專(zhuān)利名稱(chēng)：高散熱性封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高散熱性封裝基板的制作方法，尤指一種以銅核基板為基礎(chǔ)，開(kāi)始制作 封裝基板的制作方法，于其中，該封裝基板的結(jié)構(gòu)包括復(fù)數(shù)個(gè)球側(cè)電性接腳接墊、 一厚銅蝕 刻線路及至少一增層線路。
背景技術(shù)：
在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常是由一核心基板開(kāi)始，經(jīng)過(guò)鉆孔、電鍍 金屬、塞孔及雙面線路制作等方式，完成一雙面結(jié)構(gòu)的內(nèi)層核心板，之后再經(jīng)由一線路增層 制程完成一多層封裝基板。如圖2 l所示，其為一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準(zhǔn) 備一核心基板6 0，其中，該核心基板6 0由一具預(yù)定厚度的芯層6 0 l及形成于此芯層6
0 l表面的線路層6 0 2所構(gòu)成，且該芯層6 0 1中形成有復(fù)數(shù)個(gè)電鍍導(dǎo)通孔6 0 3，可藉 以連接該芯層6 0 1表面的線路層6 0 2 。
接著如圖2 2 圖2 5所示，對(duì)該核心基板6 O實(shí)施線路增層制程。首先，是于該核心 基板6 0表面形成一第一介電層6 1，且該第一介電層6 l表面并形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口6
2，以露出該線路層6 0 2;之后，以無(wú)電電鍍與電鍍等方式于該第一介電層6 l外露的表 面形成一晶種層6 3 ，并于該晶種層6 3上形成一圖案化阻層6 4 ，且其圖案化阻層6 4中 并有復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口6 5，以露出部份欲形成圖案化線路的晶種層6 3;接著，利用電鍍的 方式于該第二開(kāi)口6 5中形成一第一圖案化線路層6 6及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電盲孔6 7，并使其第一 圖案化線路層6 6得以透過(guò)該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電盲孔6 7與該核心基板6 0的線路層6 0 2做電性 導(dǎo)通，然后再進(jìn)行移除該圖案化阻層6 4與蝕刻，待完成后形成一第一線路增層結(jié)構(gòu)6a。 同樣地，該法可于該第一線路增層結(jié)構(gòu)6 a的最外層表面再運(yùn)用相同的方式形成一第二介電 層6 8及一第二圖案化線路層6 9的第二線路增層結(jié)構(gòu)6 b，以逐步增層方式形成一多層封 裝基板。然而，此種制作方法有布線密度低、層數(shù)多及流程復(fù)雜等缺點(diǎn)。
另外，亦有利用厚銅金屬板當(dāng)核心材料的方法，可于經(jīng)過(guò)蝕刻及塞孔等方式完成一內(nèi)層 核心板后，再經(jīng)由一線路增層制程以完成一多層封裝基板。如圖2 6 圖2 8所示，其為另 一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準(zhǔn)備一核心基板7 0，該核心基板7 O是由一具預(yù) 定厚度的金屬層利用蝕刻與樹(shù)脂塞孔7 0 1以及鉆孔與電鍍通孔7 0 2等方式形成的單層銅 核心基板7 0;之后，利用上述線路增層方式，于該核心基板7 0表面形成一第一介電層7l及一第一圖案化線路層7 2，藉此構(gòu)成一具第一線路增層結(jié)構(gòu)7a。該法亦與上述方法相 同，可再利用一次線路增層方式于該第一線路增層結(jié)構(gòu)7 a的最外層表面形成一第二介電層
7 3及一第二圖案化線路層7 4，藉此構(gòu)成一第二線路增層結(jié)構(gòu)7b，以逐步增層方式形成 一多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基板制作不易，而且由于與上種方法相 同，因此，具有布線密度低及流程復(fù)雜等缺點(diǎn)。故一般無(wú)法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)所需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高散熱性封裝基板 的制作方法，使用本方法所制造的高散熱性封裝基板，可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹 問(wèn)題、及簡(jiǎn)化傳統(tǒng)增層線路板制作流程的目的。
本發(fā)明的次要目的在于，從一銅核基板為基礎(chǔ)，開(kāi)始制作的封裝基板。其結(jié)構(gòu)包括復(fù)數(shù) 個(gè)球側(cè)電性接腳接墊、 一厚銅蝕刻線路及至少一增層線路。于其中，電性接腳接墊與厚銅線 路由銅核基板的兩面分別蝕刻而成，且各增層線路與厚銅蝕刻線路連接的方式以復(fù)數(shù)個(gè)電鍍 盲、埋孔所導(dǎo)通。
本發(fā)明的另一目的在于，制作厚銅蝕刻線路時(shí)能具選擇性地保留位于置晶位置下方的厚 銅，以提供置晶接墊，在該置晶接墊與增層線路上所形成的凹槽結(jié)構(gòu)位置相符下，可使置晶 時(shí)芯片能與下方金屬接墊直接結(jié)合，以提供芯片運(yùn)作時(shí)良好的散熱結(jié)構(gòu)，進(jìn)而有效地增加組 件的散熱效果；同時(shí)，并可以其具有的高密度增層線路提供電子組件相連時(shí)所需的繞線。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是 一種高散熱性封裝基板的制作方 法，其至少包含下列步驟
A、 提供一銅核基板；
B、 分別于該銅核基板的第一面上形成第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完
全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數(shù)個(gè)第一開(kāi)口，并顯露其下該銅核基板的
第一面；
C、 于數(shù)個(gè)第一開(kāi)口下方形成數(shù)個(gè)第一凹槽；
D、 移除該第一阻層及該第二阻層，形成具有第一線路層的銅核基板；
E、 于數(shù)個(gè)第一凹槽內(nèi)形成第一電性阻絕層，并顯露該第一線路層；
F、 于該第一線路層與該第一電性阻絕層上形成第一介電層及第一金屬層，于其中，該 第一介電層及該第一金屬層形成有數(shù)個(gè)定義置晶位置的中空凹槽，并顯露該第一線路層的金 屬接墊；
G、 于該第一金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個(gè)第二開(kāi)口，并顯露其下的第一線路層；H、于該銅核基板的第二面上形成第三阻層；
I 、于數(shù)個(gè)第二開(kāi)口中及數(shù)個(gè)中空凹槽所顯露的第一線路層上形成第二金屬層； J 、移除該第三阻層；
K、分別于該第二金屬層上形成一第四阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全 覆蓋狀的第五阻層，于其中，該第四阻層上形成數(shù)個(gè)第三開(kāi)口，并顯露其下的第二金屬層； L、移除該第三開(kāi)口下方的第二金屬層及第一金屬層；
M、移除該第四阻層及該第五阻層，并形成一第二線路層。至此，完成一具有銅核基板 支撐的雙層線路基板，并直接進(jìn)行步驟N;以及
N、于該雙層線路基板上進(jìn)行置晶側(cè)線路層與球側(cè)電性接腳接墊的制作，于其中，在該 第二線路層表面形成第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個(gè)第四開(kāi)口，以顯露線路增 層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊的部分，接著再分別于該第一防焊層上形成完全覆蓋狀的第六阻層， 以及于該銅核基板的第二面上形成第七阻層，并且在該第七阻層上形成數(shù)個(gè)第五開(kāi)口，以顯 露其下該銅核基板的第二面。之后于數(shù)個(gè)第五開(kāi)口上形成數(shù)個(gè)第二凹槽，并顯露數(shù)個(gè)第五開(kāi) 口下方的第一電性阻絕層或第一線路層，接著再移除該第六阻層及該第七阻層，以形成數(shù)個(gè) 柱狀接腳，之后并于數(shù)個(gè)第二凹槽內(nèi)形成第二電性阻絕層，以顯露球側(cè)數(shù)個(gè)電性接腳接墊， 最后，分別于數(shù)個(gè)第四開(kāi)口上形成第一阻障層，以及于數(shù)個(gè)電性接腳接墊上形成第二阻障層 ，至此，完成一封裝基板。
如此，利用于厚銅蝕刻線路時(shí)所選擇性地保留位于置晶位置下方的厚銅，以及增層線路 上所形成的中空凹槽，可使芯片能與下方金屬接墊直接結(jié)合，以提供芯片運(yùn)作時(shí)良好的散熱 結(jié)構(gòu)，進(jìn)而有效地增加組件的散熱效果；同時(shí)，并可以其高密度增層線路提供電子組件相連 時(shí)所需的繞線，因此，可有效改善超薄核層基板板彎翹問(wèn)題及簡(jiǎn)化傳統(tǒng)增層線路板的制作流 程。


圖1是本發(fā)明的制作流程示意圖。
圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖一。
圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖二。
圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖三。
圖5是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖四。
圖6是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖五。
圖7是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖六。圖8是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖七。
圖9是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖八。
圖10是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖九。
圖ll是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十。
圖12是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十一。
圖13是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十二。
圖14是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十三。
圖15是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十四。
圖16是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十五。
圖17是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十六。
圖18是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十七。
圖19是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十八。
圖20是本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十九。
圖21是已知有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖22是已知實(shí)施線路增層的剖面示意圖一。
圖23是已知實(shí)施線路增層的剖面示意圖二。
圖24是已知實(shí)施線路增層的剖面示意圖三。
圖25是已知實(shí)施線路增層的剖面示意圖四。
圖26是另一已知有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖27是圖26所示實(shí)施例具第一線路增層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖28是圖27所示實(shí)施例具第二路增層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
步驟(A) (N) 11 24 雙層線路基板3 封裝基板5
銅核基板3 0 a
具第一線路層的銅核基板3 Ob 具柱狀接腳之銅核基板3 0 c 第一、二阻層3 1 、 3 2 第一開(kāi)口 3 3
第一凹槽3 4 第一電性阻絕層3 5
第一介電層3 6 第一金屬層3 74 3
第二開(kāi)口 3 9 第二金屬層41 第三開(kāi)口4 4 第一防焊層4 6
4 9
第二凹槽51 電性接腳接墊5 3
6b 7b
中空凹槽3 8 第三阻層4 0 第四、五阻層4 2 第二線路層4 5 第四開(kāi)口4 7 第六、七阻層4 8 第五開(kāi)口 5 0 第二電性阻絕層5 2 第一、二阻障層5 4 、 5 5 第一、二線路增層結(jié)構(gòu)6a、 第一、二線路增層結(jié)構(gòu)7a、 核心基板6 0 線路層6 0 2 第一介電層61 該晶種層6 3 第二開(kāi)口 6 5 第一圖案化線路層6 6 第二介電層6 8 第二圖案化線路層6 9 樹(shù)脂塞孔7 0 1 第一介電層71 第一圖案化線路層7 2 第二介電層7 3 第二圖案化線路層7 4
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖l所示，為本發(fā)明的制作流程示意圖。如圖所示本發(fā)明為一種高散熱性 封裝基板的制作方法，其至少包括下列步驟
(A) 提供銅核基板l 1:提供一銅核基板；
(B) 形成第一、二阻層及復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口l 2:分別于該銅核基板的第一面上形成一 第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，并以曝光
芯層6 0 1 電鍍導(dǎo)通孔6 0 3 第一開(kāi)口 6 2 圖案化阻層6 4
導(dǎo)電盲孔6 7
核心基板7 0 電鍍通孔7 0 2及顯影的方式在該第一阻層上形成復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口，以顯露其下該銅核基板的第一面；
(C)形成第一凹槽l3:以蝕刻的方式于復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口下方形成復(fù)數(shù)個(gè)第一凹槽；
"D)移除第一、二阻層l 4:以剝離的方式移除該第一阻層及該第二阻層，形成具有第一 線路層的銅核基板；
(E) 形成第一電性阻絕層1 5 :以直接壓合或印刷的方式于復(fù)數(shù)個(gè)第一凹槽內(nèi)形成一 第一電性阻絕層，并顯露該第一線路層；
(F) 形成第一介電層及第一金屬層l 6:于該第一線路層與該第一電性阻絕層上直接 壓合一第一介電層及一第一金屬層，亦或是先采取貼合該第一介電層后，再形成該第一金屬 層，于其中，該第一介電層及該第一金屬層形成有復(fù)數(shù)個(gè)定義置晶位置的中空凹槽，并顯露 該第一線路層的金屬接墊；
(G) 形成復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口l 7:以鐳射鉆孔的方式于該第一金屬層與該第一介電層上 形成復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口，并顯露其下的第一線路層，其中，復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口系可先做開(kāi)銅窗( Conformal Mask)后，再經(jīng)由鐳射鉆孔的方式形成，亦或是以直接鐳射鉆孔(LASER Direct )的方式形成；
(H) 形成第三阻層l 8:于該銅核基板的第二面上形成一第三阻層；
(I )形成第二金屬層l 9 :以無(wú)電電鍍與電鍍的方式于復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口中及復(fù)數(shù)個(gè)中 空凹槽所顯露的第一線路層上形成一第二金屬層；
(J)移除第三阻層2 Q:以剝離的方式移除該第三阻層；
(K)形成第四、五阻層及復(fù)數(shù)個(gè)第三開(kāi)口2 1:分別于該第二金屬層上形成一第四阻 層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第五阻層，于其中，并以曝光及顯影 的方式在該第四阻層上形成復(fù)數(shù)個(gè)第三開(kāi)口，以顯露其下的第二金屬層；
(L)移除顯露第一、二金屬層2 2:以蝕刻的方式移除該第三開(kāi)口下方的第二金屬層 及第一金屬層；
(M)完成具有銅核基板支撐的雙層線路基板2 3:以剝離的方式移除該第四阻層及該 第五阻層，并形成一第二線路層。至此，完成一具有銅核基板支撐的雙層線路基板，并可直 接進(jìn)行步驟(N);以及
(N)進(jìn)行置晶側(cè)線路層與球側(cè)電性接腳接墊的制作2 4:于該雙層線路基板上進(jìn)行一 置晶側(cè)線路層與球側(cè)電性接腳接墊的制作，于其中，在該第二線路層表面形成一第一防焊層 ，并以曝光及顯影的方式在該第一防焊層上形成復(fù)數(shù)個(gè)第四開(kāi)口，以顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊的部分，接著再分別于該第一防焊層上形成一完全覆蓋狀的第六阻層，以及于該 銅核基板的第二面上形成一第七阻層，并且在該第七阻層上以曝光及顯影的方式形成復(fù)數(shù)個(gè) 第五開(kāi)口，以顯露其下該銅核基板的第二面。之后以蝕刻的方式于復(fù)數(shù)個(gè)第五開(kāi)口上形成復(fù) 數(shù)個(gè)第二凹槽，并顯露復(fù)數(shù)個(gè)第五開(kāi)口下方的第一電性阻絕層或第一線路層，接著再以剝離 的方式移除該第六阻層及該第七阻層，以形成復(fù)數(shù)個(gè)柱狀接腳，之后并于復(fù)數(shù)個(gè)第二凹槽內(nèi) 以直接壓合或印刷的方式形成一第二電性阻絕層，以顯露球側(cè)復(fù)數(shù)個(gè)電性接腳接墊，最后， 分別于復(fù)數(shù)個(gè)第四開(kāi)口上形成一第一阻障層，以及于復(fù)數(shù)個(gè)電性接腳接墊上形成一第二阻障 層。至此，完成一具有完整圖案化的置晶側(cè)線路層與球側(cè)復(fù)數(shù)電性接腳接墊之封裝基板，其 中，該第一防焊層是以印刷、旋轉(zhuǎn)涂布或噴涂所為的高感旋光性液態(tài)光阻；該第一、二阻障 層可為電鍍鎳金、無(wú)電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中擇其一。
于其中，上述該第一 七阻層是以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光 性光阻；該第一、二電性阻絕層及該第一介電層可為防焊綠漆、環(huán)氧樹(shù)脂絕緣膜( Ajinomoto Build-up Film, ABF)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclo-buthene， BCB)、雙馬來(lái)亞酰 胺-三氮雜苯樹(shù)脂(Bismaleimide Triazine， BT)、環(huán)氧樹(shù)脂板(FR4、 FR5)、聚酰亞胺( Polyimide， PI)、聚四氟乙烯(Poly (tetra-floroethylene) ， PTFE)或環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖 維所組成之一。
請(qǐng)參閱圖2 圖1 4所示，分別為本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面剖面示意圖一、本
發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖二、本發(fā)明-一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖三、本
發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖四、本發(fā)明-一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖五、本
發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖六、本發(fā)明-一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖七、本
發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖八、本發(fā)明-一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖九、本
發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十、本發(fā)明-一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十一』、
本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十二及本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十
三。如圖所示本發(fā)明于一較佳實(shí)施例中，是先提供一銅核基板3 0a，并分別于該銅核基 板3 0 a的第一面上貼合一高感旋光性高分子材料的第一阻層3 1 ，以及于該銅核基板3 0 a 的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第二阻層3 2，并以曝光及顯影的方式在該第一 阻層3 l上形成復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口3 3，以顯露其下該銅核基板3 Oa的第一面，而其第二面 上的第二阻層3 2則為完全覆蓋狀。接著以蝕刻的方式制作一第一凹槽3 4，并移除該第一 、二阻層，以形成具有第一線路層的銅核基板3 0b，隨后，印刷一第一電性阻絕層3 5于 該第一凹槽3 4中，以顯露出該第一線路層，其中，該銅核基板3 0a、 3 0b為一不含介電層材料的厚銅板；該第一、二阻層3 1、 3 2為干膜光阻層；該第一電性阻絕層3 5為防焊 綠漆。
接著，于該第一線路層與該第一電性阻絕層3 5上壓合一第一介電層3 6及一第一金屬 層3 7，其中該第一介電層3 6及該第一金屬層3 7已事先以銑刀成形出復(fù)數(shù)個(gè)預(yù)作為定義 置晶位置的中空凹槽3 8，其下方并顯露出該第一線路層的金屬接墊，以增加其散熱效果。 之后再以鐳射鉆孔的方式于該第一金屬層3 7與該第一介電層3 6上形成復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口3 9，接著并于該銅核基板3 0b的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第三阻層4 0， 并以無(wú)電電鍍與電鍍的方式于復(fù)數(shù)個(gè)第二開(kāi)口3 9及復(fù)數(shù)個(gè)中空凹槽3 8下方的第一線路層 表面形成一第二金屬層4 1 ，之后移除該第三阻層，其中，該第一、二金屬層3 7、 4 1皆 為銅，且該第二金屬層4 l是作為與該第一線路層的電性連接用。
接著，分別于該第二金屬層4 l上貼合一高感旋光性高分子材料的第四阻層4 2，以及 于該銅核基板3 Ob的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第五阻層4 3，并曝光及顯 影的方式于該第四阻層4 2上形成復(fù)數(shù)個(gè)第三開(kāi)口4 4，以顯露其下的第二金屬層4 1 。最 后以蝕刻方式移除該第三開(kāi)口4 4下的第一、二金屬層，并再移除該第四、五阻層，以形成 一第二線路層4 5。至此，完成一具有該銅核基板支撐的雙層線路基板3。
請(qǐng)參閱圖l 5 圖2 O所示，分別為本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十四、本 發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十五、本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十六 、本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十七、本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖 十八及本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖十九。如圖所示在本發(fā)明較佳實(shí)施例中， 是接著進(jìn)行置晶側(cè)線路層與球側(cè)電性接腳接墊的制作。首先于該第二線路層4 5表面涂覆一 層絕緣保護(hù)用的第一防焊層4 6，并以曝光及顯影的方式于該第一防焊層4 6上形成復(fù)數(shù)個(gè) 第四開(kāi)口4 7，以顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊。接著分別于該第一防焊層4 6上貼合 一高感旋光性高分子材料的第六阻層4 8，以及于該銅核基板3 Ob的第二面上貼合一高感 旋光性高分子材料的第七阻層4 9，并以曝光及顯影的方式在該第七阻層4 9上形成復(fù)數(shù)個(gè) 第五開(kāi)口5 Q，以顯露其下該銅核基板3 Qb的第二面，而該第一防焊層4 6則以該第六阻 層4 8完全覆蓋。之后以蝕刻的方式制作一第二凹槽5 1，并移除該第六、七阻層，以形成 具復(fù)數(shù)個(gè)柱狀接腳的銅核基板3 0c，然后印刷一第二電性阻絕層5 2于該第二凹槽5 l中 ，以顯露出復(fù)數(shù)個(gè)電性接腳接墊5 3，最后，分別于復(fù)數(shù)個(gè)第四開(kāi)口4 7上形成一第一阻障 層5 4，以及于復(fù)數(shù)個(gè)電性接腳接墊5 3上形成一第二阻障層5 5。至此，完成一具高散熱 性的封裝基板5，其中，該第二電性阻絕層5 2為防焊綠漆；該第一、二阻障層5 4、 5 5皆為鎳金層。
由上述可知，本發(fā)明從銅核基板為基礎(chǔ)，開(kāi)始制作封裝基板的，其結(jié)構(gòu)包括復(fù)數(shù)個(gè)球側(cè) 電性接腳接墊、 一厚銅蝕刻線路及至少一增層線路。于其中，電性接腳接墊與厚銅線路是由 銅核基板的兩面分別蝕刻而成，且各增層線路與厚銅蝕刻線路連接的方式是以復(fù)數(shù)個(gè)電鍍盲 、埋孔所導(dǎo)通。因此，本發(fā)明封裝基板的特色在于，制作厚銅蝕刻線路時(shí)能具選擇性地保留 位于置晶位置下方的厚銅，以提供置晶接墊，同時(shí)，并于該增層線路上形成至少一凹槽結(jié)構(gòu) ，且該凹槽結(jié)構(gòu)并與厚銅蝕刻線路上的置晶接墊位置相符，可提供置晶時(shí)芯片能與下方金屬 接墊直接結(jié)合，以提供芯片運(yùn)作時(shí)良好的散熱結(jié)構(gòu)，進(jìn)而有效增加組件的散熱效果；并且， 其具有的高密度增層線路更可提供電子組件相連時(shí)所需的繞線。藉此，使用本發(fā)明具高散熱 性的封裝基板的方法所制造的高散熱性封裝基板，可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問(wèn)題 、及簡(jiǎn)化傳統(tǒng)增層線路板制作流程的目的。
綜上所述，本發(fā)明的一種高散熱性封裝基板的制作方法，可有效改善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺 點(diǎn)，利用于厚銅蝕刻線路時(shí)所選擇性地保留位于置晶位置下方的厚銅，以及增層線路上所形 成的中空凹槽，可使芯片能與下方金屬接墊直接結(jié)合，有效地提供組件散熱的所需，同時(shí)并 可以其高密度增層線路提供電子組件相連時(shí)所需的繞線，因此可有效改善超薄核層基板板彎 翹問(wèn)題及簡(jiǎn)化傳統(tǒng)增層線路板制作流程的目的，進(jìn)而能使本發(fā)明能更進(jìn)步、更實(shí)用、更符合 使用者所須，確已符合發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的要件，依法提出專(zhuān)利申請(qǐng)。
惟以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍；故， 凡依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍及發(fā)明說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明 專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
權(quán)利要求1一種高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于其至少包含下列步驟A、提供一銅核基板；B、分別于該銅核基板的第一面上形成第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數(shù)個(gè)第一開(kāi)口，并顯露其下該銅核基板的第一面；C、于數(shù)個(gè)第一開(kāi)口下方形成數(shù)個(gè)第一凹槽；D、移除該第一阻層及該第二阻層，形成具有第一線路層的銅核基板；E、于數(shù)個(gè)第一凹槽內(nèi)形成第一電性阻絕層，并顯露該第一線路層；F、于該第一線路層與該第一電性阻絕層上形成第一介電層及第一金屬層，于其中，該第一介電層及該第一金屬層形成有數(shù)個(gè)定義置晶位置的中空凹槽，并顯露該第一線路層的金屬接墊；G、該第一金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個(gè)第二開(kāi)口，并顯露其下的第一線路層；H、于該銅核基板的第二面上形成第三阻層；I、于數(shù)個(gè)第二開(kāi)口中及數(shù)個(gè)中空凹槽所顯露的第一線路層上形成第二金屬層；J、移除該第三阻層；K、分別于該第二金屬層上形成一第四阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第五阻層，其中，該第四阻層上形成數(shù)個(gè)第三開(kāi)口，并顯露其下的第二金屬層；L、移除該第三開(kāi)口下方的第二金屬層及第一金屬層；M、移除該第四阻層及該第五阻層，并形成一第二線路層。至此，完成一具有銅核基板支撐的雙層線路基板，并直接進(jìn)行步驟N；以及N、于該雙層線路基板上進(jìn)行置晶側(cè)線路層與球側(cè)電性接腳接墊的制作，于其中，在該第二線路層表面形成第一防焊層，且在該第一防焊層上形成數(shù)個(gè)第四開(kāi)口，以顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊的部分，接著再分別于該第一防焊層上形成完全覆蓋狀的第六阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成第七阻層，并且在該第七阻層上形成數(shù)個(gè)第五開(kāi)口，以顯露其下該銅核基板的第二面。之后于數(shù)個(gè)第五開(kāi)口上形成數(shù)個(gè)第二凹槽，并顯露數(shù)個(gè)第五開(kāi)口下方的第一電性阻絕層或第一線路層，接著再移除該第六阻層及該第七阻層，以形成數(shù)個(gè)柱狀接腳，之后并于數(shù)個(gè)第二凹槽內(nèi)形成第二電性阻絕層，以顯露球側(cè)數(shù)個(gè)電性接腳接墊，最后，分別于數(shù)個(gè)第四開(kāi)口上形成第一阻障層，以及于數(shù)個(gè)電性接腳接墊上形成第二阻障層，至此，完成一封裝基板。
2.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述銅核基板為不含介電層材料的銅板。
3.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述第一 七阻層是以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
4.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述數(shù)個(gè)第一、三、四及五開(kāi)口以曝光及顯影方式形成。
5.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述步驟C形成數(shù)個(gè)第一凹槽、該步驟L移除該第一、二金屬層、及步驟N形成數(shù)個(gè)第二凹 槽的方法為蝕刻。
6.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述第一 七阻層的移除方法為剝離。
7.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述第一、二電性阻絕層以直接壓合或印刷方式形成。
8.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述第一、二電性阻絕層及該第一介電層為防焊綠漆、環(huán)氧樹(shù)脂絕緣膜、苯環(huán)丁烯、雙馬來(lái) 亞酰胺-三氮雜苯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、或環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維所組 成之一。
9.如權(quán)利要求l所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于 所述步驟F以直接壓合該第一介電層及該第一金屬層于其上，或采取貼合該第一介電層后， 再形成該第一金屬層。
10.如權(quán)利要求1所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于所述第一介電層及該第一金屬層為具有數(shù)個(gè)中空凹槽結(jié)構(gòu)的材料制成。
11.如權(quán)利要求io所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在于所述數(shù)個(gè)中空凹槽結(jié)構(gòu)的形成方式為沖壓、鐳射或銑刀成形。
12.如權(quán)利要求1所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在 于所述數(shù)個(gè)第二開(kāi)口是先做開(kāi)銅窗后，再經(jīng)由鐳射鉆孔的方式形成，亦或是直接以鐳射鉆 孔的方式形成。
13.如權(quán)利要求1所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在 于所述第二金屬層的形成方式為無(wú)電電鍍與電鍍。
14.如權(quán)利要求1所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在 于所述第一防焊層以印刷、旋轉(zhuǎn)涂布或噴涂所為的高感旋光性液態(tài)光阻。
15.如權(quán)利要求1所述的高散熱性封裝基板的制作方法，其特征在 于所述第一、二阻障層為電鍍鎳金、無(wú)電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中的一種組成。
全文摘要
一種高散熱性封裝基板的制作方法，以銅核基板為基礎(chǔ)，開(kāi)始制作封裝基板，其結(jié)構(gòu)包括數(shù)個(gè)球側(cè)電性接腳接墊、一厚銅蝕刻線路及至少一增層線路。電性接腳接墊與厚銅線路由銅核基板的兩面分別蝕刻而成，且各增層線路與厚銅蝕刻線路的連接以數(shù)個(gè)電鍍盲、埋孔所導(dǎo)通。因此利用于厚銅蝕刻線路時(shí)能具選擇性地保留位于置晶位置下方的厚銅，以及增層線路上所形成的凹槽結(jié)構(gòu)，使芯片能與下方金屬接墊直接結(jié)合，以提供芯片運(yùn)作時(shí)良好的散熱結(jié)構(gòu)，進(jìn)而有效地增加組件的散熱效果；同時(shí)，并可以高密度增層線路提供電子組件相連時(shí)所需的繞線，因此可有效改善超薄核層基板板彎翹問(wèn)題及簡(jiǎn)化傳統(tǒng)增層線路板的制作流程。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101436547SQ20081030459
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者林文強(qiáng), 王家忠, 陳振重 申請(qǐng)人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司