專利名稱：：有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，其可以通過將電能轉化為光而發(fā)光(在下文中也稱為"有機EL器件"、"發(fā)光器件"或"器件")，特別涉及具有優(yōu)異發(fā)光特性和耐久性的有機電致發(fā)光器件。
背景技術：
：現(xiàn)今，使用有機發(fā)光材料(有機發(fā)光器件)的各類顯示裝置正得到積極的研究和發(fā)展。最重要的是，由于該有機EL裝置可以以低電壓發(fā)射高亮度光線，這使得其作為有發(fā)展前景的顯示裝置而吸引了公眾的關注。同樣是在近年來，磷光材料的使用使得發(fā)光器件的效率得到了提高。作為磷光材料，銥絡合物和鉑絡合物是已知的。(參見US6,303,238、WO00/57676和WO00/70655)。在專利文獻3中公開了一種發(fā)光層，其包括作為摻雜劑的Ir(ppy)(三(苯基吡啶)銥)和作為基質材料的CBP(4，4'-二咔唑聯(lián)苯)的組合。在WO02/047440中使用了包含氘原子的有機化合物，但在該專利文件中沒有描述組合使用有機化合物與磷光發(fā)光金屬絡合物材料的效果。在JP-A-2005-48004("JP-A"在這里指的是"未審公開的日本專利申請")中使用了包含在常溫下具有磷光現(xiàn)象的氘原子的咔唑材料，但是在該文件中沒有描述組合使用該材料與磷光金屬絡合物材料的效果。
發(fā)明內容本發(fā)明提供了一種在效率(電能消耗)和耐久性上十分優(yōu)異的發(fā)光器件。上述目標通過以下手段得以實現(xiàn)<1〉一種有機電致發(fā)光器件，其包括一對電極；和處于該一對電極中間的一層有機層，該有機層包括發(fā)光層，其中有機層包括由以下式(I)表示的化合物；并且發(fā)光層含有銥絡合物磷光材料式d)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自表示氫原子或取代基，且R'到Rx的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)；R"表示烷基、烯基、芳基、雜芳基、或甲硅烷基，且這些基團的每一個都可以被取代基所取代；且R1到W的至少一個表示氖原子或含氖原子的取代基。<2〉如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中該銥絡合物磷光材料的最大發(fā)射波長為小于470nm。<3>:如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中該銥絡合物磷光材料含有通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體。<4>:如<3>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(II)表式(II)其中:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>R21、R22、R23、R25、R26、R"和R"各自表示氫原子或取代基;L"表示配體；n"表示從l到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)；且C表示與銥原子配位的卡賓碳。<5>:如<4>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(m)\R37/n32其中R"表示烷基或芳基；R35、R"和R"各自表示氫原子、氟原子、烷基、或氰基；且R"和R36或R"和R"可以彼此鍵合以形成稠環(huán)結構；L"表示配體；1132表示從1到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)；且C表示與銥原子配位的卡賓碳。<6>:如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中銥絡合物磷光材料含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體。<7>:如<6>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(IV)表示式,式(IV)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>R41、R42、R43、R45、R46、R47和R48各自表示氫原子或取代基；L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且n"表示從0到4的整數(shù)。<8>:如<7>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(V)表示式(v)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中-R"和R"各自表示氫原子、烷基、或芳基；R55、R"和R"各自表示氫原子、氟原子、垸基、或氰基，且R"和R:或1156和R"可以彼此鍵合以形成稠環(huán)結構；L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且1151表示從0到4的整數(shù)。<9>:如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中銥絡合物磷光材料含有通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體。<10>:如<9>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(VI)表示式(VI)R61、R62、R63、R64、R65、R66、RW和RM各自表示氫原子或取代基;L"表示配體；n^表示從l到3的整數(shù)；且n"表示從0到4的整數(shù)。<11>:如<10〉中所述的有機電致發(fā)光器件，其中含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(VII)表示式(vn)g巾-其中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>R^表示氫原子、烷基、氨基、或烷氧基；R75、R^和R"各自表示氫原子、氟原子、氰基、或烷基;L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且n"表示從0到4的整數(shù)。<12〉如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中:式(i)表示的化合物由以下式(vni)表示式(vni)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中R81、R82、R83、R84、R85、R86、R"禾nR88各自表示氫原子或取代基，且R81到R88的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構；A表示連接基團；1181表示從2到6的整數(shù)；且式(vni)表示的化合物含有至少一個氖原子。<13>:如<1>中所述的有機電致發(fā)光器件，其中式(I)表示的化合物包含在發(fā)光層中。具體實施例方式本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件(下文中有時稱為"本發(fā)明的器件")是如下的有機電致發(fā)光器件其包括一對電極和至少一層有機層(有機層可以是只含有有機化合物的層，或者可以是含有無機化合物的有機層)，所述有機層包括位于該一對電極之間的發(fā)光層，任意所述的有機層含有至少一種由下式(I)表示的化合物，且發(fā)光層含有至少一種銥絡合物磷光材料。本發(fā)明中由式(I)表示的化合物具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性，其在設備運轉期間幾乎不會發(fā)生材料分解，且由于該分解產物，可以避免使用銥絡合物磷光材料的有機電致發(fā)光器件的效率降低和耐久性降低。以下說明由式(I)表示的化合物。在式(I)中，W到R8各自表示氫原子或取代基，且W到RS的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)；W表示垸基、烯基、芳基、雜芳基、或甲硅烷基，且這些基團的每一個都可以被取代基所取代；并且R'到W中的至少一個表示氘原子或含氘原子的取代基。由R'到R8表示的取代基沒有特別的限制。例如，烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、氨基、烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、?；?、烷氧羰基、芳氧羰基、酰氧基、酰氨基、垸氧羰氨基、芳氧羰氨基、磺酰氨基、氨磺?；?、氨基甲?；?、垸基硫基(alkylthio)、芳基硫基(arylthio)、雜環(huán)硫基、磺?；?、亞磺?；㈦寤?、磷酸酰氨基、羥基、巰基、鹵素基、氰基、磺基、羧基、硝基、異羥肟酸基、亞磺基、肼基、亞氨基、雜環(huán)基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氘原子、等等。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代，并且這些取代基可以彼此鍵合形成環(huán)。烷基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-10個碳原子，例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、正辛基、正壬基、正癸基、正十二垸基、正十八垸基、正十六烷基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基、l-金剛垸基、三氟甲基、等等。烯基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如，乙烯基、烯丙基、l-丙烯基、l-異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-戊烯基，等等。炔基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙炔基、炔丙基、l-丙炔基、3-戊炔基，等等。'芳基優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-2個碳原子，例如，苯基、鄰甲基苯基、間甲基苯基、對甲基苯基、2,6-二甲苯基、對異丙苯基、某基、萘基、蒽基，等等。雜芳基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，且雜原子是，例如氮原子、氧原子、和硫原子，特別地，雜芳基可以是，例如咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基(pyrazyl)、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、吡咯基、n引哚基、呋喃基、噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、吖庚因基，等等。氨基優(yōu)選具有0-30個碳原子，更優(yōu)選具有0-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有0-0個碳原子，例如，氨基、甲氨基、二甲氨基、二乙氨基、苯甲氨基、二苯氨基、聯(lián)甲苯氨基，等等。垸氧基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-10個碳原子，例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基，等等。芳氧基優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-12個碳原子，例如苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基，等等。雜環(huán)氧基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如吡啶氧基、吡唑氧基、嘧啶氧基、喹啉氧基，楚楚TJ-寸O酰基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如乙?；?、苯甲酰基、甲酰基、新戊?；鹊?。烷氧羰基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如甲氧羰基、乙氧羰基，等等。芳氧羰基優(yōu)選具有7-30個碳原子，更優(yōu)選具有7-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有7-12個碳原子，例如苯氧羰基，等等。酰氧基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙酰氧基、苯甲酰氧基，等等。酰氨基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙酰氨基、苯甲酰氨基，等等。烷氧羰氨基優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如甲氧羰氨基，等等。'芳氧羰氨基優(yōu)選具有7-30個碳原子，更優(yōu)選具有7-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有7-12個碳原子，例如苯氧羰氨基，等等。磺酰氨基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲磺酰氨基、苯磺酰氨基，等等。氨磺酰基優(yōu)選具有0-30個碳原子，更優(yōu)選具有0-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有0-12個碳原子，例如氨磺?；⒓谆被酋；?、二甲基氨磺?；⒈交被酋；?，等等。氨基甲?；鶅?yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，例如氨基甲?；?、甲基氨基甲?；?、二乙基氨基甲酰基、苯基氨基甲?；鹊?。烷基硫基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲硫基、乙硫基，等等。芳基硫基優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-12個碳原子，例如苯硫基，等等。雜環(huán)硫基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如吡啶基硫基、2-苯并咪唑基硫基、2-苯并噁唑基硫基、2-苯并噻唑基硫基，等等?；酋；鶅?yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲磺?；⒓妆交酋；?、三氟甲基磺?；?，等等。亞磺酰基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲亞磺酰基、苯亞磺?；?，等等。脲基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如脲基、甲基脲基、苯基脲基，等等。磷酸酰氨基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如二乙基磷酸酰氨基、苯基磷酸酰氨基，等等。鹵素原子例如是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，等等。雜環(huán)基優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有1-12個碳原子，且雜原子是例如氮原子、氧原子和硫原子，雜環(huán)基尤其是例如哌啶基、嗎啉代、吡咯烷基，等等。甲硅烷基優(yōu)選具有3-40個碳原子，更優(yōu)選具有3-30個碳原子，尤其優(yōu)選具有3-24個碳原子，例如三甲基甲硅垸基、三乙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅垸基、三苯基甲硅垸基、三-l-萘基甲硅垸基、三-2-萘基甲硅烷基，等楚甲硅烷氧基優(yōu)選具有3-40個碳原子，更優(yōu)選具有3-30個碳原子，尤其優(yōu)選具有3-24個碳原子，例如三甲基甲硅垸氧基、三苯基甲硅烷氧基，等丄-o由R'到RS所表示的取代基，優(yōu)選是氖原子、烷基、芳基、雜芳基、鹵素基、氰基、和甲硅烷基，更優(yōu)選是氘原子、烷基、雜芳基、鹵素基、氰基、和甲硅烷基，尤其優(yōu)選是氘原子、烷基、雜芳基、和甲硅烷基。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代，并且這些取代基可以彼此鍵合形成環(huán)。就R'到RS所表示的垸基而言，優(yōu)選是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、正辛基、環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、l-金剛垸基、和三氟甲基，更優(yōu)選是甲基、異丙基、叔丁基、正辛基、環(huán)戊基、環(huán)己基、1-金剛烷基、和三氟甲基，尤其優(yōu)選是叔丁基、環(huán)己基、l-金剛烷基、和三氟甲基。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代，并且這些取代基可以彼此鍵合形成環(huán)。就R'到RS所表示的雜芳基而言，優(yōu)選是咪唑基、吡唑基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、吡咯基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、和吖庚因基，更優(yōu)選是咪唑基、吡唑基、吡啶基、喹啉基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并咪唑基、咔唑基、和吖庚因基，尤其優(yōu)選是吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并咪唑基、咔唑基、和吖庚因基。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代，或者可以形成稠環(huán)結構，或者可以彼此鍵合形成環(huán)。就R'到RS所表示的甲硅烷基而言，優(yōu)選是三甲基甲硅垸基、三乙基甲硅垸基、三異丙基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅垸基、二甲基苯基甲硅烷基、甲基二苯基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅烷基、和三苯基甲硅烷基，更優(yōu)選三甲基甲硅垸基、三異丙基甲硅垸基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅垸基、和三苯基甲硅垸基，尤其優(yōu)選三甲基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、和三苯基甲硅垸基。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代，并且這些取代基可以彼此鍵合形成環(huán)。就W和R7所表示的取代基而言，優(yōu)選是烷基、芳基、甲硅垸基、和氘原子，更優(yōu)選是烷基、甲硅烷基、和氘原子，尤其優(yōu)選是叔丁基、金剛烷基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、和氘原子。就113到116所表示的取代基而言，優(yōu)選是烷基、芳基、甲硅垸基、和氘原子，更優(yōu)選是烷基、甲硅烷基、和氘原子，尤其優(yōu)選是叔丁基、金剛垸基、三甲基甲硅垸基、三苯基甲硅烷基、和氘原子。由R1到RS所表示的取代基的具體結合實例在下文示出，但是本發(fā)明并不限于這些化合物。在結構式中，D表示氘原子。例如，在式(a-0)中，所有的R'到RS都表示氫原子，在式(a-l)中，所有的R1、R2、R4、R5、W到RS都表示氫原子，且113和116表示氘原子，而在式(a-4)中，所有的R1到R8都表示氘原子。順便提及，式(a-O)到(k-O)(不含氘原子)不滿足式(I)，但是不同于以上所述的式滿足式(I)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>W表示烷基、烯基、芳基、雜芳基、或甲硅烷基，優(yōu)選是芳基、爭芳基、或甲硅垸基，更優(yōu)選是芳基或雜芳基，尤其優(yōu)選表示芳基。_就由W所表示的芳基而言，優(yōu)選的是苯基、鄰甲基苯基、2,6-二甲苯基、和呆基，更優(yōu)選是苯基和某基，尤其優(yōu)選是苯基。這些取代基可以形成稠環(huán)結構，并且這些取代基可以彼此鍵合形成環(huán)，例如聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、并四苯基(naphthacenyl)，等等。這些取代基可以進一步被其它取代基所取代。多個包含咔唑和R'到118的結構可以與R"鍵合，優(yōu)選1-6個結構、更優(yōu)選1-3個結構、尤其優(yōu)選1-2個結構可以與W鍵合。在下文中示出了包含咔唑和R1到118的一個結構與其鍵合的由R"表示的取代基的具體實例，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。在下式中，*是咔唑的氮原子將要進行鍵合的位置。順便提及，(a-0)到(k-0)(不含氖原子)與(IA-O)到(IQ-O)(不含氘原子)的組合不滿足式(I)，但是除上述以外的基團間的類似組合滿足式(I)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>在下文示出了包含咔唑和R1到Rs的兩個結構與其鍵合的由W表示的取代基的具體實例，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。在下式中，*是咔唑的氮原子將要進行鍵合的位置。順便提及，以上(a-O)到(k-O)(不含気原子)與以下(2A-0)到(2M-0)(不含氘原子)的組合不滿足式(1)，但是除上述以外的基團間的類似組合滿足式。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>在下文示出了包含咔唑和R1到R"勺三個結構與其鍵合的由W表示的取代基的具體實例，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。在下式中，*是咔唑的氮原子將要進行鍵合的位置。順便提及，以上(a-0)到(k-0)(不含氖原子)與以下(3A-0)到(3C-0)(不含氖原子)的組合不滿足式(1)，但是除上述以外的基團間的類似組合滿足式(I)。、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>在下文示出了包括咔唑和R'到Rs的四個結構與其鍵合的由W表示的取代基的具體實例，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。在下式中，*是咔唑的氮原子將要進行鍵合的位置。順便提及，以上(a-0)到(k-0)(不含気原子)與以下(4A-0)到(4C-0)(不含氘原子)的組合不滿足式(1)，但是除上述以外的基團間的類似組合滿足式(I)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>在下文示出了包括咔唑和R1到RS的六個結構與其鍵合的由W表示的取代基的具體實例，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。在下式中，*是咔唑的氮原子將要進行鍵合的位置。順便提及，以上(a-0)到(k-0)(不含気原子)與以下(6A-O)(不含氘原子)的組合不滿足式(I)，但是除上述以外的基團間的類似組合滿足于式(I)。在式①中，R'到R9中的至少一個表示氘原子或含氘原子的取代基。在本發(fā)明中，R'到R9中的至少一個表示氘原子或含氘原子的取代基的這一事實意指在氘原子鍵合的位置上，氘原子與氫原子的比率(氘原子的原子數(shù)/氫原子的原子數(shù))處于100/0到1/99的范圍內。這意味著，就由式(I)所表示的化合物而言，除氫原子和氘原子外其結構相同，含氫原子的、含氘原子的這些化合物在以上述范圍在指定的位置混合在一起。在式(I)中，氘原子與氫原子的比例(氘原子原子數(shù)/氫原子原子數(shù))優(yōu)選為100/0-1/99，更優(yōu)選為100/0-50/50，尤其優(yōu)選為100/0-80/20。氘原子與氫原子的比例范圍優(yōu)選為100/0-5/95，更優(yōu)選為100/0-50/50，尤其優(yōu)選為100/0-80/20。就R'到RS來說，優(yōu)選R1到R8中的一個或多個表示氘原子，更優(yōu)選R1到RS中的兩個或多個表示氖原子，尤其優(yōu)選R1到RS全部表示氖原子。就R'到RS來說，表示気原子的優(yōu)選是R到R7，更優(yōu)選是R2、R3、R6和R7，尤其優(yōu)選R"和RS表示気原子。由式(I)表示的化合物尤其優(yōu)選是由式(VIII)表示的化合物。以下將描述由式(vni)表示的化合物。在式(Vin)中，R81到Rss各自表示氫原子或取代基，并且R81到R88中的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)；A表示連接基團；n"表示從2到6的整數(shù)。由式(vm)表示的化合物含有至少一個氖原子。式(VIII):R81到R88與上述R1到RS的意義分別相同，并且優(yōu)選的范圍也相同。這里，R81到R88與R1到R8之間的對應關系意思是前者的單元數(shù)與后者的基團數(shù)相應一致。其它類似的對應關系具有相同的意義。R81優(yōu)選為2-4，更優(yōu)選2或3，尤其優(yōu)選2。A表示的連接基團優(yōu)選是亞烷基、亞芳基、雜亞芳基、或亞甲硅烷基，更優(yōu)選是亞芳基或雜亞芳基，尤其優(yōu)選是亞芳基。這些連接基團可以進一步被例如由R1表示的取代基所取代。由A表示的連接基團還包括以上(2A-0)到(6A-0)中描述的基團(不含氖原子和含有氘原子的基團)。亞芳基優(yōu)選是亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、或亞三聯(lián)苯基，更優(yōu)選是亞苯基或亞聯(lián)苯基，尤其優(yōu)選是亞苯基。亞苯基優(yōu)選是1，2，3,4,5,6-六取代的亞苯基、1,2,3,4,5-五取代的亞苯基、1，3,5-三取代的亞苯基、1,2-二取代的亞苯基、1,3-二取代的亞苯基、或1,4-二取代的亞苯基，更優(yōu)選是1,2-二取代的亞苯基、1，3-二取代的亞苯基、或1,4-二取代的亞苯基，尤其優(yōu)選是1,3-二取代的亞苯基或1,4-二取代的亞苯基。在三取代或更高取代的情況下，R1表示的取代基除可被咔唑取代以外還可以被其它取代基所取代。式(vm)所表示的化合物中，包含一個気原子意指在氘原子的連接位置處気原子與氫原子的比率(氘原子原子數(shù)/氫原子原子數(shù))范圍為100/0到1/99。氘原子與氫原子的比率優(yōu)選為100/0到5/95，更優(yōu)選為100/0到50/50，尤其優(yōu)選為100/0到80/20。本發(fā)明式(I)所表示的化合物可以是低分子量化合物，或者是低聚物，或者可以是聚合物，且它們的主鏈或側鏈具有式(I)所示的結構(重均分子量(相對于聚苯乙烯)優(yōu)選為1,000到5,000,000，更優(yōu)選為2,000到1,000,000，又更優(yōu)選為3，000到IOO，OOO)。式(I)表示的化合物優(yōu)選為低分子量化合物。當本發(fā)明式(I)所表示的化合物是主鏈或側鏈具有式(I)所示結構的低聚物化合物或聚合物化合物時，且當該結構包含在主鏈中時，優(yōu)選其中包含R"到I^中的兩個或更多，更優(yōu)選包含R3、116和119中的兩個或更多，尤其優(yōu)選包含W和R6。當該結構包含在側鏈中時，優(yōu)選其中包含任意的R'到R9，更優(yōu)選包含任何的R3、W和R9，尤其優(yōu)選包含R9。在本發(fā)明中，式(I)所表示的化合物的應用沒有限制，其可以包含在有機層的任意層中。本發(fā)明式(I)所表示的化合物優(yōu)選包含在發(fā)光層、空穴注入層、空穴輸送層、電子輸送層、電子注入層、激子阻擋層、電荷阻擋層的任意層中、或這些層中的兩層或更多層中。考慮到電荷注入和正空穴的輸送，本發(fā)明式(I)所表示的化合物優(yōu)選被包含在發(fā)光層、空穴注入層或空穴輸送層中，考慮到材料對于由正空穴與電子的再結合引起的激發(fā)態(tài)的穩(wěn)定性，尤其優(yōu)選本發(fā)明式(I)所表示的化合物包含在發(fā)光層中。優(yōu)選本發(fā)明式(I)所表示的化合物被包含在發(fā)光層中或與發(fā)光層相鄰的層中，并且由式(I)表示的化合物可以同時被包含在發(fā)光層中和與發(fā)光層相鄰的層中。優(yōu)選在發(fā)光層中含有1-100質量％的本發(fā)明式(1)所表示的化合物，更優(yōu)選為50-100質量％，還更優(yōu)選為80-100質量％。當本發(fā)明式(I)所表示的化合物被包含在除發(fā)光層外的其它層中時，優(yōu)選所述化合物的含量為1-100質量％，更優(yōu)選為50-100質量％，還更優(yōu)選為80-100質量％。式(I)所表示的化合物的具體實例如下所示，但是本發(fā)明并不局限于這些化合物。例如，示例性化合物(l-l)顯示了(a-l)與(2F-0)的組合，示例性化合物(l-6)顯示了(a-4)與(2F-3)的組合。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>含有式(I)所示化合物的聚合物化合物和低聚物化合物的具體實例在下文示出，但是本發(fā)明不局限于這些化合物。所述聚合物化合物可以是均聚物化合物或共聚物，且共聚物可以是無規(guī)共聚物、交替共聚物、和嵌段共聚物。在所述式中，m/n意指在聚合物中包含的各單體的摩爾比，且m是從1到100的整數(shù)，n是從0到99的整數(shù)，m和n的和是100。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>由式(I)所表示的含氘原子的化合物可以根據各種已知方法進行合成。例如，可以利用JP-A-2004-11400和JP-A-2004-46066中所公開的方法，將式(I)所示化合物中的氫原子轉換為氘原子。此外，本發(fā)明式(I)所表示的含氘原子的化合物可以利用含氘原子的材料來合成。含気原子的材料例如特別是二溴苯-d5(CAS號4165-57-5)、甲基二鵬化物-d3(CAS號865-50-9)、可根據J.Am.Chem.Soc.,Vol.126,No.40,3033-03043(2004)項中公開的方法合成的間苯二酚-d6、和它們的磺酸酯。就發(fā)光材料而言，在本發(fā)明中使用銥絡合物磷光材料，但是其它磷光材料可以組合使用。通過使用銥絡合物磷光材料，可以得到改進的效率和耐久性。就銥絡合物磷光材料來說，非常優(yōu)選的是含有通過卡賓與銥原子鍵合的配體的銥絡合物、含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物、和含有通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物，更優(yōu)選含有通過卡賓與銥原子鍵合的配體的銥絡合物和含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物，尤其優(yōu)選含有通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物。配體與銥原子鍵合在一起意指所述配體與銥原子之間的鍵可以是共價鍵、配位鍵、和離子鍵中的任何一種。作為與銥原子配位的卡賓，示例為一氧化碳、異腈基或用雜原子穩(wěn)定的碳卡賓。含有通過卡賓與銥原子配位的配體的銥絡合物磷光材料優(yōu)選是由以下式(II)表示的銥絡合物。式(II)將會在下文中進行說明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>式(II)在式(II)中，R"到R"和R"到R"各自表示氫原子或取代基，L2，配體，？2表示從1到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)；C表示與銥原子配位的卡賓碳。R21到R23和R25到R28各自表示氫原子或取代基。所述取代基的實例包括例如烷基(優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有-10個碳原子，例如甲基、乙基、異丙基、叔丁基、正辛基、正癸基、正十六垸基、環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基，等等)、烯基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、3-戊烯基，等等)、炔基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如炔丙基、3-戊炔基，等等)、芳基(優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-12個碳原子，例如苯基、對甲基苯基，萘基、蒽基，等等)、氨基(優(yōu)選具有0-30個碳原子，更優(yōu)選具有0-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有0-10個碳原子，例如氨基、甲氨基、二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、二甲苯基氨基，等等)、烷氧基(優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-10個碳原子，例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基，等等)、芳氧基(優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-12個碳原子，例如苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基，等等)、雜環(huán)氧基(優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如吡啶氧基、吡唑氧基、嘧啶氧基、喹啉氧基，等等)、?；?優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如乙酰基、苯甲酰基、甲?；?、新戊?；?，等等)、烷氧羰基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如甲氧羰基、乙氧羰基，等等)、芳氧羰基(優(yōu)選具有7-30個碳原子，更優(yōu)選具有7-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有7-12個碳原子，例如苯氧羰基，等等)、酰氧基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙酰氧基、苯甲酰氧基，等等)、酰氨基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-10個碳原子，例如乙酰氨基、苯甲酰氨基，等等)、烷氧羰氨基(優(yōu)選具有2-30個碳原子，更優(yōu)選具有2-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有2-12個碳原子，例如甲氧羰氨基，等等)、芳氧羰氨基(優(yōu)選具有7-30個碳原子，更優(yōu)選具有7-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有7-12個碳原子，例如苯氧羰氨基，等等)、磺酰氨基(優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有1-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，例如甲磺酰氨基、苯磺酰氨基，等等)、氨磺?；?優(yōu)選具有0-30個碳原子，更優(yōu)選具有0-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有0-12個碳原子，例如氨磺?；?、甲基氨磺?；?、二甲基氨磺酰基、苯基氨磺酰基，等等)、氨基甲?；?優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，例如氨基甲?；?、甲基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基、苯基氨基甲?；鹊?、烷基硫基(優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有1-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲硫基、乙硫基，等等)、芳基硫基(優(yōu)選具有6-30個碳原子，更優(yōu)選具有6-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有6-12個碳原子，例如苯基硫基，等等)、雜環(huán)硫基(優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如吡啶硫基、2-苯并咪唑基硫基、2-苯并噁唑基硫基、2-苯并噻唑基硫基，等等)、磺?；?優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，例如甲磺?；?、甲苯磺?；?，等等)、亞磺?；?優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如甲亞磺?；?、苯亞磺?；?，等等)、脲基(優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如脲基、甲基脲基、苯基脲基，等等)、磷酸酰氨基(優(yōu)選具有l(wèi)-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-20個碳原子，尤其優(yōu)選具有1-12個碳原子，例如二乙基磷酸酰氨基、苯基磷酸酰氨基，等等)、羥基、巰基、鹵素原子(例如是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、氰基、磺基、羧"基、硝基、異羥肟酸基、亞磺基、肼基、亞氨基、雜環(huán)基(優(yōu)選具有1-30個碳原子，更優(yōu)選具有l(wèi)-12個碳原子，雜原子是例如氮原子、氧原子、硫原子，雜環(huán)基尤其是例如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、哌啶基、嗎啉代、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、吖庚因基，等等)、甲硅烷基(優(yōu)選優(yōu)選具有3-40個碳原子，更優(yōu)選具有3-30個碳原子，尤其優(yōu)選具有3-24個碳原子，例如三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅垸基，等等)、甲硅烷氧基(優(yōu)選具有3-40個碳原子，更優(yōu)選具有3-30個碳原子，尤其優(yōu)選具有3-24個碳原子，例如三甲基甲硅垸氧基、三苯基甲硅烷氧基，等等)。上述取代基可以被進一步取代。R21和R22或R22和R23可以彼此鍵合形成環(huán)結構。由R"表示的取代基優(yōu)選是垸基、芳基、或雜芳基，更優(yōu)選是烷基、雜芳基或芳基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、苯基、萊基、或2-鄰二甲苯基。由1122和^2表示的取代基優(yōu)選是烷基、芳基、或雜芳基，更優(yōu)選是垸基或芳基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、或苯基。由R"到R"表示的取代基優(yōu)選是垸基、芳基、雜芳基、卣素基團、或氰基，更優(yōu)選是烷基、芳基、鹵素基團、或氰基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、苯基、氟原子、或氰基。L21表示配體。配體的實例是例如在H.Yersin,PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompounds.Springer-VerlagH987)中、禾口AkioYamamoto,YukiKinzokuKagaku-KisotoOvo-(OrganicMetalChemistry-ElementsandApplications),ShokaboPublishingCo.(1982)中所述的配體。優(yōu)選的配體是鹵素配體(優(yōu)選是氯配體、氟配體)、含氮雜環(huán)配體(例如聯(lián)吡啶、二氮雜菲、苯基吡啶、吡唑吡啶、苯并咪唑吡啶、苯基吡唑、吡啶甲酸、二吡啶甲酸，等等)、二酮配體、腈配體、CO配體、異腈配體、磷配體(例如，膦衍生物、磷酸酯衍生物、和亞膦衍生物，等等)、和羧酸配體(例如，醋酸，等等)，更優(yōu)選的配體是含氮雜環(huán)配體(例如，聯(lián)吡疲、二氮雜菲、苯基吡啶、吡唑吡啶、苯并咪唑吡啶、和苯基吡唑)。作為含氮雜環(huán)配體中的含氮雜環(huán)，優(yōu)選是吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、三唑環(huán)、噻唑環(huán)、噁唑環(huán)、噁二唑環(huán)、噻二唑環(huán)、和氮雜亞膦環(huán)，更優(yōu)選吡啶環(huán)、吡唑環(huán)、和咪唑環(huán)。含氮雜環(huán)配體可以具有取代基。就所述取代基的實例而言，以上Rn中描述的諸如烷基、芳基、垸氧基、氟原子、氰基、和取代的氨基的基團為優(yōu)選。n"優(yōu)選是2或3，尤其優(yōu)選是3。當n"是2或3時，多個L"可以是相同或不同的。當n"是2或3時，其個數(shù)由n"決定的配體是相同的或不同的。含有通過卡賓與銥原子鍵合的配體的式(II)表示的銥絡合物磷光材料更優(yōu)選是由下式(ni)所表示的銥絡合物磷光材料。式(in)將會在下文中說明。式(m)在式(m)中，R"表示垸基或芳基；R35、R"和R"表示氫原子、氟原子、烷基或氰基。R"和1136或1136和R"可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構。L"表示配體，n"表示從1到3的整數(shù)，n"表示從0到4的整數(shù)，C表示與銥配位的卡賓碳。R"表示烷基或芳基，更優(yōu)選表示烷基。作為由R"表示的烷基，甲基、乙基、叔丁基、和環(huán)己基是優(yōu)選的，甲基和叔丁基是更優(yōu)選的，甲基是尤其優(yōu)選的。由R"表示的芳基，優(yōu)選是苯基、對甲基苯基、2-二甲苯基、5-二甲苯基、萊基、l-萘基、2-萘基、和蒽基，更優(yōu)選是苯基、對甲基苯基、2-二甲苯基、5-二甲苯基、和茶基，尤其優(yōu)選是苯基。R"和R25、R"和R26、R"和R"分別具有相同的含義。R"優(yōu)選表示氫原子、氟原子、烷基或氰基，更優(yōu)選是氫原子、氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氟原子。R"優(yōu)選表示氫原子、氟原子、烷基或氰基，更優(yōu)選是氫原子、氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氰基。38R"優(yōu)選表示氫原子、氟原子、垸基或氰基，更優(yōu)選是氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氰基。由R35、1136和1137表示的垸基，優(yōu)選的是甲基、乙基、叔丁基、環(huán)己基、三氣甲基、或全氟丁基，更優(yōu)選是甲基、叔丁基、三氟甲基、和全氣丁基，尤其優(yōu)選是三氟甲基。由R"和1136或R"和R"彼此鍵合形成的苯并稠環(huán)優(yōu)選是二苯并呋喃基、二苯并苯硫基、N-苯基咔唑基、N-甲基咔唑基、9,9-二甲基芴基、N-苯基吲哚基、N-甲基吲哚基、苯并噻吩基、和1,1-二甲基茚基，更優(yōu)選是二苯并呋喃基、二苯并苯硫基、N-苯基咔唑基、N-甲基咔唑基、禾卩9，9-二甲基芴基，尤其優(yōu)選是二苯并呋喃基。由R"和RW或R"和R"彼此鍵合形成的二苯并呋喃基結構或二苯并苯硫基結構優(yōu)選是與R"或1137位置上的氧原子或硫原子鍵合的結構，尤其優(yōu)選是與R"位置上氧原子或硫原子鍵合的結構。L"具有與L"相同的含義，其優(yōu)選范圍也相同。n3'和n21、以及n"和n"分別具有相同含義，其優(yōu)選范圍也相同。含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料優(yōu)選是以下式(IV)表示的銥原子絡合物。式(IV)將在下文說明。在式(IV)中，R41、R42、R43、R45、R46、R47和R48表示氫原子或取代基;L"表示配體；！142表示從1到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)。R41到R43和R45到R48與R21到R23和R25到R28分別具有相同的含義。由R"到R"表示的取代基優(yōu)選是垸基、芳基、或雜芳基，更優(yōu)選是烷基或芳基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、或苯基。'由R"到R"表示的取代基優(yōu)選是烷基、芳基、雜芳基、鹵素基團、或式(IV)氛基，更優(yōu)選是烷基、芳基、鹵素基團、或氰基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、苯基、氟原子、或氰基。R45和R46或R46和R47可以彼此鍵合形成環(huán)結構。L"與L"具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。,和n21、以及1142和1122分別具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體、由式(IV)表示的銥絡合物磷光材料更優(yōu)選是由下式(V)表示的銥絡合物磷光材料。式(V)將在下文說明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>式(V)在式(V)中，R"和R"表示氫原子、烷基、或芳基；R55、R"和R"表示氫原子、氟原子、垸基、或氰基，且R"和R"或R"和R"可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構；L"表示配體；1152表示從1到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)。R"和R"各自優(yōu)選表示氫原子、烷基、或芳基，更優(yōu)選是氫原子、甲基、叔丁基、或苯基，尤其優(yōu)選表示氫原子。R"和R35、R"禾nR36、R"和R"分別具有相同的含義，且優(yōu)選的范圍也相同。L"與L"具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。ri"和i21、以及1152和1122分別具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。含有通過卩比啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料更優(yōu)選是由下式(VI)所表示的銥絡合物磷光材料。式(VI)將在下文說明。式(VI)在式(VI)中，R"到R"各自表示氫原子或取代基；L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；n61表示從0到4的整數(shù)。R61到R63和R65到R68與R21到R23和R25到R28分別具有相同的含義。R^與R"具有相同的含義。由R"到RM表示的取代基優(yōu)選是烷基、垸氧基、芳氧基、雜芳氧基、或取代的氨基，更優(yōu)選是烷基、烷氧基、芳氧基、或取代的氮基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、甲氧基、苯氧基、二甲基氨基、或二苯基氨基。R61和R62或者是R62和R63或者是R63和R64可以彼此鍵合形成環(huán)結構。由R"到RM表示的取代基優(yōu)選是垸基、芳基、雜芳基、鹵素原子、或氛基，更優(yōu)選是垸基、芳基、鹵素原子、或氰基，尤其優(yōu)選是甲基、叔丁基、苯基、氟原子、或氰基。R65和R66或R66和R67或R67和R68可以彼此鍵合形成環(huán)結構。L"與L"具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。n"和n21、以及1162和1122分別具有相同的含義，且優(yōu)選范圍也相同。含有通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體、由式(VI)表示的銥絡合物磷光材料更優(yōu)選是由下式(VII)表示的銥絡合物磷光材料。式(VII)將在下文說明。式(VII)在式(VII)中，R"表示氫原子、烷基、氨基、或烷氧基；R"到R"各自表示氫原子、氟原子或烷基；L"表示配體；1172表示從1到3的整數(shù)；n7'表示從0到4的整數(shù)。R"優(yōu)選表示垸基、氨基、或烷氧基，更優(yōu)選是甲基、叔丁基、二甲基氨基、二苯基氨基、甲氧基、叔丁氧基、或苯氧基，尤其優(yōu)選表示甲氧基。R"優(yōu)選表示氫原子、氟原子、烷基、或氰基，更優(yōu)選是氫原子、氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氟原子。R"M尤選表示氫原子、氟原子、垸基、或氰基，更優(yōu)選是氫原子、氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氰基。R"優(yōu)選表示氫原子、氟原子、垸基、或氰基，更優(yōu)選是氟原子、或氰基，尤其優(yōu)選表示氟原子。由R75、F^和R"表示的烷基優(yōu)選為甲基、乙基、叔丁基、環(huán)己基、三氟甲基、或全氟丁基，更優(yōu)選是甲基、叔丁基、三氟甲基、或全氟丁基，尤其優(yōu)選是三氣甲基。L"具有與L"相同的含義，其優(yōu)選范圍也相同。n"和n21、以及1172和1122分別具有相同含義，其優(yōu)選范圍也相同。銥絡合物磷光材料的最大發(fā)射波長是在發(fā)射光譜最大值內得到最大發(fā)射強度的波長。所述最大發(fā)射波長優(yōu)選為450-470nm，更優(yōu)選為450-465跳尤其優(yōu)選為450-460nm。就銥絡合物磷光材料而言，例如在WO00/70655、WO01/41512、WO02/5645、JP-A-2002-l17978、W004/085450、WO06/121811、WO05/019373、WO05/113704,、WO04/016711、和CoordinationChemistryReviews.250(2006)2093-2126中描述的化合物為優(yōu)選。銥絡合物磷光材料的具體實例如下所示。但是，本發(fā)明不局限于這些化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>如上所示的絡合物化合物可以例如根據下文所示的方法制備。以上金屬絡合物化合物可以根據各種方法合成，例如，在G.R.Newkomeet等人JournalofOrganicChemistry,53,786(1988),第789頁第53行左欄到第7行右欄所述的方法、790頁，第18到38行左欄、第790頁第19-30行右欄所述的方法、以及這些方法的結合、和H.Lexy等人ChemischeBerichte.113,2749(1980),2752頁第26-35行所述的方法。例如，所述化合物可以通過在室溫或低溫下，或通過加熱配體或其分解產物以及金屬化合物得到，該過程可以存在溶劑(例如基于鹵素的溶劑、基于醇類的溶劑、基于醚的溶劑、基于酯的溶劑、基于酮的溶劑、基于腈的溶劑、基于酰胺的溶劑、基于砜的溶劑、基于亞砜的溶劑、和水)或不存在溶劑，可以存在堿(無機或有機的各種堿，例如甲醇鈉、叔丁醇鉀、三乙胺、和碳酸鉀)或不存在堿。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用銥絡合物作為發(fā)光材料，但是銥絡合物也可以用在除發(fā)光層之外的層中。在發(fā)光層中銥絡合物的含量通常占構成發(fā)光層的所有化合物的0.1-50質量°/。，但是考慮到耐久性和外量子效率，所述含量優(yōu)選為1-50質量％，更優(yōu)選為2-40質量％。以下將詳細描述構成本發(fā)明裝置的各個部分。有機電致發(fā)光器件以下將詳細描述本發(fā)明的器件。本發(fā)明的發(fā)光器件包括基板，基板上具有陰極和陽極，以及有機層(有機層可以是只含有機化合物的有機層，或者可以是含有無機化合物的有機層)，有機層中包括位于所述電極之間的有機發(fā)光層(下文中有時將其簡稱為"發(fā)光層")。因此，本發(fā)明中的有機層的構造中可以只包括發(fā)光層。根據發(fā)光器件的性能，優(yōu)選陰極和陽極中的至少一個電極是透明的。作為本發(fā)明中有機層層疊的具體實施方式，所述層疊的順序優(yōu)選是從陽極側的空穴輸送層、發(fā)光層、和電子輸送層。此外，可以在空穴輸送層和發(fā)光層之間、或在發(fā)光層和電子輸送層之間提供電荷阻擋層?？梢栽陉枠O和空穴輸送層之間提供空穴注入層，在陰極和電子輸送層之間提供電子注入層。各層可以被分為數(shù)個次級層。以下將詳細說明本發(fā)明發(fā)光器件的構造?；逵糜诒景l(fā)明的基板優(yōu)選不會散射或減弱有機層發(fā)射的光線?；宀牧系木唧w實例包括無機材料，例如三氧化二釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)、玻璃，等等；和有機材料，例如聚酯，如對苯二甲酸乙二酯、聚苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯，等等，聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚烯丙酯、聚酰亞胺、聚環(huán)烯烴、降冰片烯樹脂、聚(一氯三氟乙烯)，等等。當玻璃被用作基板時，優(yōu)選使用非堿性玻璃，作為用于減少玻璃中離子洗脫的材料。此外，當使用鈉鈣玻璃時，優(yōu)選提供諸如二氧化硅的阻隔性涂層。當使用有機材料時，具有優(yōu)異的耐熱性、尺寸穩(wěn)定性、耐溶劑性、電絕緣性、和加工性的材料是優(yōu)選的?；宓男螤?、結構和尺寸沒有特別的限制，可以根據發(fā)光器件的用途和目的進行任意選擇。通常，基板優(yōu)選是板狀的?；宓慕Y構可以是單層結構或可以是疊層結構，并且可以由單一部分或兩個或更多部分構成?；蹇梢允菬o色且透明的，或者可以是有色且透明的，但是考慮到不散射或減弱來自有機發(fā)光層的光線，優(yōu)選使用無色且透明的基板?？梢栽诨宓恼婊蚍疵嫣峁┓浪麧B透層(氣體阻隔層)。防水汽滲透層(氣體阻隔層)優(yōu)選使用無機材料，例如氮化硅和氧化硅。防水汽滲透層(氣體阻隔層)可以通過例如高頻濺射法來形成。當使用熱塑性基板時，如果必要，還可以提供硬涂層和底涂層。陽極陽極通常應足以具有電極的功能，以向有機層提供空穴。陽極的形狀、結構和尺寸沒有特別的限制，其可以根據發(fā)光器件的用途和目的從己知電極材料中任意選擇。如上文所述，陽極通常提供的是透明的陽極。陽極材料例如是金屬、合金、金屬氧化物、導電化合物、和這些材料的混合物。陽極材料的具體實例包括導電金屬氧化物，例如摻雜銻或氟的氧化錫(ATO、FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)，等等；金屬，例如金、銀、鉻、鎳，等等；這些材料與導電金屬氧化物的混合物或層疊物；無機導電物質，例如碘化亞銅、硫化鉛，等等；有機導電材料，例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯，等等；這些材料與ITO的層疊物，等等。考慮到生產效率、高導電性、透明度和類似性能，在這些材料中，導電金屬氧化物是優(yōu)選的，ITO為尤其優(yōu)選。陽極可以根據各種方法形成在基板上，考慮到陽極中所用材料的適宜性，所述方法任意地選自例如濕法，如印刷方法、涂覆方法等等，物理方法如真空淀積法、濺射法、離子電鍍法等等，和化學方法如CVD法、等離子CVD法等等。例如，當選用ITO作為陽極材料時，所述陽極可以采用直流或高頻濺射方法、真空淀積法和離子電鍍法等等來形成。在本發(fā)明的器件中，將要形成的陽極的位置沒有特別的限制，其可以在任何位置形成。所述位置可根據發(fā)光器件的用途和目的而進行任意選擇,但是優(yōu)選提供在基板上。在此情況下，所述陽極可以形成在基板一側的整個表面上，或部分表面上。就形成陽極中的圖案化(patteming)而言，其可以通過化學蝕刻如光刻法來進行，可以通過利用激光的物理蝕刻來進行，可以通過在重疊掩模上的真空沉積或濺射來進行，或也可以采用剝離法(lift-off)和印刷方法。陽極的厚度可以根據所述陽極的材料任選地選擇，以使不會進巧無限制的調節(jié)，但是所述厚度通常為大約10nm-50pm左右，優(yōu)選為50nm-20|im。陽極的電阻值優(yōu)選為1030/口或更小，更優(yōu)選為1020/口或更小。當陽極為透明時，所述陽極可以是無色透明的，或有色透明的。為了從透明陽極一側耦合取出發(fā)光，透明度優(yōu)選為60%或更大，更優(yōu)選70°/?；蚋蟆ｊP于透明陽極，在YutakaSawadasupervised,TomeiDenkyoku-MakunoShintenkai(NewDevelopmentinTransparentElectrodeFilms),CMCPublishingCo.,Ltd.(1999)中有所說明，這些說明可以被引用。當使用耐熱性差的塑料基板時，在15(TC或更低的低溫下利用ITO或IZO形成的透明陽極膜是優(yōu)選的。陰極通常應足以具有電極的功能，以向有機層提供電子。陰極的形狀、結構和尺寸沒有特別的限制，其可以根據發(fā)光器件的用途和目的從己知電極材料中任意選擇。示例性的陰極材料例如是金屬、合金、金屬氧化物、導電化合物、和這些材料的混合物。陰極材料的具體實例包括堿金屬(例如Li、Na、K、Cs，等等)、堿土金屬(例如Mg、Ca，等等)、金、銀、鉛、鋁、鈉鉀合金、鋰鋁合金、鎂銀合金、銦、稀土金屬例如鐿等。這些材料可以單獨一種使用，但是考慮到穩(wěn)定性和電子注入性能，優(yōu)選將兩種或多種這些材料組合使用。就陰極的構成材料而言，考慮到電子注入性能，優(yōu)選堿金屬和堿土金屬，而主要包括鋁的材料也是優(yōu)選的，原因在于其優(yōu)異的保存性能。主要包括鋁的材料意思是只有鋁、鋁與0.01-10質量％的堿金屬或堿土金屬的合金、或這些的混合物(例如鋰-鋁合金、鎂-鋁合金，等等)。陰極材料在JP-A-2-15595和JP-A-5-121172中有詳細說明，且這些專利中描述的材料也可以用在本發(fā)明中。陰極可以通過己知的方法形成，對其沒有特別限制。考慮到陰極構成材料的適宜性，陰極的形成可以根據例如濕法，如印刷方法、涂覆方法等等，物理方法如真空淀積法、濺射法、離子電鍍法等等，和化學方法如CVD法、等離子CVD法等等。例如，當選用金屬作為陰極材料時，可以利用濺射法等方法，同時或按順序地用一種或兩種或多種材料形成陰極。形成陰極中的圖案化可以通過化學蝕刻如光刻法來進行，可以通過利用激光的物理蝕刻來進行，可以通過在重疊掩模上的真空沉積或濺射來進行，或也可以采用剝離法和印刷方法。在本發(fā)明中，將要形成陰極的位置沒有特別的限制，其可以在任何地方形成。所述陰極可以形成在有機層的整個表面，或在部分表面上?？梢栽陉帢O和有機層之間插入介電層，該介電層包含堿金屬或堿土金屬的氟化物或氧化物，其厚度為0.1-5nm。所述介電層可以被作為一種電子注入層。介電層可以根據例如真空淀積法、濺射法、離子電鍍法等來形成。陰極的厚度可以根據陰極材料而任選選擇，以使不會進行無限制的調節(jié)，但是厚度通常為大約10nm-5pm左右，優(yōu)選為50nm-lpm。陰極可以是透明的或不透明的。透明陰極可以通過形成厚度為l-10nm的陰極材料薄膜來形成，并進一步層疊透明導電材料例如ITO和IZO。有機層本發(fā)明的有機層在下文中進行說明。本發(fā)明的器件具有至少一層包括發(fā)光層的有機層。作為不同于該有機發(fā)光層的有機層，如上所述，其可以是例如空穴輸送層、電子輸送層、電荷阻擋層、空穴注入層和電子注入層。有機層的形成在本發(fā)明的器件中，構成有機層的每一層優(yōu)選可以通過任何干膜成型方法形成，例如真空淀積法、濺射法等等，還可以通過轉移法、和印刷法來形成。發(fā)光層發(fā)光層是在施加電場時具有如下功能的層接收來自陽極、空穴注入層或空穴輸送層的空穴，和接受來自陰極、電子注入層或電子輸送層的電子，以及提供空穴和電子再結合、以發(fā)射光的場。所述發(fā)光層可以包括一層，或可以包括兩層或多個層，在包括兩層或多個層的情況下，每個層可以發(fā)射不同發(fā)光顏色的光。本發(fā)明中的發(fā)光層可以只由發(fā)光材料構成，或者可以是包括基質材料和發(fā)光材料的混合層。這里，基質材料意指在構成發(fā)光層的材料中不同于所述發(fā)光材料的那些材料，其具有至少一種以下的功能分散發(fā)光材料在發(fā)光層沖并保持其分散的功能、接收來自陽極和空穴輸送層的空穴的功能、接收來自陰極和電子輸送層的電子的功能、輸送空穴或電子的至少一種的功能、提供空穴和電子再結合位置的功能、將再結合生成的激子的能量轉移至發(fā)光材料的功能、和向發(fā)光材料輸送空穴和電子的至少一種的功能?；|材料優(yōu)選是一種電荷輸送材料。所述基質材料可以單獨使用一種，或可組合使用兩種或更多種。例如，其構成示例為電子輸送基質材料和空穴輸送基質材料的混合物。此外，在發(fā)光層中還可以包括不具備電荷輸送性能和不具備發(fā)光的材料。就本發(fā)明的發(fā)光層中所包含的基質材料而言，例如示例為具有咔唑結構、具有二芳胺結構、具有吡啶結構、具有吡嗪結構、具有三嗪結構、具有芳基硅垸結構的那些材料，或者是下文中在空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層和電子輸送層部分中描述的材料?？捎糜诒景l(fā)明中的熒光材料的實例包括苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻吩衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘酰亞胺衍生物、香豆素衍生物、稠化芳族化合物、紫環(huán)酮衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛連氮衍生物、吡啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、二苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯吡啶衍生物、噻二唑吡啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮吡咯吡咯衍生物、芳族二次甲基化合物、各種由8-羥基喹啉衍生物的金屬絡合物和吡咯亞甲基衍生物的金屬絡合物為代表的金屬絡合物、聚合物化合物例如聚噻吩、聚苯撐、聚亞苯基乙烯撐，等等、以及例如有機硅衍生物的化合物。在本發(fā)明中可單獨或組合使用的磷光材料的實例包括含過渡金屬元素原子或鑭系元素原子的絡合物。過渡金屬元素原子沒有特別的限制，但是優(yōu)選例如釕、銠、鈀、鉤、錸、鋨、銥和鉑，更優(yōu)選錸、銥和鈾。鑭系元素原子示例為鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、和镥、在這些鑭系元素原子中，釹、銪和軋是優(yōu)選的。作為絡合物的配體的實例，例如是在G.Wilkinson等人，ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress(1987),H.Yersin,Photochemi'strvandPhotophvsicsofCoordinationCompounds,Springer-Verlagn987沖、禾口AkioYamamoto,YukiKinzokuKagaku-KisotoOvo-(OrganicMetalChemistry-ElementsandApplications),ShokaboPublishingCo.(1982)中所描述的配體。配體的具體實例優(yōu)選例如鹵素配體(優(yōu)選是氯配體)、含氮雜環(huán)配體(例如苯基吡啶、苯并喹啉、羥基喹啉、聯(lián)吡啶基、菲咯啉等等)、二酮配體(例如乙酰二酮，等等)、羧酸配體(例如醋酸配體，等等)、一氧化碳配體、異腈配體、和氰基配體，更優(yōu)選例如含氮雜環(huán)配體。這些絡合物可以在化合物中具有一個過渡金屬原子，或者可以是具有兩個或多個過渡金屬原子的所謂多核絡合物。它們可以同時含有不相似的金屬原子?？梢耘c銥絡合物磷光材料組合使用的發(fā)光材料的具體實例是例如以下化合物，但是本發(fā)明不局限于這些化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>333ODH0D—11D—12D-，3CM4。O,N、,N_Nr、OC5二Ir3D-17D—，5D-16ooooA53<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>本發(fā)明含有銥絡合物磷光材料的磷光材料在發(fā)光層中的含量優(yōu)選為0.1-40質量％、更優(yōu)選為0.5-20質量％。當不同于本發(fā)明磷光材料的磷光材料組合使用時，本發(fā)明磷光材料的含量優(yōu)選為所有磷光材料的50質量°/。或更多，更優(yōu)選為80質量％或更多。本發(fā)明發(fā)光層中所含的基質材料例如是式(I)所表示的化合物，但是不同于上述化合物的基質材料可以組合使用。例如，示例為不同于本發(fā)明的、具有咔唑結構、二芳基胺結構、吡啶結構、吡嗪結構、三嗪結構、或芳基硅烷結構的那些材料，以及在下文中空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、和電子輸送層部分中所述的材料。在發(fā)光層中可以組合使用的基質材料的含量優(yōu)選為式(I)所示化合物的90質量％或更少，更優(yōu)選為50質量°/?；蚋?，尤其優(yōu)選為10質量％或更少。發(fā)光層的厚度沒有特別的限制，但是通常優(yōu)選為l-500nm，更優(yōu)選為5-200nm，還更優(yōu)選為10-100nm?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭ㄝ斔蛯涌昭ㄗ⑷雽雍涂昭ㄝ斔蛯邮蔷哂薪邮諄碜躁枠O或陽極側的空穴、并向陰極輸送空穴的功能的層?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭ㄝ斔蛯邮怯绕鋬?yōu)選含有以下物質的層咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基垸烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代的查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二次甲基化合物、卟啉化合物、有機硅衍生物、碳、和各種由Ir絡合物表示、具有苯基唑或苯基吖嗪作為配體的金屬絡合物。考慮到要降低驅動電壓，所述空穴注入層和空穴輸送層的每一個的厚度優(yōu)選是500nm或更小?？昭ㄝ斔蛯拥暮穸葍?yōu)選是l-500nm，更優(yōu)選是5-200nm，還更優(yōu)選是10-100nm。空穴注入層的厚度優(yōu)選是0.1-200nm，更優(yōu)選是0.5-100nm，還更優(yōu)選是l-100nm。空穴注入層和空穴輸送層可以是包括一層或兩層或多層上述材料的單層結構，或者可以是包括數(shù)層具有相同或不同組成的多層結構。電子注入層和電子輸送層電子注入層和電子輸送層是具有接收來自陰極或陰極側的電子、并向陽極輸送電子的功能的層。電子注入層和電子輸送層是尤其優(yōu)選含有以下物質的層三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、荷酮衍生物、蒽喹啉二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基-甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、芳環(huán)四羧酸酐例如萘或二萘嵌苯等等、酞菁衍生物、各種由8-羥基喹啉衍生物的金屬絡合物表示的金屬絡合物、具有金屬酞菁、苯并噁唑、或苯并噻唑作為配體的金屬絡合物、有機硅垸衍生物，等等?？紤]到要降低驅動電壓，所述電子注入層和電子輸送層每一個的厚度優(yōu)選為500nm或更少。電子輸送層的厚度優(yōu)選是l-500nm,更優(yōu)選是5-200nm，還更優(yōu)選是10-100nm。電子注入層的厚度優(yōu)選是0.1-200nm，更優(yōu)選是0.2-100nm，還更優(yōu)選是0.5-50nm。電子注入層和電子輸送層可以是包括一層或兩層或更多層上述材料的單層結構，或者是包括數(shù)層具有相同或不相似組成的多層結構。空穴阻擋層空穴阻擋層是具有阻止由陽極側向發(fā)光層輸送的空穴穿過陰極側的功能的層。在本發(fā)明中，空穴阻擋層可以作為與發(fā)光層相鄰的有機層而提供在陰極側。構成空穴阻擋層的有機化合物的實例包括鋁絡合物、例如BAlq、三唑衍生物、菲咯啉衍生物例如BCP?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葍?yōu)選為l-500nm，更優(yōu)選為5-200nm，還更優(yōu)選為IO-IOO腿?？昭ㄗ钃鯇涌梢允前ㄒ粚踊騼蓪踊蚋鄬由鲜霾牧系膯螌咏Y構，或者是包括數(shù)層具有相同或不同組成的多層結構。保護層在本發(fā)明中，有機EL器件可以被保護層所完全保護。保護層中所含的材料應具有以下功能其足以抑制器件中物質的加速劣化，例如阻止水、氧氣等進行器件。這種材料的具體實例是，例如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等等；金屬氧化物，例如MgO、SiO、SiC2、A1203、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe203、Y203、Ti02，等等；金屬氮化物，例如SiNx、SiNxOy，等等；金屬氟化物，例如MgF2、LiF、A1F3、CaF2，等等；聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚脲、聚四氟乙烯、聚一氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、一氯三氟乙烯與二氯二氟乙烯的共聚物、使含四氟乙烯和至少一種共聚單體的單體混合物共聚得到的共聚物、在共聚物主鏈上具有環(huán)結構的含氟共聚物、吸水率不大于1%的吸水性物質、吸水率不大于0.1%的防濕性物質。保護層的形成方法沒有特別的限制，例如真空淀積法、濺射法、反應濺射法、MBE(分子束外延)法、簇離子束法、離子電鍍法、等離子體聚合法(高頻離子激發(fā)離子電鍍法)、等離子體CVD法、激光CVD法、熱CVD法、氣體源CVD法、涂覆法、印刷法、轉移法，等等都可以用在本發(fā)明中。密封容器本發(fā)明的裝置可以完全被密封容器所密封。此外，水吸收劑或惰性液體可以填充在密封容器和發(fā)光器件之間的空間中。水吸收劑沒有特別的限制，例如，氧化鋇、氧化鈉、氧化鉀、氧化鈣、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鎂、五氧化二磷、氯化鈣、氯化鎂、氯化銅、氟化銫、氟化鈮、溴化鈣、溴化釩、分子篩、沸石、氧化鎂，等等。惰性液體沒有特別的限制，例如，石蠟，液體石蠟，氟溶劑例如全氟烷烴、全氟胺、全氟醚等等，氯溶劑，和硅油。驅動方法通過在本發(fā)明器件的陽極和陰極之間施加直流DC(如果必要的話，可以包括交流電因子)電壓(通常為2-15V)或直流電流，得以發(fā)射光。關于本發(fā)明器件的驅動方法，在JP-A-2-148687、JP-A-6-301355、JP-A-5-29080、JP-A-7-134558、JP-A-8-234685、JP-A-8-241047、日本專利2784615、和US5,828,429和6,023,308中所公開的方法可以用在本發(fā)明中。實施例其它的本發(fā)明的器件優(yōu)選被用在顯示裝置、顯示器、背光、電子照相術、照明光源、錄制光源、曝光光源、閱讀光源、指示器、標志牌、內部設計、光通信等領域中。[實施例]以下將參考實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但是本發(fā)明不應理解為僅限于這些實施例。示例性化合物的合成示例性化合物(l-3)可以通過利用鈀催化劑和鉛催化劑、通過使在Heterocvcles,Vol.67，No.1,353-359(2006)中描述的、在1-到8-位置上含有氘原子的咔唑與4,4'-二溴聯(lián)苯的偶聯(lián)來合成。示例性化合物(4-3)可以與示例性化合物(l-3)同樣的方式、通過與1，3-二溴苯的偶聯(lián)來合成。示例性化合物(12-3)可以與示例性化合物(l-3)同樣的方式、通過與Tetrahedron,Vol.54，No.42,12707-12714(1998)中所述的3，6-二溴-9-苯基咔唑的偶聯(lián)得到。示例性化合物(4-6)可以根據下述方法得到:間苯二酚-d6可以根據J.Am.Chem.Soc.Vol.126,No.40,13033-03043(2004)中所描述的方法進行合成。在脫水乙腈(40ml)中混合間苯二酚-d6(4.6g)和三乙胺(14ml)。在將反應容器置于水浴中冷卻時，加入九氟丁磺酰氟化物(15.5ml)。在室溫下攪拌混合物3個小時后，加入水，并用己烷-醋酸乙烯酯混合溶劑從反應溶液中萃取有機層。用稀鹽酸、水和飽和鹽水依次清洗萃取的有機層，用硫酸酐鈉干燥，隨后在減壓下將溶劑蒸餾出，得到25.9g中間體A的粗產物。在氮氣氛中，將中間體A的粗產物(13.6g)、咔唑-d8(7.0g)、聯(lián)(亞芐基丙酮)鈀(0.56g)、XantPhos(CAS號161265-03-8，1.16g)、和碳酸銣(23g)在甲苯(200ml)中混合，且對混合物進行加熱回流。在8小時之后，額外加入聯(lián)(亞芐基丙酮)鈀(0.28g)，再對混合物進行加熱回流3小時。將反應混合物冷卻到室溫之后，向反應混合物中加入水和乙酸乙酯，通過過濾不溶物得到有機層，用水及飽和鹽水清洗有機層，并用硫酸酐鈉干燥。對通過在減壓下濃縮有機層得到的粗產物采用硅膠柱色譜法(己烷/乙酸乙酯的混合洗脫劑，體積比為20班行純化，并進一步進行重結晶和升華純化，得到2.7g示例性化合物(4-6)。通過'H-NMR、利用1,2-二溴丁烷作為內標物、重氯仿和重二甲基亞砜作為溶劑來測定示例性化合物(4-6)的轉化率，其在各處的轉化率為96%。在上述制造方法中，當限定的取代基隨特定合成方法的條件改變時，或當其不適合于實施該方法時，制備可以借助于例如對官能團進行保護或脫保護(例女口，T.W.Greene,ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis,J'ohnWiley&SonsInc.(1981))來得以容易地進行。此外，如果必要的話，還可以任意的改變反應過程的順序，例如弓I入取代基或類似物。有機電致發(fā)光器件的制備和評價(1)比較例1的有機電致發(fā)光器件的制備將厚度為0.5mm且面積為2.5cm^具有ITO薄膜的玻璃基板(GeomatecCo.,Ltd.生產，表面電阻10Q/口)放入清洗容器中，在2-丙醇中進行超聲清洗，隨后進行30分鐘的UV-臭氧處理。接下來通過真空沉積將有機層順次沉積在透明陽極(ITO膜)上。除非另有說明，否則本發(fā)明實施例中的沉積速度為0.2nm/秒。用石英振蕩膜形成控制器CRTM-9000(ULVAC,Inc.制造)來測定沉積速度。各層膜的膜厚度示于下文中，其是由CRTM-9000的數(shù)值所形成的校準曲線和用Dektak探針型厚度計測得的厚度計算得出的。O化合物A:膜厚80nmO化合物B:膜厚10nm<3>比較化合物1+發(fā)光材料A(10重量％)的共沉積膜厚60nm<4>化合物(膜厚10nm<5>化合物0:膜厚30nm最后，將O.lnm的氟化鋰和金屬鋁依此順序以100nm的厚度沉積，以制備陰極。將其置于用氬氣置換過的手套箱中，以使其不會與空氣接觸，并用不銹鋼密封罐和UV-固化型粘合劑(XNR5516HV,NagaseCiba生產)密封，從而得到比較例1的有機電致發(fā)光器件。(2)比較例2至8和實施例1至8的有機電致發(fā)光器件除了進行下如表1中所示的改變外，其它以與比較例1中相同的方式制備比較例2至8和實施例1至8的有機電致發(fā)光器件，發(fā)光材料A至發(fā)光材料B至H具有以下所示的結構，比較化合物1至比較化合物2、示例性化合物(l-3)和示例性化合物(4-6)見下文所示?；衔顰至D的化學結構如下所示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>發(fā)光材料A至H的化學結構及其在溶液狀態(tài)下的發(fā)射波長如下所示:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>發(fā)光材料A620圓發(fā)光材料B514nm發(fā)光材料C478面發(fā)光材料D466nm<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>發(fā)光材料E460圓發(fā)光材料F458nm發(fā)光材料G456nm發(fā)光材料H444nm比較化合物1至3的化學結構如下所示:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>比較化合物1比較化合物3示例性化合物(l-3)和(4-6)的化學結構如下所示:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula>示例性化合物(1-3)示例性化合物(4-S)根據以下方法對得到的有機電致發(fā)光器件進行評價。(1)驅動電壓的測量將各個電致發(fā)光器件放置在發(fā)射光譜測量系統(tǒng)ELS1500(由ShimadzuCorporation制造)中，并在亮度為100Cd/m2時測量施加的電壓。(2)驅動耐久性的評價將各個電致發(fā)光器件放置在ST-D型的OLED測試系統(tǒng)中(TSKCo.制造)，并以恒定電流的模式、用垂直方向0.4mA的恒定電流進行驅動，得到亮度的半衰期(從初始亮度減弱至50%亮度時所需的時間)。有機電致發(fā)光器件的評價結果示于下表1中。對于驅動電壓和亮度半衰期，結合使用相同的發(fā)光材料的實施例和比較例，比較例的結果為100，實施例的結果以相對值表示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>從以上結果可以得出，組合使用式(I)所示化合物和銥絡合物磷光材料的本發(fā)明的器件具有顯著的效果，特別是，所組合的發(fā)光材料發(fā)光波長越短，效果就越顯著。(2)比較例2-1至2-13和實施例2-1至2-7的有機電致發(fā)光器件的制造和評價比較例2-1至2-13和實施例2-1至2-7的有機電致發(fā)光器件以與比較例1相同的方式進行制造，并以相同方式進行評價，除了將比較例1中器件的發(fā)光材料A和比較化合物1改變?yōu)橄卤?中所示的、發(fā)光材料和將要與所述發(fā)光材料(基質材料)進行共沉積的材料的組合之外。得到的結果示于表2。但是，比較例2-5*和實施例2-5**中的器件在含化合物B的層和含比較例1中比較化合物1的層之間分別具有含厚度為3nm的比較化合物3一和厚度為3nm的示例性化合物(12-2)。<table>tableseeoriginaldocumentpage64</column></row><table>發(fā)光材料I到K的化學結構如下所示:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>比較化合物7比較化合物8比較化合物9從表2中結果可以看出，在結合了式(I)所示化合物和銥絡合物磷光材料的實施方式中，本發(fā)明中的有機電致發(fā)光器件具有尤其顯著的效果，并且甚至當其被用在非發(fā)光層的層中時，都仍然具有效果。(3)比較例3-1和3-2以及實施例3-1和3-2的有機電致發(fā)光器件的制造和評價比較例3-1和3-2以及實施例3-1和3-2的有機電致發(fā)光器件以與比較例1相同的方式制造，并且以相同的方式評價，除將比較例1中的化合物B和比較化合物1改變?yōu)橄卤?中所示材料以外。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>從表3中結果可以看出，本發(fā)明的效果也可以通過在與發(fā)光層相鄰的有機層中使用由式(I)表示的化合物來實現(xiàn)，'通過在各發(fā)光層和與所述發(fā)光層相鄰的有機層中使用式(I)所示化合物，可以實現(xiàn)尤其顯著的效果。(4)比較例4-1和4-2的有機電致發(fā)光器件的制造和評價比較例4-1和4-2的有機電致發(fā)光器件以與比較例1相同的方式制造，并以其它相同的方式進行評價，除將比較例1的有機電致發(fā)光器件中所用的比較化合物1和化合物C變?yōu)橄卤?中所示材料。結果示于下表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>化合物E的化學結構如下所示:在表4中，使用化合物C和使用通過氘化化合物C得到的化合物E，這兩種情況下得到的驅動電壓和亮度半衰期的效果幾乎沒有區(qū)別。表1和表4的結果顯示，本發(fā)明的效果不是通過化合物的氘化得到的，而是通過使用式(I)所示化合物而得到的特殊效果，其中式(I)中所示的化合物具有特殊的結構并含有氘原子。本發(fā)明可以提供一種具有優(yōu)異效率(電能消耗)和耐久性的有機電致發(fā)光器件。本申請中所要求保護的每一個及各個外國專利申請的外國優(yōu)先權益，其全部內容如同被全文列出一樣地通過引用結合在此。權利要求1.一種有機電致發(fā)光器件，其包括一對電極；和所述一對電極之間的一層有機層，該有機層包括發(fā)光層，其中所述有機層包含由下式(I)表示的化合物；且所述發(fā)光層含有銥絡合物磷光材料式(I)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自表示氫原子或取代基，且R1到R8的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)；R9表示烷基、烯基、芳基、雜芳基、或甲硅烷基，并且這些基團的每一個可以被取代基取代，且R1到R9的至少一個表示氘原子或含氘原子的取代基。2.權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述銥絡合物磷光材料具有小于470nm的最大發(fā)射波長。3.權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述銥絡合物磷光材料包含通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體。4.權利要求3的有機電致發(fā)光器件，其中；包含通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(II)表式(n)其中R2'、R22、R23、R25、R26、R27和R28各自表示氫原子或取代基；L"表示配體；n"表示從l到3的整數(shù)；n"表示從0到4的整數(shù)；且c表示與所述銥原子配位的卡賓碳。5.權利要求4的有機電致發(fā)光器件，其中包含通過卡賓碳與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(in)牛二衣小式(ni)其中R"表示烷基或芳基；R35、R"和R"各自表示氫原子、氟原子、烷基、或氰基，且R"和R或R36和R37可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構；L"表示配體；n"表示從l到3的整數(shù);n"表示從0到4的整數(shù)；且C表示與所述銥原子配位的卡賓碳。6.權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述銥絡合物磷光材料包含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體。7.權利要求6的有機電致發(fā)光器件，其中包含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(IV)表示式(IV)其中R41、R42、R43、R45、R46、R47和R48各自表示氫原子或取代基；L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且r/'表示從0到4的整數(shù)。8.權利要求7的有機電致發(fā)光器件，其中包含通過吡唑結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(V)表示式(v)其中:R"和R"各自表示氫原子、烷基、或芳基；R55、R"和R"各自表示氫原子、氟原子、垸基、或氰基，且R"和R56或R"'和R"可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構；L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且ti"表示從0到4的整數(shù)。9.權利要求l的有機電致發(fā)光器件，其中所述銥絡合物磷光材料包含通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體。10.權利要求9的有機電致發(fā)光器件，其中包含通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(VI)表示式(VI)其中R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67和R68各自表示氫原子或取代基；L"表示配體；n"表示從l到3的整數(shù)；且n"表示從0到4的整數(shù)。11.權利要求10的有機電致發(fā)光器件，其中包含通過吡啶結構的氮原子與銥原子鍵合的配體的銥絡合物磷光材料由下式(vn)表示式(VII)其中R"表示氫原子、垸基、氨基或垸氧基；R"、1176和1177各自表示氫原子、氟原子、氰基、或烷基;L"表示配體；n"表示從1到3的整數(shù)；且n"表示從0到4的整數(shù)。12.權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中由式(I)表示的化合物由下式(VIII)表示式(VIII)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87禾卩R88各自表示氫原子或取代基，且R81到R88的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)結構；A表示連接基團；且n"表示從2到6的整數(shù)；且由式(vm)表示的化合物含有至少一個氘原子。13.權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中由式(I)表示的化合物包含在所述發(fā)光層中。全文摘要一種有機電致發(fā)光器件，其包括一對電極；和位于所述一對電極之間的一層有機層，所述有機層包括發(fā)光層，其中所述有機層包含由以下式(I)表示的化合物；且所述發(fā)光層含有銥絡合物磷光材料其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸各自表示氫原子或取代基，且R¹到R⁸的相鄰取代基可以彼此鍵合形成稠環(huán)；R⁹表示烷基、烯基、芳基、雜芳基、或甲硅烷基，并且這些基團的每一個可以被取代基取代，且R¹到R⁹中的至少一個表示氘原子或含氘原子的取代基。文檔編號H05B33/14GK101308905SQ20081009713公開日2008年11月19日申請日期2008年5月19日優(yōu)先權日2007年5月18日發(fā)明者武田玲申請人:富士膠片株式會社