專利名稱：一種覆銅箔層壓板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種覆銅箔層壓板，其屬于電路板板材技術(shù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的覆銅箔層壓板，其是把玻璃布浸漬粘結(jié)劑如環(huán)氧樹脂后，在環(huán) 氧樹脂轉(zhuǎn)化為半固化狀態(tài)以形成半固化層的同時加熱并干燥浸漬布以便去 除溶濟，在所述的半固化層的至少一面上層壓銅箔層并對其進行熱壓模制 制得覆銅箔層壓板。但是公知的這種覆銅箔層壓板散熱性能差，當(dāng)電路板 上的各種電子元器件發(fā)出的熱量不能得到及時散發(fā)的時候，電路板溫度急
劇升高，導(dǎo)至銅箔層與加強層分離，隨著大功率LED作為照明裝置日益普 及，覆銅箔層壓板在耐熱性能方面有待進一步的改進。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有優(yōu)異耐熱性能的覆銅箔層壓板。 本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是這樣的 一種覆銅箔層壓板，包括加強層 及層壓設(shè)于加強層上的銅箔層，所述加強層由重量百分比為46°/ ~54%的玻 纖布浸漬重量百分比為20%~24%的環(huán)氧樹脂千燥制得，所述銅箔層占整個 層壓板的重量百分比為26%~ 30%。
通過采用前述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是采用該比例配制的覆 銅箔層壓板相對于公知的層壓板，在保證絕緣性和導(dǎo)電性不變的前提下， 使層壓板的耐熱性能大大提高，特別適用于具有大功率電子元器件的電路板，同時銅箔層與加強層的剝離力大大提高。

圖1為本實用新型是銅箔層壓板的裝置圖具體實施方式
請參照圖l所示，銅箔層壓板圖l是制作印制電路板的基板材料，它除 了用作支撐各種元器件外，并能實現(xiàn)它們之間的電氣連接或電絕緣。實施
例公開一種覆銅蕩層壓板圖1,其是由重量百分比為50%的玻纖布浸漬重量 百分比為21. 8%的環(huán)氧樹脂后加熱千燥去除溶劑，然后在其上通過模板層壓 2量百分比為28. 2%的銅箔層1其中所述玻纖布、環(huán)氧樹脂及銅箔層的重量 百分比是指各組分占整個覆銅箔層壓板的重量百分比。上述實施例中，所 述玻纖布是指玻璃纖維布或者玻璃纖維氈。 在具體制作過程中，包括如下步驟
1. 準(zhǔn)備制造覆銅箔層壓板原材料
(1) 環(huán)氧樹脂其具有優(yōu)異的粘結(jié)性能和電氣、物理性能，根據(jù)使用場 合不同選用E-20型、E-44型、E-51型或者E-20、 E-25型。
(2) 玻纖布 一般采用無堿玻璃布作為實施例的加強層，對于特殊的高 頻用途，可使用石英玻璃布。其中無堿玻璃布的含堿量(以Na20表示)不超 過O. 5%,且無堿璃璃布的厚度應(yīng)控制在O. 025 - 0. 234咖。
(3) 銅箔層1覆蕩層壓板的箔材可用銅、鎳、鋁等多種金屬箔，M金 屬箔的導(dǎo)電率、可焊性、延伸率、對基材的粘附能力及價格等因素出發(fā)， 除特種用途外，以銅箔最為合適，實施例即采用電解銅箔層，其中銅的純 度大于99. 8%,銅箔層的厚度介于18um 50um。
2. 制造覆銅箔層壓板
工藝路線為環(huán)氧樹脂合成與膠液配制一加強材料浸膠與烘干一浸膠料剪切與檢驗一浸膠料與銅箔疊層一熱壓成型一裁剪一檢驗包裝。
環(huán)氧樹脂溶液的合成與配制環(huán)氧樹脂與固化劑如二曱基咪唑混合溶 解于丙酮或二曱基曱酰胺、乙二醇曱醚中，經(jīng)過攪拌使其成為均勻的樹脂 溶液，樹脂溶液經(jīng)熟化8-24h后就可用于浸膠，整個過程都是在反應(yīng)釜中 進行的。
加強材料浸膠與烘干浸膠是在立式浸膠機上進行的，把璃纖布浸漬 樹脂溶液后經(jīng)過擠膠輥擠去多余膠液進入烘干箱進行烘干以去除溶劑，然 后對干燥后浸膠料的進行剪切與檢驗，去除邊角料及不合格制品。
浸膠料與銅箔層疊層把銅箔層和經(jīng)過浸膠烘千的玻纖布疊層放置， 放進設(shè)有脫模薄膜或有脫模劑的兩塊不銹鋼板中間，疊層連同鋼板一起放 到液壓機中進行熱壓復(fù)合，最后將所制得的覆銅箔層壓板按設(shè)定尺寸進行 裁剪，按每兩張雙面覆箔板間墊一層低含好u量隔離紙，然后裝進聚乙烯塑 料袋內(nèi)或包上防潮紙完成包裝。
權(quán)利要求1、一種覆銅箔層壓板，其特征在于包括加強層及層壓設(shè)于加強層上的銅箔層。
專利摘要本實用新型提供一種具有優(yōu)異耐熱性能的覆銅箔層壓板，包括加強層及層壓設(shè)于加強層上的銅箔層，所述加強層由重量百分比為46％～54％的玻纖布浸漬重量百分比為20％～24％的環(huán)氧樹脂干燥制得，所述銅箔層占整個層壓板的重量百分比為26％～30％，使用該比例配制的覆銅箔層壓板，在其絕緣性和導(dǎo)電性不變的前提下，使層壓板的耐熱性大大提高，特別適用于具有大功率電子元器件的電路板。
文檔編號H05K1/03GK201319694SQ200820189498
公開日2009年9月30日 申請日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月28日
發(fā)明者劉玉蓮 申請人:福建新世紀(jì)電子材料有限公司