專利名稱：線路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路板及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有至 少二層線路層的線^各板及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今具有至少二層線路層的多層線路板通常具有導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)
(conductive through hole structure )，而此導(dǎo)電通孑L結(jié)構(gòu)電性連接多層線^各^反 的其中二線路層，以使這些線路層能電性導(dǎo)通。目前形成導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)的方 法大多是采用機(jī)械鉆孔以及通孔電鍍制程，而在形成導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)之后，連 接導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)二端的二銅金屬層的厚度會增加。因此，通常在導(dǎo)電通孔結(jié) 構(gòu)形成之后，會進(jìn)行整面性蝕刻制程，也就是所謂的減厚制程(亦有人稱為 減銅制程)，以減少上述二銅金屬層的厚度。
圖1A至圖IE是傳統(tǒng)一種多層線路板的制造方法的流程示意圖。請參 閱圖1A，首先，以機(jī)械鉆孔的方法，在一銅箔基板(Copper Clad Laminate, CCL) 110上形成一通孔(through hole )T1。銅箔基板110包括一介電層112 以及二層銅箔114,其中這些銅箔114位于介電層112相對二表面上。
請參閱圖1B與圖1C，接著，進(jìn)行通孔電鍍制程(Plating Through Hole, PTH)，以在通孔T1內(nèi)形成一導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)120,其中通孔電鍍制程包括以 下步驟。
請先參閱圖IB,首先，進(jìn)行化學(xué)鍍，以在通孔T1的孔壁上形成一化學(xué) 銅層122。在進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，化學(xué)銅層122亦會全面性地形成于這些銅箔114 上。
請參閱圖1C,接著，進(jìn)行電鍍，以在化學(xué)銅層122的表面上沉積銅金 屬，進(jìn)而形成銅金屬柱124。如此，導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)120得以形成。在進(jìn)行電 鍍時(shí)，銅金屬亦會沉積于化學(xué)銅層122上，進(jìn)而形成厚度較厚的二層銅箔 114，。換句話說，當(dāng)形成導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)120時(shí)，同時(shí)增加這些銅箔114的厚 度。請參閱圖1C與圖ID,接著，進(jìn)行蝕刻制程，以減少這些銅箔114，的厚 度。請參閱圖1E，在這些銅箔114，的厚度減少之后，進(jìn)行光刻制程，以形 成二銅線3各層116。至此， 一種多層線路板100已制造完成。
然而，上述減少銅箔114，的厚度所采用的整面性蝕刻制程容易產(chǎn)生應(yīng)力 的變化，進(jìn)而導(dǎo)致多層線路板100的尺寸(dimension scale)改變。這會對 多層線路板100的良率會造成不良的影響，進(jìn)而降低多層線路板100的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路板的制造方法，以提高線路板的良率。 本發(fā)明提供一種線路板，其制造方法能提高線路板的良率。 本發(fā)明提出一種線路板的制造方法，包括，首先，提供一基板，其包括 一第一導(dǎo)電層、 一第二導(dǎo)電層以及一配置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的 絕緣層。接著，在第一導(dǎo)電層上形成一第一疏水性薄膜(hydrophobic film )。 接著，形成至少一孔洞，其從第一導(dǎo)電層延伸至第二導(dǎo)電層。接著，形成至 少一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)于孔洞中，其中導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)連接于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo) 電層之間。在形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除第一疏水性薄膜。之后，圖案化 第一導(dǎo)電層，以形成一第一線路層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成第一疏水性薄膜的方法包括液相沉積 (Liquid Phase Deposition, LPD )或分子氣相沉積(Molecular Vapor Deposition, MVD)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除第一疏水性薄膜的方法包括干式蝕刻 法、研磨或刮除。此外，上述干式蝕刻法包括等離子蝕刻法。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除第 一疏水性薄膜的方法包括令第 一疏 水性薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)橐坏谝挥H水性薄膜。接著，將第一親水性薄膜浸泡于一蝕刻
藥液內(nèi)。
在本發(fā)明的一 實(shí)施例中，上述形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的方法包括化學(xué)鍍以及 電鍍。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括，在第二導(dǎo)電層上形成一第二疏水性薄 膜。在形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除第二疏水性薄膜。接著，圖案化第二導(dǎo) 電層，以形成一第二線路層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成第二疏水性薄膜的方法包括液相沉積或分子氣相沉積。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除第二疏水性薄膜的方法包括干式蝕刻 法、研磨或刮除。上述干式蝕刻法包括等離子蝕刻法。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除第二疏水性薄膜的方法包括令第二疏 水性薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)橐坏诙H水性薄膜。接著，將第二親水性薄膜浸泡于一蝕刻
藥液內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述基板還包括一配置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo) 電層之間的內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括，在第一線路層之上形成至少一第三線 路層。在第二線路層之上形成至少一第四線路層。
本發(fā)明提出一種線路板，其具有至少一孔洞。線路板包括一第一線路層、 一第二線路層、 一絕緣層以及一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)。絕緣層配置于第一線路層與 第二線路層之間，其中孔洞從第一線路層延伸至第二線路層?？锥淳哂幸豢?壁，而孔壁區(qū)分為二邊緣區(qū)域以及一位于這些邊緣區(qū)域之間的中央?yún)^(qū)域。導(dǎo) 電連接結(jié)構(gòu)配置于孔洞中，并連"l妻于第一線路層與第二線路層之間，其中導(dǎo) 電連接結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層以及一金屬柱體。第一金屬層覆蓋孔壁，其中 第一金屬層的邊緣與孔壁的邊緣實(shí)質(zhì)上重疊，且第一金屬層在中央?yún)^(qū)域的厚 度大于第一金屬層在這些邊緣區(qū)域的厚度。第一金屬層連接于金屬柱體與孔 壁之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述金屬柱體的相對二端緣實(shí)質(zhì)上與孔壁的邊 緣重疊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述金屬柱體與第 一金屬層之間存有一界面。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述金屬柱體為一實(shí)心柱體，且導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu) ^真滿孔洞。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述金屬柱體為一筒狀體，且金屬柱體包括至 少一第二金屬層，第一金屬層連^妄于第二金屬層與孔壁之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述線路板還包括一配置于第一線路層與第二 線路層之間的內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述線路板還包括至少 一配置于第 一線路層之 上的第三線路層以及至少 一配置于第二線路層之上的第四線路層。
本發(fā)明因釆用第 一疏水性薄膜與第二疏水性薄膜，因此本發(fā)明能在不增
6加第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層二者厚度的情況下，形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)。如此， 本發(fā)明無須進(jìn)行蝕刻制程(例如減厚制程)以減少導(dǎo)電層的厚度，以避免前 述蝕刻制程所產(chǎn)生的應(yīng)力的變化，進(jìn)而提升線路板的良率。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一些實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)i兌明如下。


圖1A至圖1E是傳統(tǒng)一種多層線游4反的制造方法的流程示意圖。
圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的一種線路板的剖面示意圖。
圖3A至圖3G是圖2中的線路板的制造方法的流程示意圖。
圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線鴻4反的剖面示意圖。
圖5A至圖5F是圖4中的線路板的制造方法的流程示意圖。
主要元件符號說明
100:多層線路板110:銅箔基板112:介電層114、114，:銅箔
116:銅線路層120:導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)122:化學(xué)銅層124:銅金屬柱200、300線路板
202、302基板
210、310第一線路層
210，、310，第一導(dǎo)電層220、320第二線路層
220，、320，第二導(dǎo)電層230、330a、 330b、 354:絕纟彖層240、340.導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)
242、342:第一金屬層
244、344:金屬柱體244a:第二金屬層 250a:第一疏水性薄膜 250b:第二疏水性薄膜 350:內(nèi)層線路結(jié)構(gòu) 352a、 352b:線-各層 Bl、 B2:界面 Hl、 H2:孔洞 Sl、 S2:孔壁 Tl:通孔
Zl、 Z3:邊緣區(qū)域 Z2、 Z4:中央?yún)^(qū)域
具體實(shí)施例方式
圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的一種線路板的剖面示意圖。請參閱圖2，線路 板200具有至少一孔洞HI,且線踏41200包括一第一線^各層210、 一第二線 路層220、 一絕緣層230以及一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240。第一線路層210與第二 線路層220分別配置于絕緣層230的相對二表面，即絕緣層230配置于第一 線路層210與第二線路層220之間。此外，圖2所示的線路板200可視為一 種雙面線蹤4反(double sided circuit board)或是也可以作為多層線^各才反內(nèi)的 其中一層內(nèi)層線路基板。
孑L洞HI從第一線路層210延伸至第二線路層220,而孔洞HI可以是盲 孔(blind via)或通孔(如圖2所示)?？锥碒I具有一孔壁Sl，而孔壁SI 區(qū)分為二邊緣區(qū)域Z1以及一中央?yún)^(qū)域Z2，其中中央?yún)^(qū)域Z2位于這些邊緣 區(qū)域Z1之間。
導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240配置于孔洞HI中，并連接于第一線路層210與第二 線路層220之間。導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240包括一第一金屬層242以及一金屬柱體 244。第一金屬層242覆蓋孔壁Sl，而第一金屬層242的邊緣與孔壁Sl的 邊緣實(shí)質(zhì)上重疊，如圖2所示。第一金屬層242在中央?yún)^(qū)域Z2的厚度大于 第一金屬層242在這些邊緣區(qū)域Zl的厚度，且第一金屬層242連接于金屬 柱體244與孔壁Sl之間。
金屬柱體244的相對二端緣實(shí)質(zhì)上與孔壁Sl的邊緣重疊，因此第一金屬層242、金屬柱體244以及孔壁Sl三者的邊緣實(shí)質(zhì)上相互重疊。此外， 在本實(shí)施例中，金屬柱體244包括二層第二金屬層244a，其中第二金屬層 244a^l蓋第一金屬層242的表面，即第一金屬層242連接于第二金屬層244a 與孔壁SI之間。
由此可知，金屬柱體244為一筒狀體。換句話說，金屬柱體244是一種 未填滿孔洞HI的空心柱體。不過，在一未示出的實(shí)施例中，金屬柱體244 亦可以是一實(shí)心柱體，而導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240可以填滿孔洞HI 。
導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240可以通過通孔電鍍制程而形成。也就是說，導(dǎo)電連接 結(jié)構(gòu)240可以通過化學(xué)鍍與電鍍而形成。第一金屬層242可利用化學(xué)鍍而形 成，而金屬柱體244可利用電鍍而形成。由于第一金屬層242與金屬柱體244 二者是采用不同的方法而形成，所以第 一金屬層242與金屬柱體244 二者的 微結(jié)構(gòu)(microstmcture )不同，例如第一金屬層242與金屬柱體244 二者的 晶格排列或晶格大小不同。因此，金屬柱體244與第一金屬層242之間會存 有一界面Bl。
圖2所示的孔洞Hl為通孔，因此導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240可為一種導(dǎo)電通孔 結(jié)構(gòu)。然而，由于孔洞Hl亦可以是盲孔，因此在其他未示出的實(shí)施例中， 導(dǎo)電連4妻結(jié)構(gòu)240也可以是一種導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)(conductive blind via structure )。故，在此強(qiáng)調(diào)，圖2所示的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240僅為舉例說明，并 非限定本發(fā)明。
在其他未示出的實(shí)施例中，線路板200亦可以還包括二阻焊層，其中這 些阻焊層分別覆蓋第一線路層210與第二線路層220。此外，由于圖2所示 的線路板200可以作為多層線路板內(nèi)的其中 一層內(nèi)層線路基板，因此線路板 200可以還包括二層或二層以上的線路層，而這些線路層可以分別配置于第 一線路層210之上與第二線路層220之上，即第一線路層210與第二線路層 220配置于這些線路層之間。
以上主要介紹線路板200的結(jié)構(gòu)，接下來將配合圖3A至圖3F,以詳細(xì) 說明線蹤^反200的制造方法。
圖3A至圖3G是圖2中的線路板的制造方法的流程示意圖。請參閱圖 3A，關(guān)于線路板200的制造方法，首先，提供一基板202,其包括一第一導(dǎo) 電層210，、 一第二導(dǎo)電層220，以及一絕緣層230。絕緣層230配置于第一導(dǎo) 電層210，與第二導(dǎo)電層220，之間。基板202可以是銅箔基板，因此第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，二者可為銅箔，而絕緣層230可以是已固化的膠片 (prepreg )或是已固化的樹脂。
請參閱圖3B，接著，在第一導(dǎo)電層210，上形成一第一疏水性薄膜250a， 以及在第二導(dǎo)電層220，上形成一第二疏水性薄膜250b。第一疏水性薄膜250a 與第二疏水性薄膜250b具有很好的疏水性(hydrophobicity )，即第 一疏水性 薄膜250a與第二疏水性薄膜250b 二者的表面不易被水或水溶液等液體所沾 附，其中第 一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b的材質(zhì)可包括氟與碳， 而形成第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b的方法包4奮液相沉積或 分子氣相沉積。
上述分子氣相沉積能形成厚度約為10埃，甚至不到IO埃的第一疏水性 薄膜250a與第二疏水性薄膜250b，且分子氣相沉積是在低壓力的反應(yīng)腔體 (chamber)內(nèi)進(jìn)行。具體地說，進(jìn)行分子氣相沉積時(shí)的反應(yīng)腔體的壓力約 在0.05托(torr)至0.2托之間。因此，利用分子氣相沉積所形成的第一疏 水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b具有厚度極薄以及純度高的特性。
此外，在進(jìn)行分子氣相沉積時(shí)，可以通過調(diào)整一些制程參數(shù)(parameter), 例如反應(yīng)壓力或基板202的溫度等，來提高第一疏水性薄膜250a與第二疏 水性薄膜250b的疏水程度，進(jìn)而使水或水溶液等液體幾乎無法沾附在第一 疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b的表面上。
請參閱圖3C，接著，形成至少一個(gè)孔洞Hl,其從第一導(dǎo)電層210，延伸 至第二導(dǎo)電層220，。圖3C所示的孔洞H1是將基板202貫穿而形成的通孑L， 而形成孔洞Hl的方法可以是機(jī)械鉆孔制程或激光鉆孔制程。然而，在其他 未示出的實(shí)施例中，孑L洞H1亦可以是未貫穿基才反202的盲孔。
請參閱圖3D,接著，形成至少一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240于孔洞H1中，其中 導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240連接于第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，之間，而導(dǎo)電連 接結(jié)構(gòu)240可以利用通孔電鍍制程來形成。也就是說，形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240 的方法可包括化學(xué)鍍以及電鍍。
承上述，關(guān)于形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240的方法，首先，進(jìn)行化學(xué)鍍，以形 成第一金屬層242。詳細(xì)而言，在進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，可以先在孔洞Hl的孔壁 Sl上形成一層厚度約在50納米以下的種子層(未示出)。接著，借由此種 子層與化學(xué)藥劑之間的化學(xué)反應(yīng)，例如氧化還原反應(yīng)，第一金屬層242得以 在種子層上形成，其中第一金屬層242的材質(zhì)可以是銅、鋁或其他具有良好
10導(dǎo)電性的材料，而種子層的材質(zhì)可以是鈀、錳、鉻、鉬、碳或其組合。
接著，進(jìn)行二次電鍍，以形成二層第二金屬層244a,進(jìn)而形成金屬柱體 244。在本實(shí)施例中，電鍍亦可以僅進(jìn)行一次或是二次以上，因此金屬柱體 244可以僅包括一層第二金屬層244a,即金屬柱體244可以是一層第二金屬 層244a。
由于第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b 二者的表面不易被水 或水溶液等液體所沾附，甚至幾乎可以使液體無法沾附，因此當(dāng)進(jìn)行化學(xué)鍍 以及電鍍時(shí)，化學(xué)鍍所采用的化學(xué)藥劑以及電鍍所采用的電鍍液難以沾附到 第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，，以致于第一金屬層242與金屬柱體244 僅形成于孔洞Hl中，而不會覆蓋到第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜 250b。因此，第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，的厚度大致上并不會增加。
請參閱圖3D與圖3E，在形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240之后，移除第一疏水性 薄膜250a與第二疏水性薄膜250b。通過分子氣相沉積，第一疏水性薄膜250a 與第二疏水性薄膜250b二者的厚度可以不到10埃，因此移除第一疏水性薄 膜250a與第二疏水性薄膜250b的方法可以采用干式蝕刻法、研磨、刮除或 是其他簡易的機(jī)械加工方法。其中，干式蝕刻法包括等離子蝕刻法。舉例而 言，移除第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b的方法可以用砂紙來 研磨，或是用刮刀來刮除。
除了移除第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b之外，本實(shí)施例 亦可以將第一疏水性薄膜250a轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝挥H水性薄膜，以及將第二疏水性 薄膜250b轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙H水性薄膜。上述將第一疏水性薄膜250a與第二疏水 性薄膜250b轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝挥H水性薄膜與第二親水性薄膜的方法例如是分子氣 相沉積的i^A應(yīng)。
通過此分子氣相沉積的逆反應(yīng)，原本不易被水或水溶液等液體所沾附的 第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b會轉(zhuǎn)變?yōu)闃O易被水沾濕的第一 親水性薄膜與第二親水性薄膜。有關(guān)分子氣相沉積的逆反應(yīng)，可以參考一些 已乂>開的文獻(xiàn)，例如Royal Society of Chemistry所出片反的Micro Total Analysis Systems 2004，其中第288至290頁的內(nèi)容。
請參閱圖3E與圖3F，在移除第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜 250b,或是將第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝挥H水 性薄膜與第二親水性薄膜之后，圖案化第一導(dǎo)電層210，，以形成第一線路層210,以及圖案化第二導(dǎo)電層220，，以形成第二線^^層220，其中圖案化第 一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，的方法可以采用光刻制程。
原本第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b 二者的厚度不到10 埃，而轉(zhuǎn)變后的第一親水性薄膜與第二親水性薄膜的厚度同樣也不到10埃。 其次，第一親水性薄膜與第二親水性薄膜的結(jié)構(gòu)容易被水或水溶液等液體所 侵入，且第一親水性薄膜與第二親水性薄膜的結(jié)構(gòu)變的較為脆弱。因此，在 圖案化第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，的過程中，可將第一親水性薄膜與 第二親水性薄膜浸泡于蝕刻藥液中。如此，第一親水性薄膜與第二親水性薄 膜容易被蝕刻藥液所破壞，進(jìn)而被移除。
由于第一導(dǎo)電層210，與第二導(dǎo)電層220，二者的厚度并未增加，因此第一 導(dǎo)電層210，的厚度相當(dāng)于第一線路層210的厚度，而第二導(dǎo)電層220，的厚度 相當(dāng)于第二線路層220的厚度。換句話說，第一導(dǎo)電層210，的厚度實(shí)質(zhì)上等 于第一線路層210的厚度，而第二導(dǎo)電層220，的厚度實(shí)質(zhì)上等于第二線路層 220的厚度。
在形成第一線路層210與第二線路層220之后，基本上，可視為一種雙 面線路板的線路板200已制造完成。在其他未示出的實(shí)施例中，更可以形成 二層阻焊層于線路板200上，其中一層阻焊層覆蓋第一線路層210,而另一 層阻焊層覆蓋第二線路層220。另外，線路板200還可以作為多層線路板內(nèi) 的其中一層內(nèi)層線路基板。
請參閱圖3G，在剛形成第一線路層210與第二線路層220之后，可以 進(jìn)一步地在第一線路層210之上形成至少一第三線路層260a,以及在第二線 路層220之上形成至少一第四線路層260b。也就是說，在第一線^各層210 與第二線路層220上形成一層、二層或二層以上的線路層。
因此，在圖3G所示的實(shí)施例中，線聘4反200可以還包括第三線^各層260a 以及第四線3各層260b。此外，形成第三線^各層260a與第四線路層260b的方 法可以采用目前線路板制程中常見的增層法(build-up)或疊合法，故在此 對第三線路層260a與第四線路層260b的形成方法不作進(jìn)一步地介紹。
請?jiān)俅螀㈤唸D3A，值得一提的是，在其他未示出的實(shí)施例中，基板202 可以是多層線路板的其中一部分。具體地說，圖3A所示的第二導(dǎo)電層220' 可以是多層線路板內(nèi)的一層內(nèi)層線路層，且第二導(dǎo)電層220，的相對二面^皮絕 緣層230與另 一絕緣層(未示出)所覆蓋。因此，在基板202為多層線^各板的其中一部分的條件下，本實(shí)施例可以省略形成第二疏水性薄膜250b的步 驟，而這樣可使導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)240成為導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)。
圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的一種線路板的剖面示意圖。請參閱圖4，本 實(shí)施例的線路板300具有至少一孔洞H2,且線路板300包括一第一線路層 310、 一第二線路層320、 二絕緣層330a與330b: —導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340以及 一內(nèi)層線^^結(jié)構(gòu)350。
絕緣層330a、 330b與內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)350均配置于第一線路層310與第 二線^各層320之間，且內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)350配置于絕緣層330a與絕緣層330b 之間?？锥碒2從第一線路層310延伸至第二線路層320,且孔洞H2為通孔， 如圖4所示?？锥碒2具有一孔壁S2，而孔壁S2區(qū)分為二邊緣區(qū)域Z3以及 一中央?yún)^(qū)域Z4，其中中央?yún)^(qū)域Z4位于這些邊緣區(qū)域Z3之間。
導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340配置于孔洞H2中，并連接于第一線;咯層310與第二 線路層320之間，其中導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340為導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340 包括一第一金屬層342以及一金屬柱體344。第一金屬層342覆蓋孔壁S2, 而第一金屬層342的邊緣與孔壁S2的邊緣實(shí)質(zhì)上重疊。第一金屬層342在 中央?yún)^(qū)域Z4的厚度大于第一金屬層342在這些邊緣區(qū)域Z3的厚度，且第一 金屬層342連接于金屬柱體344與孔壁S2之間。金屬柱體344的相對二端 緣實(shí)質(zhì)上與孔壁S2的邊緣重疊，因此第一金屬層342、金屬柱體344以及 孔壁S2三者的邊緣實(shí)質(zhì)上相互重疊。在本實(shí)施例中，金屬柱體344為一實(shí) 心柱體，而導(dǎo)電連4妄結(jié)構(gòu)340填滿孔洞H2。
導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340可以通過通孔電鍍制程而形成。也就是說，導(dǎo)電連接 結(jié)構(gòu)340可以通過化學(xué)鍍與電鍍而形成。第一金屬層342可利用化學(xué)鍍而形 成，而金屬柱體344可利用電鍍而形成。由于第一金屬層342與金屬柱體344 二者是采用不同的方法而形成，所以第一金屬層342與金屬柱體344 二者的 微結(jié)構(gòu)并不相同。因此，金屬柱體344與第一金屬層342之間會存有一界面 B2。
內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)350包括多層線路層352a、352b以及一配置于線路層352a 與線路層352b之間的絕緣層354，而在其他未示出的實(shí)施例中，內(nèi)層線路結(jié) 構(gòu)350亦可以僅包括一層線路層，即內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)350可以是一層內(nèi)層線路層。
圖5A至圖5F是圖4中的線路板的制造方法的流程示意圖。由于本實(shí)施例的線路板300的制造方法與前述實(shí)施例的線路板200的制造方法相似，因 此以下將著重介紹本實(shí)施例與前述實(shí)施例的差異之處。
請參閱圖5A，關(guān)于線路板300的制造方法，首先，沖是供一基板302,其 包括一第一導(dǎo)電層310，、 一第二導(dǎo)電層320，、絕緣層330a、 330b以及內(nèi)層 線路結(jié)構(gòu)350。絕緣層330a、 330b與內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)350均配置于第一導(dǎo)電層 310，與第二導(dǎo)電層320，之間。
請參閱圖5B,接著，在第一導(dǎo)電層310，上形成第一疏水性薄膜250a, 以及在第二導(dǎo)電層320，上形成第二疏水性薄膜250b，其中形成第一疏水性 薄膜250a與第二疏水性薄力莫250b的方法可包4舌液相沉積或分子氣相沉積。
請參閱圖5C,接著，形成至少一個(gè)孔洞H2，其從第一導(dǎo)電層310，延伸 至第二導(dǎo)電層320，。形成孔洞H2的方法可以是機(jī)械鉆孔制程或激光鉆孔制 程，而孔洞H2是將基板302貫穿而形成的通孔。
請參閱圖5D，接著，形成至少一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340于孔洞H2中，其中 導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340連接于第一導(dǎo)電層310，與第二導(dǎo)電層320，之間，而形成導(dǎo) 電連接結(jié)構(gòu)340的方法可包括化學(xué)鍍以及電鍍。
請參閱圖5D與圖5E,在形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)340之后，移除第一疏水性 薄膜250a與第二疏水性薄膜250b，其中移除第一疏水性薄膜250a與第二疏 水性薄膜250b的方法可以采用干式蝕刻法、研磨、刮除或是其他簡易的機(jī) 才成力口工方法。
其中，干式蝕刻法包括等離子蝕刻法。舉例而言，移除第一疏水性薄膜 250a與第二疏水性薄膜250b的方法可以用砂紙來研磨，或是用刮刀來刮除。 除此之外，也可以將第一疏水性薄膜250a轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝挥H水性薄膜，以及將 第二疏水性薄膜250b轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙H水性薄膜。
請參閱圖5F,在移除第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b,或 是將第一疏水性薄膜250a與第二疏水性薄膜250b轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝挥H水性薄膜與 第二親水性薄膜之后，圖案化第一導(dǎo)電層310'，以形成第一線^^層310,以 及圖案化第二導(dǎo)電層320，，以形成第二線路層320,其中圖案化第一導(dǎo)電層 3IO，與第二導(dǎo)電層320，的方法可以采用光刻制程。
在蝕刻制程中，由于第 一親水性薄膜與第二親水性薄膜容易被蝕刻藥液 所侵入而被破壞，因此在第一親水性薄膜與第二親水性薄膜浸泡于蝕刻藥液 中之后，第一親水性薄膜與第二親水性薄膜得以被移除。在形成第一線路層310與第二線路層320之后，基本上，可視為一種多 層線路板的線路板300已制造完成，而在其他未示出的實(shí)施例中，亦可以形 成二層阻焊層于線3各板300上，其中一層阻焊層覆蓋第一線路層310,而另 一層阻焊層覆蓋第二線路層320。
綜上所述，借由疏水性薄膜(例如第一疏水性薄膜與第二疏水性薄膜)， 本發(fā)明能在不增加導(dǎo)電層(例如第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層)厚度的情況下， 形成導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)或?qū)щ娡捉Y(jié)構(gòu)等導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明無須在形 成線路層(例如第一線路層與第二線路層)之前，對導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻制程以 減少導(dǎo)電層的厚度。如此，本發(fā)明可以避免前述蝕刻制程所產(chǎn)生的應(yīng)力的變 化，進(jìn)而防止線路板的尺寸改變，同時(shí)提升線路板的良率。
其次，由于本發(fā)明無須在形成線路層之前，對導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻制程，因 此本發(fā)明在形成線^^層的過程中，可以只進(jìn)行一次蝕刻制程。相4交于傳統(tǒng)^支 術(shù)而言，本發(fā)明能減少進(jìn)行蝕刻制程的次數(shù)，以減少蝕刻藥劑的需求量，進(jìn) 而降低線路板的制造成本。同時(shí)，本發(fā)明更可以減少蝕刻廢液的產(chǎn)生，以符 合環(huán)保需求。
雖然本發(fā)明已以一些實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
1.一種線路板的制造方法，包括提供一基板，其包括一第一導(dǎo)電層、一第二導(dǎo)電層以及一配置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的絕緣層；在該第一導(dǎo)電層上形成一第一疏水性薄膜；形成至少一孔洞，其從該第一導(dǎo)電層延伸至該第二導(dǎo)電層；形成至少一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)于該孔洞中，其中該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)連接于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間；在形成該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除該第一疏水性薄膜；以及圖案化該第一導(dǎo)電層，以形成一第一線路層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制程，其中形成該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的方 法包括化學(xué)鍍以及電鍍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制程，還包括 在該第二導(dǎo)電層上形成 一 第二疏水性薄膜；在形成該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除該第二疏水性薄膜；以及 圖案化該第二導(dǎo)電層，以形成一第二線路層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的線路板的制程，其中形成該第一疏水性薄膜與 該第二疏水性薄膜的方法包括液相沉積或分子氣相沉積。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的線路板的制程，其中移除該疏水性薄膜的 方法包括干式蝕刻法、研磨或刮除。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的線路板的制程，其中移除該疏水性薄膜的干式 蝕刻法包括等離子蝕刻法。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的線路板的制程，其中移除該疏水性薄膜的 方法包括令該疏水性薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)橐挥H水性薄膜；以及 將該親水性薄膜浸泡于一蝕刻藥液內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制程，其中該基板還包括一配置于該 第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制程，還包括 在該第一線路層之上形成至少一第三線路層；以及在該第二線路層之上形成至少一第四線路層。
10. —種線路板，具有至少一孔洞，該線路板包4舌 一第一線路層；一第二線路層；一絕緣層，配置于該第一線^各層與該第二線路層之間，其中該孔洞從該 第一線路層延伸至該第二線路層，該孔洞具有一孔壁，而該孔壁區(qū)分為二邊 緣區(qū)域以及一位于該些邊緣區(qū)域之間的中央?yún)^(qū)域；一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，配置于該孔洞中，并連接于該第一線路層與該第二線 路層之間，其中該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層，覆蓋該孔壁，其中該第一金屬層的邊緣與該孔壁的邊緣 實(shí)質(zhì)上重疊，且該第一金屬層在該中央?yún)^(qū)域的厚度大于該第一金屬層在該些 邊緣區(qū)域的厚度；以及一金屬柱體，該第一金屬層連接于該金屬柱體與該孔壁之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的線路板，其中該金屬柱體的相對二端緣實(shí)質(zhì) 上與該孔壁的邊緣重疊。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的線路板，其中該金屬柱體與該第一金屬層之 間存有一界面。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所迷的線路板，其中該金屬柱體為一實(shí)心柱體，且 該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)填滿該孔洞。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的線路板，其中該金屬柱體為一筒狀體，且該 金屬柱體包括至少一第二金屬層，該第一金屬層連接于該第二金屬層與該孔 壁之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的線路板，還包括一配置于該第一線路層與該 第二線路層之間的內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的線路板，還包括至少一配置于該第一線路層 之上的第三線路層以及至少 一 配置于該第二線路層之上的第四線路層。
全文摘要
一種線路板的制造方法，包括，首先，提供一基板，其包括二導(dǎo)電層以及一配置于這些導(dǎo)電層之間的絕緣層。接著，在其中一導(dǎo)電層上形成一疏水性薄膜。接著，形成一孔洞，其從一導(dǎo)電層延伸至另一導(dǎo)電層。接著，形成一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)于孔洞中，而導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)連接于這些導(dǎo)電層之間。在形成導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除疏水性薄膜。之后，圖案化這些導(dǎo)電層，以形成二線路層。
文檔編號H05K3/46GK101600307SQ20081010987
公開日2009年12月9日 申請日期2008年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月5日
發(fā)明者張振銓 申請人:欣興電子股份有限公司