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      電子裝置及其機殼的制作方法

      文檔序號:8123062閱讀:127來源:國知局
      專利名稱:電子裝置及其機殼的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明有關(guān)于一種電子裝置及其機殼,且特別是有關(guān)于一種具有光電轉(zhuǎn)換 薄膜的電子裝置的機殼。
      背景技術(shù)
      太陽能本身并無公害問題且取得容易,永不竭盡,故太陽能成為重要替代 性能源之一。較常應(yīng)用太陽能的太陽能電池是一種光電轉(zhuǎn)換元件,其經(jīng)由太陽 光照射后,把光能轉(zhuǎn)換成電能。
      太陽能電池種類繁多,目前大量生產(chǎn)的商業(yè)化產(chǎn)品主要為單晶硅、多晶硅、 半導(dǎo)體化合物及非晶硅太陽能電池。其中,單晶硅及多晶硅太陽能電池需要高 純度的硅材作為基板,因而制程復(fù)雜及成本高昂。非晶硅及半導(dǎo)體化合物太陽 能電池因制程需經(jīng)過高溫制程,而無法形成于無法抗高溫的基板上,對于許多 需應(yīng)用太陽能電池且殼體大多為塑料材料的消費性電子裝置而言,皆需另外單 獨制成太陽能電池,然后再與電子裝置組裝,不僅生產(chǎn)費時,亦使成本及產(chǎn)品 價格大為提高,降低應(yīng)用價值。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,本發(fā)明提供一種電子裝置的機殼,將機殼的殼體作為光電轉(zhuǎn)換 薄膜的基板,使電子裝置的機殼直接作為光電轉(zhuǎn)換元件,進而簡化制程及降低 生產(chǎn)成本,以改善現(xiàn)有技術(shù)的缺失。
      根據(jù)本發(fā)明的一特色,機殼包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜以及一殼體。光電轉(zhuǎn)換薄 膜具有一有機材料。殼體作為光電轉(zhuǎn)換薄膜的基板,使光電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼 體上。
      根據(jù)本發(fā)明的一特色,機殼包含一電子元件。機殼具有一光電轉(zhuǎn)換薄膜及 一殼體。光電轉(zhuǎn)換薄膜具有一有機材料,殼體作為光電轉(zhuǎn)換薄膜的基板,使光 電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體。電子元件容置于殼體內(nèi)。
      于本發(fā)明的一實施例中,殼體可為透光或不透光。
      于本發(fā)明的一實施例中,殼體的材料包括塑料或陶瓷或玻璃或石英或金屬 或合金或其組合。
      3于本發(fā)明的一實施例中,光電轉(zhuǎn)換薄膜具有一第一電極層、 一第二電極層、 一光電轉(zhuǎn)換層。光電轉(zhuǎn)換層位于第一電極層與第二電極層之間。 于本發(fā)明的一實施例中,第一電極層位于該殼體。
      于本發(fā)明的一實施例中,光電轉(zhuǎn)換層包括由施體材料與受體材料所組成的 單層或雙層。
      于本發(fā)明的一實施例中,光電轉(zhuǎn)換薄膜以印刷或涂布或噴涂或濺鍍或蒸鍍 或轉(zhuǎn)印或其組合形成于殼體的一側(cè)或其兩側(cè)。
      于本發(fā)明的一實施例中,抗反射層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換薄膜或殼體或光電轉(zhuǎn)換 薄膜與殼體之間。
      綜上所述,本發(fā)明實施例的機殼,以殼體作為基板將具有有機材料的光電 轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體,由于光電轉(zhuǎn)換薄膜包括有機材料,故本發(fā)明可利用較低 溫及簡單的制程,例如印刷或涂布或噴涂或濺鍍或蒸鍍或轉(zhuǎn)印或其組合,將光 電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體的一側(cè)或其兩側(cè),使電子裝置的機殼直接作為光電轉(zhuǎn)換 元件,進而簡化制程及降低生產(chǎn)成本。此外,本發(fā)明由于將機殼的殼體作為光 電轉(zhuǎn)換薄膜的基板,故可節(jié)省原本需要的基板,進而降低成本并減少機殼的厚 度。
      關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以利用以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進一步 的了解。


      圖1A為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子裝置的示意圖1B為根據(jù)圖1A沿A-A剖面的示意圖2為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子裝置的另一種機殼的局部示意圖3為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子裝置的另一種機殼的局部示意圖
      圖4為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子裝置的另一種機殼的局部示意圖;以

      圖5為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子裝置的另一種機殼的局部示意圖。
      具體實施方式
      第一實施例
      圖1A為本發(fā)明較佳實施例的電子裝置1的示意圖,電子裝置1包括一機殼 10。本發(fā)明不限制電子裝置1的種類,其可例如為通信裝置或筆記本電腦或數(shù)碼相機或影音播放裝置或其它具有上述元件的電子的裝置,本實施例的電子裝 置l以筆記本電腦為例說明。
      機殼10包含一光電轉(zhuǎn)換薄膜12、 一殼體11及一電子元件E,在本實施例 中,機殼10是以筆記本電腦的屏幕的外殼體為例。電子元件E容置于機殼IO 內(nèi),本發(fā)明不限制電子元件E的種類,其可例如為電路板或屏幕或主電元件或 被動元件或芯片或其它任何容置于機殼10內(nèi)的電子元件。
      圖1B為圖1A沿A-A的剖面示意圖。請參照圖1B所示,光電轉(zhuǎn)換薄膜12 具有一有機材料,且殼體11作為光電轉(zhuǎn)換薄膜12的基板,使光電轉(zhuǎn)換薄膜12 形成于殼體ll上。由于光電轉(zhuǎn)換薄膜12包括有機材料,故本發(fā)明可利用較低 溫及簡單的制程,例如印刷(例如網(wǎng)板印刷)或涂布(例如旋轉(zhuǎn)涂布)或噴涂 (例如噴墨印刷)或濺鍍(例如低溫濺鍍)或蒸鍍或轉(zhuǎn)印或其組合,將光電轉(zhuǎn) 換薄膜12形成于殼體11的一側(cè)或其兩側(cè),使電子裝置1的機殼10直接作為光 電轉(zhuǎn)換元件,進而簡化制程及降低生產(chǎn)成本。在本實施例中,光電轉(zhuǎn)換薄膜12 是以設(shè)置于殼體ll的一側(cè)為例。
      本發(fā)明的電子裝置中,殼體可為透光或不透光,在本實施例中,由于光線 先通過光電轉(zhuǎn)換薄膜12再至殼體11,故殼體11可不透光。殼體11的材料可包 括塑料或陶瓷或玻璃或石英或金屬或合金或其組合,隨著殼體ll的材料不同, 其所能承受的制程溫度亦不同,故本發(fā)明可依據(jù)殼體ll的材料及光電轉(zhuǎn)換薄膜 12的材料而選擇不同的形成方式。于本實施例中,殼體11為不透光的塑料材料 所構(gòu)成。
      于本實施例中,光電轉(zhuǎn)換薄膜12具有一第一電極層121、 一第二電極層123 及一光電轉(zhuǎn)換層122,且第一電極層121位于殼體11上,光電轉(zhuǎn)換層122位于 第一電極層121與第二電極層123之間。光電轉(zhuǎn)換層122包括由施體材料(Donor material)與受體材料(Acceptor material)所組成的單層或雙層結(jié)構(gòu),即施體材 料與受體材料可相互混合或分層設(shè)置。在本實施例中,施體材料利用光線的激 發(fā)可提供空穴,受體材料利用光線的激發(fā)可提供電子。
      上述施體材料及/或受體材料具有至少一有機材料,有機材料可例如為有機 高分子或有機小分子或染料(dye)或其組合。其中,有機高分子例如為導(dǎo)電高 分子,如PPV( Poly p畫Phenylene Vinylene ) 、 PT( Polythiophene ) 、 PPy( Polypyrrole )、 Pan (Polyaniline)或其衍生物或其它高分子,例如P30T (Poly 3-Octylthiophene)。 染料可例如為一有機光敏染料,其包括釕(Ru)配體(Ruthenium Complex)系 列或菁(Pathalocyanine)系列或淋系列或葉綠素或其衍生物染料。
      5另外,上述施體材料及/或受體材料可還包括一無機材料,其可例如二氧化
      鈦(Ti02)或五氧化二鈮(Nb205)或硫化鎘(CdS)或碳六十(C6Q)衍生物。 此外,有機材料可與無機材料混合制成復(fù)合材料。
      當(dāng)光電轉(zhuǎn)換層122受光線激發(fā)而產(chǎn)生空穴及電子時,空穴需實時傳送至正 極,電子需傳送至負極。第一電極層121及第二電極層123可為正極與負極, 或為負極與正極。此外,第一電極層121與第二電極層123需考慮其透光性, 以本實施例而言,由于光線先通過第二電極層123,再至光電轉(zhuǎn)換層122,故第 二電極層123需透光。
      在本實施例中,第二電極層123可為透明導(dǎo)電的金屬氧化物,例如銦錫氧 化物(indium-tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium-zinc oxide, IZO)、鋁鋅氧化 物(aluminum-zinc oxide, AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、鋅氧化物(zinc oxide, ZnO) 或錫氧化物(Sn02)。第一電極層121可為鋁電極、銀電極、鈣電極層或鉬電極。 由于第一電極層121及第二電極層123需考慮電極的功率函數(shù),故可依實際情 況來選擇。第一電極層121及第二電極層123可例如由印刷或涂布或噴涂或濺 鍍或蒸鍍或轉(zhuǎn)印或其組合形成。
      為增加光電轉(zhuǎn)換效率,本實施例可選擇性設(shè)置空穴傳導(dǎo)層及/或電子傳導(dǎo)層, 空穴傳導(dǎo)層及電子傳導(dǎo)層分別與光電轉(zhuǎn)換層122接觸以分別提升空穴及電子的 傳導(dǎo)能力。此外,由于光電轉(zhuǎn)換薄膜12位于電子裝置1的外側(cè),故機殼10還 可包括一保護層(圖未顯示),保護層形成于第二電極層123上。
      請參考圖1A及圖1B所示,于本實施例中,電子元件E容置于機殼IO內(nèi), 并以光電轉(zhuǎn)換薄膜12的電量儲存單元為例,例如包含電容器或充電電池或可儲 存電量的芯片,且電子元件E可設(shè)置于電路板上。光電轉(zhuǎn)換薄膜12與電子元件 E分別設(shè)置于殼體11的兩側(cè)并電性連接,在本實施例中,機殼10的殼體11具 有一穿孔O,而電子元件E利用穿孔O與第一電極層121及第二電極層123電 性連接,例如是利用導(dǎo)線W連接。 第二實施例
      請參照圖2所示,電子裝置1的另一種機殼20包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜22以 及一殼體21。與上述實施例不同的是,光電轉(zhuǎn)換薄膜22形成于殼體21的內(nèi)側(cè), 即光線先經(jīng)過殼體21再至光電轉(zhuǎn)換薄膜22。殼體21包括透明且不導(dǎo)電的材料, 例如玻璃。光電轉(zhuǎn)換薄膜22的第一電極層221、第二電極層223及光電轉(zhuǎn)換層 222的構(gòu)成、材料及制造方法,已于上述第一實施例的光電轉(zhuǎn)換薄膜12中詳述, 于此不再贅述。光電轉(zhuǎn)換薄膜22可還具有一抗反射層224,其設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換薄膜22,且 位于第一電極層221與光電轉(zhuǎn)換層222之間,以提升光線穿透第一電極層221 的效率,并提升光線利用率。光電轉(zhuǎn)換薄膜22還包括一空穴傳導(dǎo)層225與光電 轉(zhuǎn)換層222接觸,以提升空穴傳導(dǎo)能力。其中,空穴傳導(dǎo)層225的材料可例如 為導(dǎo)電高分子或P30T或PPV或PT或其衍生物。 第三實施例
      請參照圖3所示,電子裝置1的另一種機殼30包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜32以 及一殼體31。與上述實施例不同的是,光電轉(zhuǎn)換薄膜32包含一光電轉(zhuǎn)換層322 及一第二電極層323,且機殼30還包括一第一電極層321位于殼體31上。本實 施例可用一電路板來當(dāng)作第一電極層321及殼體31,其中,電路板上的導(dǎo)電層 可作為第一電極層321,如此可省略第一電極層321的制程。電路板可為塑料電 路板或玻璃電路板或陶瓷電路板或金屬電路板或樹脂電路板或金屬核電路板 (MCPCB)。
      另外,機殼30還包括一保護層33,其可絕緣且為一防水性高分子層,以防 止水汽或氧氣滲入光電轉(zhuǎn)換薄膜32。另外,機殼30可還包括一微結(jié)構(gòu),其可設(shè) 置于保護層33上,或與保護層33—體成型制成,微結(jié)構(gòu)可例如為透鏡結(jié)構(gòu)以 調(diào)整光線路徑。 第四實施例
      請參照圖4所示,電子裝置1的另一種機殼40包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜42以 及一殼體41。與上述實施例不同的是,光電轉(zhuǎn)換薄膜42不包含第一電極層,而 是殼體41作為第一電極層。在本實施例中,殼體41包括透明導(dǎo)電的材料,其 例如為銦錫氧化物(ITO)、鋅氧化物(ZnO)或錫氧化物(Sn02),并作為正電 極。光電轉(zhuǎn)換薄膜42包括一光電轉(zhuǎn)換層422及一第二電極層423,光電轉(zhuǎn)換層 422位于殼體41與第二電極層423之間。另外,機殼40還包括一絕緣層43設(shè) 置于殼體41的一側(cè),以免使用者觸摸殼體41而觸電。此外,絕緣層43可包括 抗反射材料,以作為一抗反射層設(shè)置于殼體41上,而提升光線穿透及利用率。 第五實施例
      請參照圖5所示,電子裝置1的另一種機殼50包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜52、另 一光電轉(zhuǎn)換薄膜53以及一殼體51。于本實施例中,殼體51包括透光金屬的材 料,并作為光電轉(zhuǎn)換薄膜52、 53的基板,使光電轉(zhuǎn)換薄膜52、 53形成于殼體 51的二側(cè)。于本實施例中,光電轉(zhuǎn)換薄膜52、 53的各層結(jié)構(gòu)、材料及制造方法, 己于第一實施例的光電轉(zhuǎn)換薄膜12中詳述,于此不再贅述。
      7于本實施例中,機殼50還包括一抗反射層54,其設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換薄膜52 與殼體51之間,使沒有被光電轉(zhuǎn)換薄膜52吸收的光線穿透殼體51而到達光電 轉(zhuǎn)換薄膜53,而再次利用并提升光電轉(zhuǎn)換能力。
      綜上所述,本發(fā)明的電子裝置及其機殼,以殼體作為基板將具有有機材料 的光電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體上,由于光電轉(zhuǎn)換薄膜包括有機材料,故本發(fā)明可 利用較低溫及簡單的制程,例如印刷或涂布或噴涂或濺鍍或蒸鍍或轉(zhuǎn)印或其組 合,將光電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體的一側(cè)或其兩側(cè),使電子裝置的機殼直接作為 光電轉(zhuǎn)換元件,進而簡化制程及降低生產(chǎn)成本。此外,本發(fā)明由于將機殼的殼 體作為光電轉(zhuǎn)換薄膜的基板,故可節(jié)省原本需要的基板,進而降低成本并減少 機殼的厚度。
      利用以上較佳具體實施例的詳述,希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精 神,而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反 地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的權(quán)利 要求的范疇內(nèi)。因此,本發(fā)明所申請的權(quán)利要求的范疇?wèi)?yīng)該根據(jù)上述的說明作 最寬廣的解釋,以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
      權(quán)利要求
      1.一種電子裝置的機殼,其特征是,包括光電轉(zhuǎn)換薄膜,具有有機材料;以及殼體,上述光電轉(zhuǎn)換薄膜形成于上述殼體。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述殼體為透光或不透光。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述殼體的材料包括塑料或陶瓷 或玻璃或石英或金屬或合金或其組合。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述殼體為電路板。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述光電轉(zhuǎn)換薄膜具有第一電極 層、第二電極層及光電轉(zhuǎn)換層,上述光電轉(zhuǎn)換層位于上述第一電極層與上述第 二電極層之間。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的機殼,其特征是,上述第一電極層位于上述殼體上。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的機殼,其特征是,上述光電轉(zhuǎn)換層包括由施體材料 與受體材料所組成的單層或雙層。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的機殼,其特征是,上述光電轉(zhuǎn)換薄膜還具有空穴傳 導(dǎo)層或電子傳導(dǎo)層與上述光電轉(zhuǎn)換層接觸。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述光電轉(zhuǎn)換薄膜以印刷或涂布 或噴涂或濺鍍或蒸鍍或轉(zhuǎn)印或其組合形成于上述殼體的一側(cè)或其兩側(cè)。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機殼,其特征是,上述機殼還包括-抗反射層,設(shè)置于上述光電轉(zhuǎn)換薄膜或上述殼體或上述光電轉(zhuǎn)換薄膜與上述殼體之間。
      11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的機殼,其特征是,上述機殼還包括 電子元件,容置于上述機殼內(nèi)。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的機殼,其特征是,上述光電轉(zhuǎn)換薄膜與上述電子 元件分別設(shè)置于上述殼體的兩側(cè)且電性連接。
      全文摘要
      一種電子裝置的機殼,其位于電子裝置的最外層,并包括一光電轉(zhuǎn)換薄膜以及一殼體。光電轉(zhuǎn)換薄膜具有一有機材料。殼體作為光電轉(zhuǎn)換薄膜的基板,使光電轉(zhuǎn)換薄膜形成于殼體。
      文檔編號H05K5/00GK101662900SQ200810213338
      公開日2010年3月3日 申請日期2008年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月27日
      發(fā)明者林舜文, 鄭定群, 陳建安 申請人:和碩聯(lián)合科技股份有限公司
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