專利名稱：一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于多晶硅提純或鑄錠領域，特別涉及一種多晶硅提純或鑄錠爐 的硅液泄漏防護裝置。
背景技術：
在真空熔煉提純太陽能多晶硅或進行多晶硅鑄錠時，由于各種原因，承 載硅料的蚶堝難免會發(fā)生破裂，而導致硅液泄漏，硅液一旦泄漏，會損壞支 撐坩堝的機構(通常是石墨)和爐體，嚴重的，會導致爐底被熔穿，而使爐 壁的冷卻水與高溫硅液發(fā)生接觸，而導致爆炸，甚至人身傷亡。
硅液泄漏由多種原因引起，如坩堝本身有隱形缺陷，硅液與坩堝或其表 面涂層發(fā)生化學反應導致坩堝侵蝕，硅液凝固時膨脹導致坩堝漲裂，等等。 盡管采取種種措施，在多晶硅鑄錠和提純的時候，硅液泄漏依然難以避免。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要目的是為了解決上述問題，提供一種多晶硅提純或鑄錠 爐的硅液泄漏防護裝置，在硅液萬一發(fā)生泄漏的時候，該裝置能保護爐 體和爐內的設備，防止設備損壞和爆炸的發(fā)生，保護爐前操作工人的人 身安全。
為了達到上述目的，本發(fā)明提供的技術方案是 一種多晶硅提純或 鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，包括坩堝、平臺、石墨支架和不銹鋼平臺； 石墨支架設于不銹鋼平臺上面；平臺設于石墨支架上面；坩堝設于平臺 上面；還包括倒角和凝固槽；平臺上表面開有多個徑向導流槽和多個絆 向導流槽；倒角設在平臺底部的周邊；凝固槽設于平臺的下面并環(huán)繞平臺一周；凝固槽的內周設于倒角的里面，外周延伸到平臺的外面。 平臺的厚度至少為50mm.
徑向導流槽從平臺的中心延徑向向外發(fā)散；煒向導流槽圍繞平臺的 中心，與平臺的周邊形狀相似；徑向導流槽和所述的煒向導流槽相交成 網狀。
徑向導流槽的數量為至少1個；綿向導流槽的數量為至少1個。 徑向導流槽和絆向導流槽的深度和寬度為5mtn~ 40mm;徑向導流槽從
中心向外越來越深；綿向導流槽的深度跟與其相交的徑向導流槽的深度相同。
在最外圈的綿向導流槽開至少 一 個導流口 。
導流口的下部裝有硅液傳感器，該硅液傳感器為線形傳感器。
凝固槽的厚度以能承載坩堝內全部硅液的重量為限；凝固槽的容量 以能裝下坩堝內全部的硅液為限。
凝固槽由高溫耐火材料組成，該高溫耐火材料為高鋁、碳纖或上述 材料的組合。
平臺由高溫耐火材料組成，該耐火材料為石墨、石英、鴒鉬合金或 上述材料的組合。
本發(fā)明的積極效果如下由于平臺上設有導流槽，平臺下面設有倒角和 凝固槽，無論坩堝/人4壬何方位泄漏，泄漏的硅液全部可以通過平臺上的導流 槽而流入凝固槽內，所以徹底避免了各種危險情況的發(fā)生。


圖1:本發(fā)明的結構示意圖； 圖2:本發(fā)明的平臺俯視圖。
具體實施例方式
如圖1所示， 一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，包括 坩堝l、平臺2、石墨支架8和不銹鋼平臺9，石墨支架8設于不銹鋼平 臺9上面；平臺2設于石墨支架8上面；坩堝1設于平臺2上面，平臺 的厚度至少為50mm,還包括倒角6和凝周槽7，在平臺2上表面開有至 少1個徑向導流槽3和至少1個煒向導流槽4，徑向導流槽3從平臺2的 中心延徑向向外發(fā)散；綽向導流槽4圍繞平臺2的中心，與平臺2的周 邊形狀相似；徑向導流槽3和煒向導流槽4相交成網狀；徑向導流槽3 和煒向導流槽4的深度和寬度為5mm 40mm,徑向導流槽3從中心向外越 來越深，絆向導流槽4的深度跟與其相交的徑向導流槽3的深度相同； 在最外圈的綿向導流槽4開至少一個導流口 5，從坩堝1流到平臺2上的 硅液由導流口 5流走，在導流口 5的下部安裝,圭液傳感器10，該硅液傳 感器10為線形傳感器，在硅液流下遇到該硅液傳感器10時，即給出一 個開關信號，在硅液不泄漏時，該硅液傳感器IO給出一個反向的開關信 號。
在平臺2底部的周邊設有倒角6，以防止硅液流向平臺2底面，在平 臺2的下面安裝有一凝固槽7，凝固槽7環(huán)繞平臺2—周，且內周設于倒 角6的里面，外周延伸到平臺2的外面，無論硅液從任何方位流出，均 能直接流入凝固槽7內，從倒角6滴下的硅液也能夠落入凝固槽7內； 凝固槽7的厚度以能承載坩堝1內全部硅液的重量為限，凝固槽7的容 量以能裝下坩堝1內全部的硅液為限；凝固槽7由高溫耐火材料組成，該 高溫耐火材料為高鋁、碳纖或上述材料的組合，該材料與硅的反應速度 較慢，可以進行鈍化，使平臺2表面越來越不易與硅發(fā)生反應；平臺2 由耐火材料組成，該耐火材料為石墨、石英、鴒鉬合金或上述材料的組 合，該等材料應能夠耐高溫，而且不含高溫易揮發(fā)的添加劑。
權利要求
1、一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，包括坩堝、平臺、石墨支架和不銹鋼平臺；石墨支架設于不銹鋼平臺上面；平臺設于石墨支架上面；坩堝設于平臺上面，其特征在于還包括倒角和凝固槽；所述的平臺上表面開有多個徑向導流槽和多個緯向導流槽；所述的倒角設在平臺底部的周邊；所述的凝固槽設于平臺的下面并環(huán)繞平臺一周；所述的凝固槽的內周設于倒角的里面，外周延伸到平臺的外面。
2、 根據權利要求1所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置， 其特征在于所述的平臺的厚度至少為50mm。
3、 根據權利要求1所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置， 其特征在于所述的徑向導流槽從平臺的中心延徑向向外發(fā)散；所述的緯向導流槽圍繞平臺的中心，與平臺的周邊形狀相似；所述的徑向導流 槽和所述的綿向導流槽相交成網狀。
4、 根據權利要求1或3所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護 裝置，其特征在于所述的徑向導流槽的數量為至少1個；所述的綿向 導流槽的數量為至少l個。
5、 根據權利要求1或3所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護 裝置，其特征在于所述的徑向導流槽和綽向導流槽的深度和寬度為 5mm 40mm;所述徑向導流槽從中心向外越來越深，所述的綿向導流槽的 深度跟與其相交的徑向導流槽的深度相同。
6、 根據權利要求1或3所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護 裝置，其特征在于在最外圈的綽向導流槽開至少一個導流口。
7、 根據權利要求6所述的多晶硅提純和鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置， 其特征在于所述的導流口的下部裝有硅液傳感器；該硅液傳感器為線形 傳感器。
8、 根據權利要求1所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，其特征在于所述的凝固槽的厚度以能承載坩堝內全部硅液的重量為限， 所述的凝固槽的容量以能裝下坩堝內全部的硅液為限。
9、 根據權利要求1所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置， 其特征在于所述的凝固槽由高溫耐火材料組成，該高溫耐火材料為高 鋁、碳纖或上述材料的組合。
10、 根據權利要求1所述的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝 置，其特征在于所述的平臺由耐火材料組成，該耐火材料為石墨、石 英、鴒鉬合金或上述材料的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，包括坩堝和平臺，坩堝設于平臺上面，其特征在于還包括倒角和凝固槽，所述的平臺上表面開有多個徑向導流槽和多個緯向導流槽，所述的倒角設在平臺底部的周邊，所述的凝固槽設于平臺的下面并環(huán)繞平臺一周，所述的凝固槽的內周設于倒角的里面，外周延伸到平臺的外面，采用本發(fā)明的多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護裝置，無論坩堝從任何方位泄漏，泄漏的硅液全部可以通過平臺上的導流槽而流入凝固槽內，從而防止設備損壞和爆炸的發(fā)生，保護爐前操作工人的人身安全。
文檔編號C30B28/00GK101423219SQ200810202819
公開日2009年5月6日 申請日期2008年11月17日 優(yōu)先權日2008年11月17日
發(fā)明者珺 史, 宗衛(wèi)峰 申請人:上海普羅新能源有限公司