專利名稱：一種帶散熱過(guò)孔的mosfet焊盤設(shè)計(jì)的電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電路板，更具體的說(shuō)，涉及一種帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電 路板。
背景技術(shù)：
電路板是一般電器產(chǎn)品中最為重要且不可或缺的部分，主要用于將各種電子零件、芯片 連通以達(dá)到特定的效果。 一般的電路板會(huì)安裝一些MOSFET零件，即場(chǎng)效晶體管或叫三極管。
MOSFET三極管有多種封裝，如T0-263, TO-252等， 一般為3個(gè)或3個(gè)以上焊盤，其中 一個(gè)為方形大焊盤。在實(shí)際工作中，MOSFET三極管會(huì)產(chǎn)生熱量，其中熱量主要集中于方形大 焊盤所處的位置。如果熱量沒(méi)有及時(shí)散去引起MOSFET三極管熱量積累過(guò)多，可能導(dǎo)致MOSFET 三極管停止工作甚至燒毀，從而使整塊電路板停止工作，帶來(lái)嚴(yán)重后果。為解決MOSFET三極 管的散熱，現(xiàn)采用了多種方式如添加錫條散熱、給MOSFET上添加金屬散熱片、系統(tǒng)風(fēng)扇吹風(fēng) 等，但這些方式卻在無(wú)形中增加了成本。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種帶散熱過(guò)孔的 MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè) 計(jì)的電路板，MOSFET三極管焊盤包含兩個(gè)矩形小焊盤和一個(gè)方形大焊盤，在方形大焊盤外圍 增加一圈散熱過(guò)孔，該孔為通孔，孔內(nèi)鍍銅。散熱過(guò)孔的信號(hào)屬性與方形大焊盤相同。用銅 箔將散熱過(guò)孔與方形大焊盤相連，便于MOSFET三極管產(chǎn)生的熱量更好的從方形大焊盤傳送到 散熱過(guò)孔，再由散熱過(guò)孔將熱量散發(fā)到電路板背面。
實(shí)施本實(shí)用新型的電路板，具有以下有益效果MOSFET三極管所產(chǎn)生的大量熱量除在周 邊散開(kāi)外，也可通過(guò)方形大焊盤外圍增設(shè)的一圈散熱過(guò)孔將熱量散發(fā)到電路板背面，大大加 快了散熱的速度和面積，從而帶來(lái)更好的散熱效果。


3下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中; 圖1是現(xiàn)有MOSFET三極管焊盤示意圖2是本實(shí)用新型的帶有散熱過(guò)孔MOSFET三極管焊盤示意圖。
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如圖1所示，現(xiàn)有的MOSFET三極管焊盤包含兩個(gè)矩形的小焊盤4和一個(gè)方形的大焊盤1。 如圖2所示，本實(shí)用新型提供的帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，包含兩個(gè)矩形 小焊盤4和一個(gè)方形大焊盤1以及方形大焊盤1外圍增加的一圈散熱過(guò)孔2。實(shí)際操作時(shí)， MOSFET蘭極管的焊盤焊接到電路板上，待焊接溫度冷卻后在其方形大焊盤1外圍增加一圈散 熱過(guò)孔2，該孔為通孔，孔內(nèi)鍍銅。散熱過(guò)孔2與方形大焊盤1之間信號(hào)屬性相同，用銅箔3 將散熱過(guò)孔2與方形大焊盤1相連，便于MOSFET三極管產(chǎn)生的熱量更好的從方形大焊盤1傳 送到散熱過(guò)孔2，再由散熱過(guò)孔2將熱量散發(fā)到電路板背面。
以上所述僅為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，不能以其限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即大 凡依本實(shí)用新型所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1、一種帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，MOSFET三極管焊盤包含兩個(gè)矩形小焊盤和一個(gè)方形大焊盤，其特征在于，在方形大焊盤外圍增加一圈散熱過(guò)孔。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，其特征在于，散熱 過(guò)孔為通孔，孔內(nèi)鍍銅。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，其特征在于，用銅 箔將散熱過(guò)孔與方形大焊盤相連。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，其特征在于，散熱 過(guò)孔的信號(hào)屬性與方形大焊盤相同。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種帶散熱過(guò)孔的MOSFET焊盤設(shè)計(jì)的電路板，MOSFET三極管焊盤包含兩個(gè)矩形小焊盤4和一個(gè)方形大焊盤1，在方形大焊盤1外圍增加一圈散熱過(guò)孔2，該孔為通孔，孔內(nèi)鍍銅。散熱過(guò)孔2的信號(hào)屬性與方形大焊盤1相同。用銅箔3將散熱過(guò)孔2與方形大焊盤1相連，便于MOSFET三極管產(chǎn)生的熱量更好的從方形大焊盤1傳送到散熱過(guò)孔2，再由散熱過(guò)孔2將熱量散發(fā)到電路板背面。實(shí)施本實(shí)用新型的電路板，MOSFET三極管所產(chǎn)生的大量熱量除在周邊散開(kāi)外，也可通過(guò)方形大焊盤外圍增設(shè)的一圈散熱過(guò)孔將熱量散發(fā)到電路板背面，大大加快了散熱的速度和面積，從而帶來(lái)更好的散熱效果。
文檔編號(hào)H05K1/11GK201298958SQ20082013735
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2008年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月20日
發(fā)明者威 付, 張瑞光 申請(qǐng)人:深圳市神舟電腦股份有限公司