專利名稱：一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，特別是一種表面使 用真空濺渡的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器。
背景技術(shù)：
正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器兩端施加一定電壓后其因自熱溫升其表 面溫度將保持定值，即電阻表面溫度只與所加的電壓有關(guān)，而與基本的
環(huán)境溫度無關(guān)，因此CPTC陶瓷加熱器在加熱領(lǐng)域使用的越來越廣泛。目 前，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器普遍采用的電極有以下幾種l.印刷鋁2. 噴鋁3.印刷銀鋅+印刷銀4.印刷鋁+印刷銀5.真空濺鍍鉻+濺鍍鎳+印 刷銀.其各自的缺點如下
1. 印刷鋁/噴鋁，其缺點為附著差，長期使用的功率衰減大；
2. 印刷銀鋅加上印刷銀及印刷鋁加上印刷銀，其缺點為長期使用的 功率衰減大。
3. 真空濺鍍鉻，然后濺鍍鎳，最后印刷銀，其缺點為成本高。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種表面濺渡金屬的正溫系 數(shù)熱敏電阻加熱器。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 一種正溫系數(shù)熱 敏電阻加熱器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器瓷片，在所述的瓷片表面 至少濺渡一層金屬層。
根據(jù)本實用新型的另外一個實施例，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器進一
步包括所述的金屬層材料為鋁。
根據(jù)本實用新型的另外一個實施例，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器進一
步包括所述的濺渡的金屬層厚度為0. 3微米 3微米。
根據(jù)本實用新型的另外一個實施例，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器進一 步包括所述的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器采用真空的方式對瓷片表面進行 濺渡金屬層。
本實用新型的有益效果是，本實用新型采用真空濺鍍金屬層來克服 瓷片表面的勢壘以與瓷片形成良好的歐姆接觸。真空濺鍍工藝具有可靠 性高附著力好的優(yōu)點，同時有比鉻鎳加銀電極結(jié)構(gòu)更低的成本。從而解 決以往電極工藝存在的問題。以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型的真空濺渡的過程示意圖。
圖中，1、瓷片，2、金屬層，3、真空室，4、電場，5、金屬耙材，6、 磁場，7、氬氣。
具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這 些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)， 因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。
如圖1所示的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻加 熱器瓷片1，在所述的瓷片1表面濺鍍一層金屬層2。本實用新型優(yōu)選實 施例中金屬層2材料是鋁。另外，該金屬層2厚度為0.3微米 3微米之
間。
如圖2所示為正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器真空濺渡的過程如下 一真 空室3內(nèi)，包括有一對正負電極施加的電場4、金屬靶材5、磁場6以及
表面需要濺渡的瓷片1。首先對真空室3內(nèi)通入惰性氣體氬氣7，通過電 場4將氬氣7離子化，再透過磁場6加速，形成高能量的入射等離子粒 子流，此高能粒子流將其能量或動量移轉(zhuǎn)給該真空室3內(nèi)的固體金屬耙 材5，金屬靶材5原子累積足夠的能量或動量時，即脫離金屬耙材5表 面，沉積在瓷片1表面形成金屬層2。
以上述依據(jù)本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容， 相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行 多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上 的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1、一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，其特征是包括正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器瓷片(1)，在所述的瓷片(1)表面濺鍍一層金屬層(2)。
2 、如權(quán)利要求1所述的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，其特征是所述 的金屬層(2)的材料為鋁。
3、 如權(quán)利要求1所述的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，其特征是所述 的濺渡的金屬層(2)厚度為0.3微米 3微米。
4、 如權(quán)利要求1所述的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，其特征是所述 的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器采用真空的方式對瓷片(1)表面進行濺渡金 屬層(2)。
專利摘要本實用新型涉及一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器瓷片，在所述的瓷片表面僅濺渡一層金屬層鋁。本實用新型的采用真空濺鍍金屬層來克服瓷片表面的勢壘以與瓷片形成良好的歐姆接觸。真空濺鍍工藝比印刷工藝具有可靠性高附著力好的優(yōu)點，同時有比濺鍍鉻鎳加銀電極結(jié)構(gòu)更低的成本。從而解決以往電極工藝存在的問題。
文檔編號H05B3/14GK201210754SQ20082003735
公開日2009年3月18日 申請日期2008年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月19日
發(fā)明者馬學輝 申請人:興勤(常州)電子有限公司