專利名稱：：顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備是一種新型的平板顯示器，其由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件陣列形成。通常，OLED器件包括用作陽極的電極、用作陰極的電極、以及夾在這兩個電極之間的若干薄有機(jī)層。所述有機(jī)層包括至少一個發(fā)光層，其包含多于一個的熒光或磷光有機(jī)化合物，用于以每種發(fā)光顏色來發(fā)光。將電壓施加到OLED器件，空穴和電子分別從陽極和陰極注入，并在發(fā)光層形成激子。然后，這些激子重新組合并釋放它們的能量，以作為光的發(fā)射。在所述OLED器件中，建議使用光的干涉效應(yīng)來增強(qiáng)發(fā)光效率或者調(diào)整色度。例如，第6，541，130號美國專利提出調(diào)整形成在發(fā)光層與反射電極之間的有機(jī)層的膜厚度以增加干涉。此外，例如，在Appl.Phys.Lett"Vol.81,p.3921(2002)中,提出包括兩個反射面的空腔結(jié)構(gòu)，用于增強(qiáng)發(fā)光或調(diào)整發(fā)光色度。一反射面是反射電極，另一反射面是位于光提取(extract)側(cè)的透明電極與空氣之間的界面。此外，在Appl.Phys.Lett"Vol.88，p.073517(2006)等中，提出一種空腔結(jié)構(gòu)，用于在位于光提取側(cè)的金屬半透明電極與反射電極之間增強(qiáng)發(fā)光或調(diào)整發(fā)光色度。然而，在上述技術(shù)中，需要對于每種發(fā)光顏色改變有機(jī)層的膜厚度、透明電極的厚度等，這導(dǎo)致以下問題顯示設(shè)備的制造工藝變得更加復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備通過簡單的結(jié)構(gòu)而具有高效率以及極好的顏色純度。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備包括多個OLED器件，其包括紅色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件和藍(lán)色發(fā)光器件，每個OLED器件具有有機(jī)層，有機(jī)層包括形成在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層，其中，從所述第二電極提取光，所述每個OLED器件具有空腔結(jié)構(gòu)，其中，在發(fā)光層發(fā)出的光在第一反射面與第二反射面之間諧振，所述第一反射面設(shè)置在相對于發(fā)光層更加靠近第一電極的一側(cè)，所述第二反射面設(shè)置在相對于發(fā)光層更加靠近第二電極的一側(cè)，其中具有三種顏色的OLED器件中的一個或兩個在相對于發(fā)光層更加靠近第二電極的一側(cè)上包括金屬半透明層，第二反射面包括金屬半透明層在發(fā)光層的一側(cè)上的表面；以及其余OLED器件在相對于發(fā)光層更加靠近第二電極的一側(cè)上包括低折射率層，低折射率層具有比第二電極更低的折射率，所述第二反射面包括低折射率層在發(fā)光層的一側(cè)的表面。根據(jù)本發(fā)明，可通過簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)具有高效率以及極好的顏色純度的顯示設(shè)備。通過以下參照附圖對示例性實施例的描述，本發(fā)明的其它特點將變得清楚。圖l是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的示意圖(示意性截面圖1)。圖2是光在光學(xué)空腔中的多重干涉的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的示意圖(示意性截面圖2)。具體實施例方式以下，將根據(jù)配置示例來描述本發(fā)明的原理。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的全彩色顯示設(shè)備的示意性截面圖，換言之，根據(jù)該實施例的顯示設(shè)備具有多個像素，每個像素具有多種顏色(紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B))的子像素。有機(jī)EL顯示設(shè)備在圖1中示為示例，但是還可釆用無機(jī)EL顯示設(shè)備或量子點(quantum-dot)發(fā)光二極管(QD-LED)顯示設(shè)備。在組成圖1所示的有機(jī)EL顯示設(shè)備的紅OLED器件、綠OLED器件和藍(lán)OLED器件中的每一個中，反射電極(第一電極)102以及形成在反射電極102上的透明電極103B堆疊在基底100上以形成陽極。在由此形成的陽極上，包括熒光有機(jī)化合物或磷光有機(jī)化合物的有機(jī)層101被堆疊，以形成用作陰極的透明電極(第二電極)103。此外，只有在GOLED器件中，才在透明電極103上形成金屬半透明電極(金屬半透明層)104。在有機(jī)層101中，如圖l所示，通常堆疊的有空穴傳輸層106、發(fā)光層105(R發(fā)光層115、G發(fā)光層125和B發(fā)光層135)以及電子傳輸層107。發(fā)光層105包括根據(jù)每種發(fā)光顏色的熒光有機(jī)化合物或磷光有機(jī)化合物。此外，如果有必要，則可分別在陽極與空穴傳輸層106之間以及陰極與電子傳輸層107之間夾有空穴注入層108和電子注入層109。當(dāng)將電壓施加到這些OLED器件時，分別從陽極與陰極將空穴與電子注入有機(jī)層101。注入的空穴和電子在發(fā)光層105中形成激子，當(dāng)激子彼此重新組合時，發(fā)出光(自發(fā)發(fā)光)。在圖l所示的OLED器件的配置示例中，透明電極103側(cè)(第二電極側(cè))成為相對于發(fā)光層105的光提取側(cè)。在各個R、G和BOLED器件中，在第一反射面與第二反射面之間形成光學(xué)空腔結(jié)構(gòu)。在圖l所示的配置示例中，在相對于發(fā)光層105與光提取側(cè)相對的一側(cè)上形成形成第一反射面。換句話說，第一反射表面被布置在反射電極102與反射電極102上的透明電極103B之間的界面處。第一電極在R、G和BOLED器件中是公共的。另一方面，在相對于發(fā)光層105的光提取側(cè)上形成第二反射面，以及該第二反射面在R和BOLED器件與GOLED器件之間是不同的。在R和BOLED器件中，第二反射面是低折射率層的發(fā)光層側(cè)的表面，低折射率層具有比第二電極(透明電極103)低的折射率。例如，低折射率層是空氣、樹脂、SiNxOy和SK)2。在圖1中，低折射率層是空氣，因此，在透明電極103的自由端上形成第二反射表面。當(dāng)還在發(fā)光層上疊置多個層并且從發(fā)光層起在光提取方向所述層的折射率是從大到小的時，所述第二反射表面是在具有最大折射率比的層之間的界面處的。在GOLED器件中，第二反射面是作為光學(xué)固定端的金屬半透明層的發(fā)光層側(cè)的表面。因此，本發(fā)明的特征在于按照R、G和BOLED器件的峰值發(fā)光波長的下降順序來交替形成自由端的第二反射面和固定端的第二反射面。在光學(xué)空腔中，自發(fā)發(fā)光的發(fā)光特性由于多重干涉效應(yīng)而改變。在圖2中示出多重干涉的概念。從發(fā)光點201發(fā)出的光在第一反射面與第二反射面之間反射多次，這在光學(xué)空穴中造成大量反射的光之間的多重干涉。為了利用光學(xué)空腔的多重干涉來增加特定發(fā)光波長，有必要調(diào)整第一反射面與第二反射面之間的光程長度(折射率x膜厚度)。此外，在圖2中，標(biāo)號202指示多重反射光。現(xiàn)在，假設(shè)OLED器件的發(fā)光波長和波數(shù)分別是X和k-2n/X。假設(shè)第二反射面的復(fù)反射系數(shù)是r+=Ir+lexpicp+，第一反射面的復(fù)反射系數(shù)是r一=lr一lexpicp一，第一反射面與第二反射面之間的光程長度(光學(xué)距離)是L，并且從發(fā)光點201到第一反射面的光程長度是L一，那么，到達(dá)光提取側(cè)(第二反射面?zhèn)?的發(fā)光強(qiáng)度I(入)沿著與基底垂直的方向與公式I的右側(cè)成比例。公式I的右側(cè)的分子表示廣角干涉的影響，公式I的右側(cè)的分母表示多重干涉的影響。復(fù)反射系數(shù)的相位cp-和(p+表示各個反射面的相移。在這種情況下，假i殳相移的域如下一n<cp—<n,-n<cp+<n。1+r畫exp[d]exp[/2仏](公式I)假設(shè)正整數(shù)m等于或大于0，則從公式I的分母的相位部分可知，通過公式II給出增加多重干涉的干涉條件。在這種情況下，假設(shè)在反射面的相移總和為(p=q>-+<P+。因此，為了相對于發(fā)光波長k來增加光提取效率，可調(diào)整光程長度L以滿足公式II。多重干涉增加的范圍為m±0.25。一+一=w,、《,、義2;r(/〉式11)對于R、G和BOLED器件，分別假設(shè)峰值發(fā)光波長是k、XG和Xb，第一反射面與第二反射面之間的光程長度是LR、Lg和Lb，反射面上的相移是(Pr、(Pg和(()b。根據(jù)公式II，設(shè)置第一反射面與第二反射面之間的光程長度LR、Lg和Lb，以滿足使用正整數(shù)iTiR、mG和itiB的公式III。期望正整數(shù)iriR、iriG和mB等于或小于3，從而不會由于視角改變而產(chǎn)生大的色度變化。幾w2;r2L「0「2_LR么(公式III)義s2;r在固定端(諸如金屬反射面)或從低折射率改變到高折射率的反射面，相移大約為-n。另一方面，在自由端(諸如從高折射率改變到低折射率的反射面)，相移大約為o。在該實施例的示例中，假設(shè)R、G和BOLED器件的相移是(Pr、<pG和(Pb，它們的范圍分別是cpR到-II、(pc到-2n和cpB到-n。這里，當(dāng)正整數(shù)被選為mR=mG=2和mB=3時，公式HI變?yōu)橛糜诠絀V的光程長度的條件。丄f義乙C4AG"Z義s(公式IV)^4R的峰值發(fā)光波長XR大約從600nm到640nm，G的峰值發(fā)光波長大約從505nm到545nm，B的峰值發(fā)光波長^大約從440nm到480nm。從以上看出，大致存在比例關(guān)系XR:XG:XB=7:6:5或人r:k:"=6:5:4。因此，與公式IV的條件相結(jié)合，可按照LR、Lc和LB的順序?qū)⒃黾痈缮娴腞、G和BOLED器件的各個光程長度大致設(shè)置為相同的水平。因此，在R、G和BOLED器件中，用于增加光學(xué)空腔的干涉的條件可通過簡單的器件結(jié)構(gòu)得到滿足，其中，除了形成在第一反射面與第二反射面之間的發(fā)光層之外的各個層是公共的。應(yīng)注意上述除發(fā)光層之外的各個層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、反射電極上的透明電極、透明電極和電荷生成層，并且所述各個層還可包括載流子傳輸層和電荷注入層。因此，根據(jù)本發(fā)明，可利用簡單的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)具有高效率和極好的顏色純度的顯示設(shè)備。在該實施例中，第二反射面按照R、G和BOLED器件的發(fā)光波長的下降順序而在R中具有自由端、在G中具有固定端并在B中具有自由端。這里，如圖3所示，可在透明電極103與有機(jī)層101之間形成GOLED器件的金屬半透明電極104。在這種情況下，如果正整數(shù)被選為mR=2、mG=l和iiib-3，則公式III變?yōu)橛糜诠絍的光程長度的條件。此外，在這種情況下，調(diào)整透明電極103的光程長度，其結(jié)果是，在R、G和BOLED器件中，用于增加光學(xué)空腔的千涉的條件可通過簡單的器件結(jié)構(gòu)得到滿足，其中，除了夾在第一反射面與第二反射面之間的發(fā)光層之外的各個層對于R、G和BOLED器件而言是公共的。換言之，可利用簡單的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)具有高效率和極好的顏色純度的顯示設(shè)備。">fi(公式V)此外，代替GOLED器件，可在R和BOLED器件中形成金屬半透明電極104。換言之，第二反射面可按照R、G和BOLED器件的發(fā)光波長的下降順序而在R中具有固定端、在G中具有自由端，并在B中具有固定端。至此，通過如下結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述，在所述結(jié)構(gòu)中，基底側(cè)是陽極，光提取側(cè)是陰極。然而，還可通過以下的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)本發(fā)明，其中，基底一側(cè)是陰極，光提取側(cè)是陽極，按照相反的順序來堆疊空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。因此，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備并不受限于基底側(cè)是陽極且光提取側(cè)是陰極的結(jié)構(gòu)。此外，圖1的空穴傳輸層106、發(fā)光層105、電子傳輸層107、空穴注入層108和電子注入層109中使用的有機(jī)化合物包括低分子量材料、高分子量材料，或者包括低分子量材料以及高分子量材料兩者，并不特別受到限制于此。如果必要的話，還可使用無機(jī)材料。此夕卜，考慮到形成各個層的容易性，可按照跨越R、G和BOLED器件的方式連續(xù)形成除了發(fā)光層之外的有機(jī)層。根據(jù)該實施例的有機(jī)EL顯示設(shè)備具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，但是也可具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)，其中，基底側(cè)變?yōu)楣馓崛?cè)。以下，將給出更加詳細(xì)的描述。以下將描述本發(fā)明的示例，但是本發(fā)明并不受限于此。(示例1)通過下述方法來制造圖1所示的結(jié)構(gòu)的全彩色有機(jī)EL顯示設(shè)備。換言之，根據(jù)示例1的顯示設(shè)備是這樣一種有機(jī)EL顯示設(shè)備，其中，像素由多種顏色(紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B))的子像素形成，第二反射面交替地在ROLED器件中具有自由端，在GOLED器件中具有固定端，在BOLED器件中具有自由端。首先，在用作支撐部件的玻璃基底上，形成由低溫多晶硅制成的TFT驅(qū)動電路，其上形成由丙烯酸類樹脂制成的平面化膜，以形成基底100。在基底100上，通過濺射方式形成膜厚度大約為150nm的Al合金，作為反射電極102。由Al合金制成的反射電極102是高反射性電極，其在可見光的波長帶(1=380nm到780nm)中具有等于或大于75%的光鐠反射性?？墒褂肁g合金來代替Al合金。在反射電極102上，作為位于反射電極102之上的透明電極103B，通過'減射方式形成膜厚度為20nm的氧化銦鋅(IZO)，執(zhí)行電極構(gòu)圖以形成陽極。此外，形成膜厚度為320nm的SiNxOy的器件隔離膜，然后，在每個子像素中蝕刻用作電致發(fā)光(EL)的發(fā)光區(qū)的開口部分，以形成陽極基底。利用異丙醇(isopropylalcohol,IPA)對陽極基底進(jìn)行超聲波清洗，隨后，在清洗過后通過沸騰法將陽極基底弄干。此后，對陽極基底進(jìn)行UV/臭氧清洗，并通過真空氣相淀積方法來形成R、G和B的各個有機(jī)層101。首先，形成膜厚度為200nm的由下面的結(jié)構(gòu)公式表示的化合物(1)，作為R、G和B所公共的空穴傳輸層106。在這種情況下的真空程度為1x10"Pa，淀積速率為0.2nm/sec。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(I)接著，使用陰影掩模(shadowmask)來形成用于R、G和B中的每一個的發(fā)光層。作為R發(fā)光層115，作為主體的CBP和磷光化合物Btp2Ir(acac)被共同淀積，以形成膜厚度為65nm的發(fā)光層。作為G發(fā)光層125,作為主體的Alq3和發(fā)光化合物氧雜萘鄰銅(Coumarin)6被共同淀積，以形成膜厚度為20nm的發(fā)光層。作為B發(fā)光層135，作為主體的如下化合物(II)和發(fā)光化合物(III)被共同淀積，以形成膜厚度為80nm的發(fā)光層。在淀積期間的真空程度為1xl(T4Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>化合物(II)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>化合物(III)此外，作為R、G和B所共有的電子傳輸層107，通過真空氣相淀積方法形成膜厚度為10nm的二苯菲羅林(bathophenanthroline，Bphen)。在淀積期間的真空程度為1x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。接著，作為R、G和B所共有的電子注入層109，將Bphen和Cs2COs共同淀積(重量比=卯:10)，以形成膜厚度為60nm的電子注入層。在共同淀積期間的真空程度為3x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。直到電子注入層109形成后才形成的基底被用作透明電極103，通過濺射方式形成膜厚度為55nm的IZO。此外，使用陰影掩模，形成膜厚度為10nm的Ag,作為G的透明電極103上的金屬半透明電極104。此外，在顯示設(shè)備的附近安放吸濕劑，并用蝕刻的帽狀玻璃將其密封，由此，獲得有機(jī)EL顯示設(shè)備。在本發(fā)明的示例1中，按照R、G和BOLED器件的峰值發(fā)光波長的下降順序，交替地形成自由端的第二反射面、固定端的第二反射面和自由端的第二反射面。公式VI表示通過計算用于R、G和B的公式III的左側(cè)之和而獲得的值，其為相應(yīng)于正整數(shù)niR-2、mc=2和mB-3的光程長度。在R、G和B中，所獲得的分別是位于范圍mR±0.25、mG±0.25和mB士0.25之內(nèi)的光程長度，其落入增加多重干涉的范圍之內(nèi)。此外，除了發(fā)光層之外的有機(jī)層在結(jié)構(gòu)上對于R、G和B是公共的?！?丌^+4=3.16s3,(公式VI)(示例2)通過以下描述的方法來制造圖3所示的結(jié)構(gòu)的全彩色有機(jī)EL顯示設(shè)備，在空穴傳輸層106形成之前按照與示例l相同的方式來制造所述全彩色有機(jī)EL顯示i殳備。接著，將使用陰影掩模來形成用于R、G和B的各個發(fā)光層。作為R發(fā)光層115，作為主體的CBP和磷光化合物BtpMr(acac)被共同淀積，以形成膜厚度為70nm的發(fā)光層。作為G發(fā)光層125，作為主體的Alq3和發(fā)光化合物氧雜萘鄰銅6被共同淀積，以形成膜厚度為15nm的發(fā)光層。作為B發(fā)光層135，作為主體的化合物(II)和發(fā)光化合物(III)被共同淀積，以形成膜厚度為85nm的發(fā)光層。在淀積期間的真空程度為1x10"Pa,膜形成速率為0.2nm/sec。此外，作為R、G和B所共有的電子傳輸層1(T7，通過真空氣相淀積方法形成膜厚度為10nm的二苯菲羅林(Bphen)。在淀積期間的真空程度為1x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。接著，作為R、G和B所共有的電子注入層109，將Bphen和Cs2C03共同淀積(重量比=90:10)，以形成膜厚度為15nm的電子注入層。在共同淀積期間的真空程度為3xlO-4Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。在本發(fā)明的示例2中，僅僅在G的電子注入層109上，使用陰影掩模，形成膜厚度為20nm的Ag，作為金屬半透明電極l(M。此外，作為R、G和B所共有的透明電極103,通過濺射方式形成膜厚度為85nm的IZO。最終，在顯示設(shè)備的附近安放吸濕劑，并用蝕刻的帽狀玻璃將其密封，由此，獲得有機(jī)EL顯示設(shè)備。在本發(fā)明的示例2中，按照R、G和BOLED器件的峰值發(fā)光波長的下降順序，交替地形成自由端的第二反射面、固定端的第二反射面和自由端的第二反射面。公式VII表示通過計算用于R、G和B的公式III的左側(cè)之和而獲得的值，其為相應(yīng)于正整數(shù)mR=2、mc=l和iriB-3的光程長度。在R、G和B中，所獲得的分別是對應(yīng)于范圍mR±0.25、mG±0.25和mB±0.25的光程長度，其落入增加多重千涉的范圍之內(nèi)。此外，除了發(fā)光層之外的有機(jī)層在結(jié)構(gòu)上對于R、G和B是公共的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(公式VH)(比較示例i)比較示例1與示例1相同，只是金屬半透明電極104沒有形成在G子像素中。換言之，在R、G和B中，所有第二反射面具有自由端。(比較示例2)比較示例2與示例2相同，只是金屬半透明電極104沒有形成在G子像素中。換言之，在R、G和B中，所有第二反射面具有自由端。(比較示例3)比較示例3描述的是對于R、G和B對除了發(fā)光層之外的有機(jī)層進(jìn)行彩色編碼的情況。直到空穴傳輸層的形成，比較示例3與示例1相同。使用陰影掩模在每個子像素中形成化合物(I)，其中膜厚度為235nm的作為R空穴傳輸層，膜厚度為170nm的作為G空穴傳輸層，膜厚度為120nm的作為B空穴傳輸層。在這種情況下的真空程度為1xl(T4Pa，汽相淀積速率為0.2nm/sec。接著，將使用陰影掩模來形成用于R、G和B的各個發(fā)光層。作為R發(fā)光層，作為主體的CBP和礴光化合物Btp2Ir(acac)被共同淀積，以形成膜厚度為30nm的發(fā)光層。作為G發(fā)光層，作為主體的Alq3和發(fā)光化合物氧雜萘鄰銅6被共同淀積，以形成膜厚度為40nm的發(fā)光層。作為B發(fā)光層，作為主體的化合物(II)和發(fā)光化合物(III)被共同淀積，以形成膜厚度為35nm的發(fā)光層。在淀積期間的真空程度為1x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。此外，作為R、G和B所共有的電子傳輸層，通過真空汽相淀積方法形成膜厚度為10nm的二苯菲羅林(Bphen)。在淀積期間的真空程度為1x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。接著，作為R、G和B所共有的電子注入層，將Bphen和Cs2C03共同淀積(重量比=90:10)，以形成膜厚度為20nm的電子注入層。在共同淀積期間的真空程度為3x10"Pa，膜形成速率為0.2nm/sec。此外，作為R、G和B所共有的透明電極103，通過濺射方式形成膜厚度為80nm的IZO。最終，在顯示設(shè)備的附近安放吸濕劑，并用蝕刻的帽狀玻璃將其密封，由此，獲得OLED器件。換言之，比較示例3是這樣一種配置示例，其中，在R、G和B中，所有第二反射面具有自由端，對于R、G和B，對除了發(fā)光層之外的有機(jī)層(比較示例3中的空穴傳輸層)進(jìn)行彩色編碼，從而滿足諧振條件。表l示出在示例l、示例2、比較示例1、比較示例2和比較示例3中，R、G和B子像素的發(fā)光效率(cd/A)、CIE色度(x和y)、功耗比和Gamut評估值。功耗比基于比較示例3的功耗比。在比較示例1和比較示例2中，與比較示例3相比，Gamut的性能下降，同時，結(jié)構(gòu)得到簡化。同時，在示例1和示例2中，可利用與比較示例3相比更加簡單的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)與比較示例3的情況相同的性能(諸如功耗比和Gamut)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>盡管參照實施例描迷了本發(fā)明，但是應(yīng)理解本發(fā)明并不受限于所公開的實施例。權(quán)利要求的范圍將被給予最寬泛的解釋，從而包括所有的所述修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。權(quán)利要求1、一種顯示設(shè)備，包括多個有機(jī)發(fā)光器件，該有機(jī)發(fā)光器件包括紅色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件和藍(lán)色發(fā)光器件，每個有機(jī)發(fā)光器件具有有機(jī)層，該有機(jī)層包括形成在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層，其中，從所述第二電極提取光，所述多個有機(jī)發(fā)光器件中的每一個具有空腔結(jié)構(gòu)，在該空腔結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光層中發(fā)出的光在第一反射面與第二反射面之間諧振，所述第一反射面設(shè)置在相對于發(fā)光層與光提取側(cè)相對的一側(cè)上，所述第二反射面設(shè)置在相對于發(fā)光層的光提取側(cè)上，其中具有三種顏色的有機(jī)發(fā)光器件中的一個或兩個在相對于發(fā)光層的光提取側(cè)上包括金屬半透明層，以及第二反射面包括金屬半透明層在發(fā)光層側(cè)上的表面；以及其余有機(jī)發(fā)光器件在相對于發(fā)光層的光提取側(cè)上包括低折射率層，該低折射率層具有比第二電極低的折射率，以及所述第二反射面包括低折射率層在發(fā)光層側(cè)的表面。2、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中綠色發(fā)光器件的第二反射面包括金屬半透明層在發(fā)光層側(cè)的表面；以及紅色發(fā)光器件的第二反射面和藍(lán)色發(fā)光器件的第二反射面各自包括低折射率層在發(fā)光層側(cè)的表面。3、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)紅色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長、綠色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長和藍(lán)色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長分別是^、k和^，紅色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度、綠色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度以及藍(lán)色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度分別是LR、Lc和LB時，滿足下面的公式I:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>——公式I其中，CpR、(PG和CPB分別表示紅色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和、綠色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和以及藍(lán)色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和。4、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)紅色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長、綠色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長和藍(lán)色發(fā)光器件的峰值發(fā)光波長分別是^、k和u，紅色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度、綠色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度以及藍(lán)色發(fā)光器件的第一反射面與第二反射面之間的光程長度分別是LR、Lc和LB時，滿足下面的公式II:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>-——公式n其中，(Pr、q)g和cpB分別表示紅色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和、綠色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和以及藍(lán)色發(fā)光器件的第一反射面的相移與第二反射面的相移之和。5、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，連續(xù)地形成除了發(fā)光層之外的有機(jī)層，從而跨越多個有機(jī)發(fā)光器件。6、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，有機(jī)層包括載流子傳輸層。7、如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，有機(jī)層包括電荷注入層。全文摘要本發(fā)明提供了一種顯示設(shè)備，其中在紅色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件和藍(lán)色發(fā)光器件中，有機(jī)發(fā)光器件中的一個或兩個在相對于發(fā)光層更加靠近第二電極的一側(cè)上包括金屬半透明層，第二反射面包括金屬半透明層在發(fā)光層側(cè)上的表面；以及其余有機(jī)發(fā)光器件在相對于發(fā)光層更加靠近第二電極的一側(cè)上包括低折射率層，低折射率層具有比第二電極低的折射率，所述第二反射面包括低折射率層在發(fā)光層側(cè)的表面。文檔編號H05B33/14GK101351065SQ200810133650公開日2009年1月21日申請日期2008年7月18日優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日發(fā)明者福田浩一申請人:佳能株式會社