專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包含發(fā)光元件的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
利用有機材料的電致發(fā)光(之后稱作"EL")的有機電致發(fā)光元 件包括設(shè)置成彼此面對的第一電極和第二電極、和設(shè)置在上述電極之 間的有機層。作為可通過低電壓驅(qū)動實現(xiàn)高亮度光發(fā)射的發(fā)光元件， 這種有機EL元件已經(jīng)引起了注意。
利用這種有機EL元件的有源矩陣顯示裝置(有機EL顯示器) 包括對應(yīng)于基板上各個像素的薄膜晶體管(之后稱作"TFT")。有機 EL元件布置在設(shè)置成覆蓋TFT的層間絕緣膜上。每個有機EL元件 都包括與TFT連接并通過在像素上構(gòu)圖而形成的第一電極、以及覆 蓋第一電極外圍以使得第一電極的中部被暴露作為像素開口的絕緣 的元件隔離膜。每個有機EL元件進一步包括設(shè)置在像素開口中的第 一電極上的由元件隔離膜限定的有機層、和覆蓋有機層的第二電極。 在這些元件中，第二電極一般形成為覆蓋多個像素并公共地用于該多 個像素。
在這種有源矩陣顯示裝置中，為了確保在有機EL元件的單個像 素區(qū)域中提供充分的發(fā)光區(qū)域(開口率)，其中從基板的頂表面?zhèn)忍?取光的頂面光提取結(jié)構(gòu)是有效的。因此，為了獲得充分的光透射率， 期望的是減小第二電極的厚度。在這種情形中，第二電極的電阻增加 了，因而傾向于很容易產(chǎn)生壓降。
為了解決該問題，已經(jīng)提出了下述結(jié)構(gòu)，即其中通過在設(shè)置于像 素開口之間的元件隔離膜上形成由具有良好導(dǎo)電率的金屬形成的輔 助電極，從而使輔助電極與第二電極電接觸，由此來防止這種第二電極的壓降。
作為這種發(fā)光裝置，日本專利特開No.2002-318556公開了下述 一種結(jié)構(gòu)，即其中在與第一電極相同的層中形成輔助電極，在每個第 一電極上獨立地形成有機層，然后形成第二電極以與輔助電極接觸。
此外，日本專利特開No.2003-316291和2007-92109公開了下述 方法，即其中形成第二電極，然后使用遮蔽掩模通過氣相沉積在第二 電極上形成輔助電極。
如上所述，在有源矩陣顯示裝置中有效的頂面光提取結(jié)構(gòu)中，必 要的是提高設(shè)置在光提取側(cè)上的第二電極的光透射率。此外，考慮到 光學(xué)吸收損耗和干涉的影響，必須形成較薄的第二電極。因而，由于 光提取側(cè)上的第二電極的面內(nèi)電阻，電壓變得不均勻，由此由于響應(yīng) 速度的降低、電功率消耗的增加等而降低了顯示質(zhì)量。
為了克服該問題并降低第二電極的電阻，提出了形成與第二電極 電連接的輔助電極。然而，在日本專利特開No.2002-318556公開的結(jié) 構(gòu)中，輔助電極形成在與第一電極相同的層中，因而第一電極的面積 減小了與輔助配線對應(yīng)的面積。
此外，在形成有機層之后，必須使第二電極與設(shè)置在與第一電極
相同層中的輔助電極接觸。因此，對于有機層中包含的公共層來說， 必須以較高的精度對準(zhǔn)，為了每種顏色而公共地設(shè)置該公共層，由此 公共層沒有沉積在輔助電極上。因此，裝置的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。
如日本專利特開No.2003-316291中所述，在其中輔助電極形成 在元件隔離膜上以與第二電極接觸的結(jié)構(gòu)中，使用遮蔽掩模在像素長 邊方向上通過氣相沉積來形成輔助電極，從而延伸到元件隔離膜上的 圖像顯示單元的外側(cè)。因此，輔助電極的寬度由于遮蔽掩模在像素長 邊方向上的扭曲和彎曲而變化，因而生產(chǎn)率降低。隨著顯示裝置的屏 幕尺寸的增加，該現(xiàn)象變得更加顯著。結(jié)果，很難將輔助電極布置在 非發(fā)光區(qū)域中。
為了克服該問題，根據(jù)日本專利特開No.2007-92109中所述的技 術(shù)，為了保持遮蔽掩模的強度，遮蔽掩模的配線圖案是具有50%選擇率的虛線圖案。因此，可在例如防止遮蔽掩模扭曲的同時形成輔助電 極。
然而在該技術(shù)中， 一旦形成輔助電極之后，輔助電極就以虛線圖 案布置。因此，必須在沒有設(shè)置輔助電極的區(qū)域上再次進行氣相沉積， 從而在該步驟中沉積的膜具有與上面形成的輔助電極相同的厚度。在 該情形中，提前在基板一側(cè)上設(shè)置用于形成第一輔助電極的第一對準(zhǔn) 標(biāo)記和用于形成第二輔助電極的第二對準(zhǔn)標(biāo)記。在形成第一輔助電極 之后，移動遮蔽掩模，并使用第二對準(zhǔn)標(biāo)記再次進行對準(zhǔn)。
在第一對準(zhǔn)位置通過氣相沉積完成第一輔助電極的形成之后，在
包括用于對準(zhǔn)遮蔽掩^=莫的開口的區(qū)域上進行氣相沉積。因此，第二對 準(zhǔn)標(biāo)記必須位于足夠遠(yuǎn)離第一對準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中。
例如，在其中第一對準(zhǔn)標(biāo)記的位置和第二對準(zhǔn)標(biāo)記的位置位于比 用于遮蔽掩模對準(zhǔn)的開口更小的區(qū)域內(nèi)的情形中，在形成第一輔助電 極之后，就看不到用于形成第二輔助電極的對準(zhǔn)標(biāo)記。
當(dāng)設(shè)置在基板一側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記例如彼此相距大約10mm時， 必須相應(yīng)地將遮蔽掩才莫移動大約10mm。
就是說，在形成第一輔助電極時進行對準(zhǔn)之后，將遮蔽掩模移動 到用于形成第二輔助電極的對準(zhǔn)位置。隨后，為了形成第二輔助電極， 再次進行對準(zhǔn)。因此，形成輔助電極的工序比較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情形提出了本發(fā)明，本發(fā)明提供了 一種具有輔助電極的
可實現(xiàn)高分辨率和高生產(chǎn)率的顯示裝置。
本發(fā)明的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法具有下面的特征。 本發(fā)明的顯示裝置包括基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元
件，所述發(fā)光元件包括多個第一電極，其每一個都獨立地設(shè)置在所述
基板上；多個發(fā)光層，其中發(fā)光層被設(shè)置在每個所述第一電極上；以 及透光的第二電極，其連續(xù)設(shè)置在所述發(fā)光層上從而覆蓋所述多個發(fā) 光元件；以及輔助電極，其設(shè)置在所述第二電極上并線性地布置在相鄰的發(fā)光元件之間，每個所述輔助電極都包括第一輔助電極，以間隔
間斷性地布置該第一輔助電極并具有5到30nm范圍內(nèi)的厚度；以及 第二輔助電極，其覆蓋所述第一輔助電極的邊沿并以與所述第一輔助 電極相同的間隔間斷地布置。
本發(fā)明用于制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括基板；設(shè)置 在所述基板上的多個發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括多個第一電極，其 每一個都獨立地設(shè)置在所述基板上；多個發(fā)光層，其中發(fā)光層被設(shè)置 在每個所述第一電極上；以及透光的第二電極，其連續(xù)設(shè)置在所述發(fā) 光層上從而覆蓋所述多個發(fā)光元件；以及輔助電極，其設(shè)置在所述第 二電極上并線性地布置在相鄰的發(fā)光元件之間，所述方法包括下述步 驟通過將所述基板上設(shè)置的對準(zhǔn)標(biāo)記與遮蔽掩模上設(shè)置的開口對 準(zhǔn)，從而將所述基板與遮蔽掩模對準(zhǔn)，由此形成對準(zhǔn)狀態(tài)；在所述對 準(zhǔn)狀態(tài)中以間隔間斷性地形成第一輔助電極；將其上形成有包含第一 輔助電極的層的對準(zhǔn)標(biāo)記與所述開口對準(zhǔn)，并隨后將遮蔽掩模移動預(yù) 定的距離；并且間斷地形成第二輔助電極，從而覆蓋所述第一輔助電 極的邊沿。
具體地說，在本發(fā)明的顯示裝置中，像素由通過構(gòu)圖形成的與基 板上的像素對應(yīng)的多個第一電極、包含發(fā)光材料并設(shè)置成對應(yīng)于每個 第一電極的發(fā)光介質(zhì)、和設(shè)置成面對第一電極的第二電極組成。此外， 本發(fā)明的顯示裝置包括具有包圍每個第一電極外圍邊沿的電絕緣分 隔物的顯示基板、和設(shè)置在電絕緣分隔物上并由第二電極和輔助電極 組成的層疊區(qū)域。每個輔助電極都由以虛線圖案布置的第一輔助電極 和設(shè)置在第一輔助電極上以覆蓋沒有設(shè)置第一輔助電極的區(qū)域的第 二輔助電極組成。此外，滿足下面的公式(1)和(2):
<formula>formula see original document page 7</formula>
其中b表示輔助電極之間的配線間隔，c表示輔助電極的配線長 度，d表示第一輔助電極的膜厚度。
根據(jù)本發(fā)明的制造顯示裝置的方法，在制造上述顯示裝置時，使用遮蔽掩模通過氣相沉積工序形成第 一輔助電極和第二輔助電極。
根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，因為每個第一輔助電極的膜厚度較小， 所以即使在使用遮蔽掩模形成第一輔助電極之后，也可確認(rèn)設(shè)置于有
機EL基板上的用于遮蔽掩模的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置。因此，在使用對準(zhǔn) 標(biāo)記完成對準(zhǔn)步驟之后通過在平行于所獲得的輔助配線的方向上移 動遮蔽掩模，可使用相同的遮蔽掩模形成另一輔助配線。結(jié)果，在確 保遮蔽掩模強度的同時可形成連續(xù)的輔助配線，并可使由于進行多次 氣相沉積工序而導(dǎo)致的任何工序時間的增加最小化。
本發(fā)明其他的特征將從下面參照附圖的示例性實施例的描述變 得顯而易見。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明一種實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的
示意性結(jié)構(gòu)的橫截面圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的示
意性結(jié)構(gòu)的橫截面圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的示 意性結(jié)構(gòu)的平面圖4A、 4B和4D是顯示用于形成根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝 置中的輔助電極的遮蔽掩模的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖4C是顯示設(shè)置在有機EL基板一側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖5A到5C是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于制造顯示裝置 中的有機EL元件的工序步驟的橫截面圖6A和6B是顯示根據(jù)本發(fā)明該實施例的用于制造顯示裝置中 的有機EL元件的工序步驟的橫截面圖7A和7B是顯示根據(jù)本發(fā)明該實施例的用于制造顯示裝置中 的有機EL元件的工序步驟的橫截面圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的 示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置和制造該顯 示裝置的方法。本發(fā)明的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法不限于下 面所述的實施例。
顯示裝置
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的 示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。圖1是沿圖3中的線I-I的橫截面圖，圖2是 沿圖3中的線II-II的橫截面圖。
根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置包括其上布置有有機EL元件作 為發(fā)光元件的有源矩陣顯示基板。在圖1到3中，參考數(shù)字101表示 基板，參考數(shù)字102表示源極區(qū)域，參考數(shù)字103表示漏極區(qū)域，參 考數(shù)字104表示多晶硅，參考數(shù)字105表示柵電極。參考數(shù)字106表 示絕緣膜(柵極絕緣膜)，參考數(shù)字107表示絕緣膜(層間絕緣膜)， 參考數(shù)字108表示漏電極，參考數(shù)字109表示絕緣膜(無機絕緣膜)， 參考數(shù)字IIO表示平坦化膜。此外，參考數(shù)字200表示TFT，參考數(shù) 字300表示被形成為圖案的第一電極，參考數(shù)字310表示發(fā)光材料層， 即發(fā)光介質(zhì)，參考數(shù)字320表示設(shè)置成面對第一電極300的第二電極， 參考數(shù)字330表示用作電絕緣分隔物的元件隔離膜。此外，參考數(shù)字 400表示第一輔助電極，參考數(shù)字410表示第二輔助電極，參考數(shù)字 500表示像素。
如圖1到3中所示，設(shè)置在基板101上的每個像素都包括TFT 200。 TFT 200的源極區(qū)域102、和與TFT 200的漏極區(qū)域103連接的 漏電極108設(shè)置在其上具有TFT 200的基板101上。絕緣膜106， 107 和109以及平坦化膜IIO設(shè)置成包圍漏電極108。 TFT 200不限于圖 中所示的頂柵型TFT?？蛇x擇地，TFT 200可以是底柵型TFT。
通過構(gòu)圖形成的第一電極300、作為發(fā)光介質(zhì)的發(fā)光材料層310、 和設(shè)置成面對第一電極300的第二電極320層疊在由設(shè)置于平坦化膜 110上的元件隔離膜330包圍的每個像素開口上。當(dāng)?shù)谝浑姌O300用作負(fù)極且第二電極320用作正極時，使用周期 表的I族或1I族的元素的合金或者其混合物形成第一電極300。更具 體地說，第一電極300可由鋁、銀、或者鋁或釹的合金形成的反射電 極組成?？蛇x擇地，第一電極300可由復(fù)合層組成，在所述復(fù)合層中， 在上述反射電極上設(shè)置氧化銦錫、氧化鋅、含鎵的氧化鋅、或它們的 混合物。
第二電極320由氧化銦錫、氧化鋅、含鎵的氧化鋅、或它們的混 合物形成。為了令人滿意地使第二電極320與作為發(fā)光介質(zhì)的發(fā)光材 料層310接觸，可在第二電極320與發(fā)光材料層310之間設(shè)置具有較 小厚度的金屬層。
當(dāng)?shù)谝浑姌O300用作正極以及第二電極320用作負(fù)極時，使用氧 化銦錫、氧化鋅、含鎵的氧化鋅或它們的混合物、或具有與這些物質(zhì) 相近功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成第一電極300。可選擇地，可使用周期表 的I族或1I族的元素的合金或它們的混合物形成第一電極300。例如， 第一電極300可由復(fù)合層組成，在所述復(fù)合層中，在由鋁、銀、或者 鋁或釹的合金形成的反射電極上設(shè)置氧化銦錫、氧化鋅、含鎵的氧化 鋅、或它們的混合物。
第二電極320由周期表的I族或II族元素的合金或它們的混合 物形成。第二電極320可由鋁或銀的合金形成。形成具有非常小厚度 的這種金屬材料層，從而具有光的透射性，然后在其上形成例如由氧 化銦錫形成的透明導(dǎo)電膜。
此外，可在金屬材料層與用作底層的平坦化膜110之間形成作為 粘附層的導(dǎo)電氧化物層。因而，第二電極320具有三層結(jié)構(gòu)，其中在 導(dǎo)電氧化物層之間夾有金屬材料層。
元件隔離膜330是用作在相鄰像素之間設(shè)置的電絕緣分隔物的 絕緣膜。元件隔離膜330布置成覆蓋第一電極300的外圍邊沿。元件 隔離膜330可由氮化硅、氧氮化硅、氧化硅等形成的無機絕緣膜或者 由丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂等形成的有機絕緣膜組成。
發(fā)光材料層310具有如下的結(jié)構(gòu)，例如，適當(dāng)?shù)亟M合設(shè)置在正電極一側(cè)的空穴注入/輸送層、設(shè)置在負(fù)電極一側(cè)的電子注入/輸送層、 和發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。對于空穴注入/輸送層或電子注入/輸送層，可組合
和具有出色輸送性能(遷移率,的材料。'、
發(fā)光材料層310例如由三個子層組成，即空穴輸送層、發(fā)光層和 電子輸送層，但可僅由發(fā)光層組成。可選擇地，發(fā)光材料層310可由 兩個子層、四個子層等組成。例如，空穴輸送層由NPD形成，但空 穴輸送層的材料不限于此。
對于每種發(fā)光顏色都設(shè)置發(fā)光材料層310，通過遮蔽掩模分離不 同顏色的區(qū)域。對于發(fā)光材料層310，例如使用由摻雜Ir(piq)3的CBP 形成的層作為紅光發(fā)射層，使用由摻雜香豆素的Alq3形成的層作為綠 光發(fā)射層，使用摻雜二萘嵌苯的B-Alq3形成的層作為藍(lán)光發(fā)射層?？?使用其他材料作為發(fā)光材料層310。電子-輸送層例如由向紅菲繞啉形 成，但電子-輸送層的材料不限于此。
輔助電極由形成為第一層的第一輔助電極400和形成為第二層 的第二輔助電極410組成。由第二電極320和輔助電極(包括第一輔 助電極400和第二輔助電極410)組成的層疊區(qū)域設(shè)置在用作電絕緣 分隔物的元件隔離膜330上。
輔助電極由以虛線圖案布置的第一輔助電極400、和設(shè)置在第一 輔助電極400上以覆蓋沒有設(shè)置第一輔助電極400的區(qū)域的第二輔助 電極410組成。在下面的描述中，當(dāng)使用術(shù)語"輔助電極，，時，其意指 第一輔助電極400和第二輔助電極410。
圖4A， 4B和4D是顯示用于形成根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝 置中的輔助電極的遮蔽掩模的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4A是用于形 成被形成為第一層的輔助電極(第一輔助電極400 )和被形成為第二 層的輔助電極(第二輔助電極410)的遮蔽掩模(一部分)的示意性 平面圖。圖4B示意性地顯示了遮蔽掩模的對準(zhǔn)標(biāo)記部分，該標(biāo)記部 分布置在遮蔽掩模的外圍。此外，圖4C示意性地顯示了在有機EL 基板一側(cè)上設(shè)置的對準(zhǔn)標(biāo)記。如下地形成了被形成為笫一層的第一輔助電極400。在使用圖4B 和4C中所示的對準(zhǔn)標(biāo)記如圖4D中所示地對準(zhǔn)遮蔽掩模之后，在氣 相沉積工序中以虛線圖案形成第一輔助電極400。選擇具有低電阻率 的導(dǎo)電材料作為該電極材料。該電極材料的例子包括鋁、銅和銀。
當(dāng)?shù)谝惠o助電極400布置在其上具有不規(guī)則性的有才幾EL基板上 時，第一輔助電極400必須用作配線。因此，每個第一輔助電極400 具有5nm或更大的厚度。
當(dāng)形成第二輔助電極410時，必須再次進行對準(zhǔn)步驟，如圖4D 中所示。因此，必須確保通過圖4B中所示的遮蔽掩模的對準(zhǔn)標(biāo)記部 分的開口確認(rèn)圖4C中所示的有機EL基板一側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記。因此， 每個第一輔助電極400具有30nm或更小的厚度。
因此，在形成第一輔助電極400之后，使用布置在基板101上的 用于第一輔助電極400的對準(zhǔn)標(biāo)記再次進行對準(zhǔn)。
在下面所述的形成第二輔助電極410的過程中，首先使用在形成 第一輔助電極400時使用的對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)。接著，通過自動控制 將遮蔽掩模在平行于第一輔助電極400的方向上移動大約20到30微 米，從而覆蓋由以虛線圖案形成的第一輔助電極400組成的配線部分 之間的空間。
選擇具有低電阻率并可與組成第一輔助電極400的導(dǎo)電材料建 立令人滿意的歐姆接觸的導(dǎo)電材料作為第二輔助電極410的材料。具 體地說，第二輔助電極410可由鋁、鋁和鈦、銅、銀等形成。
在根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置中，為了覆蓋由以虛線圖案形 成的第一輔助電極400組成的配線部分之間的空間，使用圖4B和4C 中所示的對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)。隨后，在平行于輔助電極(配線部分) 延伸方向的方向上移動遮蔽掩模，然后再次開始沉積。因此，用于第 二輔助電極410的配線材料可以與第一輔助電極400的材料相同。
遮蔽掩模的平行移動量是用于覆蓋由第一輔助電極400組成的 配線部分之間的空間所需的量，移動遮蔽掩模，從而形成具有由第一 輔助電極400和第二輔助電極410組成的層疊結(jié)構(gòu)的區(qū)域。由此，使用相同的遮蔽掩模形成第 一輔助電極400和第二輔助電極410。
這里，現(xiàn)在將參照圖8描述輔助電極的配線寬度、輔助電極之間 的配線間隔、輔助電極的配線長度、和第一輔助電極的膜厚度的關(guān)系。 圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的示意性 結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖8中，a表示每個輔助電極的配線寬度，b表示 輔助電極之間的配線間隔，c表示每個輔助電極的配線長度。此外，d 表示圖7B中所示的第一輔助電極的膜厚度。
在根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置中，對于使用遮蔽掩模以虛線 圖案形成的輔助電極，配線間隔b、配線長度c和第一輔助電極的膜 厚度d必須滿足下面的公式(1)和(2):
b<c… (1)
5nm《d《30nm… (2)
此外，配線寬度a和配線間隔b滿足下面的公式(3): 10a^b… (3)
如果輔助電極之間的配線間隔b過大，則其中僅設(shè)置由薄膜組成 的第一輔助電極400和第二電極320的區(qū)域的配線電阻增加。結(jié)果， 由存在每個輔助電極而獲得的效果降低了 。
根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯示裝置滿足規(guī)定了每個輔助電極的配 線寬度a與輔助電極之間的配線間隔b之間的關(guān)系的公式(3)。在 該情形中，當(dāng)形成第二輔助電極410時，遮蔽掩模的移動量被控制為 大約單個像素的尺寸。結(jié)果，在形成第二輔助電極410時對準(zhǔn)遮蔽掩 模之后，可減小遮蔽掩模的平行移動量。因此，很容易在期望的位置 形成第二輔助電極410。
每個輔助電極的配線寬度a與一個像素的面積的比率對應(yīng)于在 每個像素外圍設(shè)置的元件隔離膜的寬度。當(dāng)像素尺寸增加時，每個輔 助電極的配線寬度a也增加。 一般地，當(dāng)像素尺寸增加時，形成輔助 電極所需的對準(zhǔn)精度趨于降低。通過滿足規(guī)定了每個輔助電極的配線 寬度a與輔助電極的配線間隔b之間的關(guān)系的公式(3)，可獲得本 發(fā)明的優(yōu)點。如上所述，在形成第二輔助電極410時，需要再次使用基板上設(shè) 置的對準(zhǔn)標(biāo)記。因此，如公式(2)中規(guī)定的，每個第一輔助電極400 的膜厚度d為30nm或更小。此外，當(dāng)被布置在其上具有不規(guī)則性的 有機EL基板上時為了使第一輔助電極400用作配線，每個第一輔助 電極400的膜厚度d為5nm或更大。
另一方面，確定每個第二輔助電極410的膜厚度，以使得包含輔 助電極的第二電極320的電阻為期望值。在根據(jù)本發(fā)明該實施例的顯 示裝置中，每個第一輔助電極400的厚度小于每個第二輔助電極400 的厚度。
盡管第二電極320依賴于輔助電極的材料類型和第二電極320 的材料類型，但第二電極320由透明導(dǎo)電膜組成。在該情形中，通過 滿足上面的關(guān)系，其中層疊有作為薄膜的第一輔助電極400和第二電 極320的區(qū)域的電阻大約為其中僅設(shè)置有第二電極320的區(qū)域的電阻 的1/10。
此外，為了防止由于外部濕氣而使顯示基板退化，以-60。C或更 低的露點在氮氣環(huán)境中使用可UV固化的環(huán)氧樹脂將密封基板接合到 基板101上。此外，在密封基板的表面上沉積例如由氧化鍶或氧化鈣 形成的吸濕膜，所述表面靠近有機EL元件。在該實施例中，使用玻 璃基板密封基板101。可選擇地，可使用由氮化硅、氮氧化硅、氧化 硅等形成的無機絕緣膜來密封基板101。
例子
接下來，將參照圖5A到7B按照制造工藝的順序描述制造具有 上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的方法的一個實施例，以及描述具有比上面顯示 裝置更詳細(xì)結(jié)構(gòu)的頂發(fā)射型有機EL顯示裝置的特定實施例。圖5A 到7B是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的制造顯示裝置中的有機EL元 件的工序步驟的橫截面圖。
首先，如圖5A中所示，在例如由玻璃基板組成的基板IOI上形 成TFT 200及其源極和漏電極。隨后，為了對由于形成TFT 200和電 極而在基板101表面上形成的不規(guī)則進行平坦化，在基板101上形成平坦化膜110。在該情形中，例如通過旋涂在基板101上涂敷正型光
敏性聚酰亞胺。用曝光裝置進行圖案曝光，用顯影裝置進行顯影，然 后進行后烘焙。
接著，在平坦化膜110上形成第一電極300。這里，在平坦化膜 IIO上形成具有100nm厚度的鋁(Al)層作為反射層。隨后，通過賊 射法沉積具有大約20nm厚度的導(dǎo)電氧化物(例如ITO)層。
隨后，如圖5B中所示，例如通過化學(xué)氣相沉積(CVD)沉積具 有大約300nm厚度的二氧化硅(SiO2)膜，從而形成元件隔離膜330。 隨后，使用光刻技術(shù)在二氧化硅(Si02)膜上形成抗蝕劑圖案。如圖 5C中所示，通過使用該抗蝕劑圖案作為掩模進行蝕刻從而對二氧化 硅(Si02)膜進行構(gòu)圖。在該步驟中，在被蝕刻的側(cè)壁具有錐形形狀 的條件下進行蝕刻。
接著，如圖6A中所示，使用遮蔽掩模通過氣相沉積工序沉積發(fā) 光材料。如圖6B中所示，隨后使用遮蔽掩模通過氣相沉積工序形成 由導(dǎo)電材料形成的第二電極320。
接著，如圖7A中所示，通過氣相沉積使用遮蔽掩模沉積鋁(A1) 作為具有10nm厚度的第一輔助電極400。通過氣相沉積形成的第一 輔助電極400具有15(im的配線寬度和30iam的配線間隔。第一輔助 電極400的配線長度為200nm。
隨后，通過參照圖4A到4D所述的工序，使用遮蔽掩模的對準(zhǔn) 標(biāo)記進行對準(zhǔn)，然后在與由笫一輔助電極400形成的配線平行的方向 上將遮蔽掩模移動lOO)am。如圖7B中所示，通過氣相沉積形成具有 100nm厚度的第二輔助電極410。因而，使用具有與第 一輔助電極400 相同開口的遮蔽掩模形成了第二輔助電極410。
最后，將包含氧化鍶作為主要成分的吸濕材料接合到密封基板 (沒有示出)的凹陷區(qū)域上，該區(qū)域不抑制顯示，并以-60。C或更低 的露點在氮氣環(huán)境中使用可UV固化的環(huán)氧樹脂將密封基板接合到基 板101上。
通過上述步驟可制造具有參照圖l和2所述結(jié)構(gòu)的顯示裝置。該顯示裝置滿足上述所有的公式(1)到(3)。
盡管參照示例性的實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并 不限于公開的示例性的實施例。隨后權(quán)利要求的范圍與最寬的解釋一 致，從而包含所有的修改和等價結(jié)構(gòu)及功能。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括多個第一電極，該多個第一電極的每一個都獨立地設(shè)置在所述基板上，多個發(fā)光層，其中發(fā)光層設(shè)置在各個所述第一電極上，和透光的第二電極，其連續(xù)設(shè)置在所述發(fā)光層上從而覆蓋所述多個發(fā)光元件；以及輔助電極，其設(shè)置在所述第二電極上并線性地布置在相鄰的發(fā)光元件之間，每個所述輔助電極包括第一輔助電極，以間隔間斷性地布置該第一輔助電極并具有5到30nm范圍內(nèi)的厚度，以及第二輔助電極，其覆蓋所述第一輔助電極的邊沿并以與所述第一輔助電極相同的間隔間斷性地布置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二輔助電極的厚度大于所述第一輔助電極的厚度。
3. —種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括多個第一電極，該多個第一電極的每一個都獨 立地設(shè)置在所述基板上；多個發(fā)光層，其中所述發(fā)光層設(shè)置在各個所 述第一電極上；以及透光的第二電極，其連續(xù)設(shè)置在所述發(fā)光層上從 而覆蓋所述多個發(fā)光元件；以及輔助電極，其設(shè)置在所述第二電極上并線性地布置在相鄰的發(fā)光 元件之間，所述方法包括下述步驟通過將所述基板上設(shè)置的對準(zhǔn)標(biāo)記與遮蔽掩模上設(shè)置的開口對 準(zhǔn)，從而將所述基板與所述遮蔽掩模對準(zhǔn)以形成對準(zhǔn)狀態(tài)；在所述對準(zhǔn)狀態(tài)中以間隔間斷性地形成第 一輔助電極；將其上形成有包含第 一輔助電極的層的對準(zhǔn)標(biāo)記與所述開口對 準(zhǔn)，并隨后將遮蔽掩模移動預(yù)定的距離；以及間斷性地形成第二輔助電極，從而覆蓋所述第一輔助電極的邊
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。一種顯示裝置，包括具有包圍多個第一電極外圍邊沿的元件隔離膜的顯示基板、和由第二電極和輔助電極組成且設(shè)置在所述元件隔離膜上的層疊區(qū)域。每個所述輔助電極都由以虛線圖案布置的第一輔助電極、布置在第一輔助電極上以覆蓋沒有設(shè)置第一輔助電極的區(qū)域的第二輔助電極組成。輔助電極之間的配線間隔小于輔助電極的配線長度，每個第一輔助電極的膜厚度都在5到30nm的范圍內(nèi)。
文檔編號H05B33/10GK101409964SQ20081016645
公開日2009年4月15日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月9日
發(fā)明者吉永秀樹 申請人:佳能株式會社