專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線基板、半導(dǎo)體器件和它們的制造方法、電路板和電子 儀器。
背景技術(shù)：
在要求高密度布線結(jié)構(gòu)時，使用疊層基板。例如用與BGA (Ball Grid Array)禾Q CSP (Chip Scale/Size Package)等高密度安裝對應(yīng)的封裝，作為 插入物，有時使用了疊層基板。作為以往的疊層基板的制造方法，知道疊 層具有通過銅箔的蝕刻而形成的布線圖案的基板，通過在基板上形成導(dǎo)通 孔，填充或電鍍導(dǎo)電材料，實現(xiàn)上下布線圖案的電連接的方法。
根據(jù)以往的方法，為了進(jìn)行蝕刻，光刻工序是必要的，因此，需要掩 模。并且掩模的成本很高。另外，為了導(dǎo)電材料的填充或電鍍，需要形成 較大的導(dǎo)通孔，所以成為布線結(jié)構(gòu)的高密度化的障礙。另外，當(dāng)對導(dǎo)通孔 進(jìn)行電鍍，形成通孔時，在其內(nèi)側(cè)形成了空間，所以必須要設(shè)法除去水分。 另外，當(dāng)疊層3層以上的基板后，采用機(jī)械方式形成導(dǎo)通孔時，在中間層 的基板上無法形成導(dǎo)通孔。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于對于布線基板、半導(dǎo)體器件和它們的制造方法、 電路板和電子儀器，實現(xiàn)低成本化、布線結(jié)構(gòu)的高密度化，同時提高可靠 性和制造自由度。
(1)本發(fā)明的布線基板的制造方法包括形成第一導(dǎo)電層；
形成絕緣層，使至少其一部分配置在第一導(dǎo)電層上； 形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所 述絕緣層上；
分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二 導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所 以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(2) 在該布線基板的制造方法中，其一部分與所述第一導(dǎo)電層的一 部分電導(dǎo)通形成所述第二導(dǎo)電層。
(3) 在該布線基板的制造方法中，可以在所述第一導(dǎo)電層和所述第 一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層。
(4) 在該布線基板的制造方法中，可以用多層形成所述絕緣層； 在形成所述導(dǎo)電層的區(qū)域相鄰的區(qū)域上形成所述絕緣層的下層； 在所述第一導(dǎo)電層和所述所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
(5) 在該布線基板的制造方法中，可以在形成了所述第一導(dǎo)電層后， 形成所述絕緣層的下層。
(6) 在該布線基板的制造方法中，可以在形成了所述絕緣層的下層 后，形成所述第一導(dǎo)電層。
(7) 在該布線基板的制造方法中，還包含在所述第一導(dǎo)電層上噴 出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；
避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
(8) 在該布線基板的制造方法中，形成所述絕緣層，使其上表面至 少與1個所述柱的上表面的高度基本相同。
(9) 在該布線基板的制造方法中，通過至少一個所述柱上，形成所 述第二導(dǎo)電層。
(10) 在該布線基板的制造方法中，可以避開至少一個所述柱，形成 所述第二導(dǎo)電層。
(11) 在該布線基板的制造方法中，還包括.*形成第二絕緣層，使至 少其一部分配置在所述第二導(dǎo)電層上；
形成第三導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第二導(dǎo)電層的上方的所 述第二絕緣層上；噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，可以 噴出絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
(12) 在該布線基板的制造方法中，至少避幵一個所述柱的區(qū)域，形 成所述第二絕緣層；可以通過至少一個所述柱上，形成所述第三導(dǎo)電層。
(13) 在該布線基板的制造方法中，用多道工序形成至少一個所述柱。
(14) 在該布線基板的制造方法中，還包含形成一個或一個以上的 電子元件；
噴出包含材料微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件的多個 元件。
(15) 在該布線基板的制造方法中，各所述電子元件可以是電容器、 電阻、二極管以及晶體管的任意一種。
(16) 在該布線基板的制造方法中，在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形 成至少一個所述電子元件。
(17) 在該布線基板的制造方法中，在所述絕緣層上形成至少一個所 述電子元件。
(18) 在該布線基板的制造方法中，在所述第二絕緣層上形成至少一 個所述電子元件。
(19) 在該布線基板的制造方法中，可以在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
(20) 在該布線基板的制造方法中，所述基板具有凹部，可以通過所 述凹部形成所述第一導(dǎo)電層。
(21) 在該布線基板的制造方法中，可以由絕緣體形成所述基板的至 少表面。
(22) 在該布線基板的制造方法中，所述基板具有絕緣部、貫通所述 絕緣部的導(dǎo)電部；在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部，形成所述第一導(dǎo)電層，與所述導(dǎo)電部電 導(dǎo)通。
(23) 在該布線基板的制造方法中，還包含從所述第一導(dǎo)電層剝離 絕緣層。
(24) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括形成第一導(dǎo)電層； 形成絕緣層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上； 形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上方的所述
絕緣層上；
通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和 第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層，制造 布線基板；
在所述布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所 以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(25) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在使所述第一導(dǎo)電層的一部分 露出的狀態(tài)下，制造所述布線基板；
可以把所述第一導(dǎo)電層的露出部分和所述半導(dǎo)體芯片電連接。
(26) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以電連接所述第一和第二導(dǎo) 電層以外的導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體芯片。
(27) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
(28) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板可以具有凹部，通過 所述凹部，形成所述第一導(dǎo)電層，在所述凹部的區(qū)域內(nèi)安裝所述半導(dǎo)體芯 片。
(29) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板具有絕緣部和貫通所 述絕緣部的導(dǎo)電部；
在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部上，可以與所述導(dǎo)電部電導(dǎo)通形成所述第
一導(dǎo)電層。
(30) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含從所述第一導(dǎo)電層剝 離所述基板。
(31) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含使設(shè)置了電極的面朝上， 把半導(dǎo)體芯片設(shè)置在基板上；
在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所述半
導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；
形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上； 形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述
絕緣層上；
通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和 第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所 以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(32) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板具有凹部，可以在所 述凹部的區(qū)域內(nèi)設(shè)置所述半導(dǎo)體芯片。
(33) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含向設(shè)置了所述半導(dǎo)體 芯片的所述凹部填充樹脂，形成樹脂層；
可以通過所述樹脂層上，形成第一導(dǎo)電層。 G4)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含使設(shè)置了電極的面朝上，
把半導(dǎo)體芯片設(shè)置在基板上；
把具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀的所述第二基板安裝在所述第一 基板上；
在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所
述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；
形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上； 形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述
絕緣層上；
分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二 導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所 以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(35) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比 所述第一基板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
(36) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含在形成了多個集成電路
的半導(dǎo)體晶片上形成第一導(dǎo)電層，使其與電極導(dǎo)通；
形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上； 形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述
絕緣層上；及
切斷所述半導(dǎo)體晶片，
通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和 第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所 以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(37) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以形成所述第二導(dǎo)電層，使 它的一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通。
(38) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述第一導(dǎo)電層上和所 述第一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層。
(39) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，以多層形成所述絕緣層； 在形成所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層的下層； 可以在所述第一導(dǎo)電層和所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
(40) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成了所述第一導(dǎo)電層后， 可以形成所述絕緣層的下層。
(41) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成了所述絕緣層的下層后，
可以形成所述第一導(dǎo)電層。
(42) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含在所述第一導(dǎo)電層上 噴出包含導(dǎo)電層材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；
可以避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
(43) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，形成所述絕緣層，使它的上表 面至少與一個所述柱的上表面變?yōu)閹缀跸嗤母叨取?br> (44) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，通過至少一個所述柱上，形成 所述第二導(dǎo)電層。
(45) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，避開至少一個所述柱，形成所
述第二導(dǎo)電層。
(46) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含形成第二絕緣層，使 至少它的一部分配置在第二導(dǎo)電層上；
形成第三導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的 所述第二絕緣層上；
噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，噴 出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
(47) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，至少避開形成一個所述柱的區(qū) 域，形成所述第二絕緣層；
通過至少一個所述柱上，形成所述第三導(dǎo)電層。
(48) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，用多道工序形成至少一個所述柱。
(49) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含形成一個或一個以上 電子元件；
噴出包含材料的微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件的多 個元件。
(50) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，各所述電子元件可以是電容器、 電阻、二極管、晶體管中的任意一種。
(51) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在形成所述第一導(dǎo)電層的 面上形成至少一個所述電子元件。
(52) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述絕緣層上形成至少 一個所述電子元件。
(53) 在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述第二絕緣層上形成 至少一個所述電子元件。
(54) 本發(fā)明的布線基板由所述方法制造。
(55) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件由所述方法制造。
(56) 本發(fā)明半導(dǎo)體器件包括.-具有凹部的基板；
通過所述凹部而形成的第一導(dǎo)電層； 至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上的絕緣層；
至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上的第二導(dǎo)電層；安裝在所述凹部的區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體芯片。
(57) 在該半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體芯片可以與所述第一導(dǎo)電層電連接。
(58) 在該半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體芯片可以與所述第一以及第二 導(dǎo)電層以外的導(dǎo)電層電連接。
(59) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括 具有凹部的基板；設(shè)置了電極的面向上，設(shè)置在所述基板的具有凹部的區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體 心片；形成在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方，并且與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通的第一導(dǎo)電層;至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層； 至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
(60) 在該半導(dǎo)體器件中，還具有在設(shè)置了所述半導(dǎo)體芯片的所述 凹部形成的樹脂層；可以通過所述樹脂層形成所述第一導(dǎo)電層。
(61) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括 第一基板；設(shè)置了電極的面朝上，設(shè)置在第一基板上的半導(dǎo)體芯片； 具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀，安裝在所述第一基板上的第二基板；通過所述半導(dǎo)體芯片的所述電極，在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成的第一導(dǎo)電層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層； 至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
(62) 在該半導(dǎo)體器件中，所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一基 板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
(63) 本發(fā)明的電路板在安裝了所述半導(dǎo)體器件。
(64) 本發(fā)明的電子儀器具有所述半導(dǎo)體器件。


圖1是說明應(yīng)用本發(fā)明實施例1的布線基板制造方法的圖。
圖2A、 2B是說明應(yīng)用了本發(fā)明實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖3A、3B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖4是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖5是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖6是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖7是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖8是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖9A、9B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。 圖IOA、 10B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的布線基板制造方法的圖。
圖11是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。 圖12是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。 圖13是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。 圖14是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。 圖15A、 15B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。
圖16A、 16B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。
圖17A、 17B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。
圖18A、 18B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。
圖19是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。 圖20是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例2的布線基板制造方法的圖。
圖21A 21C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例3的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖22A 22C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例4的半導(dǎo)體器件制造方法 的圖。
圖23是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例5的布線基板的圖。 圖24是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例5的半導(dǎo)體器件的圖。 圖25A、圖25B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例6的布線基板制造方法 的圖。
圖26A 圖26C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例7的半導(dǎo)體器件制造方 法的圖。
圖27A、 27B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實施例8的電子元件制造方法的圖。
圖28是表示安裝應(yīng)用了本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件的電路板的圖。 圖29是表示具有應(yīng)用了本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件的電子儀器的圖。
圖30是表示具有應(yīng)用了本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體器件的電子儀器的圖。
具體實施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實施例。
圖1 圖IOB是說明本發(fā)明實施例1的布線基板制造方法的圖。在本 實施例中，如圖1所示，使用基板IO?；?0只要是能支撐被設(shè)置在其 上的元件或形成在其上的元件的形狀，就不限于板狀(例如，矩形板)。 基板IO可以由電絕緣體(例如聚酰亞胺等的樹脂和玻璃)、導(dǎo)電體(例如， 銅等金屬)或半導(dǎo)體任意一種形成?；?0可以是由金屬等散熱性材料 構(gòu)成的散熱器(例如散熱板)?；?0的主體由導(dǎo)電體形成的情況下，也 可以由絕緣膜12形成至少它的表面。例如設(shè)置聚酰亞胺等樹脂，在 200 600。C左右的溫度，把它燒結(jié)1 5小時左右，形成絕緣膜12。
在基板10上可以形成凹部14。對于凹部14的開口形狀以及底面形狀 未進(jìn)行特別限定，可以是矩形。凹部14的內(nèi)壁面可以對于基板10的上表
面(凹部14的周圍的面)或凹部14的底面傾斜。即凹部14的內(nèi)壁面可 以是錐面。凹部14的內(nèi)壁面和基板10的上表面(凹部14的周圍的面) 的連接部16可以成為曲面(凸面)。凹部14的內(nèi)壁面和凹部14的底面的 連接部18可以成為曲面(凹面)。通過使連接部16、 18為這樣的形狀， 通過其上的第一導(dǎo)電層20的斷線減少?？梢酝ㄟ^蝕刻、切削或沖壓中的 任意一種方法，形成深度為0.5~數(shù)mm的凹部14。絕緣膜12在凹部14 內(nèi)(具體而言，凹部14的內(nèi)壁面和底面)，可以形成在其整個面上，也可 以只形成在其一部分區(qū)域(形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域)中。絕緣膜12在 基板12的上表面(凹部14周圍的面)，可以形成在其整個面上，也可以 只形成在它的一部分區(qū)域(形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域)中。
如圖2A和圖2B所示，形成第一導(dǎo)電層(例如，包含多條線的布線 圖案)20。在基板10上形成第一導(dǎo)電層20。第一導(dǎo)電層20可以通過凹部 14形成。噴出包含導(dǎo)電性材料(例如金、銀、銅等金屬)的微顆粒的溶劑 液滴，形成第一導(dǎo)電層20?？梢允褂脟娔ɑ驀娕菽?BUBBLE JET)(注 冊商標(biāo))法。作為包含金的微顆粒的溶劑，可以使用真空冶金株式會社的 "完美金(perfect gold)"，作為包含銀的微顆粒的溶劑，可以使用同一公 司的"完美銀(perfect silver)"。此外，微顆粒并未特別限定大小，是與溶 劑能一起噴出的顆粒。把噴出的包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑在 200 60(TC左右的溫度，燒結(jié)I 5小時左右，形成第一導(dǎo)電層20。
另外，形成絕緣層26 (參照圖3B)。噴出包含絕緣性材料(例如聚酰 亞胺等的樹脂)的微顆粒的溶劑液滴，形成絕緣層26。例如，可以使用噴 墨法或噴泡沫(注冊商標(biāo))法。可以用多層(例如下層22和上層24)形 成絕緣層26。這時，可以多次進(jìn)行包含絕緣性材料微顆粒的溶劑液滴的噴 出。可以把噴出的包含絕緣性材料微顆粒的溶劑在200 60(TC左右的溫度， 燒結(jié)1 5小時左右，形成絕緣層26。燒結(jié)可以在形成下層22和上層24 時分別進(jìn)行。
如圖2A和圖2B所示，下層22可以形成在形成第一導(dǎo)電層20的區(qū) 域的相鄰區(qū)域中。在形成第一導(dǎo)電層20后，可以形成下層22。這時，可 以避開第一導(dǎo)電層20的上表面，形成下層22。或者，避開形成第一導(dǎo)電 層20的區(qū)域，形成下層22，在下層22避開的區(qū)域中形成第一導(dǎo)電層20。 可以形成下層22，使它的上表面與第一導(dǎo)電層20的上表面變?yōu)橄嗤母?度，也可以使它的上表面與第一導(dǎo)電層20的上表面變?yōu)椴煌叨取?br> 如圖3A和圖3B所示，可以在第一導(dǎo)電層20和下層22的上表面上 形成上層24?？梢栽谛纬傻谝粚?dǎo)電層20和下層22后，形成上層24。或 者，可以形成下層22，避開第一導(dǎo)電層20，在下層22上形成上層24的 一部分，然后形成第一導(dǎo)電層20，然后，在第一導(dǎo)電層20上形成上層24 的剩余部分。
這樣，形成絕緣層26，使至少它的一部分(例如上層24)配置在第 一導(dǎo)電層20上?？梢员荛_第一導(dǎo)電層20的一部分，形成絕緣層26。也可 以在第一導(dǎo)電層20上以及第一導(dǎo)電層20的相鄰區(qū)域中形成絕緣層26。絕 緣層26也可以覆蓋第一導(dǎo)電層20的面(例如，除去第一導(dǎo)電層20的與 基板10的接觸面、在必要時形成柱30的部分的面、在必要時與半導(dǎo)體芯 片80 (參照圖n)的電連接部的面的面)?？梢员荛_設(shè)置半導(dǎo)體芯片的區(qū) 域(例如凹部14內(nèi)的底面的至少一部分)，形成絕緣層26。
以上的說明是用多層(例如多次工藝)形成絕緣層26的實例，但是 也可以用1層(1次工藝)形成絕緣層26。例如，首先形成第一導(dǎo)電層20， 然后形成絕緣層26，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。
如圖3A和圖3B所示，在第一導(dǎo)電層20上，可以形成一個或一個以 上的柱30。柱30是電連接上下導(dǎo)電層的部分。如果其一部分被放置在第 一導(dǎo)電層20上，則柱30可以比第一導(dǎo)電層20還大。通過噴出包含導(dǎo)電 性材料微顆粒的溶劑液滴，形成柱30。避開形成柱30的區(qū)域，形成絕緣 層26。形成絕緣層26 (例如它的上層24)，使它的上表面至少與一個柱 30的上表面變?yōu)橄嗤叨取?br> 在第一導(dǎo)電層20上形成了柱30后，可以形成絕緣層26，在形成了絕 緣層26的至少一部分(它的一部分(例如下層22)或全體)后，在第一 導(dǎo)電層20上形成柱30。
作為在第一導(dǎo)電層20上形成的柱30，例如有如下幾種。圖30A所示 的柱30只由形成在第一導(dǎo)電層20上的柱31構(gòu)成。圖5所示的柱30可以 由第一導(dǎo)電層20上的柱31 (參照圖3A)、形成在其上的柱32 (參照圖4) 和形成在其上的柱33 (參照圖5)、形成在其上的柱34 (參照圖6)、形成
在其上的柱35構(gòu)成。這樣，可以用1層形成柱30，也可以用多層形成。 成為柱30的構(gòu)成要素柱31、 32、 33、 34、 35分別通過包含導(dǎo)電性材料微 顆粒的溶劑液滴的噴出而形成。另外，可以按順序形成柱31、 32、 33、 34、 35。即至少可以由多個工序形成一個柱30。
如圖4所示，形成第二導(dǎo)電層(例如，包含多條線的布線圖案)40。 形成第二導(dǎo)電層40，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。第二導(dǎo) 電層40的細(xì)節(jié)與第一導(dǎo)電層20的內(nèi)容對應(yīng)?？梢孕纬傻诙?dǎo)電層40，使 它的一部分與第一導(dǎo)電層20的一部分電導(dǎo)通。例如，通過至少一個柱30 (例如只由柱30)形成第二導(dǎo)電層40。這樣，通過柱30，第一導(dǎo)電層20 的一部分和第二導(dǎo)電層40的一部分導(dǎo)通。關(guān)于第一、第二導(dǎo)電層20、 40 對其他部分，通過絕緣層26能實現(xiàn)電絕緣。此外，也可以避幵至少一個 柱31 (具體而言，在其上形成了柱32的柱31 (參照圖3A))，形成第二 導(dǎo)電層40。
根據(jù)本實施例，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層20、 40和 絕緣層26，所以能以低成本實現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制 造的自由度。
如圖5所示，也可以形成第二絕緣層46，使至少它的一部分配置在第 二導(dǎo)電層40上?？梢员荛_第二導(dǎo)電層40的一部分，形成第二絕緣層46。 第二絕緣層46的細(xì)節(jié)與絕緣層(第一絕緣層)26的內(nèi)容對應(yīng)。例如由圖 4所示的下層42和圖5所示的上層44形成第二絕緣層46。關(guān)于下層42 和上層44，與下層22以及上層24的內(nèi)容對應(yīng)。另外，可以避開設(shè)置半導(dǎo) 體芯片80 (參照圖11)的區(qū)域(例如凹部14內(nèi)的底面的至少一部分)， 形成第二絕緣層46。
可以在圖3A所示的任意柱31上形成柱32。這時，至少避開一個形 成柱32的區(qū)域，形成第二絕緣層46。如圖5所示，還可以在柱32上形成 柱33。另外，可以在第二導(dǎo)電層40上形成柱50 (參照圖9)。柱50由以 下部分形成如圖5所示，第二導(dǎo)電層40上形成的柱51;如圖6 圖9所 示，形成在其上的柱52 55。柱50的細(xì)節(jié)與柱30的內(nèi)容對應(yīng)。
如圖6所示，可以形成第三導(dǎo)電層60，使至少它的一部分配置在第二 導(dǎo)電層40的上方的第二絕緣層46上。第三導(dǎo)電層60的細(xì)節(jié)與第一導(dǎo)電
層20對應(yīng)?？梢孕纬傻谌龑?dǎo)電層60，使它的一部分與第一或第二導(dǎo)電層 20、 40的一部分電導(dǎo)通。例如，可以通過至少一個柱30 (例如由柱31、 32、 33構(gòu)成的柱)上，形成第二導(dǎo)電層40。通過這樣，通過柱30，第一 導(dǎo)電層20的一部分與第三導(dǎo)電層60的一部分電導(dǎo)通。同樣，也可以通過 至少一個柱51上，形成第三導(dǎo)電層60 (該例子未圖示)。通過這樣，通過 柱51，第二導(dǎo)電層40的一部分與第三導(dǎo)電層60的一部分電導(dǎo)通。第一以 及第二第二導(dǎo)電層20、 40和第三導(dǎo)電層60關(guān)于其他部分，通過第二絕緣 層46能謀求電絕緣。此外，可以避開至少一個柱34、 52，形成第三導(dǎo)電 層60。
根據(jù)必要，如圖7和圖8所示，重復(fù)以上的工序，疊層導(dǎo)電層和絕緣 層。然后，如圖9A和圖9B所示，形成絕緣層72，使柱50、 70的上表面 露出。柱50設(shè)置在第二導(dǎo)電層40上，柱70設(shè)置在此外的導(dǎo)電層或柱上 (省略了細(xì)節(jié))?？梢栽谛纬赏獠慷俗拥奈恢眯纬芍?0、 70。柱50、 70 并不局限于圖9A所示的數(shù)量和排列，可以排列為矩陣狀(多行多列)或 區(qū)域陣列狀。
如圖IOA和圖IOB所示，在柱50、 70上可以形成比它們的上表面還 大的連接盤74。連接盤74通過柱50、 70電連接在任意的導(dǎo)電層(例如第 一導(dǎo)電層20)上。至少一個連接盤74與電連接了半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電層(例 如第一導(dǎo)電層20)電連接。另外，可以形成絕緣層76，使連接盤74的至 少一部分露出。對于連接盤74，可以應(yīng)用第一導(dǎo)電層20的內(nèi)容。對于絕 緣層76，可以應(yīng)用絕緣層26的內(nèi)容。
這樣，能制造出布線基板。布線基板具有從上述說明導(dǎo)出的結(jié)構(gòu)。如 圖10A和圖10B所示，可以露出第一導(dǎo)電層20的一部分。例如，在基板 10的凹部14的區(qū)域內(nèi)，可以露出第一導(dǎo)電層20的一部分。該露出部分可 以在與半導(dǎo)體芯片80的電連接中使用。
圖ll和圖12是說明半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。在本實施例中，在 上述的布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯片80關(guān)于焊盤排列是外 圍型，在周邊部排列著焊盤。可以電連接第一導(dǎo)電層20的露出部分和半 導(dǎo)體芯片80?；蛘?，電連接與第一導(dǎo)電層20不同的導(dǎo)電層(例如，第二 導(dǎo)電層40或與第二導(dǎo)電層40不同的導(dǎo)電層)和半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯
片80的安裝可以應(yīng)用圖11所示的面朝下接合，也可以應(yīng)用面朝上接合， 通過引線實現(xiàn)電連接。在基板10的凹部14的區(qū)域內(nèi)可以安裝半導(dǎo)體芯片 80。
如圖12所示，在安裝了半導(dǎo)體芯片80的凹部14中，可以填充環(huán)氧 等的樹脂84。另外，在連接盤74上可以設(shè)置焊錫等焊料(軟焊料和硬焊 料)82。焊料可以是焊錫球，也可以是焊錫膏。
本實施例的半導(dǎo)體器件具有形成了凹部14的基板10。通過凹部14， 形成第一導(dǎo)電層20。絕緣層26的至少一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。第 二導(dǎo)電層40的至少一部分配置在第一導(dǎo)電層20的上方的絕緣層26上。 在凹部14的區(qū)域內(nèi)安裝著半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯片80可以與第一導(dǎo)電 層20電連接?；蛘撸雽?dǎo)體芯片80可以與第一以及第二導(dǎo)電層20、 40 以外的導(dǎo)電層電連接。
根據(jù)本實施例，使用液滴的噴出，在第一以及第二導(dǎo)電層上形成絕緣 層，所以能以低成本實現(xiàn)高密度話，能提高可靠性和制造的自由度。 (實施例2)
圖13是說明本發(fā)明實施例2的布線基板的平面圖，圖14是說明使用 了圖13所示的布線基板的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在本實施例中，使用實 施例1中說明的基板10。在基板IO上形成凹部14，在其上形成絕緣膜12。
圖13所示的布線基板具有多個連接盤100。連接盤100形成在布線基 板的最上層。連接盤100可以配置在布線基板的中央部(例如凹部14的 區(qū)域內(nèi))。連接盤100配置為區(qū)域陣列狀(多行多列(例如3行以上，3 列以上)。連接盤IOO是用于與半導(dǎo)體芯片102接合。布線基板除了與半 導(dǎo)體芯片102接合的連接盤100，還可以具有用于設(shè)置外部端子的連接盤 104。
如圖14所示，半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片102。半導(dǎo)體芯片102關(guān)于 焊盤排列是區(qū)域陣列型。半導(dǎo)體芯片102可以面朝下接合到布線基板上。 在半導(dǎo)體芯片102的焊盤上可以形成凸臺。半導(dǎo)體芯片102的焊盤與連接 盤100電連接。
在基板10上形成凹部14，在凹部14的底面上方形成連接盤100。因 此，形成了連接盤100的區(qū)域(例如布線基板的中央部)比其它的區(qū)域(例
如布線基板的端部)低。安裝在布線基板上的半導(dǎo)體芯片102的上表面(與 形成了焊盤的面相反一側(cè)的面)比布線基板14的外側(cè)區(qū)域的最上層(例 如連接盤104)的表面還低。可以由樹脂106覆蓋半導(dǎo)體芯片102。例如， 可以在與凹部14對應(yīng)而形成的凹陷中設(shè)置樹脂106。
在連接盤104上可以設(shè)置焊錫等的焊料108 (軟焊料和硬焊料)。焊料 可以是焊錫球，也可以是焊錫膏。至少一個連接盤104與至少一個連接盤 100電連接。
圖15A 圖20是說明本發(fā)明實施例2的布線基板制造方法的圖。在本 實施例中，如圖15A和圖15B所示，形成第一導(dǎo)電層120?？梢栽诮^緣層 12上形成第一導(dǎo)電層120。第一導(dǎo)電層120作為在電連接中使用的導(dǎo)電層， 可以是最下層的導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層120可以由多條線構(gòu)成。線的一部分 (例如頂端部)可以與形成任意連接盤100 (參照圖13)的位置重復(fù)配置。 具體而言，多個連接盤100中，成為位于內(nèi)側(cè)的連接盤112 (參照圖13) 和第一導(dǎo)電層120的一部分(例如線的一部分121)重復(fù)的位置。第一導(dǎo) 電層120的內(nèi)容(材料和形成方法)與實施例1中說明的關(guān)于第一導(dǎo)電層 20的內(nèi)容對應(yīng)。
如圖16A和圖16B所示，形成絕緣層126和柱131。絕緣層126和柱 131的內(nèi)容(材料和形成方法)與實施例1中說明的關(guān)于絕緣層26和柱 31的內(nèi)容對應(yīng)。在第一導(dǎo)電層120中，在其一部分(例如圖15A所示的 線的一部分121)上形成柱141。柱141形成在與半導(dǎo)體芯片102的焊盤 對應(yīng)的位置(形成連接盤100的位置)。柱141可以只形成在多個連接盤 100中與位于內(nèi)側(cè)的連接盤112 (參照圖13)對應(yīng)的位置。柱141的內(nèi)容 (材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容相同。
如圖17A和圖17B所示，形成第二導(dǎo)電層150。第二導(dǎo)電層150形成 在絕緣層126上。第二導(dǎo)電層150的內(nèi)容(材料和形成方法)與實施例1 中說明的關(guān)于第二導(dǎo)電層40的內(nèi)容對應(yīng)。構(gòu)成多個第二導(dǎo)電層150的多 條線中，任意線的一部分(例如頂端部)151可以配置在與連接盤IOO對 應(yīng)的位置。線的一部分151配置在比剛才形成的線的一部分121 (參照圖 15A)還靠位于外側(cè)的連接盤114的位置(參照圖13)。
另夕卜，在柱131、 141上再形成柱132、 142。柱132、 142的內(nèi)容(材
料和形成方法)與關(guān)于柱131、 141的內(nèi)容相同。此外，雖然在圖17A和 圖17B中未表示，但是形成通過柱141和柱131的至少一方之上形成第二 導(dǎo)電層150。
如圖18A和圖18B所示，形成第二絕緣層156。另外，在柱132上形 成柱133。另外，可以在柱132上形成柱133。疊層的柱131、 132、 133 當(dāng)在其上不再形成柱時，能成為一個柱130。可以在第二導(dǎo)電層150上形 成柱160。在柱142上再形成柱143?？梢栽诘诙?dǎo)電層150 (例如線的頂 端部)上形成柱171。第二絕緣層156的內(nèi)容(材料和形成方法)與實施 例1中說明的關(guān)于第二絕緣層46的內(nèi)容可以相同。柱133、 160、 143、 171 的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容可以相同。
如圖19所示，可以形成第三導(dǎo)電層180。第三導(dǎo)電層180形成在第二 絕緣層156上。可以通過柱130上，形成第三導(dǎo)電層180。第三導(dǎo)電層180 的內(nèi)容(材料和形成方法)與實施例1中說明的關(guān)于第二導(dǎo)電層40的內(nèi) 容對應(yīng)。在柱143、 171上再形成柱144、 172。柱143、 171的內(nèi)容(材料 和形成方法)與關(guān)于柱141的內(nèi)容可以相同。
如圖20所示，可以形成第三絕緣層186。另外，可以在柱134上形成 柱135。疊層的柱134 135當(dāng)在其上不再形成柱時，成為一各柱131-135。 可以在第三導(dǎo)電層180上形成柱190?？梢栽谥?44、 172上再形成柱145、 173。疊層的柱141 145 (或者柱171-173)當(dāng)在其上不再形成柱時，能成 為一個柱140 (或者柱170)。第三絕緣層186的內(nèi)容(材料和形成方法) 與實施例1中說明的關(guān)于第二絕緣層的內(nèi)容可以相同。柱135、 190、 145、 173的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容相同。
如圖13所示，在柱130、 190上可以形成連接盤104。柱140、 170 的表面可以是連接盤112、 114，可以在柱14、 170上形成導(dǎo)電層，形成連 接盤。
在本實施例中，能應(yīng)用在其他實施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他 實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi)容。 (實施例3)
圖21A 圖21C是說明本發(fā)明實施例3的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。 在本實施例中，如圖21A所示，把設(shè)置了電極212的面朝上，在基板200
上設(shè)置半導(dǎo)體芯片210。在基板200上可以形成絕緣膜204?；?00可 以具有凹部202。凹部202的內(nèi)壁面可以垂直立起，也可以傾斜，可以成 為曲面(凸面或凹面)。在凹部202的區(qū)域內(nèi)可以設(shè)置半導(dǎo)體芯片210?；?板200和半導(dǎo)體芯片210可以由接合劑214接合。在設(shè)置了半導(dǎo)體芯片210 的凹部202可以填充樹脂216。這樣，如圖21B所示，在設(shè)置了半導(dǎo)體芯 片210的凹部202中能通過樹脂216形成樹脂層。
如圖21C，在基板200 (例如，凹部202的周圍區(qū)域)和半導(dǎo)體芯片 210的上方形成第一導(dǎo)電層220。例如，在電極212上形成凸臺218，通過 其上形成第一導(dǎo)電層220。第一導(dǎo)電層220可以通過由樹脂216形成的樹 脂層上形成。半導(dǎo)體芯片210和第一導(dǎo)電層220之間，可以存在絕緣體(膜 或?qū)?。另外，形成絕緣體226，至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層220 上。形成第二導(dǎo)電層230，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層220上方 的絕緣層226上。第一和第二導(dǎo)電層220、 230可以柱240電連接(接合)。
第一和第二導(dǎo)電層220、 230以及絕緣層226的內(nèi)容與實施例1中說 明的第一和第二導(dǎo)電層20、 40以及絕緣層26的內(nèi)容對應(yīng)。凸臺218也由 與第一導(dǎo)電層220相同的方法形成。可以在第二導(dǎo)電層230上疊層絕緣層、 導(dǎo)電層和柱。具體而言，如實施例1和2中所述。
這樣能制造半導(dǎo)體器件。其結(jié)構(gòu)具有能從上述的制造方法導(dǎo)出的內(nèi) 容。在本實施例中，能實現(xiàn)實施例1中說明的效果。在本實施例中，能應(yīng) 用在其他實施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi) 容。
(實施例4)
圖22A 圖22C是說明本發(fā)明實施例4的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。 在本實施例中，如圖22A所示，把設(shè)置了電極302的面朝上，在第一基板 310上設(shè)置半導(dǎo)體芯片300。第一基板310可以具有凸部312，這時，可以 在凸部312上設(shè)置半導(dǎo)體芯片300。第一基板310和半導(dǎo)體芯片300可以 由接合劑314接合。當(dāng)?shù)谝换?10是導(dǎo)體時，可以在其表面形成絕緣膜， 可以通過接合劑314謀求與半導(dǎo)體芯片300的電絕緣。
另外，把具有避開半導(dǎo)體芯片300的形狀(例如具有孔322)的第二 基板320安裝在第一基板310上。在孔322內(nèi)側(cè)可以配置第一基板310的
凸部312。第一和第二基板310、 320可以由接合劑314接合。第二基板(例 如玻璃和陶瓷基板)320的熱膨脹系數(shù)可以比第一基板(例如金屬板)更 接近半導(dǎo)體芯片300的熱膨脹系數(shù)。第一基板310可以是散熱板。
在孔322的內(nèi)側(cè)可以填充樹脂316。這樣，如圖22B所示，在孔322 內(nèi)，可以通過樹脂316形成樹脂層。
如圖22C所示，在第二基板320和半導(dǎo)體芯片300的上方形成第一導(dǎo) 電層220，使它與半導(dǎo)體芯片的電極302導(dǎo)通。此后的工序與實施例3中 說明的內(nèi)容相同，所以省略了說明。這樣，就能制造半導(dǎo)體器件。其結(jié)構(gòu) 具有能從上述的制造方法導(dǎo)出的內(nèi)容。在本實施例中，能實現(xiàn)實施例l中 說明的效果。在本實施例中，能應(yīng)用在其他實施中說明了的內(nèi)容。另外， 能在其他實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi)容。 (實施例5)
圖23是說明本發(fā)明實施例5的布線基板的圖。在本實施例中，基板 400具有絕緣部(例如由陶瓷、環(huán)氧或聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的部分)402、 貫通絕緣部402的導(dǎo)電部(例如由金屬構(gòu)成的部分)404。導(dǎo)電部404的 從絕緣部402的露出面可以是凸臺的形狀。
在絕緣部402和導(dǎo)電部404上形成第一導(dǎo)電層410，使其與導(dǎo)電部404 電導(dǎo)通。例如在導(dǎo)電部404上形成柱412，通過其上形成第一導(dǎo)電層410。 此后的工序與實施例1 4中說明的內(nèi)容對應(yīng)。即在第一導(dǎo)電層410上疊層
絕緣層和導(dǎo)電層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。
然后，如圖24所示，把半導(dǎo)體芯片420電連接在焊盤430上。這樣
就能制造半導(dǎo)體器件。如果必要，可以在半導(dǎo)體芯片420上安裝散熱板 440。另外，在導(dǎo)電部404上可以設(shè)置焊錫球等焊料450。在本實施例中， 能實現(xiàn)實施例1中說明的效果。在本實施例中，能應(yīng)用在其他實施中說明 了的內(nèi)容。另外，能在其他實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi)容。 (實施例6)
圖25A 25B是說明本發(fā)明實施例6的布線基板的圖。在本實施例中， 如圖25A所示，在基板(金屬板、玻璃基板或抗蝕劑膜)500上形成第一 導(dǎo)電層510，在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。具體 而言，如實施例1~5所述。
然后，如圖25B所示，從第一導(dǎo)電層510 (具體而言，從包含第一導(dǎo) 電層的疊層基板)剝離基板500。在該布線基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，就能 制造半導(dǎo)體器件。在本實施例中，能應(yīng)用在其他實施中說明了的內(nèi)容。另 外，能在其他實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi)容。 (實施例7)
圖26A 26C是說明本發(fā)明實施例7的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。在 本實施例中，如圖26A所示，在形成了多個集成電路602的半導(dǎo)體芯片 600上，與電極604導(dǎo)通形成第一導(dǎo)電層610，在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電 層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。具體而言，如實施例1 5所述。
然后，如圖26B所示，切斷半導(dǎo)體片600。如圖26A所示，能制造半 導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片630、在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電層 而形成的高密度布線結(jié)構(gòu)、悍料620。在本實施例中，能實現(xiàn)實施例l中 說明的效果。在本實施例中，能應(yīng)用在其他實施中說明了的內(nèi)容。另外， 能在其他實施中應(yīng)用本實施例的內(nèi)容。 (實施例8)
圖27A 圖27B是說明能在本發(fā)明實施例中應(yīng)用的電子元件的制造方 法的圖。電子元件能形成在形成第一導(dǎo)電層的面、絕緣層或第二絕緣層的 任意一個之上。
本實施例的電子元件的制造方法包含噴出包含材料微顆粒的溶劑液 滴，分別形成構(gòu)成一個電子元件的多個元件。例如，如圖27A和圖27B 所示，形成第一、第二和第三層701、 702和703。第一、第二和第三層 701、 702和703可以疊層形成，也可以相鄰形成。
在形成電容器時，用導(dǎo)體形成第一和第三層701、 703，用絕緣體形成 第二層702。當(dāng)用金形成第一和第三層701、 703時，能使用真空冶金株式 會社的"完美金(perfectgold)"，當(dāng)用銀形成時，可以使用同一公司的"完 美銀(perfect silver)"。作為用于形成第二層702的絕緣性材料，有Si02 禾口AL;z03、介質(zhì)SrTi03、 BaTi03、 Pb(Zr、 11)03等。作為溶劑，列舉出環(huán) 己烷、卡必醇乙酸酯。作為濕潤劑或粘合劑，按照必要，可以加上丙三醇、 二甘醇、乙二醇酯等。另外，作為包含絕緣性材料的流動體，可以使用聚 硅氮烷或包含絕緣體材料的烴氧基金屬。這時，能通過加熱或化學(xué)反應(yīng)等，
形成絕緣體材料。第二層702的寬度、長度和絕緣性材料的介電常數(shù)按照 形成的電容器的電容決定。通過成為對置電極的第一和第三層701、 703 的面積和間隙以及第二層702的介電常數(shù)決定電容器的電容。當(dāng)?shù)谝?、?二或第三層701、 702、 703的厚度厚時，再向暫時凝固的層上噴出同一流 體，使其凝固而進(jìn)行疊層。
第一、第二和第三層701、 702和703的至少一個是電阻。作為電阻 材料，列舉出導(dǎo)電性粉末和絕緣性粉末的混合、Ni-Cr、 Cr-Si02、 Cr-MgF、 Au-Si02、 AuGgF、 PtTa2Os、 AuTa2OsTa2、 Cr3Si、 TaSi2，作為溶劑，列舉 出PGMEA、環(huán)己烷、卡必醇乙酸酯。作為濕潤劑或粘合劑，按照必要， 可以加上丙三醇、二甘醇、乙二醇酯等。另外，作為包含絕緣性材料的流 動體，可以使用聚硅氮烷或包含絕緣體材料的烴氧基金屬。這時，能通過 加熱或化學(xué)反應(yīng)等，形成絕緣體材料。按照想形成的電阻的電阻值，決定 電阻材料。此外，按照想形成的電阻的電阻值，決定電阻膜的寬度、高度 和長度。因為電阻的電阻值與長度成比例，與截面積成反比。
或者，用電阻材料形成實施例1中說明的第一導(dǎo)電層20的一部分。 另外，也能形成二極管和晶體管。這時，噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶 劑液滴，形成第一、第二和第三層70K 702、 703。
圖28中表示了安裝了上述的任意實施例中說明的半導(dǎo)體器件1的電 路板1000。作為具有半導(dǎo)體器件的電子儀器，在圖29中表示了筆記本型 個人電腦2000，在圖30中表示了移動電話3000。
本發(fā)明并不局限于上述的實施例，能有各種變形。例如，本發(fā)明包含 與實施例中說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上同一的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果同 一的結(jié)構(gòu)、或者目的以及結(jié)果同一的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實 施例中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含能實現(xiàn)與實 施例中說明的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生同一作用效果的結(jié)構(gòu)或?qū)崿F(xiàn)統(tǒng)一目的的結(jié)構(gòu)。另 外，本發(fā)明包含在實施例中說明的結(jié)構(gòu)上附加了眾所周知的技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在形成了多個集成電路的半導(dǎo)體晶片上形成與其電極導(dǎo)通的第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；及切斷所述半導(dǎo)體晶片，通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 形成所述第二導(dǎo)電層，使其一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 在所述第一導(dǎo)電層上和所述第一導(dǎo)電層的鄰接區(qū)域中形成所述絕緣層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于-由多層形成所述絕緣層；在形成所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層的下層； 在所述第一導(dǎo)電層和所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在形成了所述第一導(dǎo)電層后，形成所述絕緣層的下層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 在形成了所述絕緣層的下層后，形成所述第一導(dǎo)電層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于.v 還包含通過在所述第一導(dǎo)電層上噴出包含導(dǎo)電層材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 形成所述絕緣層，使其上表面至少與一個所述柱的上表面的高度基本相同。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 形成所述第二導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 避開至少一個所述柱，形成所述第二導(dǎo)電層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 還包含形成第二絕緣層，使至少其一部分被配置在第二導(dǎo)電層上； 形成第三導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述第二絕緣層上；通過噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電 層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 至少避開形成一個所述柱的區(qū)域，形成所述第二絕緣層；形成所述第三導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于用多道工序形成至少一個所述柱。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 還包含形成一個或一個以上電子元件；通過噴出包含材料的微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件 的多個元件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于各所述電子元件是電容器、電阻、二極管、晶體管中的任意一種。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形成至少一個所述電子元件。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 在所述絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于 在所述第二絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
全文摘要
一種布線基板及半導(dǎo)體器件及其制造方法。形成第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層，制造布線基板；在所述布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片。
文檔編號H05K3/20GK101369547SQ20081021289
公開日2009年2月18日 申請日期2003年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月23日
發(fā)明者大槻哲也 申請人:精工愛普生株式會社