸浮基板1的前端部，如圖2所示，設(shè)置萬向支架部18。在萬向支架部18，形成作為貫通厚度方向的開口部的缺口部19。在萬向支架部18的長度方向途中的寬度方向?qū)嵸|(zhì)上中間形成缺口部19，俯視圖中形成為向著前側(cè)開口的實(shí)質(zhì)上U字形狀。另外，在萬向支架部18，設(shè)置在缺口部19在寬度方向被夾住的舌部20;配置在缺口部19的寬度方向兩外側(cè)的外支架部21;以及配置在舌部20及外支架部21的前側(cè)的端子形成部12。萬向支架部18的尺寸可適當(dāng)選擇，參照圖2(b)那樣，舌部20的寬度方向兩外側(cè)的缺口部19的各寬度W3例如為0.052mm，最好為O.1lmm，長度L3例如為O.110腿，最好為17rara。另外，舌部20的后側(cè)的缺口部19的寬度(寬度方向的長度)W4例如為0.110mm，最好為0.57mm，長度(長度方向的長度)L4例如為0.059mra，最好為0.56mra。另外，外支架部21的寬度W5例如為0.033mm，最好為12.5mm。另外，端子形成部12的長度例如為0.l10mm，最好為17mm。舌部20形成為從端子形成部12向后側(cè)延伸的俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。另外，舌部20如圖2(a)的虛擬線所示，具有安裝放有磁頭的滑塊(未圖示)的安裝部22。安裝部22是安裝滑塊用的區(qū)域，配置在舌部20的長度方向中間和寬度方向中間，形成為俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。另外，舌部20如圖3(b)所示，僅由金屬支持基板2形成。如圖2所示，將外支架部21形成為沿長度方向延伸的俯視圖實(shí)質(zhì)上平帶形狀，架設(shè)在萬向支架部18的后端部與前端部之間。另外，相對于萬向支架部18的后端部及前端部向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)突出那樣地彎曲形成外支架部21。另外，如圖3(b)所示，僅由金屬支持基板2形成外支架部21。如圖2所示，在舌部20的前側(cè)及外支架部21的前側(cè)，與它們連續(xù)形成端子形成部12。在遍及萬向支架部18的寬度方向配置端子形成部12，形成為俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。另外，如圖3(a)所示，由金屬支持基板2、第2襯底絕緣層3、第1金屬薄膜6、金屬箔4、第2金屬薄膜7、第1襯底絕緣層5、第3金屬薄膜9、導(dǎo)體圖形8、第4金屬薄膜10及覆蓋絕緣層11，形成端子形成部12。在萬向支架部18的后端部中，如圖2(a)及圖3(a)所示，從配置在長度方向途中的各第2襯底絕緣層3的前端分別連續(xù)地形成第2襯底絕緣層3。另外，如圖2所示，通過舌部20的寬度方向兩外側(cè)的缺口部19那樣，從長度方向途中的第2襯底絕緣層3向端子形成部12呈直線狀延伸那樣地形成各第2襯底絕緣層3。然后，各第2襯底絕緣層3到達(dá)端子形成部12，在端子形成部12中，沿端子形成部12的寬度方向，形成為俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。如圖2的點(diǎn)劃線所示，在萬向支架部18的后端部中，從配置在長度方向途中的各金屬箔4的前端分別連續(xù)形成，從長度方向途中的金屬箔4延伸到達(dá)缺口部19的后端邊緣的稍微后側(cè)一些那樣地形成金屬箔4。然后，在缺口部19中不形成金屬箔4，在端子形成部12中形成金屬箔4。g卩，利用缺口部19沿長度方向分?jǐn)嘟饘俨?。另外，在端子形成部12中，在厚度方向與磁頭側(cè)連接端子部15及各布線17相對那樣地形成金屬箔4，沿端子形成部12的寬度方向形成金屬箔4。更具體來說，金屬箔4在端子形成部12中，具有在厚度方向與各布線17相對配置的U字部13;以及從U字部13的寬度方向中間向后側(cè)連續(xù)延伸、在厚度方向與磁頭側(cè)連接端子部15相對配置的延伸部14，并形成一體。U字部13在俯視圖中形成為向后側(cè)開口的實(shí)質(zhì)上U字形狀。另外，延伸部14形成為俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。金屬箔4被分?jǐn)嗟拈L度(參照圖2(b))D例如為1.020mm，最好為1.l10.lmm。通過這樣，金屬箔4的全長、即沿各布線17的長度的總和，相對于各布線17的長度100%，例如為70%以上，最好為80%以上，通常設(shè)定為95%以下。換句話說，在厚度方向與各布線17相對的金屬箔4的面積，相對于各布線17的面積100%,例如為70%以上，最好為80%以上，通常設(shè)定為95%以下。另外，若金屬箔4的面積不滿足上述的范圍，則有時(shí)很難減少導(dǎo)體圖形8的傳輸損耗。如圖3(a)所示，在萬向支架部18的后端部中，從配置在帶電路的懸浮基板1的長度方向途中的第1金屬薄膜6及第2金屬薄膜7分別連續(xù)形成第1金屬薄膜6及第2金屬薄膜7。在除了缺口部19的萬向支架部18中，在第2襯底絕緣層3的上面用金屬箔4廠圖形形成第1金屬薄膜6。在萬向支架部18中，在金屬箔4的表面形成第2金屬薄膜7。在萬向支架部18的后端部中，從配置在帶電路的懸浮基板1的長度方向途中的各第1襯底絕緣層5的前端分別連續(xù)地形成第1襯底絕緣層5。另外，如圖2所示，通過舌部20的寬度方向兩外側(cè)的缺口部19那樣地、從長度方向途中的第1襯底絕緣層5的前端向萬向支架部18的前側(cè)呈直線狀延伸那樣地形成各第1襯底絕緣層5。然后，各第l襯底絕緣層5到達(dá)端子形成部12，在端子形成部12中，沿萬向支架部18的寬度方向，形成為俯視圖實(shí)質(zhì)上矩形形狀。艮P，如圖3(a)所示，在萬向支架部18的后端部及端子形成部12中，覆蓋第2金屬薄膜7的側(cè)面及上面那樣地、在第2襯底絕緣層3的整個(gè)上表面形成第1襯底絕緣層5。另外，在缺口部19中，在第2襯底絕緣層3的整個(gè)上表面形成第l襯底絕緣層5。如圖2的虛線所示，在萬向支架部18的后端部中，各布線17從帶電路的懸浮基板1的長度方向途中的各布線17的前端連續(xù)地形成導(dǎo)體圖形8，同時(shí)在端子形成部12形成磁頭側(cè)連接端子部15。各布線17從萬向支架部18的后端部中的各布線17，向端子形成部12，沿長度方向通過舌部20的寬度方向兩外側(cè)的缺口部19那樣呈直線狀延伸。然后，各布線17到達(dá)端子形成部12，在端子形成部12中，各布線17向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)暫時(shí)彎曲，再向后側(cè)彎曲，然后拉回來，使其與磁頭側(cè)連接端子部15的前端部連接。如圖3(a)所示，在萬向支架部18中，從配置在帶電路的懸浮基板1的長度方向途中的第3金屬薄膜9及第4金屬薄膜10分別連續(xù)地形成第3金屬薄膜9及第4金屬薄膜10。另外，在萬向支架部18中，在第1襯底絕緣層5的上面用導(dǎo)體圖形8的布線電路圖形形成第3金屬薄膜9。另外，在各布線17的表面形成第4金屬薄膜10。如圖2所示，在萬向支架部18的后端部中，從配置在帶電路的懸浮基板1的長度方向途中的各覆蓋絕緣層11的前端分別連續(xù)形成覆蓋絕緣層11。另外，通過舌部20的寬度方向兩外側(cè)的缺口部19那樣，從長度方向途中的第1襯底絕緣層5的前端，向萬向支架部18的前側(cè)呈直線狀延伸那樣地形成各覆蓋絕緣層ll。然后，各覆蓋絕緣層11到達(dá)端子形成部12，在端子形成部12中，形成向后側(cè)開口的俯視圖實(shí)質(zhì)上U字形狀。通過這樣，覆蓋絕緣層ll使磁頭側(cè)連接端子部15露出。圖4圖6所示為圖3所示的帶電路的懸浮基板的制造方法的制造工序圖，是與圖3(a)相對應(yīng)的剖視圖。下面，參照圖4圖6，說明該帶電路的懸浮基板1的制造方法。首先，在該方法中，如圖4(a)所示，準(zhǔn)備金屬支持基板2。作為形成金屬支持基板2的金屬，例如可以使用不銹鋼、42號合金等，最好是使用不銹鋼。金屬支持基板2的厚度例如為1530um，最好為2025unu接著，在該方法中，如圖4(b)所示，在金屬支持基板2上形成第2襯底絕緣層3。作為形成第2襯底絕緣層3的絕緣體，例如可以使用聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚磺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂。其中，比較好的是使用感光性的合成樹脂，最好是使用感光性聚酰亞胺。為了形成第2襯底絕緣層3，在金屬支持基板2上，例如涂布感光性的合成樹脂，干燥后，用上述的圖形進(jìn)行曝光及顯影，根據(jù)需要使其固化。另外，第2襯底絕緣層3的形成也可以在金屬支持基板2上，均勻涂布上述合成樹脂的溶液后，進(jìn)行干燥，接著，根據(jù)需要，通過加熱使其固化，然后，通過刻蝕等形成上述圖形。再有，第2襯底絕緣層3的形成不限于上述的方法，例如也可以將合成樹脂預(yù)先形成為上述圖形的薄膜，將該薄膜通過眾所周知的粘接劑層粘貼在金屬支持基板2的表面上。這樣形成的第2襯底絕緣層3的厚度例如為0.55IXm，最好為13um。接著，在該方法中，如圖4(c)所示，在包含金屬支持基板2的第2襯底絕緣層3上，形成第l金屬薄膜。作為形成第l金屬薄膜6的金屬，例如可以使用銅、鉻、金、銀、鉑、鎳、鈦、硅、錳、鋯、以及它們的合金、或它們的氧化物等。最好是使用銅、絡(luò)、鎳、以及它們的合金。另外，第l金屬薄膜6也可以由多層形成。第1金屬薄膜6例如利用濺射、電鍍或化學(xué)鍍等形成。作為濺射，例如使用將上述的金屬作為靶的濺射，最好使用鉻濺射及銅濺射，利用它們依次層疊鉻薄膜及銅薄膜。作為電鍍，例如采用將圖4(b)所示的制造途中的帶電路的懸浮基板1一面浸漬在上述的金屬的鍍液中、一面通電進(jìn)行電鍍的方法。作為化學(xué)鍍，例如采用將圖4(b)所示的制造途中的帶電路的懸浮基板1一面浸漬在上述的金屬的鍍液中、一面進(jìn)行化學(xué)鍍的方法。其中，最好利用濺射形成第l金屬薄膜6。這樣形成的第1金屬薄膜6的厚度例如為0.011um，最好為0.010.1接著，在該方法中，如圖4(d)所示，在第1金屬薄膜6上，用上述的圖形形成金屬箔4，同時(shí)除去從金屬箔4露出的第l金屬薄膜6。為了形成金屬箔4，在第1金屬薄膜6的表面，例如利用添加法、減去法等形成圖形。'在添加法中，首先，在第1金屬薄膜6的表面，用與上述的圖形的相反圖形形成抗鍍劑后，在從抗鍍劑露出的第l金屬薄膜6的表面，通過電鍍，形成金屬箔4。然后，除去抗鍍劑及層疊了該抗鍍劑的部分的第l金屬薄膜6。在減去法中，首先，在第l金屬薄膜6的表面形成導(dǎo)體層。為了形成導(dǎo)體層，例如，對第1金屬薄膜6的表面，通過眾所周知的粘接劑層粘貼導(dǎo)體層。接著，在導(dǎo)體層上，形成與上述的圖形相同的圖形的抗蝕劑，將該抗蝕劑作為保護(hù)膜，將導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成金屬箔4。接著，將從抗蝕劑露出的第l金屬薄膜6進(jìn)行刻蝕，然后，除去抗蝕劑。通過這樣，以金屬箔4在缺口部19中沿長度方向分?jǐn)嗟纳鲜龅膱D形形成金屬箔4，同時(shí)能夠除去從金屬箔4露出的第l金屬薄膜6。這樣形成的金屬箔4的厚度例如為0.15um，最好為15ym。接著，在該方法中，如圖5(e)所示，在金屬箔4的表面(包含第l金屬薄膜6的側(cè)面)形成第2金屬薄膜7。作為形成第2金屬薄膜7的金屬，例如可以使用鎳、鉻、或鎳與鉻的合金(鎳鉻合金)。最好是使用鎳。第2金屬薄膜7例如利用濺射、電鍍或化學(xué)鍍等形成。最好利用化學(xué)鍍形成第2金屬薄膜7。在化學(xué)鍍中，例如將圖4(d)所示的制造途中的帶電路的懸浮基板l浸漬在上述的金屬的鍍液、最好是鎳的鍍液中，通過這樣形成由鎳構(gòu)成的第2金屬薄膜7。。這樣形成的第2金屬薄膜7的厚度例如為0.011um，最好為0.010.1Um。接著，在該方法中，如圖5(f)所示，在第2襯底絕緣層3上，覆蓋第2金屬薄膜7那樣地形成第1襯底絕緣層5。作為形成第1襯底絕緣層5的絕緣體，可以使用與上述的第2襯底絕緣層3同樣的絕緣體。比較好的是使用感光性的合成樹脂，最好是使用感光性聚酰亞胺。另外，為了形成第l襯底絕緣層5，在包含第2金屬薄膜7的第2襯底絕緣層3上，例如涂布感光性的合成樹脂，干燥后，用上述的圖形進(jìn)行曝光及顯影，根據(jù)需要使其固化。另外，第1襯底絕緣層5的形成也可以在包含第2金屬薄膜7的第2襯底絕緣層3上，均勻涂布上述合成樹脂的溶液后，進(jìn)行干燥，接著，根據(jù)需要，通過加熱使其固化，然后，通過刻蝕等形成上述圖形。再有，第l襯底絕緣層5的形成不限于上述的方法，例如也可以將合成樹脂預(yù)先形成為上述圖形的薄膜，將該薄膜通過眾所周知的粘接劑層，粘貼在包含第2金屬薄膜7的第2襯底絕緣層3的表面上。這樣形成的第l襯底絕緣層5的厚度例如為110um，最好為510ura。接著，在該方法中，如圖5(g)所示，在第1襯底絕緣層5上，用上述的布線電路圖形依次形成第3金屬薄膜9及導(dǎo)體圖形8。為了形成第3金屬薄膜9及導(dǎo)體圖形8，首先，在第1襯底絕緣層5上形成第3金屬薄膜9，然后，用上述的圖形形成導(dǎo)體圖形8，同時(shí)除去從導(dǎo)體圖形8露出的第3金屬薄膜9。作為形成第3金屬薄膜9的金屬，使用與上述的第1金屬薄膜6同樣的金屬。最好是使用銅、鉻、鎳。另外，第3金屬薄膜9也可以由多層形成。利用與形成第1金屬薄膜6的方法同樣的方法形成第3金屬薄膜9。最好利用鉻濺射及銅濺射，通過依次層疊鉻薄膜及銅薄膜來形成。這樣形成的第3金屬薄膜9的厚度例如為0.011ixm，最好為0.010.1um。為了形成導(dǎo)體圖形8，在第3金屬薄膜9的表面，例如利用添加法、減去法等形成圖形。在添加法中，首先，在第3金屬薄膜9的表面，用與上述的布線電路圖形的相反圖形形成抗鍍劑后，在從抗鍍劑露出的第l金屬薄膜6的表面，通過電鍍，形成導(dǎo)體圖形8。然后，除去抗鍍劑及層疊了該抗鍍劑的部分的第3金屬薄膜9。在減去法中，首先，在第3金屬薄膜9的表面形成導(dǎo)體層。為了形成導(dǎo)體層，例如，對第3金屬薄膜9的表面，通過眾所周知的粘接劑層粘貼導(dǎo)體層。接著，在導(dǎo)體層上，形成與上述的布線電路圖形相同的圖形的抗蝕劑，將該抗蝕劑作為保護(hù)膜，將導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成導(dǎo)體圖形8。接著，將從抗蝕劑露出的第3金屬薄膜9進(jìn)行刻蝕，然后，除去抗蝕劑。這樣形成的導(dǎo)體圖形8的厚度例如為520ym，最好為715um。接著，在該方法中，如圖6(h)所示，在導(dǎo)體圖形8的表面(包含第3金屬薄膜9的側(cè)面)形成第4金屬薄膜10。作為形成第4金屬薄膜10的金屬，使用與第2金屬薄膜7同樣的金屬，最好是使用鎳。利用與形成第2金屬薄膜7的方法同樣的方法形成第4金屬薄膜10。最好通過將圖5(g)所示的制造途中的帶電路的懸浮基板l浸漬在鎳的鍍液中的化學(xué)鍍鎳，來形成由鎳構(gòu)成的第4金屬薄膜10。。這樣形成的第4金屬薄膜10的厚度例如為0.011um，最好為0.010.1Um。接著，在該方法中，如圖6(i)所示，在第1襯底絕緣層5上，覆蓋第4金屬薄膜IO那樣地形成覆蓋絕緣層11。作為形成覆蓋絕緣層11的絕緣體，可以使用與上述的第2襯底絕緣層3同樣的絕緣體。比較好的是使用感光性的合成樹脂，最好是使用感光性聚酰亞胺。另外，為了形成覆蓋絕緣層ll，在包含第4金屬薄膜10的第1襯底絕緣層5上，例如涂布感光性的合成樹脂，干燥后，用上述的圖形進(jìn)行曝光及顯影，根據(jù)需要使其固化。另外，覆蓋絕緣層11的形成也可以在包含第4金屬薄膜10的第1襯底絕緣層5上，均勻涂布上述合成樹脂的溶液后，進(jìn)行干燥，接著，根據(jù)需要，通過加熱使其固化，然后，通過刻蝕等形成上述圖形。再有，覆蓋絕緣層ll的形成不限于上述的方法，例如也可以將合成樹脂預(yù)先形成為上述圖形的薄膜，將該薄膜通過眾所周知的粘接劑層粘貼在包含第4金屬薄膜10的第1襯底絕緣層5的表面上。這樣形成的覆蓋絕緣層11的厚度例如為210ym，最好為36um。然后，雖未圖示，但通過刻蝕等除去形成在端子部23的上面的第4金屬薄膜10。接著，在該方法中，如圖6(j)所示，將金屬支持基板2例如通過刻蝕、穿孔、激光加工等進(jìn)行外形加工，同時(shí)形成缺口部19，得到具有萬向支架部18的帶電路的懸浮基板1。然后，在該帶電路的懸浮基板1中，金屬箔4在厚度方向與除了缺口部19的部分的各布線17相對。因此，能夠利用簡易的層構(gòu)成，減少導(dǎo)體圖形8的傳輸損耗。另外，在缺口部19中，由于金屬箔4在厚度方向不與各布線17相對，因此能夠減小缺口部19中的第2襯底絕緣層3、第1襯底絕緣層5、各布線17及覆蓋絕緣層ll的剛性，確保柔軟性。所以，若在安裝部22安裝放有磁頭的滑塊，則能夠精密調(diào)整滑塊相對于磁盤的懸浮姿態(tài)(角度)。特別是，在安裝小型滑塊的情況下，也能夠精密調(diào)整滑塊的懸浮姿態(tài)(角度)。其結(jié)果，能夠力圖減少導(dǎo)體圖形8的傳輸損耗，同時(shí)精密調(diào)整滑塊的懸浮姿態(tài)。另外，第2襯底絕緣層3在除了缺口部19的部分中，介于第l金屬薄膜6與金屬支持基板2之間。因此，能夠利用簡易的層構(gòu)成，減少導(dǎo)體圖形8的傳輸損耗。與此同時(shí)，能夠力圖使第l金屬薄膜6與金屬支持基板2具有充分的附著性，能夠確保很好的長期可靠性。另外，由于第1金屬薄膜6在除了缺口部19的部分中，介于金屬箔4與第2襯底絕緣層3之間，因此能夠利用簡易的層構(gòu)成，減少傳輸損耗。與此同時(shí)，能夠力圖使金屬箔4與第2襯底絕緣層3具有充分的附著性，能夠確保很好的長期可靠性。艮P，在該帶電路的懸浮基板1的除了缺口部19的部分中，由于在金屬支持基板2與金屬箔4之間，依次形成第2襯底絕緣層3及第l金屬薄膜6，因此能夠利用簡易的層構(gòu)成，減少傳輸損耗。與此同時(shí)，能夠力圖使金屬支持基板2與金屬箔4具有充分的附著性，能夠確保很好的長期可靠性。另外，在上述的說明中，是將本發(fā)明的布線電路基板舉例作為具有金屬支持基板2的帶電路的懸浮基板1來表示、并進(jìn)行說明的，但本發(fā)明的布線電路基板不限定于此。例如，也可以廣泛適用于具有金屬支持基板2作為增強(qiáng)層的柔性布線電路基板等其它的布線電路基板。另外，在上述的說明中，是在萬向支架部18形成了缺口部19，但也可以不形成缺口部19，將萬向支架部18形成為在長度方向及寬度方向連續(xù)的平板狀。最好在萬向支架部18形成缺口部19，將上述的這些各層通過缺口部19那樣配置。通過這樣配置，能夠更進(jìn)一步減小缺口部19中的各層的剛性。另外，在上述的說明中，是將本發(fā)明的布線電路基板舉例作為具有第2襯底絕緣層3及第1金屬薄膜6的帶電路的懸浮基板1來表示、并進(jìn)行說明的，但本發(fā)明的布線電路基板不限定于此，例如，也可以適用于不具有第2襯底絕緣層3及/或第1金屬薄膜6的帶電路的懸浮基板。實(shí)施例以下所示為實(shí)施例及比較例，進(jìn)一步具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明絲毫不限定于實(shí)施例及比較例。實(shí)施例1首先，準(zhǔn)備厚25um的由不銹鋼構(gòu)成的金屬支持基板(參照圖4(a))，在金屬支持基板的表面，涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥后，進(jìn)行曝光及顯影，再加熱固化，通過這樣用上述的圖形形成厚度10um的由聚酰亞胺構(gòu)成的第2襯底絕緣層(參照圖4(b))。接著，在包含金屬支持基板的第2襯底絕緣層的表面，通過鉻濺射及銅濺射，依次形成作為第1金屬薄膜的厚度0.03um的鉻薄膜及厚度0.07ym的銅薄膜(參照圖4(c))。接著，在第1金屬薄膜的表面，形成與金屬箔的圖形的相反圖形的抗鍍劑，然后，在從抗鍍劑露出的第l金屬薄膜的表面，利用電鍍銅形成作為金屬箔的厚度4.0wm的銅箔。接著，通過化學(xué)刻蝕，除去抗鍍劑及形成抗鍍劑的部分的第l金屬薄膜(參照圖4(d))。另外，將金屬箔在長度方向分?jǐn)?，該分?jǐn)嚅L度為20mm。接著，在金屬箔的表面(包含第l金屬薄膜的側(cè)面)，通過化學(xué)鍍鎳，形成作為第2金屬薄膜的厚度0.1um的鎳薄膜(參照圖5(e))。接著，在包含第2金屬薄膜的第2襯底絕緣層的整個(gè)面，涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥后，進(jìn)行曝光及顯影，再加熱固化，通過這樣用上述的圖形形成厚度10um的由聚酰亞胺構(gòu)成的第l襯底絕緣層(參照圖5(f))。接著，在第l襯底絕緣層上，利用添加法，依次形成成為種膜的第3金屬薄膜及導(dǎo)體圖形。在添加法中，在第l襯底絕緣層的整個(gè)面，通過鉻濺射及銅濺射，依次形成作為第3金屬薄膜的厚度0.03ixm的鉻薄膜及厚度0.07"m的銅薄膜。接著，在第3金屬薄膜的表面，形成與導(dǎo)體圖形的相反圖形的抗鍍劑。然后，在從抗鍍劑露出的第3金屬薄膜的表面，利用電鍍銅形成具有多個(gè)布線及端子部、并成為一體的厚度10um的導(dǎo)體圖形。接著，通過化學(xué)刻蝕，除去抗鍍劑及形成抗鍍劑的部分的第3金屬薄膜(參照圖5(g))。另外，各布線的長度為100mm。另外，在厚度方向與該各布線相對的金屬箔的面積，對于各布線的面積100%來說，為80%。接著，在導(dǎo)體圖形的表面(包含第3金屬薄膜的側(cè)面)，通過化學(xué)鍍鎳，形成作為第4金屬薄膜的厚度0.1um的鎳薄膜(參照圖6(h))。接著，在包含第4金屬薄膜的第1襯底絕緣層的整個(gè)面，涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥后，進(jìn)行曝光及顯影，再加熱固化，通過這樣用上述的圖形形成厚度5ixm的由聚酰亞胺構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參照圖6(i))。然后，通過刻蝕除去在端子部的上面形成的第4金屬薄膜。接著，將金屬支持基板進(jìn)行刻蝕，得到具有形成了缺口部的萬向支架部的帶電路的懸浮基板(參照圖6(j))。另外，金屬箔在切口部被分?jǐn)嗄菢拥匦纬?。?shí)施例2除了將金屬箔的分?jǐn)嚅L度變?yōu)?0mm以外，與實(shí)施例l相同，得到帶電路的懸浮基板。在厚度方向與各布線相對的金屬箔的面積，對于各布線的面積100%來說，為70%。實(shí)施例3除了將金屬箔的分?jǐn)嚅L度變?yōu)?0mra以外，與實(shí)施例l相同，得到帶電路的懸浮基板。在厚度方向與各布線相對的金屬箔的面積，對于各布線的面積100%來說，為60%。比較例1除了在萬向支架部中、沿長度方向連續(xù)形成金屬箔與第1金屬薄膜及第2金屬薄膜以外，與實(shí)施例l相同，得到帶電路的懸浮基板。(評價(jià))(1)傳輸效率在各實(shí)施例及比較例得到的帶電路的懸浮基板中，測定輸出信號強(qiáng)度(P。uT)及輸入信號強(qiáng)度(PJ，如下式(l)那樣，作為輸出信號強(qiáng)度對于輸入信號強(qiáng)度的比例，來評價(jià)傳輸效率。表l所示為其結(jié)果。傳輸效率(。/0訐。UT/Pw…(1)(2)角度控制在各實(shí)施例及比較例得到的帶電路的懸浮基板上，安裝滑塊上安裝磁頭。然后，將該帶電路的懸浮基板安裝在硬盤驅(qū)動器中長儀評價(jià)磁頭相對于磁盤的角度的控制。表1所示為其結(jié)果。，并在該滑塊，利用三維測表1<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>另外，以下說明表1中的角度控制的評價(jià)的簡略符號。〇能夠按照設(shè)計(jì)那樣地控制磁頭的角度。X:不能夠按照設(shè)計(jì)那樣地控制磁頭的角度。另外，上述說明提供作為本發(fā)明例子所示的實(shí)施形態(tài)，這不過僅是舉例所示，不能進(jìn)行限定性解釋。該
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的業(yè)內(nèi)人士清楚知道的本發(fā)明的變形例包含在后述的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種布線電路基板，其特征在于，具有金屬支持基板；在所述金屬支持基板上形成的金屬箔；在所述金屬支持基板上覆蓋所述金屬箔那樣地形成的第1絕緣層；以及形成在所述第1絕緣層上并且具有多個(gè)布線的導(dǎo)體圖形，所述金屬箔沿各所述布線的長度方向配置，使得在厚度方向不與各所述布線的一部分相對，而且使得在厚度方向與各所述布線的剩下的部分相對。2.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，在所述金屬支持基板上形成在厚度方向與各所述布線的所述一部分相對的開口部。3.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，所述布線電路基板是帶電路的懸浮基板。4.如權(quán)利要求3所述的布線電路基板，其特征在于，在所述金屬支持基板上，形成在厚度方向與各所述布線的所述一部分相對并且俯視圖為實(shí)質(zhì)上U字形狀的開口部，具有被所述開口部夾住并安裝磁頭的舌部；以及配置在所述開口部的外側(cè)的外支架部。5.如權(quán)利要求l所述的布線電路基板，其特征在于，所述金屬箔的與各所述布線相對的面積，對于各所述布線的面積100%來說，是70%以上。6.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，還具有介于所述金屬箔與所述金屬支持基板之間的第1金屬薄膜。7.如權(quán)利要求6所述的布線電路基板，其特征在于，還具有介于所述第1金屬薄膜與所述金屬支持基板之間的第2絕緣層。全文摘要布線電路基板具有金屬支持基板；在金屬支持基板上形成的金屬箔；在金屬支持基板上覆蓋金屬箔那樣地形成的第1絕緣層；以及形成在第1絕緣層上并且具有多個(gè)布線的導(dǎo)體圖形。金屬箔沿各布線的長度方向配置，使得在厚度方向不與各布線的一部分相對，而且，使得在厚度方向與各布線的剩下的部分相對。文檔編號H05K1/02GK101304635SQ200810095898公開日2008年11月12日申請日期2008年5月8日優(yōu)先權(quán)日2007年5月10日發(fā)明者石井淳,要海貴彥申請人:日東電工株式會社