專利名稱：光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光學(xué)級(jí)石英晶體單面長(zhǎng)生長(zhǎng)工藝中使用的器 械，直接涉及光學(xué)級(jí)石英晶體單面長(zhǎng)生長(zhǎng)工藝中用的控制板。
技術(shù)背景人造石英晶體生長(zhǎng)工藝是釆用水熱溫差法在立式密封的高壓釜 內(nèi)實(shí)現(xiàn)的。由于水熱溫差法生長(zhǎng)石英晶體是在堿性溶液中生長(zhǎng)又是在比較 復(fù)雜的物理化學(xué)條件下進(jìn)行的，且其生長(zhǎng)又是在密封的高壓釜內(nèi)完成，因 此不能直接觀察到生長(zhǎng)的全過程。而不同堿性溶液的配比，釜內(nèi)填充度參 數(shù)的選取，高壓釜加熱時(shí)溫度、時(shí)間、壓力參數(shù)的控制等又都會(huì)對(duì)生長(zhǎng)出 的石英晶體的等級(jí)產(chǎn)生重要影響。這就為該類課題的研究與試驗(yàn)增加了難 度。不僅如此，工藝中所使用的器械也會(huì)對(duì)生長(zhǎng)出的石英晶體的等級(jí)產(chǎn)生 重要影響。光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板就是與籽晶體緊密結(jié)合的器械，它
可以控制晶體朝著z軸的單一方向生長(zhǎng)。當(dāng)前，許多企業(yè)就在嘗試用控制
板提高石英晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量，實(shí)踐中一般是采用單一結(jié)構(gòu)的鐵板作為控制 板并將其連接籽晶后豎著懸掛于籽晶架上使用，這樣做雖然對(duì)液體的阻力 很小，然而這種結(jié)構(gòu)和使用狀態(tài)也未真正對(duì)石英晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量產(chǎn)生積極 的影響。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是要提供一種改進(jìn)的光學(xué)石英晶體單面 長(zhǎng)控制板，它在光學(xué)級(jí)石英晶體單面長(zhǎng)生長(zhǎng)工藝中的應(yīng)用并結(jié)合保持一定 的狀態(tài)，能有效地克服現(xiàn)有工藝釆用單一結(jié)構(gòu)的鐵板作為控制板并將其連 接籽晶后豎著懸掛于籽晶架上存在的難以使石英晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量提高的弊端。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板，具有 主板，在主板的一個(gè)側(cè)邊與主板成直角設(shè)置副板。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案是所述主板與副板各自的邊角上分別 設(shè)置抹角。
本實(shí)用新型由于在主板的一個(gè)側(cè)邊與主板成直角設(shè)置了副板，因而當(dāng) 主板水平布置時(shí)，隨著晶體朝著單一Z向的生長(zhǎng)，比-X方向生長(zhǎng)速率快一 倍的+X方向得到抑制，從而提高了晶體Z區(qū)的比例，晶體的可利用率大大
提高；同時(shí)由于主板的水平布置，晶體生長(zhǎng)過程中隨著液體的上下流動(dòng)，
包裹體會(huì)直接落在主板水平面之上，而失去了接近并進(jìn)入生長(zhǎng)晶體的機(jī)會(huì)， 從而使晶體的包裹體指標(biāo)得到極大改善。

附圖是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理圖，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型 作進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
附圖示出了本實(shí)用新型光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板的結(jié)
構(gòu)，具有主板1，在主板1的一個(gè)側(cè)邊與主板1成直角設(shè)置副板3。作為一 種優(yōu)選方案，所述主板1與副板3各自的邊角上分別再設(shè)置抹角2。使用 時(shí)，主板1下側(cè)面貼面連接籽晶，并將其水平放置于籽晶架上，每塊主板 1之間留有供液體流動(dòng)的空隙在10亳米左右。
權(quán)利要求1.一種光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板，具有主板(1)，其特征是:在主板(1)的一個(gè)側(cè)邊與主板(1)成直角設(shè)置副板(3)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板，其特征是 所述主板(1)與副板(3)各自的邊角上分別設(shè)置抹角(2)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種光學(xué)石英晶體單面長(zhǎng)控制板，具有主板，在主板的一個(gè)側(cè)邊與主板成直角設(shè)置副板。本實(shí)用新型在使用時(shí)，主板水平布置，隨著晶體朝著單一Z向的生長(zhǎng)，比-X方向生長(zhǎng)速率快一倍的+X方向得到抑制，提高了晶體Z區(qū)的比例，晶體的可利用率大大提高；晶體生長(zhǎng)過程中，隨著液體的上下流動(dòng)，包裹體會(huì)直接落在主板水平面之上，而失去了接近并進(jìn)入生長(zhǎng)晶體的機(jī)會(huì)，從而使晶體的包裹體指標(biāo)得到極大改善。
文檔編號(hào)C30B7/00GK201198499SQ200820021959
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2008年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日
發(fā)明者劉盛浦 申請(qǐng)人:劉盛浦