專利名稱：：轉(zhuǎn)印用基板和有機電致發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)印用基板(transfersubstrate)和有機電致發(fā)光元件的制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及用于形成發(fā)光層圖案的轉(zhuǎn)印用基板和利用該轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光元件的方法。
背景技術(shù)：
：使用有機電致發(fā)光元件(所謂的有機EL元件)的顯示器件，作為質(zhì)量輕且效率高的平板顯示器件，近來倍受關(guān)注。用于這種顯示器件的有機電致發(fā)光元件設(shè)置在透明基板例如玻璃上，并布置為從基板側(cè)觀察時ITO(氧化銦錫透明電極)制成的陽極、有機層和陰極順次層疊。有機層具有如下布置從陽極側(cè)觀察時空穴注入層、空穴傳輸層和可傳輸電子的發(fā)光層順次層疊。對于如此布置的有機電致發(fā)光元件，從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在發(fā)光層復(fù)合，從而光透過陽極從基板側(cè)射出。使R(紅)、G(綠)和B(藍)各色有機電致發(fā)光元件排列在基板上，形成利用這種有機電致發(fā)光元件的全色顯示器件。在制造這種顯示器件時，由能夠發(fā)射各色光的有機發(fā)光材料形成的發(fā)光層應(yīng)形成相應(yīng)于各發(fā)光元件的圖案。目前，通過例如蔭罩法(經(jīng)由在薄板上設(shè)置開口圖案而形成的掩模，真空蒸鍍或涂覆發(fā)光材料)或噴墨法，形成發(fā)光層的圖案。通過蔭罩法形成圖案時，難以實現(xiàn)有機電致發(fā)光元件的更精細化和高集成度，這是因為掩模中形成的開口圖案難以實現(xiàn)更精細的制造，此外由于掩模的撓曲和拉伸，在發(fā)光元件區(qū)域中難以形成具有高度定位精準(zhǔn)性的圖案。包括預(yù)先形成的有機層的功能層接觸形成有開口圖案的掩模時易于受損，從而導(dǎo)致制造成品率下降。通過噴墨法形成圖案時圖案化的精準(zhǔn)度有限，因而難以實現(xiàn)電致發(fā)光器件的精細制造和高集成度以及大尺寸基板的形成。為避免上述問題，作為有機材料構(gòu)成的發(fā)光層或其它功能層的新型圖案化方法，提出了利用能源(熱源)的轉(zhuǎn)印方法(即熱轉(zhuǎn)印法)。例如以下述方式利用熱轉(zhuǎn)印法制造顯示器件。首先，在顯示器件的基板(此后稱為"器件基板，，)上形成下部電極。另一方面，經(jīng)由光熱轉(zhuǎn)化層在另一基板(此后稱為"轉(zhuǎn)印用基板")上形成發(fā)光層。布置器件基板和轉(zhuǎn)印用基板，以使發(fā)光層和下部電極彼此相對，在這種布置下，從轉(zhuǎn)印用基板一側(cè)照射激光束，從而使發(fā)光層熱轉(zhuǎn)印到器件基板的下部電極上。此時通過點射激光束(spot-irradiatedlaserbeam)進行掃描時，發(fā)光層以高度的定位精準(zhǔn)性僅僅熱轉(zhuǎn)印到下部電極上的給定區(qū)域(見特開2002-110350號公報和特開平11-260549號公報)。針對按照熱轉(zhuǎn)印法制造的有機電致發(fā)光元件，提出了在熱轉(zhuǎn)印發(fā)光層之前對器件基板和轉(zhuǎn)印用基板進行熱處理來改善發(fā)光效率和亮度半衰期的方法(見特開2003-229259號公凈艮)。此外，提出了使用升華性化合物作為激光誘導(dǎo)熱圖像形成系統(tǒng)的高敏感度供體來增加敏感度的方法(見特開平10-6643號公報)。另一方面，披露了在有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層中使用具有芳族環(huán)(包號公報)。然而，利用這種熱轉(zhuǎn)印法得到的發(fā)光元件存在下述問題激光照射使轉(zhuǎn)印層劣化(盡管取決于該轉(zhuǎn)印層使用的有機材料的類型)，使得與蔭罩法制造的發(fā)光元件相比，發(fā)光效率降低，驅(qū)動電壓升高并且亮度半衰期縮短。因而，如上所述通過這種方法作出的改進就其所產(chǎn)生的效果而言并不令人滿意。
發(fā)明內(nèi)容期望提供用于制造能夠保持高發(fā)光效率和長亮度半衰期的有機電致發(fā)光元件的轉(zhuǎn)印用基板。還期望提供如上所述利用該轉(zhuǎn)印用基板并能夠改善發(fā)光效率和亮度半衰期的有機電致發(fā)光元件的制造方法。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實施方案提供轉(zhuǎn)印用基板，該轉(zhuǎn)印用基板包括透光性支撐基板、形成在支撐基板上的光熱轉(zhuǎn)化層和形成在光熱轉(zhuǎn)化層上的轉(zhuǎn)印層，其中轉(zhuǎn)印層是被轉(zhuǎn)印作為有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的層并由金屬配合物、熒光發(fā)光摻雜劑和母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴的混合物形成。此外，本發(fā)明的另一實施方案提供利用上述轉(zhuǎn)印用基板的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于使用該轉(zhuǎn)印用基板形成發(fā)光層。在該實施方案中，在轉(zhuǎn)印層朝向器件基板側(cè)的狀態(tài)下，將轉(zhuǎn)印用基板與器件基板相對放置。通過從支撐基板側(cè)照射光束使轉(zhuǎn)印層升華以轉(zhuǎn)印器件基板上的轉(zhuǎn)印層，從而形成發(fā)光層。在上述布置中，由于轉(zhuǎn)印用基板的轉(zhuǎn)印層由金屬配合物、熒光發(fā)光摻雜劑和母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴組成的三元材料形成，因而通過該轉(zhuǎn)印層的升華而形成的發(fā)光層由三元材料形成。已證實，盡管在所述三元材料構(gòu)成的發(fā)光層中芳族烴對發(fā)光沒有貢獻，但與不含芳族烴的情況相比，由所述三元材料形成的發(fā)光層具有較高的發(fā)光效率和較長的亮度半衰期。此外，與通過真空共蒸鍍法得到的發(fā)光層相比，所述發(fā)光層的三種材料的混合狀態(tài)具有較高的均一性并且具有控制更精確的材料比。因而，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，可獲得由三元材料形成的發(fā)光層，該發(fā)光層以高度的均一性和高精準(zhǔn)性的材料比保證高的發(fā)光效率和改善的亮度半衰期。使用該發(fā)光層，可獲得發(fā)光效率和亮度半衰期進一步改善的有機發(fā)光元件。圖l為根據(jù)本發(fā)明實施方案的轉(zhuǎn)印用基板的截面示意圖2A和2B為包括根據(jù)本發(fā)明實施方案使用轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致光元件的方法的顯示器件的制造方法中一個步驟的截面示意圖；圖3A和3B為圖2B所示步驟之后的步驟的截面示意圖；圖4A和4B為圖3B所示步驟之后的步驟的截面示意圖；圖5為通過本發(fā)明另一實施方案的制造方法獲得的另一種顯示器件的截面示意圖6A和6B為本發(fā)明再一實施方案的顯示器件的電路圖；圖7為應(yīng)用本發(fā)明密封類型的模塊狀顯示器件的示意圖；圖8為應(yīng)用本發(fā)明的電視機的透視圖9A和9B為應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)碼相機的示意圖，其中圖9A為相機的正面透視圖，圖9B為相機的背面透視圖10為應(yīng)用本發(fā)明的筆記本個人電腦的透視圖；圖11為應(yīng)用本發(fā)明的攝像機的透視圖12A-12G為應(yīng)用本發(fā)明的移動設(shè)備的示意圖，其中12A為該設(shè)備處于打開狀態(tài)時的平面圖，圖12B為側(cè)視圖，圖12C為該設(shè)備處于關(guān)閉狀態(tài)時的平面圖，圖12D為左側(cè)視圖，圖12E為右側(cè)視圖，圖12F為頂視圖，以及圖12F為底視圖。具體實施例方式現(xiàn)參考附圖對本發(fā)明的實施方案進行說明。在以下實施方案中，示例紅(R)、綠(G)、藍(B)各色有機電致發(fā)光元件排列在基板上制造全色顯示器件時使用的轉(zhuǎn)印用基板，以及使用該轉(zhuǎn)印用基板制造顯示器件的方法。<轉(zhuǎn)印用基板>圖l為示例本發(fā)明實施方案的轉(zhuǎn)印用基斧反l的布置的截面圖。該圖所示轉(zhuǎn)印用基板1是形成有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層所使用的轉(zhuǎn)印用基板，并且包括支撐基板11,在該支撐基板11上順次形成光熱轉(zhuǎn)化層13、抗氧化膜15(如有必要)和轉(zhuǎn)印層17。支撐基板11由能夠透過使用該轉(zhuǎn)印用基板1進行轉(zhuǎn)印時照射的具有給定波長的光hv的材料制成。例如，在固體激光源發(fā)出的波長為約800nm的激光束用作所述光hv的情況下，可使用玻璃基板作為支撐基板l1。光熱轉(zhuǎn)化層13由具有高的光熱轉(zhuǎn)化效率將光hv轉(zhuǎn)化為熱并且具有高熔點的材料制成。例如，在前述波長為約800nm的激光束用作所述光hv的情況下，光熱轉(zhuǎn)化層12優(yōu)選由例如但不限于鉻(Cr)、鉬(Co)等具有低反射率的高熔點材料制成。應(yīng)控制這種光熱轉(zhuǎn)化層12的厚度以獲得必要且充分的光熱轉(zhuǎn)化效率。例如，在光熱轉(zhuǎn)化層12由鉬(Mo)膜形成的情況下，采用約為200nm的膜厚。在本實施方案中，光熱轉(zhuǎn)化層13通過例如濺射法形成，其中Mo的厚度形成為200nm。氧化保護層15由氮化硅(SiNx)或二氧化硅(Si02)制成。由上述材料制成的氧化保護層15通過例如CVD(化學(xué)氣相沉積)法形成。轉(zhuǎn)印層17由a)金屬配合物、b)熒光發(fā)光摻雜劑、和c)母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴構(gòu)成。隨后將對所述材料進行詳細說明。所述三種材料可全部混合在一起并形成單層結(jié)構(gòu)用作轉(zhuǎn)印層17，或者可形成雙層機構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括a)金屬配合物+b)熒光發(fā)光摻雜劑構(gòu)成的混合層和c)芳族烴層。或者，可采用三層結(jié)構(gòu)，其中各材料分別形成單層。應(yīng)當(dāng)注意的是，在轉(zhuǎn)印層17中c)芳族烴與所述三種材料的總和之比不大于50wt%.轉(zhuǎn)印層17除包含所述三種材料之外還可包含用于形成該轉(zhuǎn)印層17的溶劑。以下對a)金屬配合物、b)焚光發(fā)光摻雜劑和c)芳族烴進行說明。a)金屬配合物a)金屬配合物優(yōu)選為周期表XIII族金屬的羥基喹啉配合物。更優(yōu)選羥基p套啉與選自鋁、鎵和銦中的金屬配位結(jié)合的輕基喹啉配合物，或者優(yōu)選鋁的配合物。應(yīng)當(dāng)注意的是，鉛的配合物可為特開昭63-264692號、特開平3-255190號、特開平5-70733號、特開平5-258859號、特開平6-215874等中披露的鋁的配合物。這種a)金屬配合物的具體實例包括三(8-羥基喹啉)鋁、二(2-曱基-8-羥基喹啉)氧化鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-曱基-8-羥基喹啉)鋁、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、5，7-二氯-8-羥基喹啉鋁、三(5,7-二溴-8-羥基喹啉)鋁等。除8-羥基p查啉及其衍生物之外，還可使用具有其它類型配體的鋁的配合物，其包括二(2-曱基-8-羥基喹啉)(苯酚)鋁(in)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(鄰曱苯酚)鋁(III)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)(間曱苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(對曱苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(鄰苯基苯酚)鋁(ni)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(間苯基苯酚)鋁(ni)、二(2-曱基-8-羥基p奎啉)(對苯基笨酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2，3-二曱基苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2，6-二曱基苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(3,4-二曱基苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(3，5-二曱基苯酚)鋁(III)、二(2-曱基-8-羥基壹啉)(3,5-二叔丁基苯酚)鋁(III)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,6-二苯基苯酚)鋁(ni)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2，4,6-三苯基苯酚)鋁(in)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,3,6-三曱基苯酚)鋁(ni)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,3,5,6-四曱基苯酚)鋁(ni)、二(2陽曱基-8-羥基喹啉)(l-萘酚)鋁(ni)、二(2-曱基-8-羥基喹啉)(2-萘酚)鋁(in)、二(2,4-二曱基-8-羥基喹啉)(鄰苯基苯酚)紹(ni)、二(2,4-二曱基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁(III)、二(2，4-二曱基-8-羥基喹啉)(間苯基苯酚)鋁(m)、二(2，4-二曱基-8-羥基喹啉)(3,5-二曱基苯酚)鋁(in)、二(2,4-二曱基-8-羥基喹啉)(3，5-二叔丁基苯酚)鋁(m)、二(2-曱基-4-乙基-8-羥基喹啉)(對曱苯酚)鋁(ni)、二(2-曱基-4-曱氧基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁(in)、二(2-曱基-5-氰基-8-羥基喹啉)(鄰曱苯酚)鋁(III)、二(2-曱基-6-三氟甲基-8-羥基喹啉)(2-萘酚)鋁(m)等。除此以外，還可提及二(2-曱基-8-羥基喹啉)鋁(111)-|1-氧-二(2-曱基-8-羥基喹啉)鋁(III)、二(2,4-二曱基-8-羥基喹啉)鋁(III)屮-氧-二(2，4-二曱基-8-羥基喹啉)鋁(III)、二(4-乙基-2-曱基-8-羥基喹啉)鋁(111)屮-氧-二(4-乙基-2-曱基-8-羥基喹啉)鋁(m)、二(2-曱基-4-曱氧基羥基喹啉)鋁(111)屮-氧-二(2-曱基-4-曱氧基羥基喹啉)鋁(III)、二(5-氰基-2-曱基-8-羥基喹啉)鉆(III)，氧-二(5-氰基-2-曱基-8-羥基喹啉)鋁(111)、二(2-曱基-5-三氟曱基-8-羥基喹啉)鋁(111)屮-氧-二(2-曱基-5-三氟曱基-8-羥基喹啉)鋁(III)等。b)焚光發(fā)光摻雜劑作為b)焚光發(fā)光摻雜劑，能夠與a)金屬配合物進行能量傳遞的有機材料設(shè)置有包含綠色發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層17g的轉(zhuǎn)印用基板l作為形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印用基板lg。類似地，使用其上設(shè)置有包含紅色發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層17r的轉(zhuǎn)印用基板l作為形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印用基板lr。作為綠色發(fā)光材料，使用在約4卯nm580nm波長范圍內(nèi)具有發(fā)光峰的化合物。所述化合物為有機材料，包括萘衍生物、蒽衍生物、嵌二萘衍生物、并四笨衍生物、焚蒽衍生物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[l,2,3-cd]二萘嵌苯衍生物、二(吖。秦基)亞曱基硼配合物、吡喃類染料等。其中，優(yōu)選的綠色發(fā)光材料選自氨基蒽衍生物、焚蒽衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[l，2，3-cd]二萘嵌苯衍生物和二(吖。秦基)亞曱基硼配合物。所使用的紅色熒光材料包括以下示例的紅色熒光材料通式(1)的二萘嵌苯衍生物、通式(2)的二酮吡咯并吡咯衍生物、通式(3)的藥基配合物、通式(4)的吡喃衍生物或通式(5)的苯乙烯基衍生物?，F(xiàn)對紅色發(fā)光材料進行詳細說明。-二萘嵌苯衍生物-作為紅色發(fā)光材料，例如使用具有下述通式(l)的化合物(二茚并二萘嵌苯衍生物)。在通式(l)中，X、X^獨立地表示氫、囟素、羥基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基酯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷氧基、氰基、硝基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的曱硅烷基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團、或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的氨基。通式(l)中由Xi-X^表示的芳基包括例如苯基、l-萘基、2-萘基、芴基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、l-嵌二萘基、2-嵌二萘基、4-嵌二萘基、1-篇基、6-篇基、2-焚蒽基、3-熒蒽基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、鄰曱苯基、間曱苯基、對曱苯基、對叔丁基苯基等。由X1-X"表示的雜環(huán)基團包括含0、N或S作為雜原子的5元或6元芳族雜環(huán)基團以及具有2-20個碳原子的稠合多環(huán)芳族雜環(huán)基團。所述芳族雜環(huán)基團和稠合多環(huán)芳族雜環(huán)基團包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、會啉基、喹喔啉基、咪唑并吡啶基、苯并噻唑基等。典型實例包括l-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡咬基、2-吡咬基、3-吡咬基、4-吡咬基、l-口引咮基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-口引哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-口引咮基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并吹喃基、喹啉基、3-p套啉基、4-p奎p林基、5,奎啉基、6-會啉基、7-全啉基、8-喹啉基、l-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、l-?？ㄟ蚧?、2-呼唑基、3-?？ㄟ蚧?、4-?？ㄟ蚧?、9-?？ㄟ蚧-菲口定基、2-菲。定基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲咬基、l-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基等。由X1-乂2()表示的氨基可為烷基氨基、芳基氨基、芳烷基氨基等中的任一種。所述氨基優(yōu)選具有總共含有l(wèi)-6個碳原子的脂族基團和/或l個單環(huán)-四環(huán)芳族烴環(huán)。所述基團包括二甲基氨基、二乙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基、二曱苯基氨基、二聯(lián)苯基氨基和二萘基氨基。上述取代基中的兩個或更多個可形成稠合環(huán)并且還可具有取代基。適合用作轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料的二茚并[l,2,3-cd]二萘嵌苯衍生物的具體實例包括以下化合物(l)-l(1)-8，^旦在實施本發(fā)明時不限于這些化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(l)-l<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(l)-2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(1>3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(l)-4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物G)-5<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>化合物(l)-6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>化合物(l)-7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>化合物1-(8)-二s3基吡咯并吡咯衍生物-例如使用以下通式(2)表示的化合物(即二酮基吡咯并吡咯衍生物)作為轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中y^口y^蟲立地表示氧原子或者取代或未取代的亞氨基，y3-yM蟲立地表示氫原子、卣原子、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團、或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的氨基，Ar4口A一各自表示選自取代或未取代的芳族烴基和取代或未取代的芳族雜環(huán)基團的二價基團。在通式(2)中，Y、y8表示的取代或未取代的芳基、Y、ys表示的雜環(huán)基團和Y3-YS表示的氨基分別與通式(1)表示的二萘嵌苯衍生物中的所述基團相同。取代基中的兩個或更多個可形成稠合環(huán)并且如上所述還可具有取代基。適合作為轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料的二酮基吡咯并吡咯衍生物的具體實例包括化合物(2)-l(2)-14,但在實施本發(fā)明時不限于所述化合物。.<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-l<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)－6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-8<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-5<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>化合物(2)-6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>作為轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料，例如使用以下通式(3)表示的化合物(吡咯亞曱基配合物)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>4通式(3)其中Z、Z^蟲立地表示氫原子、卣原子、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷氧基、氰基、硝基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的曱硅烷基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團、或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的氨基。在通式(3)中，由Z、ZS表示的取代或未取代的芳基、由Z、ZS表示的雜環(huán)基團和由Z1-三9表示的氨基分別與通式(1)表示的二萘嵌苯衍生物中的所述基團相同。所述取代基中的兩個或更多個可形成稠合環(huán)并且如上所述還可包括取代基。括以下化合物(3)-l(3)-33,但在實施本發(fā)明時不限于所述化合物?；衔?3)-l化合物(3)-3化合物(3)-2f、化合物(3)-4化合物(3)-63-<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>化合物(3)-22C6HC6H化合物(3)-23C6HC6HC6H6n13化合物(3)-25C6HC6H6^1136^113C6HC6HC6HCfiH6n13化合物(3)-26C6HC6HC6H6n13G6H13化合物(3)-27<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>-吡喃衍生物-例如使用以下通式(4)表示的化合物(p比喃衍生物)作為轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>通式(4)其中L1-1^獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷氧基、氰基、硝基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的曱硅烷基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團、或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的氨基，L'和"或l7和L"可經(jīng)由烴形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在通式(4)中，L'-l/表示的取代或未取代的芳基、L'-I^表示的取代或未取代的雜環(huán)基團和L1-L^表示的取代或未取代的氨基分別與通式(l)表示的二萘嵌苯衍生物中的所述基團相同。盡管I^和L"或l7和I^可經(jīng)由烴形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)，但上述取代基中的兩個或更多個可形成稠合環(huán)并且還可包括取代基?；衔?4)-l(4)-7，但不限于所述化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>化合物(4)-化合物(4)-4MC、，CN化合物(4)-化合物(4)-6化合物(4)-7-苯乙烯基衍生物.例如'HH通式(5)其中T1-f獨立地表示碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團，丁4表示可具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的取代或未取代的亞苯基部分。在通式(5)中，T1-f表示的取代或未取代的芳基和T1-丁3表示的取代或未取代的雜環(huán)基團分別與通式(l)表示的二萘嵌苯衍生物中的所述基團相同。上述取代基中的兩個或更多個可形成裯合環(huán)并且還可具有取代基。鑒于此，取代T、f的基團包括例如氫原子、卣原子、羥基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基酯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷氧基、氰基、硝基、氨基等。除此之外，氨基可為烷基氨基、芳基氨基、芳烷基氨基等中的任一種。所述氨基優(yōu)選具有總共含有l(wèi)-6個碳原子的脂族基團和/或單環(huán)-四環(huán)芳族烴。所述基團包括二曱基氨基、二乙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基、二曱苯基氨基、二聯(lián)苯基氨基、二萘基氨基等。化合物(5)-l~5-(35)，但在實施本發(fā)明時不限于所述化合物您氣L》'，化合物(5)-W，化合物(5)-3HjCO、化合物(5)-5化合物(5)-7"1^d|=c;w—a》衡-H^O'化合物(5)-2，NO化合物(5)-4化合物(5)-6化合物(5)-8<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>化合物(5)-24化合物(5)-253化合物(5)-18<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>如上所述，用作轉(zhuǎn)印層17的紅色發(fā)光材料的通式(1)表示的二萘嵌苯衍生物、通式(2)表示的二酮基吡咯并吡咯衍生物、通式(3)表示的吡咯亞曱基配合物、通式(4)表示的吡喃衍生物或通式(5)表示的苯乙烯基衍生物的分子量應(yīng)優(yōu)選不大于2000，更優(yōu)選不大于1500,最優(yōu)選不大于1000。這是因為考慮到，如果具有大分子量，則在通過真空蒸鍍制造元件時存在蒸鍍性變差的問題。c)芳力臭烴母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴的具體實例包括嵌二萘、三亞苯、熒蒽、1，2-苯并菲、并四苯、并五苯、二萘嵌笨或暈苯作為其骨架。除此之外，例如可提及其中加入了苯環(huán)的下述化合物。即，可以提及苯并[b]藥、苯并[C]菲、苯并[ghi]熒蒽、苯并[a]蒽、苯并[a]嵌二萘、笨并[e]嵌二萘、苯并[j]熒蒽、苯并[a]并四苯、苯并[b]l,2-苯并菲、苯并[c]l,2-笨并菲、苯并[ghi]二萘嵌苯、二苯并[a,c]蒽、二苯并[a,h]蒽、二苯并[a,j]蒽、萘并[a]蒽、二苯并[b,def]l，2-苯并菲、二苯并[b,k]二萘嵌苯、二苯并[cd，lm]二萘嵌苯、二苯并[g,p]l,2-苯并菲、萘并[bcd二萘嵌苯、菲并[3,4-c]菲、笨并[a]暈苯、笨并[ghi]萘并[cde]二萘嵌苯、二苯并[bc，ef]暈苯、二萘并[defg,opqr]并五苯、萘并[g]暈苯、苯并[rst]二萘并[defg,ijkl]二苯并菲、苯并[rst]菲并[l,10，9-cde]二苯并菲、二苯并[j,lm]萘并[ab]二萘嵌笨、四苯并[a,cd,f,lm]二萘嵌苯、五苯并[a,cd,f，j,lm]二萘嵌苯等。此外，所述母體骨架可具有取代基并且可包含氫原子、卣原子、羥基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的羰基酯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的鏈烯基、碳原子數(shù)不大于20的取代或未取代的烷氧基、氰基、硝基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的曱硅烷基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的雜環(huán)基團、或者碳原子數(shù)不大于30的取代或未取代的氨基。與母體骨架結(jié)合作為取代基的芳基包括例如笨基、l-萘基、2-萘基、藥基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、l-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、l-嵌二萘基、2-嵌二萘基、4-嵌二萘基、1-1,2-苯并菲基、6-1,2-苯并菲基、2-熒蒽基、3-熒蒽基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、鄰曱苯基、間曱苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基等。與母體骨架結(jié)合作為取代基的雜環(huán)基團包括含有O、N或S作為雜原子的5元或6元芳族雜環(huán)基團或者含有2-20個碳原子的稠合多環(huán)芳族雜環(huán)基團。芳族雜環(huán)基團和稠合多環(huán)芳族雜環(huán)基團的實例包括噻吩基團、呋喃基團、吡咯基團、吡咬基團、全啉基團、喹喔啉基團、咪唑并吡咬基團和苯并。塞唑基團。典型實例包括l-吡咯基團、2-吡咯基團、3-吡咯基團、吡啶基團、2-吡啶基團、3-吡啶基團、4-吡啶基團、l-吲哚基團、2-。引咮基團、3-吲咮基團、4-吲咮基團、5-吲咪基團、6-吲哚基團、7-吲咮基團、1-異吲咪基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基團、3-呋喃基團、2-苯并呋喃基團、3-苯并呋喃基團、4-笨并呋喃基團、5-苯并呋喃基團、6-苯并呋喃基團、7-苯并呋喃基團、1-異苯并呋喃基團、3-異苯并呋喃基團、4-異苯并呋喃基團、5-異苯并呋喃基團、6-異苯并呋喃基團、7-異苯并呋喃基團、喹啉基團、3-喹啉基團、4-喹啉基團、5-喹啉基團、6-喹啉基團、7-喹啉基團、8-喹啉基團、1-異喹啉基團、3-異喹啉基團、4-異喹啉基團、5-異喹啉基團、6-異喹啉基團、7-異喹啉基團、8-異喹啉基團、2-喹喔啉基團、5-喹喔啉基團、6-喹喔啉基團、1-?？ㄟ蚧鶊F、2-?？ㄟ蚧鶊F、3-呻唑基團、4-咔唑基團、9-?？ㄟ蚧鶊F、1-菲啶基團、2-菲啶基團、3-菲啶基團、4-菲啶基團、6-菲咬基團、7-菲啶基團、8-菲啶基團、9-菲啶基團、10-菲咬基團、l-吖啶基團、2-吖啶基團、3-吖啶基團、4-吖啶基團、9-吖啶基團等。為了制造由上述a)金屬配合物、b)熒光發(fā)光摻雜劑和c)芳族烴構(gòu)成的轉(zhuǎn)印層17,除干法例如真空蒸鍍法以外還可采用濕法，濕法包括涂布法，例如旋涂法、浸涂法、刮涂法、噴射涂布法(jetcoatingprocess)、噴涂法等；或者印刷法，例如噴墨法、膠印法、凸版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、微凹版式涂布法等。此外，可根據(jù)用作a)金屬配合物、b)熒光發(fā)光摻雜劑和c)芳族烴的各材料的性質(zhì)組合使用干法和濕法。在濕法中，需要根據(jù)各有機層和各組成部分的性質(zhì)選擇溶劑。溶劑的具體實例例如包括醚類溶劑(一價醇類)，例如乙二醇單曱醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單曱醚等；二醇類(二價醇類)，例如乙二醇、二甘醇、丙二醇等；多元醇類，例如l，2-己二醇、2,4,6-己三醇等；酮類溶劑，例如丙酮、曱基乙基酮、曱基異丁酮、環(huán)己酮、4-曱氧基-4-曱基戊酮等；烴類，例如己烷、癸烷、環(huán)己烷、十氫化萘等；酯類溶劑，例如乙酸乙酯、乙酸正丙酯等；疏質(zhì)子極性溶劑，例如N,N-二曱基曱酰胺(DMF)、二曱亞砜(DMSO)、N-曱基吡咯烷酮、Y-丁內(nèi)酯、1,3-二曱基-2-咪唑啉酮、乙腈、四氫呋喃等；芳族類溶劑，例如苯、曱苯、二曱笨、均三曱苯、氯笨、四氫化萘等；以及卣代曱烷類溶劑，例如氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷等。所述溶劑可單獨使用或兩種以上組合使用。<顯示器件的制造方法>圖2A-4B分別為顯示器件制造方法的步驟的截面圖，該方法包括使用上述轉(zhuǎn)印用基板l制造有機電致發(fā)光元件的方法。參考所述附圖對制造工藝進行說明。首先，如圖2A所示，提供器件基板21,有機電致發(fā)光元件排列在該器件基板21上。該器件基板21可為本領(lǐng)域已知的基板，例如使用石英、玻璃、金屬箔或者樹脂片或膜。其中，石英或玻璃是優(yōu)選的。在使用樹脂膜或片時，采用下列樹脂曱基丙烯酸類樹脂，例如聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA);聚酯類例如聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)、聚萘二曱酸丁二醇酯(PBN)等；以及聚碳酸酯樹脂。所述樹脂應(yīng)以層壓結(jié)構(gòu)的形式或在進行表面處理后使用，以抑制透水性和透氣性?；蛘?，也可使用TFT基板，其中TFT(薄膜晶體管)形成在由上述材料制成的支撐基板上。應(yīng)當(dāng)注意的是，本實施方案制造的顯示器件為透射型，其中光從器件基板21側(cè)射出，器件基板應(yīng)由透光性材料制成。接著，在器件基板21上以圖案形式形成例如用作陽極的下部電極23。下部電極23由相對其真空能級功函大到足以有效注入空穴的電極材料制成。這種材料例如包括諸如鋁(A1)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)或金(Au)等金屬以及它們的合金，或者金屬或合金的氧化物，氧化錫(Sn02)和銻(Sb)的合金、ITO(氧化銦錫)、InZnO(氧化銦鋅)以及氧化鋅(ZnO)和鋁的合金，或者多種金屬或多種合金的氧化物。所述材料可單獨使用或混合使用。下部電極23可以層壓結(jié)構(gòu)的形式形成，該層壓結(jié)構(gòu)包括具有良好反光性的第一層和形成在第一層上并具有光學(xué)透明度和大功函的第二層。在本實施方案中，第一層由包含鋁作為主要成分的合金制成。次要成分可為包含至少一種功函相對小于用作主要成分的鋁的元素的物質(zhì)。這種次要成分優(yōu)選包括鑭系元素。盡管鑭系元素的功函不太大，但包含這些元素的陽極的穩(wěn)定性得以改善并且陽4及的空穴注入特性令人滿意。除鑭系元素之外，還可包含另一種元素例如硅(Si)或銅(Cu)作為次要成分。例如，當(dāng)使用Nd、Ni和/或Ti用于穩(wěn)定鋁時，作為第一層的鋁合金層中次要成分的總含量優(yōu)選約不大于IOwt%。在此情況下，在有機電致發(fā)光元件的制造過程中，鋁合金層可在保持反射率的同時保持穩(wěn)定，并可保證良好的加工精度和化學(xué)穩(wěn)定性。另外，下部電極23的導(dǎo)電性以及與基板1的附著性可得以改善。第二層例如由鋁合金氧化物、氧化鉬、氧化鋯、氧化鉻和氧化鉭中的至少一種制成。例如，如果包含鑭系元素作為次要元素的鋁合金氧化層(包括自然氧化膜)用作第二層，則第二層的光學(xué)透明度由于鑭系元素氧化物具有高透明度而變得良好。由此能夠使第一層的表面保持高的反射率。另夕卜，第二層可以是由ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)制成的透明導(dǎo)電層。這種導(dǎo)電層能夠改善下部電極23的電子注入特性。下部電極23可在接觸器件基板21的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)電層，從而改善下部電極23和器件基板21之間的附著性。這種導(dǎo)電層例如為ITO、IZO等制成的透明導(dǎo)電層。使用有機電致發(fā)光元件布置的顯示器件的驅(qū)動系統(tǒng)為有源矩陣型的情況下，下部電極23以相應(yīng)于每個像素圖案化的形式設(shè)置并連接在設(shè)置在器件基板21上的驅(qū)動薄膜晶體管上。接著，在形成上述下部電極23(在本實施方案中為陽極)之后，以圖案形式形成絕緣膜25，以使絕緣膜25覆蓋各下部電才及23的外圍。從而，通過該絕緣膜25中形成的窗口而露出的下部電極23部分可設(shè)置為像素區(qū)，在該像素區(qū)布置各有機發(fā)光元件。該絕緣膜25由有機絕緣材料例如聚酰亞胺、光致抗蝕劑等或者無機絕緣膜例如二氧化硅形成。接著，形成空穴注入層27,作為覆蓋下部電極23和絕緣膜25的共用層，隨后進一步形成空穴傳輸層29，作為覆蓋空穴注入層27的共用層。分別設(shè)置空穴注入層27和空穴傳輸層29以提高向發(fā)光層注入空穴的效率?？昭ㄗ⑷雽?7或空穴傳輸層29的材料例如包括苯精、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三亞苯、氮雜三亞苯、四氰基醌二曱烷、三唑、咪唑、。惡二唑、聚芳烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、均二苯乙烯或它們的衍生物；或者聚硅烷化合物、乙烯基?？ㄟ蚧衔铩⒁莘曰衔?；或者雜環(huán)共軛單體、低聚物或聚合物如苯胺化合物。用于空穴注入層27或空穴傳輸層29的更具體的材料包括a-萘基笨基苯二胺、p卜淋、金屬四苯基p卜啉、金屬萘花青(metalnaphtalocyanine)、六氰基氮雜三亞苯、7,7,8，8-四氰基醌二曱烷(TCNQ)、7,7,8，8-四氰基-2，3-5，6-四氟醌二曱烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4,4-三(3-曱基笨基笨氨基)三苯胺、N，N,N，,N，畫四(對曱苯基)-對苯二胺、N,N，N，,N，-四笨基-4，4，-二氨基聯(lián)苯、N-苯基咔唑、4-二-對曱苯基氨基均二苯乙烯、聚(對亞苯基亞乙烯基)、聚(p塞吩亞乙烯基)、聚(2,2，-遙吩基吡咯)等，但不限于此?？昭ㄗ⑷雽?7和空穴傳輸層29可分別以多層層壓的層壓結(jié)構(gòu)形式形成?？砂凑绽糜袡C電致發(fā)光元件制造顯示器件的常規(guī)步驟，進行上述步驟。在隨后的步驟中，通過熱轉(zhuǎn)印法在由此形成的空穴傳輸層上形成各色發(fā)光層。在此步驟中，本實施方案的特征在于使用圖l所示的轉(zhuǎn)印用基板l。更具體地，如圖2B所示，提供轉(zhuǎn)印用基板lr，其具有如前所示的紅色轉(zhuǎn)印層17r。該轉(zhuǎn)印用基板lr與其上形成有空穴傳輸層29的器件基板21相對布置。布置轉(zhuǎn)印用基板1r和器件基板21,以使轉(zhuǎn)印層17r和空穴傳輸層29彼此相對。另外，可使器件基板21和轉(zhuǎn)印用基板lr相互緊密接觸，以使構(gòu)成器件基板21側(cè)最上層的空穴傳輸層29和構(gòu)成轉(zhuǎn)印用基板lr側(cè)最上層的轉(zhuǎn)印層17r相互接觸。在這種情況下，轉(zhuǎn)印用基板lr支撐在器件基板21側(cè)的絕緣膜25上，并且該轉(zhuǎn)印用基板1r沒有接觸下部電極23上的空穴傳輸層29部分。這種狀態(tài)下，從與器件基板21相對的轉(zhuǎn)印用基板lr側(cè)，照射例如波長為800nm的激光束hv。此時，使激光束hv選擇性點射在相應(yīng)于紅色發(fā)光元件形成區(qū)域的部分上。由此允許激光束hv被光熱轉(zhuǎn)化層13吸收，并通過加熱使轉(zhuǎn)印層17r升華以允許熱轉(zhuǎn)印到器件基板21側(cè)。通過這種方式，通過以高度的定位精準(zhǔn)性將轉(zhuǎn)印層17r熱轉(zhuǎn)印到形成在器件基板21上的空穴傳輸層29上，以圖案形式形成紅色發(fā)光層17rr。在所述熱轉(zhuǎn)印中，設(shè)定較高的照射能，從而以混合層形式形成發(fā)光層17rr,其中轉(zhuǎn)印層17r的各組成材料基本均勻地混合在一起。在本實施方案中重要的是，照射激光束hv，以使發(fā)光層17rr完全覆蓋發(fā)光元件形成部分(像素區(qū))中下部電極23從絕緣膜25中露出的部分。接著，如圖3A所示，設(shè)置轉(zhuǎn)印用基板lg,其具有如上布置的綠色轉(zhuǎn)印層17g。布置該轉(zhuǎn)印用基板lg,以與其上形成有空穴傳輸層29的器件基板21相對，隨后重復(fù)上述照射激光束hv的熱轉(zhuǎn)印步驟，從而在相應(yīng)于綠色發(fā)光元件形成區(qū)域的部分形成綠色發(fā)光層17gg。接著，如圖3B所示，在相應(yīng)于藍色發(fā)光元件形成區(qū)域的部分形成藍色發(fā)光層17bb。該藍色發(fā)光層17bb可通過常規(guī)熱轉(zhuǎn)印法或真空蒸鍍法形成。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管以所述方式重復(fù)的熱轉(zhuǎn)印步驟可在常壓下進行，但優(yōu)選在真空中進行。當(dāng)熱轉(zhuǎn)印在真空中進行時，可利用能量較低的激光進行轉(zhuǎn)印并可減輕對被轉(zhuǎn)印發(fā)光層的不良熱影響。另外，優(yōu)選在真空中進行的熱轉(zhuǎn)印步驟提高了基板之間的附著性，從而實現(xiàn)良好的轉(zhuǎn)印圖案精準(zhǔn)性。另外，當(dāng)所有工藝在真空中連續(xù)進行時，可防止元件劣化。在上述激光束hv選擇性點射的步驟中，在激光束照射裝置中的激光頭驅(qū)動部分配置有精確對準(zhǔn)機構(gòu)時，可使具有合適光斑直徑的激光束hv沿下部電極23照射在轉(zhuǎn)印用基板上。在這種情況下，不需要使基板l與轉(zhuǎn)印用基板精確對準(zhǔn)。另一方面，在激光頭的驅(qū)動部分沒有配置精確對準(zhǔn)機構(gòu)時，需要在轉(zhuǎn)印用基板側(cè)形成限制激光束hv照射區(qū)域的遮光膜。更具體地，將遮光膜設(shè)置在轉(zhuǎn)印用基板11的背面上，該遮光膜為反射激光束的高反射性金屬層并設(shè)置有開口?？梢栽谡诠饽ど闲纬傻头瓷湫越饘佟Ｔ谶@種情況下，需要精確進行器件基板2和轉(zhuǎn)印用基板1之間的對準(zhǔn)。接著，如圖4A所示，在整個器件基板21上形成電子傳輸層31,該器件基板21上形成有通過真空蒸鍍成膜法形成的各色發(fā)光層17rr、17gg和17bb。通過真空蒸鍍形成該電子傳輸層31,作為覆蓋器件基板21整個表面的共用層。該電子傳輸層31將從陰極注入的電子傳輸?shù)桨l(fā)光層17rr、17gg和17bb。電子傳輸層31的材料包括例如喹啉、二萘嵌苯、菲咯啉、二苯乙烯基、吡喚、三唑、口惡唑、。惡二唑、茴酮、以及它們的衍生物或金屬配合物。具體實例包括三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3)、蒽、萘、菲、嵌二萘、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、吖咬、均二苯乙烯、1,10-菲咯啉、以及它們的衍生物和金屬配合物。有機層33由如上形成的空穴注入層27、空穴傳輸層29、各色發(fā)光層17rr、17gg和17bb以及電子傳輸層31構(gòu)成。接著，如圖4B所示，在有機層33上形成上部電極35(在本實施方案中為陰極)。用作陰極的上部電極35例如具有從有機層33側(cè)觀察的第一層和第二層層疊的雙層結(jié)構(gòu)。第一層由具有小功函和良好透光性的材料制成。所述材料的實例包括鋰(Li)的氧化物氧化鋰(Li20)、銫(Cs)的復(fù)合氧化物碳酸銫(Cs2C03)、以及氧化物和復(fù)合氧化物的混合物。第一層15a不限于上述材料，可由例如堿土金屬如鈣(Ca)、鋇(Ba)等，堿金屬如鋰、銫等，或者功函小的金屬如銦(In)、鎂(Mg)等制成。另外，可單獨使用這些金屬的氧化物、復(fù)合氧化物和氟化物，或者還可使用這些金屬的混合物或合金及其氧化物、復(fù)合氧化物和氟化物以提高穩(wěn)定性。第二層由具有光學(xué)透明度的材料例如MgAg等以薄膜形式制成。該第二層15b還可為混合層形式，該混合層包含有機發(fā)光材料，例如喹啉鋁配合物、苯乙烯胺衍生物、酞菁衍生物等。在這種情況下，可單獨設(shè)置具有光學(xué)透明度并由例如MgAg制成的層作為第三層。當(dāng)本實施方案制造的顯示器件為有源矩陣型時，上述上部電極35以經(jīng)由有機層33和絕緣膜25與下部電極23絕緣的狀態(tài)作為保護膜形成在器件基板21上，并用作各像素的共用電極。在夾在下部電極23和上部電極35的層壓結(jié)構(gòu)之間包括各色發(fā)光層17rr、17gg和17bb的有機層33的各部分處，形成各有機電致發(fā)光元件，即紅色發(fā)光元件37r、綠色發(fā)光元件37g和藍色發(fā)光元件37b。應(yīng)當(dāng)注意的是，上部電極35不限于上述類型的層壓結(jié)構(gòu)，但可根據(jù)所制造的器件類型采用最佳組合或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)。例如，上述實施方案中上部電極35的布置采取層壓結(jié)構(gòu)，其中電極各層的功能相互分離，即促進電子注入有機層33的無機層(第一層)和作為電極的無機層(第二層)相互分離。然而，促進電子注入有機層33的無機層也可作為電極，這些層可以單層結(jié)構(gòu)形式形成。另外，透明電極例如ITO可形成在該單層結(jié)構(gòu)上以構(gòu)成層壓結(jié)構(gòu)。盡管向以上述方式布置的各色發(fā)光元件37r、37g和37b所通的電流通常為直流，但也可采用脈沖電流或交流。盡管只要在元件沒有擊穿的范圍內(nèi)對電流值或電壓值沒有限制，但考慮到功耗和有機電致發(fā)光元件的壽命，使用盡可能小的電能來有效發(fā)光是優(yōu)選的。當(dāng)這些有機電致發(fā)光元件37r、37g和37b各自具有諧振腔(cavity)結(jié)構(gòu)時，上部電極35由半透明半反射性材料構(gòu)成。在下部電極23側(cè)的光反射表面和上部電極35側(cè)的光反射表面之間經(jīng)過多次干涉的發(fā)射光從上部電極35側(cè)射出。在這種情況下，下部電極23側(cè)的光反射表面和上部電極35側(cè)的光反射表面之間的光程由出射光波長限定，并設(shè)定各層的厚度以滿足該光程。在上述上表面發(fā)光型有機電致發(fā)光元件中，當(dāng)諧振腔結(jié)構(gòu)正向使用時，可改善光射出的效率并可控制發(fā)射光譜。另外，盡管圖中沒有示出，但優(yōu)選分別使用被保護層(鈍化層)覆蓋的有機電致發(fā)光元件37r、37g和37b以防止空氣中的水份、氧氣等使有機材料劣化。作為保護膜，使用氮化硅(通常為Si3N4)膜、氧化硅(通常為Si02)膜、氮氧化硅(SiNxOy，組成比X〉Y)膜、氧氮化硅(SiOxNy，組成比X〉Y)膜、主要由碳構(gòu)成的薄膜(例如DLC(類金剛石碳)、CN(碳納米管)膜)，等等。這些膜優(yōu)選以單層或多層結(jié)構(gòu)形式形成。由氮化物制成的保護膜膜質(zhì)致密，由于其對不利影響有機電致發(fā)光元件37r、37g和37b的水份、氧氣和其它雜質(zhì)具有極高的阻擋作用，因而優(yōu)選使用。應(yīng)當(dāng)注意的是，在上述實施方案中，通過上表面發(fā)光型有機電致發(fā)光元件對本發(fā)明進行了詳細描述。然而，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件不限于應(yīng)用于上述上表面發(fā)光型，而可廣泛應(yīng)用于至少包含發(fā)光層的有機層置于陽極和陰極之間的構(gòu)造。因而，如果陰極、有機層和陽極從基板側(cè)順次層疊，或者如果與基板位于同一側(cè)的電極(即用作陰極或陽極的下部電極)由透明材料構(gòu)成并且位于基板相對側(cè)的電極(即用作陰極或陽極的上部電極)由(所謂的透射型)有機電致發(fā)光元件。本實施方案制造的有機電致發(fā)光元件可以是通過將有機層夾在一對電極(陽極和陰極)之間而形成的元件。就此而言，本發(fā)明不限于僅包括一對電極和有機層的布置，在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，不排除使用其它組成元件或?qū)?例如無機化合物層和無機成分)。應(yīng)當(dāng)注意的是，使用本實施方案制造的有機電致發(fā)光元件的顯示器件不限于圖4B截面圖所示的器件。例如，可束用具有圖5所示布置的顯示器件41。應(yīng)當(dāng)注意的是，在圖4B和圖5的顯示器件中，相同構(gòu)件或元件由相同的標(biāo)記表示。更具體地，類似于圖5所示的顯示器件41,空穴注入層27和空穴傳輸層29可相應(yīng)于各元件圖案化。應(yīng)當(dāng)注意的是，使用如圖2A-3B所示的類似轉(zhuǎn)印基板在空穴傳輸層29上分別形成紅色發(fā)光層17rr和綠色發(fā)光層17gg。另外，通過上述轉(zhuǎn)印法或真空蒸鍍法形成藍色發(fā)光層17bb。發(fā)光層17rr、17gg和17bb的電子傳輸層31可相對于各元件圖案化。除本實施方案所示發(fā)光層17rr、17gg和17bb之外，可通過干法例如真空蒸鍍法、離子束法(EB法)、分子束外延法(MBE法)、濺射法、有機氣相沉積(OVPD)法等，形成包括下部電極層23至上部電極層35的各層?？墒褂贸鲜龇椒ㄒ酝獍穹ǖ姆椒ㄐ纬砂l(fā)光層17rr、17gg和17bb之外的有機層，所述濕法包括涂布法，例如激光轉(zhuǎn)印法、旋涂法、浸漬法、刮涂法、噴射涂布法、噴涂法等；和印刷法，例如噴墨印刷法、膠印法、凸版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、微凹版式涂布法等?？筛鶕?jù)各有機層和構(gòu)件的性質(zhì)組合使用干法和濕法。應(yīng)當(dāng)注意的是，如圖5所示，例如可使用掩模通過真空蒸鍍法或轉(zhuǎn)印法，形成相對于各有機電致發(fā)光元件37r、37g或37b以圖案形式形成的有機層的各部分。根據(jù)上述實施方案的轉(zhuǎn)印基板l和使用該轉(zhuǎn)印基板制造有機電致發(fā)光元件的方法，轉(zhuǎn)印基板lr和lg的轉(zhuǎn)印層17r和17g分別由下述三元材料或成分形成a)金屬配合物、b)熒光發(fā)光摻雜劑和c)母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴，因而通過轉(zhuǎn)印層17升華形成的發(fā)光層17rr、17gg也可由三元材料形成。已證實，在由這種三元材料形成的發(fā)光層17rr、17gg中，盡管芳族烴對發(fā)光沒有貢獻，但與沒有芳族烴存在的情況相比，獲得了較高的發(fā)光效率和較長的亮度半衰期。另外，與通過真空共蒸鍍形成的發(fā)光層相比，所得發(fā)光層的三種材料混合更均勻且hv材料比控制更精確。最終，可按照更精確的比例更均勻地形成由能夠?qū)崿F(xiàn)高發(fā)光效率且亮度半衰期得以改善的三元材料制成的發(fā)光層17rr、17gg。由此可獲得發(fā)光效率和亮度半衰期進一步改善的有機電致發(fā)光元件37r、37g。由于使用發(fā)光效率高的有機電致發(fā)光元件37r、37g，因而可改善顯示器件41的亮度壽命(luminancelife)并產(chǎn)生降低功耗的效果。因此，所述元件可有利地用于平板顯示器或平面發(fā)光體例如壁掛式電視機，還可應(yīng)用于例如復(fù)印機和打印機的光源、例如液晶顯示器的光源、顯示板、信號燈等。以上說明了本發(fā)明應(yīng)用于有源矩陣型顯示器件的實施方案。顯然，本發(fā)明可應(yīng)用于無源矩陣型顯示器件并獲得相同的效果。<顯示器件的示意性構(gòu)造〉圖6A和6B示出了應(yīng)用于前述實施方案的顯示器件的顯示板的實例，其中圖6A為顯示板的示意圖以及圖6B為其像素電路圖。在所述附圖中，示出了使用有機電致發(fā)光元件37r，、37g和37b作為發(fā)光元件的有源矩陣型顯示器件41的顯示板。如圖6A所示，顯示區(qū)21a和外圍區(qū)21b設(shè)置在顯示器件41的器件基板21上。顯示區(qū)21a具有以矩陣形式布置的多個掃描行43和多個信號行45并將一個像素A設(shè)置在各交叉處以提供作為整體的像素陣列單元。將有機電致發(fā)光元件37r，、37g和37b中的一種設(shè)置在各像素A上。外圍區(qū)21b上設(shè)置有掃描驅(qū)動掃描行43的掃描行驅(qū)動電路B以及向信號行45輸送相應(yīng)于亮度信息的視頻信號(即輸入信號)的信號行驅(qū)動電路C。如圖6B所示，為每一像素A設(shè)置的像素電路例如由有機電致發(fā)光元件37r,、37g和37b中的一種、驅(qū)動晶體管Trl、寫入晶體管(取樣晶體管)Tr2和存儲電容Cs構(gòu)成。當(dāng)掃描行驅(qū)動電路B驅(qū)動掃描行43時，從信號行45經(jīng)由寫入晶體管Tr2輸送的視頻信號保存在存儲電容Cs中。將相應(yīng)于存儲信號量的電流供與各有機電致發(fā)光元件37r,、37g和37b,有機電致發(fā)光元件37r，、37g和37b以相應(yīng)于電流值的亮度發(fā)光。應(yīng)當(dāng)注意的是，上述像素電路的布置僅僅是示例性的，如有必要可在像素電路中設(shè)置電容元件，或者可設(shè)置多個晶體管以構(gòu)成像素電路。此外，外圍區(qū)21b應(yīng)隨著像素電路的改變另外設(shè)置所需的驅(qū)動電路。顯示器件41的上述構(gòu)造包括如圖7具體示意的密封模塊狀。例如，設(shè)置密封部分51以包圍作為像素陣列單元的顯示區(qū)21a，并將用作粘合劑的該密封部分51接合到對置單元(密封基板52)例如透明玻璃等上，從而形成顯示模塊。該透明密封基板52可設(shè)置有濾色片、保護膜、遮光膜等。應(yīng)當(dāng)注意的是，用作其上形成有顯示區(qū)21a的顯示模塊的器件基板21可設(shè)置有柔性印刷電路板基板53，以允許信號從外部輸入到顯示區(qū)21a或者從顯示區(qū)21a輸出到夕卜部。<應(yīng)用實例〉本發(fā)明上述實施方案的顯示器件可用于所有領(lǐng)域中不同類型的電子設(shè)備作為顯示器件。如圖8-12所示，以影像或圖像形式顯示輸入其中或其中產(chǎn)生的視頻信號的電子設(shè)備包括例如移動終端設(shè)備如筆記本大小的個人電腦和手機等、數(shù)碼相機、攝像機等顯示設(shè)備。示例了可應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的實例。圖8示出了應(yīng)用本發(fā)明的電視機的透視圖。該應(yīng)用實例的電視機包括由面板102、濾色玻璃103等構(gòu)成的顯示屏單元101,其中本發(fā)明的顯示器件用作顯示屏單元IOI。圖9A和9B分別為應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)碼相機的示意圖，其中圖9A為從前面觀察的透視圖以及圖9B為從后面觀察的透視圖。該應(yīng)用實例的數(shù)碼相機包括閃光發(fā)射單元lll、顯示單元112、菜單切換鍵113、快門114等，其中本發(fā)明的顯示器件用作顯示單元112。圖10為應(yīng)用本發(fā)明的筆記本大小的個人電腦的透視圖。該應(yīng)用實例的筆記本大小的個人電腦包括主機121、輸入字母等時使用的鍵盤122、顯示圖像的顯示單元123等，其中本發(fā)明的顯示器件用作顯示單元123。圖ll為應(yīng)用本發(fā)明的攝像機的透視圖。該應(yīng)用實例的攝像機包括機體131、設(shè)置在正面?zhèn)鹊奈镧R132、拍攝開始/停止鍵133、顯示單元134等，其中本發(fā)明的顯示器件用作顯示單元134。圖12A-12G分別為應(yīng)用本發(fā)明的便攜式終端設(shè)備如手機的示意圖，其中圖12A為處于打開狀態(tài)的手機的前視圖，圖12B為其側(cè)視圖，圖12C為處于關(guān)閉狀態(tài)的手機的前視圖，圖12D為其左側(cè)視圖，圖12E為其右側(cè)視圖，圖12F為其頂視圖以及圖12G為其底視圖。該應(yīng)用實例的手機包括上機殼141、下機殼142、連接體(此處為鉸鏈)143、顯示屏144、副顯示屏145、圖像照明(picturelight)146、相機147等。通過使用應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件作為顯示屏144或副顯示屏145，制造該便攜式終端設(shè)備。參考圖1-3B說明本發(fā)明實施例和對比例的有機電致發(fā)光元件的制造工藝及其評價結(jié)果。實施例實施例l如下制造發(fā)綠光的有機電致發(fā)光元件。(1)首先，提供由30mmx30mm的玻璃片制成的器件基板21,在該器件基板21上形成190nm厚的Ag合金(反射層)制成的下部電極(陽極)23和層疊于其上的12.5nm厚的ITO透明電極，從而制成上表面發(fā)光的有機電致發(fā)光元件單元。接著，通過濺射法形成厚約2pm的二氧化硅絕緣膜25以覆蓋下部電極23的外圍，隨后通過平版印刷法使下部電極23露出以形成像素區(qū)。接著，通過真空蒸鍍法形成厚12nm(蒸鍍速度0.2-0.4nm/sec)的由下述通式表示的m-MTDATA制成的膜，作為有機層的空穴注入層27。m-MTDATA表示4,4，,4"-三(苯基間曱苯基氨基)三苯胺。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>隨后，形成厚6nm(蒸鍍速度0.2-0.4nm/sec)的由下述a-NPD制成的膜作為空穴傳輸層29。a-NPD表示N，N，-二(l-萘基)-N，N，-二苯基[l,l，-聯(lián)苯基]_4，4，-二胺。(2)另一方面，按照以下方法制造用于在其上形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印用基板lg。首先，通過常規(guī)濺射法在玻璃支撐基板21上形成由鉬制成的厚200nm的光熱轉(zhuǎn)化層13。接著，通過CVD法在光熱轉(zhuǎn)化層13上形成由氮化硅SiNx制成的厚IOOnm的氧化保護層15。在氧化保護層15上真空蒸鍍厚25nm的轉(zhuǎn)印層17g。通過分別按照相對厚度比79.5%、0.5%和20°/。三元蒸鍍a)下述作為金屬配合物的8-羥基奮啉鋁(Alq3)、b)下述作為熒光發(fā)光摻雜劑的綠色熒光發(fā)光材料10-(2-苯并噻唑基)-l,l，7,7-四乙基-2，3,6,7-四氫-111,5&1111-苯并[1]吡喃并[6,7,8-^]喹嗪-11-酮(C-545T:商品名，AldrichCorporation)和c)下述作為芳族烴的二苯并[b,k]二萘嵌苯，形成轉(zhuǎn)印層17g。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>Alq3(a:金屬配合物)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>C-545T(b:熒光發(fā)光摻雜劑)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>二苯并[b,k]二萘嵌苯(c:芳族烴)(3)接著，將器件基板21和轉(zhuǎn)印用基板lg彼此相對放置，以使空穴傳輸層29和轉(zhuǎn)印層17g彼此相對并在真空下緊密接觸。由于絕緣膜25的厚度，在下部電極23上所述兩個基板保持約2iim的間距。在這種狀態(tài)下，從轉(zhuǎn)印用基板lg的背面，在與器件基板21的像素區(qū)相對處照射波長為800nm的激光束，以通過升華將轉(zhuǎn)印層17g從轉(zhuǎn)印基板lg熱轉(zhuǎn)印到器件基板21側(cè)，從而形成綠色發(fā)光層17gg。激光束的光斑尺寸設(shè)定為300pmx10pm。使激光束沿垂直于其縱向的方向掃描。將能量密度設(shè)定為2.6E-Smj"m2。(4)在氮氣(作為惰性氣體)氣氛下，于100。C對其上通過轉(zhuǎn)印形成有發(fā)光層17gg的器件基板21進行30分鐘的加熱。(5)加熱之后，通過真空蒸鍍，在發(fā)光層17gg上層疊藍色發(fā)光層，該藍色發(fā)光層通過混合具有下述通式的9，10-二(2-萘基)蒽(AND)(用作主體材料)料)而獲;尋t該藍色。i光層在制造工全色:示器;時通過轉(zhuǎn)印法形成紅z發(fā)光層和綠色發(fā)光層作為各像素之后作為各像素的共同層形成并且不影響綠色像素和紅色像素發(fā)光。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>ADN苯乙烯胺衍生物(6)接著，真空蒸鍍厚約20nm的8-羥基喹啉鋁(Alq3)作為電子傳輸層31。隨后，真空蒸鍍厚約0.3nm(蒸鍍速度最高O.Olnm/sec)的LiF作為電子注入層(或上部電極的第一層)。然后，真空蒸鍍厚10nm的MgAg作為陰極(作為上部電極35),從而得到綠色發(fā)光元件37g。實施例2和3以及比4交例1、2和3重復(fù)實施例l，不同的是，在實施例l(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板lg的步驟中，使用以下表1中所示的材料作為轉(zhuǎn)印層17g材料，從而得到綠色發(fā)光元件37g。應(yīng)當(dāng)注意的是，在比較例3中，使用9,10-二苯基氨基蒽代替實施例1中用作主體材料的a)金屬配合物。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table><評價結(jié)果-1>測量按照上述方式制造的實施例l-3和比較例l-3的有機電致發(fā)光元件的發(fā)光效率(以IOmA/cm2的電流密度驅(qū)動)和亮度(通過施加100mA/cn^的電流密度獲得)降至90°/。之前的時間(作為壽命(T90))。結(jié)果同樣示于表l。根據(jù)上述測量結(jié)果，證實了與比較例1和2的有機電致發(fā)光元件相比，實施例l-3的有機電致發(fā)光元件在保持發(fā)光效率的同時亮度壽命明顯改善，其中在實施例l-3中，有機電致發(fā)光元件在各轉(zhuǎn)印層17g包含作為c)芳族烴的二苯并[b,k]二萘嵌苯以及作為主體材料的a)金屬配合物和b)焚光發(fā)光摻雜劑的情況下形成，在比較例1和2中，轉(zhuǎn)印層不含c)芳族烴。實施例1和2與比善而不依賴于所包含的綠色b)焚光發(fā)光摻雜劑。在比較例3中，使用9,10-二苯基氨基蒽代替實施例1中用作主體材料的a)金屬配合物。在這種情況下，盡管保持了發(fā)光效率，但與實施例l-3相比壽命較差。實施例4重復(fù)實施例1，不同的是在實施例1(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板lg的步驟中形成雙層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17g，從而得到綠色發(fā)光元件37g。按照相對厚度比99.5%:0.5。/。真空共蒸鍍a)金屬配合物(Alq3)和b)焚光發(fā)光摻雜劑(C-545T)，以形成轉(zhuǎn)印層17g。接著，真空蒸鍍厚5nm的c)芳族烴(二苯并[b，k]二萘嵌苯)，從而形成雙層結(jié)構(gòu)。所得有機電致發(fā)光元件表現(xiàn)出7.5cd/A的發(fā)光效率(以10mA/cn^的電流密度驅(qū)動)和110小時的壽命(T90)(以100mA/cn^的電流密度驅(qū)動)。與實施例l的評價結(jié)果相比，證實了在使用三種材料a)、b)和c)作為轉(zhuǎn)印用基板lg的轉(zhuǎn)印層17g形成雙層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17g時，使用該轉(zhuǎn)印層17g得到的有機電致發(fā)光元件與比較例1和2相比亮度壽命明顯改善。實施例5重復(fù)實施例1，不同的是在實施例1(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板1g的步驟中形成三層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17g,從而得到綠色發(fā)光元件37g。該轉(zhuǎn)印層17g如下形成依次真空蒸鍍厚14nm的a)金屬配合物(Alq3)、厚lnm的熒光發(fā)光摻雜劑(9,10-二苯基氨基蒽)、厚5nm的芳族烴(二苯并[b,k]二萘嵌苯)，從而形成三層結(jié)構(gòu)。所得有機電致發(fā)光元件具有7.5cd/A的發(fā)光效率(以10mA/cn^的電流密度驅(qū)動)和110小時的壽命(T90)(以100mA/cn^的電流密度驅(qū)動)。與實施例l的評價結(jié)果的比較表明，在使用三種材料a)、b)和c)作為轉(zhuǎn)印用基板lg的轉(zhuǎn)印層17g形成三層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17g時，使用該轉(zhuǎn)印層17g得到的有機電致發(fā)光元件與比較例1和2相比亮度壽命明顯改善。實施例6和7以及比較例4以下述方式制造發(fā)紅光的有機電致發(fā)光元件。重復(fù)實施例1的一般步驟，不同的是以與實施例1(2)中形成轉(zhuǎn)印用基板1g相同的方式形成轉(zhuǎn)印層17g所用的材料變?yōu)槿绫?所示用于形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層17r的形成材料，從而得到紅色發(fā)光元件37r。在這種情況下，形成厚120nm由氮化硅SiNx制成的氧化保護層15以及厚<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><評價結(jié)果-2>測量實施例6和7以及比較例4中所制造的有機電致發(fā)光元件的發(fā)光效率(以IOmA/cn^的電流密度驅(qū)動)和亮度(施加70mA/cm、々電流密度獲得)降至90%之前的時間(壽命(T90))。結(jié)果同樣示于以上表2。根據(jù)上述測量結(jié)果，證實了實施例6和7的有機電致發(fā)光元件與比較例4的有機電致發(fā)光元件相比發(fā)光效率改善并且亮度壽命明顯改善，其中在實施例6和7中有機電致發(fā)光元件在轉(zhuǎn)印層17r中包含c)芳族烴以及作為主體材料的a)金屬配合物和b)熒光發(fā)光摻雜劑的情況下形成，在比較例4中轉(zhuǎn)印層不含c)芳族烴。另外，根據(jù)實施例6和7可知，亮度壽命明顯改善而不依賴于所包含的b)紅色焚光發(fā)光摻雜劑。實施例8重復(fù)實施例6，不同的是在實施例6(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板lr的步驟中形成雙層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17r，從而得到紅色發(fā)光元件37r。更具體地，通過按照相對厚度比80.0%:20.0。/o真空共蒸鍍a)金屬配合物(Alq3)和b)焚光發(fā)光摻雜劑(BSN)，形成厚20nm的轉(zhuǎn)印層17r。接著真空蒸鍍厚20nm的c)芳族烴(3,10-二(2-萘基)二萘嵌苯)，從而形成雙層結(jié)構(gòu)。所得有機電致發(fā)光元件具有6.0cd/A的發(fā)光效率(以10mA/cn^的電流密度驅(qū)動)和95小時的壽命(T90)(以70mA/cn^的電流密度驅(qū)動)。與實施例6的評價結(jié)果的比較表明，在使用三種材料a)、b)和c)作為轉(zhuǎn)印用基板lr的轉(zhuǎn)印層17r形成雙層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17r時，使用該轉(zhuǎn)印層17r得到的有機電致發(fā)光元件與比較例4相比亮度壽命專交明顯地改善。實施例9重復(fù)實施例7，不同的是在實施例7(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板lr的步驟中形成三層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17r,從而得到紅色發(fā)光元件37r。如下形成該轉(zhuǎn)印層17r:依次真空蒸鍍厚16nm的a)金屬配合物(Alq3)、厚4nm的b)熒光發(fā)光摻雜劑(BSN)、厚20nm的c)芳族烴(5，6，ll，12-四苯基并四苯)，從而形成三層結(jié)構(gòu)。所得有機電致發(fā)光元件具有8.5cd/A的發(fā)光效率(以10mA/cn^的電流密度驅(qū)動)和125小時的壽命(T90)(以70mA/cn^的電流密度驅(qū)動)。與實施例4的評價結(jié)果的比較表明，在使用三種材料a)、b)和c)作為轉(zhuǎn)印用基板lr的轉(zhuǎn)印層17r形成三層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層17r時，使用該轉(zhuǎn)印層17r得到的有機電致發(fā)光元件與比較例4相比亮度壽命較明顯地改善。實施例10和11以下述方式制造發(fā)紅光的有機電致發(fā)光元件。重復(fù)實施例1，不同的是在實施例1(2)中制造轉(zhuǎn)印用基板1g的步驟中形成轉(zhuǎn)印層17g所用的材料變?yōu)槿缫韵卤?所示的用于形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層17r的形成材料，從而得到紅色發(fā)光元件37r。應(yīng)當(dāng)注意的是，由氮化硅SiNx制成的氧化保護層15的厚度為150nm,轉(zhuǎn)印層17r的厚度為40nm。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>所用b)熒光發(fā)光摻雜劑分別為前述實施方案中說明的下述化合物(4)-2的吡喃衍生物即[4-(二氰基亞曱基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四曱基久洛里定基_9-烯基-411-吡喃(0(:玎8))和下述化合物(3)-21的吡咯亞曱基配合物。NC、一CM化合物C4)-2吡喃衍生物C4H9化合物(3)-21吡咯亞曱基配合物<評價結(jié)果-3>測量實施例10和11中所制造的有才幾電致發(fā)光元件的發(fā)光效率(以10mA/cm2的電流密度驅(qū)動)和亮度(施加70mA/cm2的電流密度獲得)降至90%之前的時間(作為壽命(丁90))。結(jié)果同樣示于以上表3。根據(jù)上述測量結(jié)果，證實了實施例10和11的有機電致發(fā)光元件與如表2所示比較例4的有機電致發(fā)光元件相比亮度壽命明顯改善，而不依賴于紅色b)熒光發(fā)光摻雜劑，其中在實施例10和ll中有機電致發(fā)光元件在轉(zhuǎn)印層17r中包含c)芳族烴以及作為主體材料的a)金屬配合物和b)熒光發(fā)光摻雜劑的情況下形成，在比較例4中所使用的轉(zhuǎn)印層不舍c)芳族烴。盡管使用特定術(shù)語對本發(fā)明的優(yōu)選實施方案進行了說明，但這種說明僅僅是示例性的，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求的構(gòu)思或范圍的情況下可作出改變和變化。相關(guān)申請的交叉引用本發(fā)明包含2007年8月16日提交于日本專利局的特愿2007-2U025的相關(guān)主題，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種轉(zhuǎn)印用基板，包括透光性支撐基板；形成在所述透光性支撐基板上的光熱轉(zhuǎn)化層；和形成在所述光熱轉(zhuǎn)化層上的轉(zhuǎn)印層，其中所述轉(zhuǎn)印層是被轉(zhuǎn)印作為有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的層并且由金屬配合物、熒光發(fā)光摻雜劑以及母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴形成。2.權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)印用基板，其中所述金屬配合物為羥基喹啉與選自鋁、鎵和銦中的金屬配位結(jié)合的配合物。3.權(quán)利要求l的轉(zhuǎn)印用基板，其中在所述轉(zhuǎn)印層中所述芳族烴的用量不大于50wt%。4.權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)印用基板，其中所述轉(zhuǎn)印層具有疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括所述金屬配合物和所述焚光發(fā)光摻雜劑形成的混合層以及所述芳族烴形成的層。5.權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)印用基板，其中所述轉(zhuǎn)印層具有疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括所述金屬配合物形成的層、所述熒光發(fā)光摻雜劑形成的層、和所述芳族烴形成的層。6.權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)印用基板，其中所述熒光發(fā)光摻雜劑由綠色發(fā)光材料或紅色發(fā)光材料制成。7.—種制造有機電致發(fā)光元件的方法，所述方法包括下述步驟在器件基板上形成下部電極圖案；在所述下部電極上形成至少包括發(fā)光層的有機層；和形成經(jīng)過所述有機層層疊在所述下部電極上的上部電極，其中所述發(fā)光層如下形成提供轉(zhuǎn)印用基板，所述轉(zhuǎn)印用基板通過在透光性支撐基板上順次形成光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層而獲得，所述轉(zhuǎn)印層由三種包括主體材料和焚光發(fā)光摻雜劑的有機材料形成，將所述轉(zhuǎn)印用基板與所述器件基板相對放置，以使所述轉(zhuǎn)印層與所述器件基板的一側(cè)相對，以及通過從所述支撐基板一側(cè)照射光束使所述轉(zhuǎn)印層升華，以將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到所述器件基板上。全文摘要本發(fā)明披露一種轉(zhuǎn)印用基板，該轉(zhuǎn)印用基板包括透光性支撐基板、形成在透光性支撐基板上的光熱轉(zhuǎn)化層、形成在光熱轉(zhuǎn)化層上的轉(zhuǎn)印層。轉(zhuǎn)印層是被轉(zhuǎn)印作為有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的層并且由金屬配合物、熒光發(fā)光摻雜劑以及母體骨架具有4-7個環(huán)的芳族烴形成。文檔編號H05B33/14GK101370331SQ20081021330公開日2009年2月18日申請日期2008年8月18日優(yōu)先權(quán)日2007年8月16日發(fā)明者松波成行,鬼島靖典申請人:索尼株式會社