專利名稱：線路板工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路板工藝，且特別是有關(guān)于一種具有高密度內(nèi)連線(High Density Interconnection, HDI)的線路板工藝。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體封裝工藝中，由于線路板具有布線細(xì)密、組裝緊湊及性能良好等 優(yōu)點(diǎn)，使得線路板已成為經(jīng)常使用的構(gòu)裝元件之一。線路板能與多個電子元件(electronic component)組裝，而這些電子元件例如是芯片(chip)與被動元件(passive component)。 透過線路板，這些電子元件得以彼此電性連接，而訊號才能在這些電子元件的間傳遞。
—般而言，線路板主要是由多層圖案化線路層(patterned circuit layer)及多 層介電層(dielectric layer)交替疊合而成，并藉由導(dǎo)電盲孔(conductivevia)以達(dá)成圖 案化線路層彼此的間的電性連接。由于近年來電子產(chǎn)品走向小型、輕量、薄型、高速、高機(jī) 能、高密度、低成本化，以及電子元件封裝技術(shù)亦朝向高腳數(shù)、精細(xì)化與集積化發(fā)展，因此線 路板亦走向高密度布線、細(xì)線小孔化、復(fù)合多層化、薄板化發(fā)展。 高密度內(nèi)連線(HDI)的線路板是指利用導(dǎo)電盲孔搭配線路層與微間距(fine pitch)以達(dá)到高度互聯(lián)的一種技術(shù)，使在相同單位面積中能夠搭載更多電子元件或是容納 更多的線路。由于高密度內(nèi)連線的線路板包含多層線路層，因此各層線路層間良好的電性 連通成為高密度內(nèi)連線的線路板的關(guān)鍵之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路板工藝，用以制作一具有高密度內(nèi)連線的線路板。 本發(fā)明提出一種線路板工藝。首先，提供一線路基材。線路基材具有一上表面與
一第一線路圖案，其中第一線路圖案位于上表面上。接著，形成一具有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層
于線路基材上。介電層覆蓋上表面與第一線路圖案。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)嵌入介電層中且電性連接至
第一線路圖案。形成一凹刻圖案于介電層的表面上，其中凹刻圖案與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相連接。最
后，配置導(dǎo)電材料于凹刻圖案內(nèi)，以形成一第二線路圖案，其中第二線路圖案藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
電性連接至第一線路圖案。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成凹刻圖案的方法包括激光燒蝕、等離子體蝕 刻或機(jī)械加工工藝。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的介電層的材質(zhì)包括高分子聚合物。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的介電層包括多顆觸媒顆粒。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些觸媒顆粒包括多個納米金屬顆粒。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些觸媒顆粒的材質(zhì)包括多個過渡金屬配位化合物。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在介電層的表面上形成凹刻圖案的同時，還包括 活化部分的這些觸媒顆粒，以形成一活化層于凹刻圖案的內(nèi)面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成第二線路圖案于凹刻圖案內(nèi)的方法包括化學(xué) 沉積法。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層的步驟，首先，形成一 銅箔層于介電層的表面上。接著，對形成有銅箔層的介電層照射一激光，以形成至少一從銅 箔層延伸至第一線路圖案的盲孔結(jié)構(gòu)。形成一電鍍種子層于盲孔結(jié)構(gòu)內(nèi)與銅箔層的表面。 透過電鍍種子層而電鍍形成一導(dǎo)電層。最后，移除部分導(dǎo)電層、部分電鍍種子層及銅箔層， 以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)并暴露出介電層的表面。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移除部分導(dǎo)電層、部分電鍍種子層及銅箔層的方 法包括蝕刻或研磨。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層的步驟，首先，形成一 銅箔層于介電層的表面上。接著，對形成有銅箔層的介電層照射一激光，以形成至少一從銅 箔層延伸至第一線路圖案的盲孔結(jié)構(gòu)。填入導(dǎo)電材料于盲孔結(jié)構(gòu)中，以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。最 后，移除銅箔層，以暴露出介電層的表面。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電材料包括金屬導(dǎo)電膏或高分子導(dǎo)電材料。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層的步驟，首先，形成一 導(dǎo)電錐于第一線路圖案上，接著，壓合介電層于線路基材上，其中導(dǎo)電錐貫穿介電層，以構(gòu) 成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成導(dǎo)電錐的方法包括印刷或打線。 綜上所述，本發(fā)明先于介電層形成連接線路基材的第一線路圖案的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然
后，以激光于介電層的表面形成可埋入第二線路圖案的凹刻圖案，其中第二線路圖案藉由
導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一線路圖案，而完成具有高密度內(nèi)連線的線路板。因此，本發(fā)明的線
路板工藝，可以避免受限分別于凹刻圖案內(nèi)與盲孔結(jié)構(gòu)中同時形成第二線路圖案與導(dǎo)電結(jié)
構(gòu)時的填孔能力的限制與工藝時間長等問題，可有效縮短線路板的生產(chǎn)流程，進(jìn)而擴(kuò)充了
具有高密度內(nèi)連線的線路板的應(yīng)用范圍。 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配 合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖II繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路板工藝； 圖2A至圖2H繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板工藝； 圖3A至圖3E繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板工藝。 主要元件符號說明 100 、200 、300 :線路板 110、210、310 :線路基材 112、212、312 :上表面 114、214、314 :第一線路圖案 120、220、320 :介電層 122、222、322 :觸媒顆粒 124、 224、 324 :活化層
126、226、326 :凹刻圖案130、230、330 :導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140、240 :銅箔層150 :電鍍種子層160 :導(dǎo)電層170、260、340 :第二線路圖案250 :導(dǎo)電材料330':導(dǎo)電錐B1、B2 :盲孔結(jié)構(gòu)LI :第一激光L2 :第二激光
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖II繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路板工藝。請先參考圖IA，依照本 實(shí)施例的線路板工藝，首先，提供一線路基材110。線路基材110具有一上表面112與一第 一線路圖案114，其中第一線路圖案114位于上表面112上，也就是說，第一線路圖案114可 算是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。 值得一提的是，線路基材110的結(jié)構(gòu)可以僅具有單一線路層，或是具有多層線路 層。也就是說，線路基材110可以是單層線路基材(single layer circuitsubstrate)、雙 層線路基材(double layer circuit substrate)或多層線路基材(multi-layer circuit substrate)。在本實(shí)施例中，圖1A的線路基材110是以多個介電層(未繪示)以及多個圖 案化線路層(未繪示)交互堆疊所形成的多層線路基材來進(jìn)行說明。 請參考圖1B，接著，形成一介電層120于線路基材IIO上，其中介電層120覆蓋線 路基材110的上表面112與第一線圖案114。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，介電層120包括多 顆觸媒顆粒122，而這些觸媒顆粒122包括多個納米金屬顆粒。這些觸媒顆粒122的材質(zhì)包 括過渡金屬配位化合物，其中過渡金屬配位化合物的材質(zhì)可以包括過渡金屬氧化物、過渡 金屬氮化物、過渡金屬錯合物或過渡金屬螯合物，且這些過渡金屬配位化合物的材質(zhì)為選 自于由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鴇、釩、鉭以及鈦所組成的群組中 的一種材質(zhì)。 進(jìn)一步而言，這些觸媒顆粒122例如是多個金屬氧化物顆粒、多個金屬氮化物顆 粒、多個金屬錯合物顆粒、多個金屬螯合物顆?；蚨鄠€金屬顆粒，且這些觸媒顆粒122的材 質(zhì)可以包括鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鴇、釩、鉭或鈦，或是這些金屬 的任意組合。也就是說，這些觸媒顆粒122內(nèi)的金屬原子可以是鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、 鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鴇、釩、鉭或鈦，且這些觸媒顆粒122可以包括這些金屬原子的任 意結(jié)合。舉例而言，這些觸媒顆粒122例如是氧化銅、鈷鉬雙金屬氮化物(Co2Mo3Nx)顆粒或 鈀金屬顆粒。 值得一提的是，本發(fā)明并不限定介電層120的材質(zhì)與型態(tài)，雖然此處所提及的介 電層120具體化為包括多顆觸媒顆粒122，但其他實(shí)施例中，介電層120的材質(zhì)亦可為高分 子聚合物，其中高分子聚合物為選自由環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚
6合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚砜、硅素聚合物、BT樹脂、氰酸聚酯、聚乙烯、
聚碳酸酯樹脂、丙烯_ 丁二烯_苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸
丁二酯樹脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚及環(huán)狀烯烴共聚高分子所
組成的群組，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。 請參考圖1C，接著，形成一銅箔層140于介電層120的表面上。在本實(shí)施例中，銅
箔層140覆蓋介電層120，可視為一保護(hù)層。 請參考圖1D，接著，對形成有銅箔層140的介電層120照射一第一激光L1，以形成 至少一從銅箔層140延伸至第一線路圖案114的盲孔結(jié)構(gòu)Bl (圖1D中僅示意地繪示一個)， 其中盲孔結(jié)構(gòu)Bl暴露出位于線路基材110的上表面112的部分第一線路圖案114。在本實(shí) 施例中，第一激光L1為紅外線激光光源。在其他的實(shí)施例中，第一激光L1亦可為紫外線激 光光源、準(zhǔn)分子激光光源或遠(yuǎn)紅外線激光光源。 請參考圖1E，接著，形成一電鍍種子層150于盲孔結(jié)構(gòu)B1內(nèi)與銅箔層140的表面， 其中形成一電鍍種子層150的方式可為濺鍍，而電鍍種子層150的材料例如是銅、鎳或鋅。
請參考圖1F，接著，透過電鍍種子層150而電鍍形成一導(dǎo)電層160，其中導(dǎo)電層160 將盲孔結(jié)構(gòu)B1與銅箔層140的表面完全覆蓋。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層160的材質(zhì)包括銅、 銀、鎳、錫或鋁。 請參考圖1G，接著，移除部分導(dǎo)電層160、部分電鍍種子層150及銅箔層140，以形 成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130并暴露出介電層120的表面。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130是嵌 入于介電層120中，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130電性連接至第一線路圖案112。特別是，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130 的表面與介電層120的表面實(shí)質(zhì)上切齊。此外，本實(shí)施例的移除部分導(dǎo)電層160、部分電鍍 種子層150及銅箔層140的方法包括蝕刻或研磨。 請參考圖1H，接著，以一第二激光L2在介電層120的表面形成一凹刻圖案126，其 中凹刻圖案126與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130相連接。特別是，在本實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙す釲2燒蝕具有 這些觸媒顆粒122的介電層120時，在介電層120的表面上形成凹刻圖案126的同時，一些 觸媒顆粒122會活化并裸露于凹刻圖案126的內(nèi)面，而形成一活化層124。圖1H中的這些 觸媒顆粒122會以黑色或白色來表示觸媒顆粒122是否被活化。黑色的觸媒顆粒122代表 已活化的觸媒顆粒122(即活化層124)，而白色的觸媒顆粒122則代表未活化的觸媒顆粒 122。在本實(shí)施例中，第二激光L2為紫外線激光光源。在其他實(shí)施例中，第二激光L2亦可 為紅外線激光光源、準(zhǔn)分子激光光源或遠(yuǎn)紅外線激光光源。 值得一提的是，本發(fā)明并不限定形成凹刻圖案126的方法，雖然此處所提及的凹 刻圖案126的形成方法具體化為激光燒蝕，于其他實(shí)施例中，亦可以藉由等離子體蝕刻或 機(jī)械加工工藝的方式來形成凹刻圖案126，其中機(jī)械加工工藝還包括以水刀切割、噴砂或外 型切割，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。
請參考圖ll，最后，配置導(dǎo)電材料于凹刻圖案126內(nèi)，以形成一第二線路圖案170， 其中第二線路圖案170藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130電性連接至第一線路圖案114。在本實(shí)施例中， 形成第二線路圖案170于凹刻圖案126內(nèi)的方法包括化學(xué)沉積法。進(jìn)一步而言，第二線路 圖案170是藉由化學(xué)沉積法形成于凹刻圖案126內(nèi)的活化層124上，且這些第二線路圖案 170與介電層120的表面實(shí)質(zhì)上切齊，換言之，這些第二線路圖案170基本上可算是一種內(nèi) 埋式線路。至此，線路板100已大致完成。
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簡言的，本實(shí)施例的線路板工藝，是先利用電鍍填孔的方式于介電層120形成連 接線路基材110的第一線路圖案114的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130，接著，以第二激光L2于介電層120的 表面形成凹刻圖案126，之后，在利用化學(xué)沉積法來形成埋入凹刻圖案126內(nèi)的第二線路圖 案170，其中第二線路圖案170藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130電性連接至第一線路圖案114，而完成具 有高密度內(nèi)連線的線路板100。 本實(shí)施例的線路板工藝的步驟，可以避免受限分別于凹刻圖案126內(nèi)與盲孔結(jié)構(gòu) Bl中同時形成第二線路圖案170與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)130時的填孔能力的限制與工藝時間長等問題。 此外，本實(shí)施例的介電層120具有多個觸媒顆粒122，當(dāng)照射第二激光L2于介電層 120表面的同時，部分的觸媒顆粒122會被活化而形成活化層124，因此可直接藉由化學(xué)沉 積法于凹刻圖案126內(nèi)的活化層124上形成第二線路圖案170，進(jìn)而也擴(kuò)充了具有觸媒顆粒 122的介電層120于高密度內(nèi)連線的線路板100上的應(yīng)用范圍。 圖2A至圖2H繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板工藝。請先參考圖2A，依照 本實(shí)施例的線路板工藝，首先，提供一線路基材210。線路基材210具有一上表面212與一 第一線路圖案214，其中第一線路圖案214位于上表面212上，也就是說，第一線路圖案214 可算是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。 值得一提的是，線路基材210的結(jié)構(gòu)可以僅具有單一線路層，或是具有多層線路 層。也就是說，線路基材210可以是單層線路基材、雙層線路基材或多層線路基材。在本實(shí) 施例中，圖2A的線路基材210是以多個介電層(未繪示)以及多個圖案化線路層(未繪 示)交互堆疊所形成的多層線路基材來進(jìn)行說明。 請參考圖2B，接著，形成一介電層220于線路基材210上，其中介電層220覆蓋線 路基材210的上表面212與第一線圖案214。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，介電層220包括多 顆觸媒顆粒222，而這些觸媒顆粒222與前述實(shí)施例中的觸媒顆粒122相同，在此不重復(fù)贅 述的。當(dāng)然，于其他實(shí)施例中，介電層212的材質(zhì)亦可為高分子聚合物。
請參考圖2C，接著，形成一銅箔層240于介電層220的表面上。在本實(shí)施例中，銅 箔層240覆蓋介電層220，可視為一保護(hù)層。 請參考圖2D，接著，對形成有銅箔層240的介電層220照射一第一激光Ll，以形成 至少一從銅箔層240延伸至第一線路圖案214的盲孔結(jié)構(gòu)B2 (圖2D中僅示意地繪示一個)， 其中盲孔結(jié)構(gòu)B2暴露出位于線路基材210的上表面212的部分第一線路圖案214。在本實(shí) 施例中，第一激光L1為紅外線激光光源。在其他的實(shí)施例中，第一激光L1亦可為紫外線激 光光源、準(zhǔn)分子激光光源或遠(yuǎn)紅外線激光光源。 請參考圖2E，接著，填入一導(dǎo)電材料250于盲孔結(jié)構(gòu)B2中，以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230， 其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230的表面與銅箔層240的表面實(shí)質(zhì)上切齊。在本實(shí)施例中，填入導(dǎo)電材料 250于盲孔結(jié)構(gòu)B2的方式包括印刷，而導(dǎo)電材料250包括金屬導(dǎo)電膏或高分子導(dǎo)電材料，其 中金屬導(dǎo)電膏可以是銅膠、銀膠、碳膠、銅膏、銀膏、錫膏、或其他適合用以導(dǎo)電的金屬材料。
在本實(shí)施例中，高分子導(dǎo)電材料包括復(fù)合型高分子導(dǎo)電材料或結(jié)構(gòu)型高分子導(dǎo)電 材料。復(fù)合型高分子導(dǎo)電材料是由一般高分子材料與各種導(dǎo)電性物質(zhì)通過填充復(fù)合、表面 復(fù)合或?qū)臃e復(fù)合等方式而制得，而復(fù)合型高分子導(dǎo)電材料的種類包括有導(dǎo)電塑料、導(dǎo)電橡 膠、導(dǎo)電涂料或?qū)щ娔z黏劑，甚至也可以制成透明導(dǎo)電薄膜等。復(fù)合型高分子導(dǎo)電材料的性能與所選用導(dǎo)電填料的種類、用量、粒度、狀態(tài)以及其在高分子材料中的分散狀態(tài)有很大的 關(guān)系，其中較常用的導(dǎo)電填料有碳黑、金屬粉、金屬箔片、金屬纖維、碳纖維等。另外，結(jié)構(gòu)型 高分子導(dǎo)電材料是指高分子結(jié)構(gòu)本身或經(jīng)過摻雜之后具有導(dǎo)電功能的高分子材料，其中所 選用的高分子材料的種類包括有聚乙炔材料、聚氮化硫、聚吡咯、聚苯硫醚(PPS)、聚酞腈類 化合物、聚苯胺、聚噻吩等。按照導(dǎo)電原理，結(jié)構(gòu)型高分子導(dǎo)電材料還可分為電子導(dǎo)電高分 子材料和離子導(dǎo)電高分子材料，其中電子導(dǎo)電高分子材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是具有線型或面型大
共軛體系，在熱或光的作用下通過共軛n電子的活化而進(jìn)行導(dǎo)電，電導(dǎo)率一般在半導(dǎo)體的 范圍，而采用摻雜技術(shù)可使這類材料的導(dǎo)電性能明顯提高。例如在聚乙炔中摻雜少量碘，電 導(dǎo)率可提高12個數(shù)量級。又例如，經(jīng)摻雜后的聚氮化硫，在超低溫下可轉(zhuǎn)變成高分子超導(dǎo) 體。 請參考圖2F，接著，移除銅箔層240，以暴露出介電層220的表面，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 230的表面高于介電層220的表面。 請參考圖2G，接著，以一第二激光L2在介電層220的表面形成一凹刻圖案226，其 中凹刻圖案226與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230相連接。特別是，在本實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙す釲2燒蝕具有 這些觸媒顆粒222的介電層220時，在介電層220的表面上形成凹刻圖案226的同時，一些 觸媒顆粒222會活化并裸露于凹刻圖案226的內(nèi)面，而形成一活化層224。圖2G中的這些 觸媒顆粒222會以黑色或白色來表示觸媒顆粒222是否被活化。黑色的觸媒顆粒222代表 已活化的觸媒顆粒222(即活化層224)，而白色的觸媒顆粒222則代表未活化的觸媒顆粒 222。在本實(shí)施例中，第二激光L2為紫外線激光光源。在其他實(shí)施例中，第二激光L2亦可 為紅外線激光光源、準(zhǔn)分子激光光源或遠(yuǎn)紅外線激光光源。 請參考圖2H，最后，配置導(dǎo)電材料于凹刻圖案226內(nèi)，以形成一第二線路圖案260， 其中第二線路圖案260藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230電性連接至第一線路圖案214。在本實(shí)施例中， 形成第二線路圖案260于凹刻圖案226內(nèi)的方法包括化學(xué)沉積法。進(jìn)一步而言，第二線路 圖案260是藉由化學(xué)沉積法形成于凹刻圖案226內(nèi)的活化層224上，且這些第二線路圖案 260與介電層220的表面實(shí)質(zhì)上切齊，換言之，這些第二線路圖案260基本上可算是一種內(nèi) 埋式線路。至此，線路板200已大致完成。 簡言之，本實(shí)施例的線路板工藝，是先利用印刷的方式于介電層220形成連接線 路基材210的第一線路圖案214的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230，接著，以第二激光L2于介電層220的表 面形成凹刻圖案226，之后，在利用化學(xué)沉積法來形成埋入凹刻圖案226內(nèi)的第二線路圖案 260，其中第二線路圖案260藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230電性連接至第一線路圖案214，而完成具有高 密度內(nèi)連線的線路板200。 本實(shí)施例的線路板工藝的步驟，可以避免受限分別于凹刻圖案226內(nèi)與盲孔結(jié)構(gòu) B2中同時形成第二線路圖案260與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)230時的填孔能力的限制與工藝時間長等問題。 此外，本實(shí)施例的介電層220具有多個觸媒顆粒222，當(dāng)照射第二激光L2于介電層 220表面的同時，部分的觸媒顆粒222會被活化而形成活化層224，因此可直接藉由化學(xué)沉 積法于凹刻圖案226內(nèi)的活化層224上形成第二線路圖案260，進(jìn)而也擴(kuò)充了具有觸媒顆粒 222的介電層220于高密度內(nèi)連線的線路板200上的應(yīng)用范圍。 圖3A至圖3E繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板工藝。請先參考圖3A，依照
9本實(shí)施例的線路板工藝，首先，提供一線路基材310。線路基材310具有一上表面312與一 第一線路圖案314，其中第一線路圖案314位于上表面312上，也就是說，第一線路圖案314 可算是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。 值得一提的是，線路基材310的結(jié)構(gòu)可以僅具有單一線路層，或是具有多層線路 層。也就是說，線路基材310可以是單層線路基材、雙層線路基材或多層線路基材。在本實(shí) 施例中，圖3A的線路基材310是以多個介電層(未繪示)以及多個圖案化線路層(未繪 示)交互堆疊所形成的多層線路基材來進(jìn)行說明。 請參考圖3B，接著，形成一導(dǎo)電錐330'于第一線路圖案314上。在本實(shí)施例中，形 成導(dǎo)電錐330'的方法包括印刷或打線，而導(dǎo)電錐330'的材質(zhì)包括銅膠或銀膠。
請參考圖3C，接著，壓合一介電層320于線路基材310上，其中導(dǎo)電錐330'貫穿介 電層320，以構(gòu)成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)330。詳細(xì)而言，由于導(dǎo)電錐330'具有相當(dāng)硬度，因此壓合介電 層320于線路基材310上時，導(dǎo)電錐330'的尖端會貫穿介電層320，且導(dǎo)電錐330'的尖端 會因壓合而變?yōu)槠降模礃?gòu)成內(nèi)埋于介電層320內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)330。 在本實(shí)施例中，介電層320包括多顆觸媒顆粒322，而這些觸媒顆粒322與前述實(shí) 施例中的觸媒顆粒122或觸媒顆粒222相同，在此不重復(fù)贅述。當(dāng)然，于其他實(shí)施例中，介 電層320的材質(zhì)亦可為高分子聚合物。 請參考圖3D，接著，以一第二激光L2在介電層320的表面形成一凹刻圖案326，其 中凹刻圖案326與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)330相連接。特別是，在本實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙す釲2燒蝕具有 這些觸媒顆粒322的介電層320時，在介電層320的表面上形成凹刻圖案326的同時，一些 觸媒顆粒322會活化并裸露于凹刻圖案326的內(nèi)面，而形成一活化層324。圖3D中的這些 觸媒顆粒322會以黑色或白色來表示觸媒顆粒322是否被活化。黑色的觸媒顆粒322代表 已活化的觸媒顆粒322(即活化層324)，而白色的觸媒顆粒322則代表未活化的觸媒顆粒 322。在本實(shí)施例中，第二激光L2為紫外線激光光源。在其他實(shí)施例中，第二激光L2亦可 為紅外線激光光源、準(zhǔn)分子激光光源或遠(yuǎn)紅外線激光光源。 請參考圖3E，最后，配置導(dǎo)電材料于凹刻圖案326內(nèi)，以形成一第二線路圖案340， 其中第二線路圖案340藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)330電性連接至第一線路圖案314。在本實(shí)施例中， 形成第二線路圖案340于凹刻圖案326內(nèi)的方法包括化學(xué)沉積法。進(jìn)一步而言，第二線路 圖案340是藉由化學(xué)沉積法形成于凹刻圖案326內(nèi)的活化層324上，且這些第二線路圖案 340與介電層320的表面實(shí)質(zhì)上切齊，換言之，這些第二線路圖案340基本上可算是一種內(nèi) 埋式線路。至此，線路板300已大致完成。 簡言的，本實(shí)施例的線路板工藝，是先利用印刷或打線的方式于線路基材310的 第一線路圖案314上形成導(dǎo)電錐330'，接著，壓合介電層320于線路基材310上以構(gòu)成導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)330，之后，以第二激光L2于介電層320的表面形成凹刻圖案326，最后，在利用化學(xué)沉 積法來形成埋入凹刻圖案326內(nèi)的第二線路圖案340，其中第二線路圖案340藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 330電性連接至第一線路圖案314，而完成具有高密度內(nèi)連線的線路板300。
本實(shí)施例的線路板工藝的步驟，可以避免受限于盲孔填孔能力的限制與工藝時間 長等問題。此外，本實(shí)施例的介電層320具有多個觸媒顆粒322，當(dāng)照射第二激光L2于介電 層320表面的同時，部分的觸媒顆粒322會被活化而形成活化層324，因此可直接藉由化學(xué) 沉積法于凹刻圖案326內(nèi)的活化層324上形成第二線路圖案340，進(jìn)而也擴(kuò)充了具有觸媒顆粒322的介電層320于高密度內(nèi)連線的線路板300上的應(yīng)用范圍。 綜上所述，本發(fā)明先于介電層形成連接線路基材的第一線路圖案的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然 后，以激光于介電層的表面形成可埋入第二線路圖案的凹刻圖案，其中第二線路圖案藉由 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一線路圖案，而完成具有高密度內(nèi)連線的線路板。因此，本發(fā)明的線 路板工藝，可以避免受限分別于凹刻圖案內(nèi)與盲孔結(jié)構(gòu)中同時形成第二線路圖案與導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)時的填孔能力的限制與工藝時間長等問題，進(jìn)而擴(kuò)充了具有高密度內(nèi)連線的線路板的應(yīng) 用范圍。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
一種線路板工藝，包括提供線路基材，該線路基材具有上表面與第一線路圖案，其中該第一線路圖案位于該上表面上；形成具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層于該線路基材上，該介電層覆蓋該上表面與該第一線路圖案，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)嵌入該介電層中且電性連接至該第一線路圖案；形成凹刻圖案于該介電層的表面上，其中該凹刻圖案與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相連接；以及配置導(dǎo)電材料于該凹刻圖案內(nèi)，以形成第二線路圖，其中該第二線路圖案藉由該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至該第一線路圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中形成該凹刻圖案的方法包括激光燒蝕、等離 子體蝕刻或機(jī)械加工工藝。
3. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中該介電層的材質(zhì)包括高分子聚合物。
4. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中該介電層包括多顆觸媒顆粒。
5. 如權(quán)利要求4所述的線路板工藝，其中該些觸媒顆粒包括多個納米金屬顆粒。
6. 如權(quán)利要求4所述的線路板工藝，其中該些觸媒顆粒的材質(zhì)包括多個過渡金屬配位 化合物。
7. 如權(quán)利要求4所述的線路板工藝，其中在該介電層的表面上形成該凹刻圖案的同 時，還包括活化部分的該些觸媒顆粒，以形成活化層于該凹刻圖案的內(nèi)面。
8. 如權(quán)利要求7所述的線路板工藝，其中形成該第二線路圖案于該凹刻圖案內(nèi)的方法 包括化學(xué)沉積法。
9. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中形成具有該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該介電層的步驟，包括形成銅箔層于該介電層的表面上；對形成有該銅箔層的該介電層照射激光，以形成至少一從該銅箔層延伸至該第一線路 圖案的盲孔結(jié)構(gòu)；形成電鍍種子層于該盲孔結(jié)構(gòu)內(nèi)與該銅箔層的表面； 透過該電鍍種子層而電鍍形成導(dǎo)電層；以及移除部分該導(dǎo)電層、部分該電鍍種子層及該銅箔層，以形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)并暴露出該介 電層的表面。
10. 如權(quán)利要求9所述的線路板工藝，其中移除部分該導(dǎo)電層、部分該電鍍種子層以及 該銅箔層的方法包括蝕刻或研磨。
11. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中形成具有該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該介電層的步驟，包括形成銅箔層于該介電層的表面上；對形成有該銅箔層的該介電層照射激光，以形成至少一從該銅箔層延伸至該第一線路 圖案的盲孔結(jié)構(gòu)；填入導(dǎo)電材料于該盲孔結(jié)構(gòu)中，以形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及 移除該銅箔層，以暴露出該介電層的表面。
12. 如權(quán)利要求11所述的線路板工藝，其中該導(dǎo)電材料包括金屬導(dǎo)電膏或高分子導(dǎo)電 材料。
13. 如權(quán)利要求1所述的線路板工藝，其中形成具有該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該介電層的步驟，包括形成導(dǎo)電錐于該第一線路圖案上；以及壓合該介電層于該線路基材上，其中該導(dǎo)電錐貫穿該介電層，以構(gòu)成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
14. 如權(quán)利要求13所述的線路板工藝，其中形成該導(dǎo)電錐的方法包括印刷或打線。
全文摘要
一種線路板工藝。首先，提供一線路基材。線路基材具有上表面與第一線路圖案，其中第一線路圖案位于上表面上。接著，形成具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層于線路基材上。介電層覆蓋上表面與第一線路圖案。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)嵌入介電層中且電性連接至第一線路圖案。形成凹刻圖案于介電層的表面上，其中凹刻圖案與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相連接。最后，配置導(dǎo)電材料于凹刻圖案內(nèi)，以形成第二線路圖案，其中第二線路圖案藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一線路圖案。
文檔編號H05K3/46GK101752262SQ20081018376
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者余丞博 申請人:欣興電子股份有限公司