專利名稱：：等離子體處理裝置及處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及激發(fā)等離子體而對(duì)基板實(shí)施成膜等處理的等離子體處理裝置及處理方法。
背景技術(shù)：
：例如在LCD裝置等的制造工序中，使用如下的等離子體處理裝置，其利用微波在處理容器內(nèi)激發(fā)等離子體，對(duì)LCD基板(玻璃基板)實(shí)施CVD處理或蝕刻處理等。作為該等離子體處理裝置，已知有如下的裝置，其從微波源通過同軸管或波導(dǎo)管向配置于處理容器的內(nèi)面的電介質(zhì)體供給微波，利用微波的能量使供給到處理容器內(nèi)的規(guī)定的氣體等離子體化。近年來，伴隨著基板等的大型化，等離子體處理裝置也在變大，然而在配置于處理容器的內(nèi)面的電介質(zhì)體被設(shè)為單個(gè)板的情況下，因很難制造大型化的電介質(zhì)體，從而成為使得制造成本升高的要因。所以，為了消除該不良狀況，本申請(qǐng)人提出了通過在處理容器的蓋體下面安裝多個(gè)電介質(zhì)體而將電介質(zhì)體板分割為多個(gè)的技術(shù)(專利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)l:日本特開2006-310794號(hào)公報(bào)但是，如上所述的利用了微波的等離子體處理裝置中，一般來說，使用輸出2.45GHz的微波的微波源。其理由是因?yàn)?，輸?.45GHz的微波的微波源在工業(yè)上廣泛地普及，容易獲得，也很經(jīng)濟(jì)。此外，以往的等離子體處理裝置中，是將用微波源輸出的2.45GHz的微波透過配置于處理容器的蓋體下面的電介質(zhì)體而向處理容器的內(nèi)部供給的構(gòu)成。該情況下，電介質(zhì)體被按照將收納于處理容器中的基板的處理面(上面)的大致整體地覆蓋的方式配置，在處理容器的內(nèi)部露的大小。由此，使用在電介質(zhì)體的整個(gè)下面產(chǎn)生的等離子體，對(duì)基板的整個(gè)處理面進(jìn)行均勻的處理。但是，在像以往的等離子體處理裝置那樣將電介質(zhì)體的露出面積設(shè)為與基板的處理面的面積大致相同程度的情況下，就需要很大的電介質(zhì)體的使用量，有不夠經(jīng)濟(jì)的難點(diǎn)。特別是最近將基板大型化，電介質(zhì)體的使用量需更多，因而成為成本上升的要因。另外，在處理容器的蓋體整個(gè)下面配置電介質(zhì)體的情況下，還會(huì)產(chǎn)生難以向基板的整個(gè)處理面均勻地供給處理氣體的問題。即，作為電介質(zhì)體例如使用Ah03等，然而與金屬制的蓋體相比，很難在電介質(zhì)體上加工氣體，給孔，通常，氣體供給孔僅設(shè)于蓋體的露出部位一。由此，在蝕刻或CVD(chemicalvapordeposition)等等離子體處理中，為了控制從等離子體入射到基板表面的離子的能量，有時(shí)對(duì)基板施加高頻偏置而在基板中產(chǎn)生自偏置電壓(負(fù)的直流電壓)。此時(shí)，對(duì)基板施加的高頻偏置最好僅施加在基板周邊的鞘層上，然而在處理容器內(nèi)面的大部分被電介質(zhì)體覆蓋，很難從等離子體中看到襯底面(處理容器內(nèi)面)的狀況下，也會(huì)施加到襯底面周邊的鞘層上。由此，不僅需要對(duì)基板施加過大的高頻功率，而且增加向襯底面入射的離子的能量，會(huì)將襯底面蝕刻，從而有引起金屬污染的問題。此外，如果為了加快處理速度而投入大功率的微波，則電介質(zhì)體的溫度就會(huì)因來自等離子體的離子或電子的入射而上升，從而存在電介質(zhì)體因熱應(yīng)力而破損，或促進(jìn)電介質(zhì)體表面的蝕刻反應(yīng)，引起雜質(zhì)污染的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供可以盡可能地減少電介質(zhì)體的使用量的等離子體處理裝置。如上所述，在利用了微波的等離子體處理裝置中，基于獲得的容易性、經(jīng)濟(jì)性等理由，一般來說使用輸出2.45GHz的微波的微波源。然而在最近，提出了利用2GHz以下的低頻率的微波的等離子體處理，作為一例研究過利用了915MHz的頻率的微波的等離子體處理。這是因?yàn)椋捎谟糜讷@得穩(wěn)定且電子溫度低的等離子體的下限的電子密度與頻率的平方成正比例，因此如果降低頻率，則可以獲得在更寬范的條件下適于等離子體處理的等離子體。本發(fā)明人對(duì)使用了該2GHz以下的低頻的微波的等離子體處理進(jìn)行了各種研究，結(jié)果得到如下的新的見解，即，在使2GHz以下的頻率的電磁波透過處理容器內(nèi)面的電介質(zhì)體的情況下，可以從電介質(zhì)體的周圍沿著處理容器內(nèi)面等金屬表面有效地傳播電磁波，可以利用該沿著金屬表面?zhèn)鞑サ碾姶挪ㄔ谔幚砣萜鲀?nèi)激發(fā)等離子體。而且，在本說明書中將像這樣在金屬表面與等離子體之間沿著金屬表面?zhèn)鞑サ碾姶挪ǚQ作"導(dǎo)體表面波"。本發(fā)明是基于該新的見解而創(chuàng)出的。即，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種等離子體處理裝置，是如下的等離子體處理裝置，即，具備收納進(jìn)行等離子體處理的基板的金屬制的處理容器、向上述處理容器內(nèi)供給為激發(fā)等離子體所必需的電磁波的電磁波源，在上述處理容器的蓋體下面具備一部分在上述處理容器的內(nèi)部露出的l個(gè)或2個(gè)以上的電介質(zhì)體，其使由上述電磁波源供給的電磁波透過到達(dá)上述處理容器的內(nèi)部，該等離子體處理裝置與上述電介質(zhì)體相鄰地設(shè)有表面波傳播部，該表面波傳播部沿著在上述處理容器的內(nèi)部露出的金屬面?zhèn)鞑ル姶挪āＴ谠摰入x子體處理裝置中，利用從電介質(zhì)體沿著表面波傳播部傳播的電磁波(導(dǎo)體表面波)，可以在處理容器內(nèi)激發(fā)等離子體。該等離子體處理裝置中，例如上述電介質(zhì)體的露出部分的面積為上述表面波傳播部的面積的1/2以下。另外，例如上述電介質(zhì)體的露出部分的面積為上述表面波傳播部的面積的1/5以下。另外，例如上述電介質(zhì)體的露出部分的面積為基板上面的面積的1/5以下。通過像這樣減小電介質(zhì)體的露出面的面積而增大襯底面(處理容器內(nèi)面)的露出面的面積，就不會(huì)引起金屬污染，可以使基板有效地產(chǎn)生自偏置電壓。而且，由上述電磁波源供給的電磁波的頻率例如為2GHz以下。也可以在上述處理容器的內(nèi)面，設(shè)有連續(xù)的槽，上述電介質(zhì)體配置于由上述槽包圍的范圍內(nèi)。另外，也可以利用上述槽來劃分出上述表面波傳播部。該情況下，上述槽的剖面為近似矩形，上述槽的寬度W與深度D滿足O.26<D/W<2.3的關(guān)系。另外，上述槽的寬度優(yōu)選小于電磁波向等離子體中的進(jìn)入深度的2倍，大于形成于上述處理容器的內(nèi)面與等離子體之間的鞘層的厚度的2倍。另外，上述槽的角部的曲率半徑優(yōu)選小于在處理容器的內(nèi)面與等離子體之間傳播的微波的波長(zhǎng)入的1/40。另外，也可以在上述蓋體的下面設(shè)置保護(hù)膜。另外，也可以在上述處理容器的內(nèi)面，設(shè)有連續(xù)的凸部，上述電介質(zhì)體配置于由上述凸部包圍的范圍內(nèi)。另外，也可以利用上述凸部來劃分上述表面波傳播部。該情況下，例如上述凸部的剖面為近似矩形，上述凸部的高度小于沿著上述處理容器的內(nèi)面?zhèn)鞑サ奈⒉ǖ牟ㄩL(zhǎng)的1/2，大于形成于上述處理容器的內(nèi)面與等離子體之間的鞘層的厚度。另外，也可以在上述電介質(zhì)體的上部，具備l個(gè)或多個(gè)金屬棒，其下端與上述電介質(zhì)體的上面相鄰或接近，將電磁波向上述電介質(zhì)體傳輸。該情況下，上述電介質(zhì)體為近似圓柱形，在上述電介質(zhì)體的周面，具備將上述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件?；蛘撸部梢栽谏鲜鼋饘侔襞c上述蓋體之間，具備將上述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。另外，也可以在上述蓋體的下面，設(shè)有l(wèi)個(gè)或多個(gè)向上述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體的氣體釋放孔。另外，也可以在上述電介質(zhì)體的下面設(shè)置金屬電極，上述電介質(zhì)體在上述金屬電極的周圍或內(nèi)側(cè)在上述處理容器的內(nèi)部露出。該情況下，也可以具備金屬棒，其貫穿上述電介質(zhì)體與上述金屬電極電連接，將電磁波向上述電介質(zhì)體傳輸。另外，也可以在上述金屬棒與上述蓋體之間，具備將上述金屬容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。另外，也可以在上述電介質(zhì)體的上面與上述蓋體之間以及上述電介質(zhì)體的下面與上述金屬電極之間，具備將上述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。另夕卜，也可以在上述金屬電極中，設(shè)有1個(gè)或多個(gè)向上述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體的氣體釋放孔，在上述金屬棒中，形成用于使氣體向上述氣體釋放孔流通的氣體流路。另外，也可以具備l個(gè)或多個(gè)連接構(gòu)件，其將形成于上述電介質(zhì)體中的孔貫穿，將上述金屬電極與上述蓋體連接。該情況下，上述連接構(gòu)件例如由金屬制成。另外，在上述金屬電極中，設(shè)有l(wèi)個(gè)或多個(gè)向上述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體的氣體釋放孔，在上述連接構(gòu)件中，形成用于使氣體向上述氣體釋放孔流通的氣體流路。另外，也可以具備1個(gè)或多個(gè)將由上述電磁波源供給的電磁波向上述電介質(zhì)體傳播的波導(dǎo)管。該情況下，也可以將上述電介質(zhì)體插入到形成于上述波導(dǎo)管的下面的縫隙中。另外，也可以具備調(diào)節(jié)在上述波導(dǎo)管內(nèi)傳播的電磁波的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。另外，也可以在上述電介質(zhì)體與上述蓋體之間，具備將上述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。另外，也可以在上述蓋體的內(nèi)部?jī)?nèi)置上述電介質(zhì)體，使上述電介質(zhì)體的下面從形成于蓋體的下面的l個(gè)或多個(gè)開口部中部分地露出在處理容器內(nèi)。該情況下，也可以在上述蓋體的下面成同心圓狀地配置多個(gè)開口部。另外，上述蓋體的下面也可以是徑向線縫隙天線。另外，也可以在上述蓋體的下面設(shè)有保護(hù)膜。另外，也可以是上述表面波傳播部至少表面由金屬的部分構(gòu)成，并且由在上述金屬的表面延伸的槽或凸部劃分而成。另外，也可以是上述電介質(zhì)體的在上述容器內(nèi)部露出的面由上述表面波傳播部包圍。另外，也可以是上述電介質(zhì)體的在上述容器內(nèi)部露出的面形成沿著上述容器內(nèi)部延伸的形狀，并且該延伸面的兩側(cè)由上述表面波傳播部包圍。另外，也可以是上述電介質(zhì)體的在上述容器內(nèi)部露出的面為相互隔離的多個(gè)。另外，也可以將上述電介質(zhì)體的在上述容器內(nèi)部露出的面按照構(gòu)成圓周或多邊形的方式連續(xù)或者不連續(xù)地延伸配置。另外，也可以在上述圓周或多邊形的內(nèi)部的表面波傳播部的中心部設(shè)有表面波非傳播部。另外，也可以是上述圓周或多邊形的內(nèi)部的表面波非傳播部由槽或凸部劃分而成。另外，也可以利用沿著上述表面波傳播部傳播的電磁波在上述表面波傳播部與上述基板的處理面之間激發(fā)等離子體。另外，也可以在上述容器內(nèi)面的未露出上述電介質(zhì)體的部分，設(shè)置用于將激發(fā)等離子體用氣體向上述容器內(nèi)部釋放的氣體釋放口。另外，也可以將上述表面波傳播部的表面利用不會(huì)對(duì)電磁波傳播造成實(shí)質(zhì)性的影響的薄的保護(hù)膜覆蓋。另外，上述表面波傳播部的中心線平均粗糙度例如為2.4pm以下。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種等離子體處理方法，是如下的等離子體處理方法，即，在金屬制的處理容器中收納基板，從電磁波源透過在上述處理容器的蓋體下面露出的1個(gè)或2個(gè)以上的電介質(zhì)體向上述處理容器內(nèi)供給電磁波，在上述處理容器內(nèi)激發(fā)等離子體，對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，通過向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體，由上述電磁波源供給頻率為2GHz以下的電磁波，從在上述處理容器的內(nèi)部露出的上述電介質(zhì)體的露出面沿著上述處理容器的內(nèi)面?zhèn)鞑ル姶挪?，而在上述處理容器?nèi)激發(fā)等離子體，對(duì)基板進(jìn)行處理。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于可以利用沿著配置于電介質(zhì)體周圍的表面波傳播部傳播的電磁波(導(dǎo)體表面波)來激發(fā)等離子體，因此可以大幅度地減少電介質(zhì)體的使用量。另外，通過減小在處理容器的內(nèi)部露出的電介質(zhì)體的露出面積，抑制由電介質(zhì)體的過熱而造成的電介質(zhì)體的破損或蝕刻等，并且不會(huì)有來自處理容器內(nèi)面的金屬污染的產(chǎn)生。另外，由于通過減少電介質(zhì)體的露出面積而使蓋體的露出面積增加，因此就可以很容易地在金屬制的蓋體上加工氣體供給孔。通過在金屬制的蓋體的下面分布配置多個(gè)氣體供給孔，就可以向基板的整個(gè)處理面以噴淋板那樣的狀態(tài)均勻地供給處理氣體。此外，例如在作為2GHz以下的頻率的電磁波利用915MHz的頻率的微波的情況下，與利用2.45GHz的頻率的微波的情況相比，可以將用于獲得穩(wěn)定且電子溫度低的等離子體的下限的電子密度設(shè)為約1/7，從而能夠獲得在迄今為止未曾使用過的更寬的范圍的條件下適于等離子體處理的等離子體，可以使處理裝置的通用性明顯地提高。其結(jié)果是，可以用一臺(tái)處理裝置進(jìn)行處理?xiàng)l件不同的多個(gè)連續(xù)的處理，可以在短時(shí)間內(nèi)低成本地制造高質(zhì)量的產(chǎn)品。圖l是表示了本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖2中的X-X剖面)。圖2是蓋體的仰視圖(圖1中的X-X剖面)。圖3是圖1中的Z-Z剖面的蓋體3的上部的橫剖面圖。圖4是向電介質(zhì)體傳播微波的電極部的立體圖。圖5是電介質(zhì)體的立體圖。圖6是導(dǎo)體表面波的傳播模型的說明圖。圖7是表示導(dǎo)體表面波的衰減量的頻率依賴性的曲線圖。圖8是在槽中傳播的導(dǎo)體表面波的說明圖。圖9是改變電子密度而表示槽的D/W與透過量的關(guān)系的曲線圖。圖IO是改變槽的寬度而表示槽的D/W與透過量的關(guān)系的曲線圖。圖ll是用于說明槽的寬度與鞘層厚度的關(guān)系的圖。圖12是用于說明槽的寬度與進(jìn)入深度的關(guān)系的圖。圖13是表示曲率半徑與透過量的關(guān)系的曲線圖。圖14是表示等離子體處理中的處理容器內(nèi)的狀態(tài)的說明圖。圖15是表示了第一變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖16中的Y-Y剖面)。圖16是第一變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖15中的X-X剖面)。圖17是圖15中的Z-Z剖面的蓋體的上部的橫剖面圖。圖18是表示了第二變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖。圖19是圖18中的Z-Z剖面的蓋體的上部的橫剖面圖。圖20是表示了第三變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖21中的Y-Y剖面)。圖21是第三變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖20中的X-X剖面)。圖22是表示了第四變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖23中的Y-Y剖面)。圖23是第四變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖22中的X-X剖面)。圖24是表示了第五變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖25中的Y-Y剖面)。圖25是第五變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖24中的X-X剖面)。圖26是表示了第六變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖27中的Y-Y剖面)。圖27是第六變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖26中的X-X剖面)。圖28是表示了第七變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖29中的Y-Y剖面)。圖29是第七變形例的等離子體處理裝置所具備的蓋體的仰視圖(圖28中的X-X剖面)。圖30是表示了第八變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖31中的Y-Y剖面)。圖31是表示在第八變形例的等離子體處理裝置從電介質(zhì)體的周圍向表面波傳播部整體傳播的狀態(tài)的說明圖。圖32是表示了第九變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖33中的D-0，-0-E剖面)。圖33是圖32中的A-A剖面。圖34是電介質(zhì)體的俯視圖。圖35是在表面波傳播部中導(dǎo)體表面波傳播的狀態(tài)的說明圖。圖36是利用電磁場(chǎng)模擬求得的鞘層中的微波電場(chǎng)的駐波分布的說明圖。圖37是表示圖36的直線A-B的鞘層中的微波電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。圖38是表示單元角部的歸一化電場(chǎng)強(qiáng)度的曲線圖。圖39是第十變形例的等離子體處理裝置的蓋體的仰視圖。圖40是表示第十一變形例變形例2的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖41中的D-O，-0-E剖面)。圖41是圖40中的A-A剖面圖。圖42是表示第十二變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖43中的D-0，-0-E剖面)。圖43是圖42中的A-A剖面圖。圖44是表示第十三變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖45中的B-O-C剖面)。圖45是圖44中的A-A剖面圖。圖46是表示第十四變形例的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖47中的B-0-C剖面)。圖47是圖46中的A-A剖面圖。圖48是電介質(zhì)體的外緣從處理容器的內(nèi)部看處于金屬電極的外緣的內(nèi)側(cè)的變形例的說明圖。圖49是在金屬外軍的側(cè)面設(shè)置了收容電介質(zhì)體的外緣的凹部的變形例的說明圖。圖50是向蓋體下面的凹部插入了電介質(zhì)體的變形例的說明圖。圖51是向蓋體下面的凹部插入了電介質(zhì)體的另一個(gè)變形例的說明圖。圖52是在電介質(zhì)體的周圍露出了平面形狀的蓋體的變形例的說明圖。圖53是在電介質(zhì)體的周圍露出了平面形狀的蓋體的另一個(gè)變形例的說明圖。圖54是在電介質(zhì)體的周圍露出了平面形狀的蓋體的再另一個(gè)變形例的說明圖。圖55是菱形的電介質(zhì)體的說明圖。圖56是使用了正三角形的電介質(zhì)體的變形例的等離子體處理裝置的蓋體的仰視圖。圖57是使用了彈性構(gòu)件的連接構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖58是使用了碟形彈簧的連接構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖59是使用O形環(huán)密封了的連接構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖60是使用了錐形墊團(tuán)的連接構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖61是槽的其他例子的說明圖。圖62是在凸部中傳播的導(dǎo)體表面波的說明圖。圖中符號(hào)說明G-基板，1-等離子體處理裝置，2-容器本體，3-蓋體，4-處理容器，10-基座，11-供電部，12-加熱器，20-排氣口，25-電介質(zhì)體，34-微波源，35-同軸管，45-金屬棒，50-槽，51-表面波傳播部，55-氣體配管，56-冷卻劑配管，61-氣體釋放孔。具體實(shí)施例方式下面，基于進(jìn)行作為等離子體處理的一例的CVD處理的等離子體處理裝置l，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。而且，基于使用了作為電磁波的一例的微波的等離子體處理裝置1進(jìn)行說明。(等離子體處理l的基本構(gòu)成)圖l是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體處理裝置l的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖2中的Y-Y剖面)。圖2是該等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖1中的X-X剖面)。圖3是圖1中的Z-Z剖面的蓋體3的上部的橫剖面圖。圖4是向電介質(zhì)體25傳播微波的電極部47的立體圖。圖5是電介質(zhì)體25的立體圖。而且，在本說明書及附圖中，對(duì)于具有實(shí)質(zhì)上相同的功能構(gòu)成的構(gòu)成要素，通過使用相同的符號(hào)而省略重復(fù)的說明。該等離子體處理裝置1具備由上部開口的立方體形狀的容器本體2、將該容器本體2的上方封閉的蓋體3構(gòu)成的處理容器4。通過將容器本體2的上方用蓋體3封閉，而在處理容器4的內(nèi)部形成密閉空間。處理容器4整體(處理容器2及蓋體3)由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成，形成被電接地的狀態(tài)。在處理容器4的內(nèi)部，設(shè)有作為用于放置基板的例如玻璃基板(以下稱作"基板")G的放置臺(tái)的基座IO。該基座IO例如由氮化鋁制成，在其內(nèi)部，設(shè)有用于將基板G靜電吸附并且向處理容器4的內(nèi)部施加規(guī)定的偏置電壓的供電部11、將基板G加熱為規(guī)定的溫度的加熱器12。在供電部11上，經(jīng)由具備電容器等的匹配器14連接著設(shè)于處理容器4的外部的偏置施加用的高頻電源13，并且經(jīng)由線圏16連接著靜電吸附用的高壓直流電源15。在加熱器12上，同樣地連接著設(shè)于處理容器2的外部的交流電源17。在處理容器4的底部，設(shè)有用于利用設(shè)于處理容器4的外部的真空泵等排氣裝置(未圖示)將處理容器4內(nèi)的氣氛排氣的排氣口20。在如圖所示將容器本體2的上方用蓋體3封閉的狀態(tài)下，利用配置于蓋體3的下面周邊部與容器本體2的上面之間的0形環(huán)21、配置于后述的各電介質(zhì)體25與蓋體3之間的0形環(huán)30，保持處理容器4內(nèi)的氣密性。在蓋體3的下面，以下部在處理容器4的內(nèi)部露出的狀態(tài)安裝有例如有人1203制成的4個(gè)電介質(zhì)體25。作為電介質(zhì)體25，例如也可以^^用氟樹脂、石英等絕緣材料。電介質(zhì)體25是在制成長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)體下部26的上面一體化地形成了四邊形的板狀的法蘭部27的結(jié)構(gòu)。在電介質(zhì)體25的上面(法蘭部27的上面)的四角，在4個(gè)部位設(shè)有用于插入后述的電極棒46的孔28。通過將電介質(zhì)體25的法蘭部27安放在形成于蓋體3的下方的階梯部29上，而將電介質(zhì)體25支承在蓋體3的下面。而且，在法蘭部27的下面與階梯部29之間，配置有作為將處理容器4的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件的0形環(huán)30。在蓋體3的上面中央，連接著傳播從微波源34供給的微波的同軸管35。該同軸管35由內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36和外部導(dǎo)體37構(gòu)成。內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36與配置于蓋體3的內(nèi)部的分支板40連接。如圖3所示，分支板40構(gòu)成為將與內(nèi)部導(dǎo)體36的連接位置為中心的4根分支導(dǎo)體41配置成十字形。同軸管35與分支板40由Cu等導(dǎo)電性構(gòu)件形成。分支板40被使用作為傳輸線路的阻抗匹配機(jī)構(gòu)的電介質(zhì)體42支承在蓋體3的內(nèi)部。在各分支導(dǎo)體41的頭端下面，安裝有金屬棒45。此外，如圖4所示，在各金屬棒45的下端，設(shè)有在下面具有4根電極棒46的電極部47。該電極部47下面的4根電極棒46被插入形成于上述的電介質(zhì)體25上面的四角的孔28中。金屬棒45、電極棒46及電極部47由Cu等導(dǎo)電性構(gòu)件形成。從上述的微波供給裝置34中，作為頻率為2GHz以下的微波，例如將具有915MHz的頻率的微波導(dǎo)入到同軸管35中。這樣，915MHz的微波就被分支板40分支，經(jīng)由金屬棒45向各電介質(zhì)體25傳播。在蓋體3的下面，在離開各電介質(zhì)體25的周圍規(guī)定的距離的位置，設(shè)有將各電介質(zhì)體25包圍地配置的槽50。在蓋體3的下面，由該槽50包圍的區(qū)域成為表面波傳播部51。該實(shí)施方式中，通過用槽50分隔，在各電介質(zhì)體25的周圍，配置將蓋體3的下面劃分為4個(gè)的表面波傳播部51。在等離子體處理中，從微波供給裝置34向各電介質(zhì)體25傳播的微波被從向蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25周圍沿著各表面波傳播部51的表面?zhèn)鞑ァ４藭r(shí)，槽50作為傳播障礙部發(fā)揮作用，用于使沿著各表面波傳播部51的表面?zhèn)鞑サ奈⒉?導(dǎo)體表面波)不會(huì)超過槽50而向表面波傳播部51的外側(cè)傳播。而且，對(duì)于等離子體處理中的蓋體3的下面的導(dǎo)體表面波的傳播狀態(tài)、以及槽50的作為傳播障礙部的功能，將在后面詳細(xì)說明。在蓋體3的內(nèi)部，設(shè)有等離子體處理中所必需的規(guī)定的氣體的供給用的氣體配管55、冷卻劑供給用的冷卻劑配管56。從配置于處理容器4的外部的氣體供給源60穿過氣體配管55供給的規(guī)定的氣體被從在蓋體3的下面開口的氣體釋放孔61向處理容器4的內(nèi)部供給。在冷卻劑配管56上，連接有從配置于處理容器4的外部的冷卻劑供給源65循環(huán)供給冷卻劑的冷卻劑供給配管66和冷卻劑回流配管67。通過穿過這些冷卻劑供給配管66和冷卻劑回流配管67從冷卻劑供給源65向冷卻劑配管56循環(huán)供給冷卻劑，蓋體3就被保持為規(guī)定的溫度。(等離子體處理裝置1的等離子體處理)對(duì)在如上所述地構(gòu)成的本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體處理裝置1中，例如在基板G的上面形成無定形硅膜的情況進(jìn)行說明。首先，將基板G搬入到處理容器4的內(nèi)部，在基座10上放置基板G。其后，在密閉了的處理容器4內(nèi)進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。在等離子體處理中，一邊從氣體供給源60經(jīng)由氣體配管55及氣體釋放孔61向處理容器4內(nèi)供給等離子體處理中所必需的例如氬氣/硅烷氣/氫的混合氣，一邊從排氣口20排氣，將處理容器4內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的壓力。此外，將規(guī)定的氣體向處理容器2內(nèi)供給，另一方面利用加熱器12將基板G加熱為規(guī)定的溫度。另外，將在微波供給裝置34中產(chǎn)生的例如915MHz的微波穿過同軸管35、分支板40及電極棒46傳播到各電介質(zhì)體板26中。此后，透過了各電介質(zhì)體板26的微波從在蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25周圍以導(dǎo)體表面波TM的狀態(tài)，沿著各表面波傳播部51的表面?zhèn)鞑?。在該?shí)施方式的等離子體處理裝置10中，由于可以用沿著配置于電介質(zhì)體25的周圍的表面波傳播部51傳播的微波(導(dǎo)體表面波)來激發(fā)等離子體P，因此就可以使電介質(zhì)體25的使用量盡可能地少。該情況下，通過槽50的配置來改變表面波傳播部51的區(qū)域，就可以任意地控制處理容器4內(nèi)的等離子體P的生成區(qū)域。例如，通過增大表面波傳播部51的區(qū)域而拓展到基板尺寸的外側(cè)，就可以對(duì)基板G的整個(gè)上面(處理面)進(jìn)行均勻的等離子體處理。另外，通過減小在處理容器4的內(nèi)部露出的電介質(zhì)體25的露出面積，還可以減少由電介質(zhì)體25的破損、伴隨著等離子體處理的蝕刻等造成的電介質(zhì)體25的損耗。該情況下，通過將電介質(zhì)體25的露出面積設(shè)為基板G的處理面積的1/5以下，與等離子體相面對(duì)的接地電極的面積最低也會(huì)達(dá)到基板G表面的面積的1.5(1.7-1.5)倍以上。這樣，就不會(huì)引起伴隨著蓋體3下面的濺射產(chǎn)生的基板G的金屬污染，可以將由高頻電源13施加的高頻電壓有效地施加在基板G表面附近的等離子體鞘層s上。另外，由于蓋體3的露出面積隨著電介質(zhì)體25的露出面積減少而增加，因此就可以很容易地在金屬制的蓋體3上加工氣體供給孔61。通過在金屬制的蓋體3的下面分布配置多個(gè)氣體供給孔61，就可以向基板G的整個(gè)處理面以噴淋板那樣的狀態(tài)均勻地供給處理氣體。由此就可以對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施均勻的等離子體處理。(導(dǎo)體表面波W的傳播與頻率的關(guān)系)在處理容器4內(nèi)生成的等離子體P的介電常數(shù)可以用Sr，-jer，，表示。由于在等離子體P的介電常數(shù)中還有損耗成分，因此用復(fù)數(shù)來表現(xiàn)。等離子體P的介電常數(shù)的實(shí)部Sr，通常來說小于-1。等離子體P的介電常數(shù)可以用下式(1)表示。=i—\^r、，e，.<—另外，向等離子體P射入微波時(shí)的傳播特性可以用下式(2)表示。[數(shù)2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>、1/2.(2)這里，k是波數(shù)，k。是真空中的波數(shù)，co是微波角頻率，u。是電子碰撞頻率，(Ope是以下式(3)表示的電子等離子體頻率。Je2n,,、……(3)這里，e是電子電量，ne是等離子體P的電子密度，s。是真空中的介電常數(shù)，nu是電子的質(zhì)量。進(jìn)入深度5表示在微波射入時(shí)微波能夠以何種程度射入到等離子體內(nèi)部。具體來說，進(jìn)入到微波的電場(chǎng)強(qiáng)度E衰減到等離子體P的交界面處的電場(chǎng)強(qiáng)度E。的1/e的距離是進(jìn)入深度5。進(jìn)入深度5可以用下式(4)表示。Mm(k)…(4)k如前所述為波數(shù)。在電子密度iu大于以下式(5)表示的截止密度n。的情況下，微波就無法在等離子體中傳播，射入等離子體P的微波急速地衰減。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(5)根據(jù)式(4)，進(jìn)入深度5達(dá)到數(shù)mm數(shù)十mm，電子密度越高則越短。另外，在電子密度ne遠(yuǎn)大于截止密度nc的情況下，進(jìn)入深度5就不太依賴于頻率。另一方面，等離子體P的鞘層厚度t可以用下式(6)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>這里，Vp是等離子體電位，kB是波爾茲曼常數(shù)，Te是電子溫度，入d是以下式(7)表示的德拜長(zhǎng)度(Debyelength)。德拜長(zhǎng)度入。表示等離子體中的電位的擾動(dòng)是如何迅速地衰減。列，……(7)根據(jù)式(6)，鞘層厚度t達(dá)到數(shù)十nm數(shù)百nm。另外可知，鞘層厚度t與德拜長(zhǎng)度入d成正比例。另外，在式(6)中可以理解，電子密度ru越高，則德拜長(zhǎng)度u就越短。"導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)、衰減量"作為導(dǎo)體表面波TM的傳播模型，如圖6所示，對(duì)導(dǎo)體表面波TM在形成于作為導(dǎo)體的蓋體3(表面波傳播部51)的下面與等離子體P之間的無限廣的厚度t的鞘層g中沿z方向傳播的情況進(jìn)行說明。將鞘層g的介電常數(shù)設(shè)為S尸1，將等離子體P的介電常數(shù)設(shè)為Sr，-jSr，'。如果根據(jù)麥克斯威爾的方程式，導(dǎo)出圖6的y方向的磁場(chǎng)Hy所滿足的方程式，則如下所示。52//;,、^^+礎(chǔ),0……(8)其中，h是特征值，在鞘層的內(nèi)外如下所示地表示。[數(shù)7]^卞+y"/jo<x<f(9)這里，Y是傳播常數(shù)，hi是鞘層g中的特征值，he是等離子體P中的特征值。特征值hi及he—般來說為復(fù)數(shù)。根據(jù)在作為導(dǎo)體的蓋體3的下面z方向的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到0的邊界條件，式(8)的通解如下所示。[數(shù)8]i^"cos(Ax)e卞0<x<f(11)-5e-九、-夢(mèng)m(12)這里，A及B是任意常數(shù)。由于在鞘層g與等離子體P的邊界，磁場(chǎng)與電場(chǎng)的切線成分是連續(xù)的，因此消除任意常數(shù)，從而可以導(dǎo)出以下的特征方程式。W-《-(卜《+鼎o2特征方程式(13)中，鞘層厚度t可以根據(jù)式(6)求出，等離子體P的介電常數(shù)Sr，-jSr，，可以根據(jù)式(l)求出。所以，通過求解聯(lián)立方程(13)，就可以分別求出特征值hi及he。在存在多個(gè)解的情況下，只要選擇鞘層內(nèi)的磁場(chǎng)分布成為雙曲線函數(shù)的解即可。繼而，根據(jù)式(9)求出傳播常數(shù)Y。傳播常數(shù)Y可以由衰減常數(shù)a和相位常數(shù)p表示為Y=oc+jP。根據(jù)傳播常數(shù)的定義，等離子體的電場(chǎng)強(qiáng)度E可以用下式(14)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>…(14)這里，z表示導(dǎo)體表面波TM的傳播距離，E0表示傳播距離z為0時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度。e-ocz表示導(dǎo)體表面波TM隨著傳播而成指數(shù)函數(shù)地衰減的效應(yīng)，ejPz表示導(dǎo)體表面波TM的相位的旋轉(zhuǎn)。另外，由于P-2tt/入c,因此可以根據(jù)相位常數(shù)p求出導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)入c。由此，如果知道傳播常數(shù)Y，則可以算出導(dǎo)體表面波TM的衰減量和導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)入c。而且，衰減常數(shù)oc的單位是Np(奈培)/m，與如后所述的各曲線圖的單位dB/m具有以下的關(guān)系。lNp/m=20/ln(10)dB/m=8.686dB/m使用這些式子，分別計(jì)算微波頻率為915MHz、電子溫度Te為2eV、等離子體電位Vp為24V、電子密度ne為lxl011cm-3、4xl0llcm-3、lxl012cm-3時(shí)的進(jìn)入深度5、鞘層厚度t、導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)入c。將其結(jié)果表示于下表中。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>導(dǎo)體表面波如果在某個(gè)電子密度以下則會(huì)截止而無法傳播。將該電子密度稱作導(dǎo)體表面波諧振密度n"達(dá)到以式(5)表示的截止密度的2倍的值。由于截止密度與頻率的平方成正比例，因此導(dǎo)體表面波頻率越低，就越可以以低電子密度來傳播。如果計(jì)算導(dǎo)體表面波諧振密度nr的值，則在2.45GHz時(shí)達(dá)到1.5x10Hcnf3。在實(shí)際的等離子體處理?xiàng)l件下，有時(shí)表面附近的電子密度達(dá)到lxl()Hcn^以下，然而在此種條件下導(dǎo)體表面波不能傳播。另一方面，在915MHz時(shí)達(dá)到2.1x1010cnT3，為2.45GHz時(shí)的約1/7。在915MHz下，即使表面附近的電子密度達(dá)到lxl()Ucn^以下，導(dǎo)體表面波也能傳播。為了像這樣在表面附近的電子密度為1x10Hci^左右的低密度等離子體中也傳播表面波，需要選擇2GHz以下的頻率。另一方面，在圖1所示的等離子體處理裝置1中，當(dāng)從電介質(zhì)體26中釋放的導(dǎo)體表面波TM沿著處理容器4的內(nèi)壁(蓋體3下面及容器本體2內(nèi)面)傳播到基板G的周邊時(shí)，則在處理容器4內(nèi)生成的等離子體P就會(huì)變得不均勻，產(chǎn)生加工的均勻性惡化或相對(duì)于處理容器4內(nèi)搬入搬出基板G時(shí)開閉的門閥、放置基板G的基座10劣化等弊病。在導(dǎo)體表面波TM在電介質(zhì)體26與基板G之間的距離中傳播期間未充分衰減的情況下(衰減量為20dB以下)，需要有將導(dǎo)體表面波TM反射而使之不進(jìn)一步傳播的機(jī)構(gòu)。這里，圖7所示的曲線圖的實(shí)線是后述的實(shí)施例8的代表性的條件下的導(dǎo)體表面波TM的衰減量的頻率依賴性。在等離子體處理裝置l中，電介質(zhì)體26與基板G間的標(biāo)準(zhǔn)的間隔約為0.lm，如果將傳播了該距離時(shí)的衰減量設(shè)為20dB，則每lm的衰減量就變?yōu)?00dB/m。根據(jù)圖7可知，此時(shí)的頻率為1.9GHz。即，在1.9GHz以下時(shí)，就需要反射導(dǎo)體表面波TM的機(jī)構(gòu)。(槽50的必要性)如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式的等離子體處理裝置1,通過使用2GHz以下的微波，就可以利用從電介質(zhì)體26的周圍向整個(gè)表面波傳播部51傳播的導(dǎo)體表面波TM生成均勻的等離子體P。但是另一方面，如果導(dǎo)體表面波TM傳播到不恰當(dāng)?shù)奈恢?，則有可能成為使在處理容器4內(nèi)生成的等離子體P變得不均勻的要因。另外，如果導(dǎo)體表面波TM傳播到門閥或觀察口(viewport),則會(huì)因?qū)w表面波TM所具有的能量，將設(shè)于這些機(jī)器的附近的O形環(huán)燒損，或在這些機(jī)器的最近處生成等離子體，有可能產(chǎn)生在機(jī)器表面附著反應(yīng)產(chǎn)物的不佳狀況。所以，該實(shí)施方式的等離子體處理裝置1中，采用將在蓋體3的下面露出的各電介質(zhì)體25的周圍用槽50包圍的構(gòu)成，從而僅在由該槽50包圍的表面波傳播部51中有效地傳播導(dǎo)體表面波TM。另外，發(fā)明人等為了提高抑制傳播的效果，實(shí)現(xiàn)了槽50的形狀的適宜化。"槽50的縱橫比D/W"在進(jìn)行槽50的形狀的最佳化之時(shí)，如何設(shè)定計(jì)算中所用的電子密度十分重要。導(dǎo)體表面波進(jìn)入等離子體中的深度是進(jìn)入深度5左右，為數(shù)mm十幾mm(參照表1)。如果在各種處理?xiàng)l件下實(shí)測(cè)像這樣靠近等離子體的表面的部分的電子密度，則為lxl()Hcm—3~lxl012cnf3。所以，將電子密度n。設(shè)定為lxl()Hcm—3~1><1012(;111-3的范圍而進(jìn)行了研究。如圖8所示，選擇了剖面近似矩形的槽50。將槽50的寬度設(shè)為W，將深度設(shè)為D。為了導(dǎo)出槽的縱橫比D/W的適宜值，在電子密度iu為lxioncm-3,4xl()Ucm陽(yáng)3、1x10"cnf3的情況下，利用模擬求出導(dǎo)體表面波TM在槽50中以何種程度衰減。此時(shí)，將槽50的寬度W設(shè)定為4mm。將其結(jié)果表示于圖9中，并且在參照?qǐng)D10的同時(shí)，對(duì)其結(jié)果如下地考察。如圖8所示，當(dāng)導(dǎo)體表面波TM到達(dá)槽50時(shí)，即被分配為在槽50的襯底面?zhèn)鞑サ膶?dǎo)體表面波TMu和跳過槽50而在等離子體中直接傳播23的透過波TM12。導(dǎo)體表面波TMn和透過波TM12在槽50的端部P再次合流。此時(shí)，導(dǎo)體表面波的一部分反射，成為反射波(導(dǎo)體表面波TM22)，余部成為行波(導(dǎo)體表面波TMu)而進(jìn)一步傳播下去。此時(shí)，如果導(dǎo)體表面波TMu與透過波TM^的相位錯(cuò)移180度，則在合流地點(diǎn)P這兩個(gè)波相互抵消，基本上全反射。此時(shí)，不存在行波(導(dǎo)體表面波TMu)，即，導(dǎo)體表面波TM不向槽50之后傳播。例如，在圖9中導(dǎo)體表面波TM的透過量為-10dB的情況下，導(dǎo)體表面波TM的90%被槽50反射，成為反射波TM22返回，僅剩余的10%成為導(dǎo)體表面波TMn而越過槽50傳播。即，該情況下，由于槽50的阻礙，導(dǎo)體表面波的90%因槽50而衰減。根據(jù)圖9可知，電子密度ru越高，則透過量達(dá)到最小的縱橫比D/W的值就越向大的方向偏移。另外，對(duì)于電子密度iu為lxl()Ucm—3、4x10ucnf3、1x10nf3的所有情況，導(dǎo)體表面波TM的90%被槽50反射的縱橫比D/W為0.26。如果導(dǎo)體表面波TM的90%被槽50反射，則可以說該槽50充分地發(fā)揮了抑制導(dǎo)體表面波TM的傳播的功能。由此，發(fā)明人等將在全部的電子密度中導(dǎo)體表面波TM的90%被反射的0.26設(shè)定為縱橫比D/W的下限值。繼而，求出相對(duì)于將槽50的寬度設(shè)為4mm、6咖、12mm時(shí)的縱橫比D/W的導(dǎo)體表面波TM的透過量，將其結(jié)果表示于圖10中。這里，將電子密度ne設(shè)定為lxl012caf3。如前所述，電子密度ne越高，則透過量達(dá)到最小的縱橫比D/W就越向大的方向偏移。由此，可以通過在模擬時(shí)將導(dǎo)體表面波TM的電子密度ne設(shè)定得最高來求出縱橫比D/W的上P艮值。改變槽的寬度W時(shí)，透過量達(dá)到最小的縱橫比D/W在W=6mm處取得最大值。此時(shí)，可知導(dǎo)體表面波TM的90W被槽50反射的縱橫比D/W達(dá)到2.3。像這樣，發(fā)明人等就得出如下的結(jié)論，即，為了抑制導(dǎo)體表面波TM的傳播，需要將槽50的縱橫比D/W設(shè)定為滿足0.26<D/W<2.3。〈槽50的寬度W>繼而，發(fā)明人等著眼于槽50的寬度W與鞘層厚度t的關(guān)系及槽50的寬度W與進(jìn)入深度5的關(guān)系，對(duì)槽50的寬度W的適宜值如下所示地進(jìn)行了考察。如圖11(a)所示，在槽50的寬度W為鞘層厚度t的2倍以下的情況下(2t>W),槽50的內(nèi)部空間全都成為鞘層區(qū)域。其結(jié)24果是，在有槽50的部分和沒有的部分的鞘層厚度t中產(chǎn)生高低差，即使設(shè)置槽50，對(duì)于導(dǎo)體表面波TM來說，也會(huì)與沒有槽50的情況相同。由此，如果是2t^W，則槽50就不會(huì)發(fā)揮抑制傳播的功能。另一方面，如圖11(b)所示，在槽50的寬度W大于鞘層厚度t的2倍的情況下(2t〉W)，由于沿著槽50的襯底面產(chǎn)生的鞘層區(qū)域僅為0.lmm左右的寬度，因此通過設(shè)置槽50就會(huì)在鞘層區(qū)域中產(chǎn)生階梯差。其結(jié)果是，由沿著槽50的底面附近傳播的導(dǎo)體表面波TMn、越過槽而傳播的導(dǎo)體表面波TMu在槽50的端部P引起反射，導(dǎo)體表面波TM的一部分成為反射波(導(dǎo)體表面波TM22)，僅剩余的導(dǎo)體表面波TMu越過槽50而傳播。根據(jù)以上的考察，發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，為了使槽50具有抑制導(dǎo)體表面波TM的傳播的功能，槽50的寬度W需要大于鞘層厚度t的2倍(2t〈W)。繼而，發(fā)明人等作為將槽50的寬度W適宜化的其他的方法，關(guān)注了槽50的寬度W與進(jìn)入深度5的關(guān)系。如前所述，進(jìn)入深度5表示微波能夠以何種程度射入等離子體P。導(dǎo)體表面波TM無法從等離子體P的交界面比進(jìn)入深度5深地向等離子體內(nèi)部入射。所以，在槽50的寬度W為進(jìn)入深度5的2倍以上的情況下(25《W)，如圖12(a)所示，透過波TMu不能比進(jìn)入深度5深地進(jìn)入到等離子體內(nèi)部，無法越過槽50傳播。由此，即使設(shè)置進(jìn)入深度5的2倍以上的寬度W的槽50，也不會(huì)在槽50的端部P引起對(duì)于導(dǎo)體表面波TM的傳播的抑制有效的反射，導(dǎo)體表面波TM會(huì)越過槽50而向其之后傳播。另一方面，如圖12(b)所示，在槽50的寬度W小于進(jìn)入深度5的2倍的情況下(25>W)，則不產(chǎn)生透過波TMu無法傳播的區(qū)域。其結(jié)果是，由沿著槽50的襯底面?zhèn)鞑サ膶?dǎo)體表面波TMu、越過槽50而傳播的導(dǎo)體表面波TMu在槽50的端部P引起反射，導(dǎo)體表面波TM的一部分成為反射波(導(dǎo)體表面波TM22)，僅剩余的導(dǎo)體表面波TMu越過槽50而傳播。根據(jù)以上的考察，發(fā)明人等查清，為了使槽50具有抑制導(dǎo)體表面波TM的傳播的功能，槽50的寬度W需要小于進(jìn)入深度5的2倍(25>W)。再次參照?qǐng)D10。此時(shí)的電子密度iu為lxl012cnf3,進(jìn)入深度5為255.3mm。在槽50的寬度W為4咖及8mm的情況下，由于槽50的寬度W小于進(jìn)入深度5的2倍，因此如果將縱橫比D/W最佳化，則可以將透過量抑制得非常小，為-40dB以下。另一方面可知，在W-12mm的情況下，由于大于進(jìn)入深度5的2倍，因此即使將縱橫比D/W最佳化，也無法將透過量i殳為-10dB以下。"曲率半徑"在槽的角部(圖8的角Ca、Cb)或邊緣部，由于阻抗變得不連續(xù)，因此傳播來的導(dǎo)體表面波的一部分反射。如果角部或邊緣部的角變圓，則由于阻抗的不連續(xù)性得到緩解，因此透過量增加。特別是，如果角部或邊緣部的曲率半徑R變大到相對(duì)于導(dǎo)體表面波的波長(zhǎng)無法忽視的程度，則透過量就會(huì)大大地增加。利用模擬計(jì)算了導(dǎo)體表面波穿過一個(gè)部位的曲率半徑R的角部時(shí)的透過量，將結(jié)果表示于圖13中。將電子密度n。設(shè)定為lxl(pcflf3，將等離子體電位設(shè)定為24V。此時(shí)的鞘層厚度t為0.07mm，導(dǎo)體表面波的波長(zhǎng)入c為30.4mm，進(jìn)入深度5為5.3mm?？芍獙?dǎo)體表面波的透過量在曲率半徑為Omm，也就是角部為直角的情況下達(dá)到最小，隨著曲率半徑R的增加變大。如果i/^為，透過量相對(duì)于角部為直角時(shí)的透過量增加不超過10%,槽50就具有抑制傳播功能，則角部的曲率半徑不超過0.77mm就成為容許范圍。0.77mm是導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)30.4mm的約1/40(0.77/30.4)。根據(jù)以上的模擬結(jié)果及考察，得出如下的結(jié)論，即，槽50的角部的曲率半徑R需要小于導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)入的1/40。"槽50的位置"如上所述，通過設(shè)置槽50,可以利用在整個(gè)表面波傳播部51傳播的導(dǎo)體表面波TM生成等離子體P。即，由于可以在由槽50包圍的整個(gè)表面波傳播部51的下面生成等離子體P，因此就可以利用槽50的位置來控制在處理容器4內(nèi)生成的等離子體P的區(qū)域。通常來說，在等離子體處理裝置1的處理容器4內(nèi)，在基板G的上方，直至超出基板尺寸的外側(cè)的范圍地生成等離子體P，對(duì)基板G的整個(gè)上面(處理面)進(jìn)行均勻的等離子體處理。所以，最好在蓋體3的下面，在超出基板尺寸的外側(cè)的位置配置槽50，在基板G的上方，直至超26出基板尺寸的外側(cè)的范圍地設(shè)置表面波傳播部51。而且，槽50只要是在等離子體處理中等離子體所接觸的處理容器4內(nèi)壁的金屬面，則無論設(shè)在何處都可以。例如，也可以將門閥、觀察口等其他的機(jī)構(gòu)包圍地形成槽50。這樣就可以避免門閥、觀察口等的損耗、反應(yīng)產(chǎn)物的附著等不佳狀況。(電介質(zhì)體25的露出面積與基板G的表面積的關(guān)系(1/5))在處理容器4的內(nèi)部進(jìn)行的等離子體處理中，離子向放置于基座10上的基板G的表面的入射擔(dān)負(fù)重要的作用。例如，在等離子體成膜處理中，通過在向基板G的表面入射等離子體中的離子的同時(shí)進(jìn)行成膜，即使基板G的溫度低，也可以可以在短時(shí)間內(nèi)形成高質(zhì)量的薄膜。另外，在等離子體蝕刻處理中，利用由離子向基板G的表面的垂直入射造成的各向異性蝕刻，可以正確地形成微細(xì)的圖案。像這樣，無論在哪種等離子體處理中，為進(jìn)行良好的加工，在每種加工中將離子向基板G的表面的入射能量控制為最佳的值都是不可欠缺的。離子向基板G的表面的入射能量可以利用從高頻電源13經(jīng)過基座10對(duì)基板G施加的高頻偏置電壓來控制。圖14中，表示對(duì)基座10(高頻施加電極)與蓋體3(對(duì)置電極-接地電極)^J'司施加了高頻電壓的等離子體處理中的處理容器4內(nèi)的狀態(tài)。在等離子體處理裝置1的處理容器4內(nèi)，在基板G的上方，直至超出基板尺寸的外側(cè)的范圍，生成高密度的等離子體P。像這樣，通過直至超過基板尺寸的范圍地生成等離子體P，就可以對(duì)基板G的整個(gè)上面(處理面)進(jìn)行均勻的等離子體處理。例如，如果以處理2.4mx2.lm的玻璃基板的情況為例，則等離子體P的生成范圍就是與基板尺寸相比在一側(cè)大15%左右、在兩側(cè)大30%左右的區(qū)域。由此，在蓋體3的下面，與基板尺寸相比在一側(cè)大15%左右(兩側(cè)大30%左右)的范圍就成為接地電極3'。另一方面，通過從高頻電源13對(duì)基板G施加高頻偏置電壓，就會(huì)在等離子體處理中的處理容器4內(nèi)，在等離子體P與基板G的上面(處理面)之間以及等離子體P與蓋體3下面的接地電極3，的部分之間形成等離子體鞘層g、s。由高頻電源13施加的高頻偏置電壓被向這些等離子體鞘層g、s分壓地施加。這里，將基板G的處理面(上面)的表面積設(shè)為As,將與等離子體P相面對(duì)的蓋體3下面的成為接地電極3，的部分的面積設(shè)為Ag，將加在基板G的處理面與等離子體P之間的等離子體鞘層s上的高頻電壓設(shè)為Vs，將加在蓋體3的下面與等離子體P之間的等離子體鞘層g上的高頻電壓設(shè)為Vg。這些高頻電壓Vs、Vg與面積As、Ag具有下式(15)的關(guān)系。(Vs/Vg)=(Ag/As)4(15)BrianChapman、"GlowDischargeProcesses"、AWileyIntersciencePublication、1980.如果因流過等離子體鞘層s、g的電子電流的影響，加在等離子體鞘層s、g上的高頻電壓Vs、Vg變大，則加在等離子體鞘層s、g上的直流電壓就會(huì)變大。加在等離子體鞘層s、g上的直流電壓的增加量與高頻電壓Vs、Vg的振幅(0to峰值)基本相等。等離子體P中的離子被加在等離子體鞘層s、g上的直流電壓加速而射入作為電極面的基板G的處理面及蓋體3的下面，該離子入射能量可以利用高頻電壓Vs、Vg來控制。對(duì)于該實(shí)施方式中所示的等離子體裝置1的情況，由高頻電源13施加在基板G的處理面與蓋體3下面之間的高頻電壓(=Vs+Vg)向形成于基板G表面及蓋體3下面的附近的等離子體鞘層s、g分壓地施加。此時(shí)，最好使得加在蓋體3下面的附近的等離子體鞘層g上的高頻電壓Vg盡可能地小，由高頻電源13施加的高頻電壓的大半加在基板G表面附近的等離子體鞘層s上。這是因?yàn)?，如果加在蓋體3下面附近的等離子體鞘層g上的高頻電壓Vg變大，則不僅功率效率惡化，而且向蓋體3(接地電極)入射的離子的能量增加，蓋體3下面被濺射而引起金屬污染。在實(shí)際的等離子體處理裝置中，加在蓋體3下面附近的等離子體鞘層g上的高頻電壓Vg如果不是加在基板G表面附近的等離子體鞘層s上的高頻電壓Vs的1/5以下，則不夠?qū)嵱?。即根?jù)(15)式可知，與等離子體P相面對(duì)的蓋體3下面的成為接地電極3，的部分的面積最低也必須為基板G表面的面積的1.5倍以上。以往的微波等離子體處理裝置中，由于與基板G相面對(duì)的蓋體3的下面的大部分被用于傳輸微波的電介質(zhì)體25覆蓋，因此特別是在大體所接觸的接地電極的面積很小。如上所述，例如在處理2.4mx2.lm的玻璃基板的等離子體處理裝置1中，在與基板尺寸相比一端大出15%左右、兩端大出30%左右的區(qū)域中生成高密度的等離子體P，與該等離子體P相面對(duì)的蓋體3的下面部分成為接地電極3，。假如在該接地電極3，的部分中，電介質(zhì)體25未在處理容器4的內(nèi)部露出，全部是接地部，則與等離子體P相面對(duì)的接地電極3'的面積就達(dá)到基板面積的1.7倍((1+0.3)2)。但是，以往的微波等離子體處理裝置中，由于接地電極3，中的大部分被電介質(zhì)體25覆蓋，因此無法獲得充分的面積。由此，在以往的大型基板用的微波等離子體處理裝置中，如果施加高頻偏壓，則有可能產(chǎn)生金屬污染。所以，該實(shí)施方式的等離子體處理裝置1中，采用如下的構(gòu)成，即，使在處理容器4的內(nèi)部露出的電介質(zhì)體25的露出面的面積盡可能小，將電介質(zhì)體25的露出面的面積壓縮在基板G的上面的面積的1/5以下(而且，如后所述，本發(fā)明中由于可以使用沿著蓋體3的下面?zhèn)鞑サ膶?dǎo)體表面波TM在處理容器4內(nèi)產(chǎn)生等離子體P，因此即使減小電介質(zhì)體25的露出面積，也可以在接地電極3，的整個(gè)下面有效地產(chǎn)生等離子體P)。像這樣，如果將與等離子體P接觸的電介質(zhì)體25的露出面的面積設(shè)為基板G的上面的面積的1/5以下，則必然可以確保與等離子體P相面對(duì)的接地電極3，的面積最低也在基板G表面的面積的1.5(1.7-1/5)倍以上。這樣，就不會(huì)有引起蓋體3下面被濺射所致的金屬污染的情況，可以將由高頻電源13施加的高頻電壓有效地施加在基板G表面附近的等離子體鞘層s上。(表面波傳播部的平坦性)如果電子密度變高，則施加在鞘層上的微波電場(chǎng)強(qiáng)度就會(huì)變大。如果在表面波傳播部51中有微小的角部，則電場(chǎng)就會(huì)集中于角部而過熱，會(huì)有產(chǎn)生異常放電(電弧放電)的情況。一旦產(chǎn)生異常放電，就會(huì)在將金屬表面熔化的同時(shí)放電部到處作用，對(duì)金屬表面造成大的損傷。如果表面波傳播部51的中心線平均粗糙度與鞘層的厚度相比足夠小，則即使是微小的角部也會(huì)對(duì)金屬表面平均地施加電場(chǎng)，因此就不會(huì)有電場(chǎng)集中的情況，也不會(huì)引起異常放電。先前對(duì)鞘層厚度t進(jìn)行了說明，鞘層厚度t與電子密度的平方根成反比。作為最大的電子密度，假定為lxl013Cm-3即足夠。此時(shí)的德拜長(zhǎng)度為3.3ium,對(duì)于Ar等離子體的情況，鞘層的厚度達(dá)到其3.5倍的12nm。如果金屬表面的中心線平均粗糙度達(dá)到鞘層的厚度的1/5以下，更優(yōu)選達(dá)到1/20以下，則可以忽視微小的角部的電場(chǎng)集中。所以，表面波傳播部51的中心線平均粗糙度達(dá)到2.4pm，更優(yōu)選達(dá)到0.6pm以下即可。(變形例)下面，對(duì)等離子體處理裝置1的其他實(shí)施方式進(jìn)行說明。而且，對(duì)于與前面圖l等中所說明的等離子體處理裝置l共同的構(gòu)成要素，通過賦予相同的符號(hào)而省略重復(fù)說明。(第一變形例)圖15是表示了第一變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖16中的Y-Y剖面)。圖16是第一變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖15中的X-X剖面)。圖17是圖15中的Z-Z剖面的蓋體3的上部的橫剖面圖。該第一變形例的等離子體處理裝置1是在例如由Ah03制成的4個(gè)板狀的電介質(zhì)體25的下面安裝了板狀的金屬電極70的構(gòu)成。在金屬電極70的中央，安裝將蓋體3及在上下貫穿了電介質(zhì)體25的金屬棒45的下端。金屬棒45的上端在蓋體3的上面被彈簧71頂起，利用該彈簧71的力，將放置于金屬電極70之上的電介質(zhì)體25向蓋體3的下面推壓。電介質(zhì)體25及金屬電極70都是近似四邊形，然而電介質(zhì)體25比金屬電極70略大。由此，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則成為在金屬電極70的周圍露出了電介質(zhì)體25的狀態(tài)。在金屬棒45的周圍，安裝有由絕緣材料制成的環(huán)構(gòu)件72，在環(huán)構(gòu)件72與金屬棒45之間以及環(huán)構(gòu)件72與蓋體3之間，以金屬棒45為中心成同心圓狀地設(shè)有作為密封構(gòu)件的兩個(gè)O形環(huán)73。這樣，就會(huì)如圖所示，在將容器本體2的上方用蓋體3封閉的狀態(tài)下，利用配置于蓋體3的下面周邊部與容器本體2的上面之間的O形環(huán)21、配置于金屬棒45與蓋體3之間的兩個(gè)0形環(huán)73，保持處理容器4內(nèi)的氣密性。在蓋體3的上面中央，連接有由內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36和外部導(dǎo)體37構(gòu)成的同軸管35。內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36的下端配置在形成于蓋體3的內(nèi)部的分配波導(dǎo)管74的中央，由同軸管35供給的具有2GHz以下的頻率的微波沿分配波導(dǎo)管74、金屬棒45及金屬電極70傳播而向電介質(zhì)體25供給。形成于蓋體3的內(nèi)部的分配波導(dǎo)管74的終端面(收納有分配波導(dǎo)管74的蓋體3的內(nèi)部空間的內(nèi)壁面)74，被設(shè)定于距金屬棒45的中心軸入/4距離的位置，從而將由同軸管35供給的微波從波導(dǎo)管74向金屬棒45有效地傳播。另外，該第一變形例的等離子體處理裝置1在配置于蓋體3的下面的4個(gè)表面波傳播部51的更靠外側(cè)，設(shè)有外周槽51，。另外，在金屬電極70的下面開口設(shè)置多個(gè)氣體釋放孔61，形成從貫穿金屬棒45的內(nèi)部的氣體流路75通過各氣體釋放孔61向處理容器4內(nèi)部供給規(guī)定的氣體的構(gòu)成。利用該第一變形例的等離子體處理裝置1，也可以從電介質(zhì)體25的周圍向表面波傳播部51傳播導(dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P，可以起到與前面圖l等中所說明的等離子體處理裝置l相同的作用效果。另外，該第一變形例的等離子體處理裝置1中，還可以從電介質(zhì)體25的周圍向金屬電極70的下面?zhèn)鞑?dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P。此外，在該第一變形例的等離子體處理裝置1中，由于在蓋體3的下面，在表面波傳播部51的更靠外側(cè)設(shè)有外周槽51，，因此可以更為可靠地防止導(dǎo)體表面波TM傳播至容器本體2的內(nèi)壁，有容易控制處理容器4內(nèi)的等離子體生成區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)。另外，是通過利用彈簧71的力懸桂金屬棒45，支承著放置于金屬電極70之上的電介質(zhì)體25的構(gòu)成，由于電介質(zhì)體25相對(duì)于蓋體3、金屬電極70及金屬棒45未被固定，因此不會(huì)有對(duì)電介質(zhì)體25造成由熱膨脹等所致的金屬構(gòu)件(蓋體3、金屬電極70及金屬棒45)的變形等影響的情況，可以防止電介質(zhì)體25的破損。(第二變形例)圖18是表示了第二變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖。圖19是圖18中的Z-Z剖面的蓋體3的上部的橫剖面圖。該第二變形例的等離子體處理裝置1基本上是與前面在圖15~17中所說明的第一變形例的等離子體處理裝置l相同的構(gòu)成。但是，該第二變形例的等離子體處理裝置2中，在如下的方面不同，即，分配波導(dǎo)管74的終端面74，形成于下方，此外內(nèi)部導(dǎo)體36借助作為阻抗匹配機(jī)31構(gòu)的電介質(zhì)體42與蓋體3連接。利用該第二變形例的等離子體處理裝置l，也可以起到與前面在圖14~16中所說明的第一變形例的等離子體處理裝置l相同的作用效果。此外，根據(jù)該第二變形例的等離子體處理裝置1，還可以將形成于蓋體3的內(nèi)部的分配波導(dǎo)管74小型化。(第三變形例)圖20是表示了第三變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖21中的Y-Y剖面)。圖21是第三變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖20中的X-X剖面)。該第三變形例的等離子體處理裝置1的容器本體2是圓筒形狀，在處理容器4的內(nèi)部形成有圓柱形狀的處理空間。蓋體3及基座10也成為圓形，該第三變形例的等離子體處理裝置l是對(duì)半導(dǎo)體晶片等圓盤形狀的基板G進(jìn)行等離子體處理的構(gòu)成。利用該第三變形例的等離子體處理裝置1，也可以從電介質(zhì)體25的周圍向表面波傳播部51傳播導(dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P，可以起到與前面在圖1等中所說明的等離子體處理裝置1相同的作用效果。(第四變形例)圖22是表示了第四變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖23中的Y-Y剖面)。圖23是第四變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖22中的X-X剖面)。該第四變形例的等離子體處理裝置1也是容器本體2為圓筒形狀，是對(duì)半導(dǎo)體晶片等圓盤形狀的基板G進(jìn)行等離子體處理的構(gòu)成。該第四變形例的等離子體處理裝置1中，是在電介質(zhì)體25的下面安裝了板狀的金屬電極70的構(gòu)成。但是，該第四變形例的等離子體處理裝置1的電介質(zhì)體25及金屬電極70各為一片。金屬電極70被貫穿了電介質(zhì)體體3上。將金屬隔板83與蓋體3、以及金屬隔板83與金屬電極70利用螺栓80密合。另外，在蓋體3的下面和金屬電極70的下面兩方中都開設(shè)有氣體釋放孔61，形成從貫穿了螺栓80的內(nèi)部的氣體流路75向金屬電極70下面的氣體釋放孔61供給氣體的構(gòu)成。另外，在同軸管35的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36的內(nèi)部，形成有流通冷卻劑的冷卻劑流路81。另外，在電介質(zhì)體25上面與蓋體3下面之間以及電介質(zhì)體25下面與金屬電極70上面之間，設(shè)有作為密封構(gòu)件的兩個(gè)O形環(huán)82。這樣就會(huì)如圖所示，在將容器本體2的上方用蓋體3封閉的狀態(tài)下，利用配置于蓋體3的下面周邊部與容器本體2的上面之間的0形環(huán)21、配置于電介質(zhì)體25上面與蓋體3之間以及電介質(zhì)體25下面與金屬電極70上面之間的兩個(gè)0形環(huán)82，保持處理容器4內(nèi)的氣密性。利用該第四變形例的等離子體處理裝置1，也可以從電介質(zhì)體25的周圍向表面波傳播部51與金屬電極70的下面?zhèn)鞑?dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P，可以起到與前面在圖l等中所說明的等離子體處理裝置l相同的作用效果。此外，在該第四變形例的等離子體處理裝置1中，由于從等離子體流入金屬電極70的熱量穿過熱傳導(dǎo)性良好的多個(gè)金屬隔板83及螺栓80傳向蓋體3，因此可以抑制金屬電極70的溫度上升。另外，由于形成從貫穿螺栓80的內(nèi)部的氣體流路75供給氣體的構(gòu)成，因此與像第二變形例那樣從貫穿金屬棒45的內(nèi)部的氣體流路75供給氣體的構(gòu)成相比，金屬電極70的拆裝容易，維護(hù)性優(yōu)良。還可以防止內(nèi)側(cè)導(dǎo)體36的溫度上升。此外，由于利用設(shè)于電介質(zhì)體25的上下面的兩個(gè)O形環(huán)82以平坦面進(jìn)行真空密封，因此與像第二變形例那樣用曲面進(jìn)行真空密封的情況相比，金屬電極70的拆裝容易，維護(hù)性優(yōu)良。而且，也可以在金屬電極70的下面，設(shè)置用于反射導(dǎo)體表面波的同心圓狀的槽(未圖示)。金屬電極70的中央部由于集中從金屬電極70的周圍傳播來的導(dǎo)體表面波，因此等離子體密度容易變高，然而通過像這樣在金屬電極70中同心圓狀地設(shè)置槽而抑制向其內(nèi)側(cè)傳播的導(dǎo)體表面波，就可以激發(fā)出更為均勻的等離子體。(第五變形例)圖24是表示了第五變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖25中的Y-Y剖面)。圖25是第五變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖24中的X-X剖面)。該第五變形例的等離子體處理裝置1在蓋體3的上部按照使E面(窄壁面)向上的方式平行地等間隔配置有多個(gè)矩形波導(dǎo)管90。在各個(gè)矩形波導(dǎo)管90的下面，等間隔地開設(shè)有與處理容器4的內(nèi)部相通的4個(gè)縫隙(開口部),在縫隙的內(nèi)部配置有例如由Ah03制成的電介質(zhì)體25。在縫隙周圍，在電介質(zhì)體25與蓋體3之間設(shè)有0形環(huán)93，從而保持處33理容器4內(nèi)的氣密性。在矩形波導(dǎo)管90的內(nèi)部，拉開間隔地上下配置有例如由特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))制成的2個(gè)絕緣構(gòu)件91、92。下方的絕緣構(gòu)件92固定于矩形波導(dǎo)管90上。另一方面，在絕緣構(gòu)件91的上面，連接有貫穿矩形波導(dǎo)管90的電介質(zhì)體棒94，通過從矩形波導(dǎo)管90的外部上下移動(dòng)電介質(zhì)體棒94，就可以將絕緣材料91上下移動(dòng)。在第五變形例的等離子體處理裝置1中，可以像這樣利用絕緣構(gòu)件91的上下方向的位置來調(diào)整在矩形波導(dǎo)管90內(nèi)傳播的微波的管內(nèi)波長(zhǎng)。下面對(duì)其原理進(jìn)行說明。如果向波導(dǎo)管的內(nèi)部插入電介質(zhì)體，則與中空時(shí)的管內(nèi)波長(zhǎng)入gO相比，管內(nèi)波長(zhǎng)入g變短。例如，將比介電常數(shù)為Sr的電介質(zhì)體沒有間隙地填充到波導(dǎo)管內(nèi)時(shí)的管內(nèi)波長(zhǎng)入g變?yōu)橄率?16)。[數(shù)IO〗在向波導(dǎo)管內(nèi)的一部分中插入了電介質(zhì)體的情況下，就會(huì)變?yōu)闆]有間隙地填充時(shí)的管內(nèi)波長(zhǎng)與中空時(shí)的管內(nèi)波長(zhǎng)的中間的管內(nèi)波長(zhǎng)。另外，在插入相同體積的電介質(zhì)體的情況下，如果配置于波導(dǎo)管內(nèi)電場(chǎng)最強(qiáng)的H面(寬壁面)的中心線上的話，則與配置于電場(chǎng)弱的H面的端部相比，波長(zhǎng)也會(huì)變短。像這樣，在第五變形例的等離子體處理裝置1中，可以利用絕緣構(gòu)件91的上下方向的位置來調(diào)整管內(nèi)波長(zhǎng)。而且，固定的絕緣構(gòu)件92是為了確保波導(dǎo)模式的上下方向的對(duì)稱性而設(shè)置的。為了激發(fā)出均勻的等離子體，需要從設(shè)于矩形波導(dǎo)管90中的各個(gè)縫隙中釋放相同強(qiáng)度的微波。通過將縫隙的長(zhǎng)度方向的間距設(shè)定為管內(nèi)波長(zhǎng)的1/2的整數(shù)倍(本變形例中為管內(nèi)波長(zhǎng)的1/2倍)，就可以從各個(gè)縫隙中釋放相同強(qiáng)度的微波。雖然一般來說，波導(dǎo)管的管內(nèi)波長(zhǎng)隨縫隙的阻抗而變化，然而在本變形例中，通過利用上述的管內(nèi)波長(zhǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)使管內(nèi)波長(zhǎng)總是與縫隙間距的2倍一致，則即使等離子體激發(fā)調(diào)節(jié)改變，也可以總是激發(fā)出均勻的等離子體。從而可以實(shí)現(xiàn)能夠?qū)?yīng)極寬的處理調(diào)節(jié)的通用性高的等離子體處理裝置。利用該第五變形例的等離子體處理裝置1，也可以從電介質(zhì)體25的周圍向表面波傳播部51傳播導(dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P，可以起到與前面在圖l等中所說明的等離子體處理裝置l相同的作用效果。該第五變形例的等離子體處理裝置1可以適用于在蓋體3的下面將電介質(zhì)體分割地配置的CMEP(CellularMicrowaveExcitationPlasma)中。(第六變形例)圖26是表示了第六變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖27中的Y-Y剖面)。圖27是第六變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖26中的X-X剖面)。該第六變形例的等離子體處理裝置l是如下的構(gòu)成，即，在蓋體3的內(nèi)部?jī)?nèi)置例如由人1203制成的圓盤狀的電介質(zhì)體25,從形成于蓋體3的下面的多個(gè)縫隙95中，將電介質(zhì)體25的下面局部地向處理容器4內(nèi)露出?？p隙95設(shè)于相對(duì)于同軸管內(nèi)部導(dǎo)體36的中心軸而言在同心圓上點(diǎn)對(duì)稱的位置，從而就會(huì)從各個(gè)縫隙95中釋放相同強(qiáng)度的微波。蓋體3的下面成為徑向線縫隙天線(RLSA)。該第六變形例的等離子體處理裝置1通過將多個(gè)縫隙95—并地用槽50包圍，而在一個(gè)表面波傳播部51內(nèi)的多個(gè)部位使電介質(zhì)體25的下面露出。此外，該第六變形例的等離子體處理裝置1在由多個(gè)縫隙95圍繞的區(qū)域中設(shè)有由同心圓狀的槽50，'包圍的表面波非傳播部96。利用該第六變形例的等離子體處理裝置l，也可以從在處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的周圍向表面波傳播部51傳播導(dǎo)體表面波TM而激發(fā)等離子體P，可以起到與前面在圖1等中所說明的等離子體處理裝置l相同的作用效果。此外，在該第六變形例的等離子體處理裝置1中，由于在表面波傳播部51的中央設(shè)有由槽50，，包圍的表面波非傳播部96,因此可以防止等離子體在處理容器4內(nèi)的中央附近集中地生成。像這樣，就可以利用在蓋體3的下面形成的槽50、50，、50，，，任意地控制在處理容器4內(nèi)生成的等離子體P的區(qū)域。(第七變形例)圖28是表示了第七變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖29中的Y-Y剖面)。圖29是第七變形例的等離子體處理裝置1所具備的蓋體3的仰視圖(圖28中的X-X剖面)。該第七變形例的等離子體處理裝置l使形成于蓋體3的內(nèi)部的波35導(dǎo)管74的下面所配置的例如由Ah03制成的電介質(zhì)體25的下面在處理容器4的內(nèi)部露出。該第七變形例的等離子體處理裝置1中，通過將多個(gè)電介質(zhì)體25—并地用槽50包圍，而在一個(gè)表面波傳播部51內(nèi)的多個(gè)部位使電介質(zhì)體25的下面露出。另外，在表面波傳播部51的中央設(shè)有由槽50，，包圍的表面波非傳播部96。利用該第七變形例的等離子體處理裝置1，也可以起到與前面所說明的第六變形例的等離子體處理裝置l相同的作用效果。(第八變形例)圖30是表示了第八變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖。圖31是圖30的A-A剖面圖。對(duì)于本變形例，同軸管35以下的結(jié)構(gòu)與圖14等中所示的第一變形例基本上相同。在與紙面垂直的方向上以Xg(分支同軸管101的管內(nèi)波長(zhǎng))的間隔等間隔地配置有4根分支同軸管101。在各個(gè)分支同軸管101上，以入g的間隔等間隔地連接有4根同軸管35。由于在同軸管35的下方夾隔著將微波分為4個(gè)的分配波導(dǎo)管74設(shè)有金屬棒45，因此金屬棒45及金屬電極70的縱橫的間距為入g/2。在分支波導(dǎo)管101的中央部與分支波導(dǎo)管100之間，設(shè)有同軸管38。分支波導(dǎo)管IOO是將由微波源(未圖示)供給的微波利用2級(jí)的T分支回路分為4個(gè)的竟賽方式的分支。由分支波導(dǎo)管IOO均等地分配了的微波穿過同軸管38、分支同軸管101、同軸管35、分配波導(dǎo)管74、金屬棒45、電介質(zhì)體板25向等離子體供給。此時(shí)，在分支同軸管101中，由于同軸管35被以入g/2的整數(shù)倍(這里為2倍)的間隔連接，因此向各個(gè)同軸管35供給的微波的功率及相位相等，從而可以激發(fā)出均勻的等離子體。利用該第八變形例的等離子體處理裝置1,也可以起到與前面所說明的第一變形例的等離子體處理裝置l相同的作用效果。此外，利用分支波導(dǎo)管100、分支同軸管IOI及分配波導(dǎo)管74，構(gòu)成能夠?qū)⑽⒉ň鹊胤峙涞亩嗉?jí)的分配器，通過增加分支數(shù)，即使是超過2m見方的大面積基板也能夠靈活地對(duì)應(yīng)。"頻率的限定"根據(jù)前面所示的圖7可知，如果降低頻率則衰減量就會(huì)減少.這可以如下所示地說明。才艮據(jù)式(1)可知，如果降低頻率，則等離子體P的介電常數(shù)的實(shí)部Sr，就會(huì)沿負(fù)方向變大，等離子體阻抗變小。所以，由于加在等離子體上的微波電場(chǎng)與加在鞘層上的微波電場(chǎng)相比變?nèi)?，等離子體中的微波的損耗變小，因此導(dǎo)體表面波TM的衰減量減少。在想要將導(dǎo)體表面波用于等離子體的生成的情況下，如果作為微波的頻率選擇太高的頻率，則由于導(dǎo)體表面波不會(huì)傳播到必需的部位，因此無法生成均勻的等離子體。在大面積基板用的等離子體處理裝置中，為了估計(jì)在實(shí)質(zhì)上直到何種程度的頻率以前能夠獲得均勻的等離子體，首先，在圖30所示的第八變形例的代表性的等離子體處理裝置1中，求出導(dǎo)體表面波必須傳播的距離。本變形例是如下的方式，即，在將導(dǎo)體表面波用于等離子體的生成的實(shí)用的大面積基板用的等離子體處理裝置中，傳播導(dǎo)體表面波的距離最短，能夠直到更高的頻率獲得均勻的等離子體。如圖30、31所示，在將分支同軸管101的管內(nèi)波長(zhǎng)設(shè)為入g時(shí)，以入g/2的間隔縱橫等間隔地配置一邊長(zhǎng)度為入g/4的矩形的多個(gè)電介質(zhì)體25。而且，在分支同軸管101的內(nèi)部導(dǎo)體與外部導(dǎo)體間為中空的情況下，管內(nèi)波長(zhǎng)入g與自由空間的波長(zhǎng)一致。例如，在915MHz下，入g=328mm。在橫向?yàn)?列、在與紙面垂直的方向?yàn)?列的共計(jì)64片電介質(zhì)體25被外形比電介質(zhì)體25略小的金屬電極70與蓋體3的下面密合地保持。在蓋體3的下面，圍繞各電介質(zhì)體25地以棋盤眼狀設(shè)有槽50，劃分出表面波傳播部51。穿過金屬棒45供給的微波在電介質(zhì)體25中傳播，繼而從電介質(zhì)體25的周圍成為導(dǎo)體表面波，沿著蓋體3的下面以及金屬電極70的表面一邊激發(fā)等離子體一邊傳播。如圖31所示，可知導(dǎo)體表面波TM不大衰減地(<6dB)必須傳播的最長(zhǎng)距離為入g《_2/8。設(shè)定在傳播了該距離后衰減6dB時(shí)的每lm的衰減量由圖7的曲線圖的虛線表示。如果衰減量小于該值，則可以在整個(gè)表面波傳播部51中激發(fā)出均勻的等離子體P。條件如下表面波傳播部51的表面附近的電子密度4xioncnf3，電子溫度2eV，鞘層電壓24V，壓力13.3Pa，氣體Ar。根據(jù)圖7的曲線圖可知，實(shí)線與虛線交叉的頻率為2070MHz。如果頻率比它高，則由于導(dǎo)體表面波TM的衰減很大而無法到達(dá)整個(gè)表面波傳播部51,因此無法激發(fā)出均勻的等離子體P。為了使用導(dǎo)體表面波TM激發(fā)出均勻的等離子體P，需要多少留出富余地選擇2GHz以下的頻率。(第九變形例)圖32是表示了第九變形例的等離子體處理裝置l的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖33中的D—0，—0—E剖面)。圖33是圖32中的A—A剖面圖。圖34是該實(shí)施方式中所用的電介質(zhì)體25的俯視圖。在蓋體3的下面，安裝有例如由Ah03制成的4個(gè)電介質(zhì)體25。作為電介質(zhì)體25，例如也可以使用氟樹脂、石英等絕緣材料。如圖34所示，電介質(zhì)體25被以正方形的板狀構(gòu)成。在電介質(zhì)體25的四角，形成相對(duì)于對(duì)角線以直角切掉的平坦部150，因此嚴(yán)格來說，電介質(zhì)體25是八邊形。但是，與電介質(zhì)體25的寬度L相比，平坦部150的長(zhǎng)度M足夠短，可以將電介質(zhì)體25實(shí)質(zhì)上看作正方形。如圖33所示，這4個(gè)電介質(zhì)體25被將相互的頂角之間(平坦部26之間)毗鄰地配置。另外，在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角。通過像這樣將4個(gè)電介質(zhì)體25配置為，使相互的頂角之間毗鄰，并且在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角，就會(huì)在由4個(gè)電介質(zhì)體25包圍的蓋體3的下面中央，形成正方形的區(qū)域S。在各電介質(zhì)體25的下面，安裝有金屬電極151。金屬電極151由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成。與電介質(zhì)體25相同，金屬電極151也被以正方形的板狀構(gòu)成。而且，本申請(qǐng)說明書中，將像這樣安裝于各電介質(zhì)體25的下面的板狀的金屬構(gòu)件稱作"金屬電極"。但是，金屬電極151的寬度N與電介質(zhì)體25的寬度L相比略短。由此，如果從處理容器的內(nèi)部看，則在金屬電極151的周圍，電介質(zhì)體25的周邊部以呈現(xiàn)正方形的輪廓的狀態(tài)露出。此外，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則由電介質(zhì)體25的周邊部形成的正方形的輪廓的頂角之間被毗鄰地配置。電介質(zhì)體25及金屬電極151被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。在處理容器的內(nèi)部露出的連接構(gòu)件30的下面與金屬電極151的下面為同一平面。而且，連接構(gòu)件30的下面31不一定要與金屬電極27的下面為同一平面。在連接構(gòu)件152相對(duì)于電介質(zhì)體25的貫穿部位，配置有環(huán)狀的隔板153。在該隔板153之上配置有防松墊團(tuán)等彈性構(gòu)件153'，形成在電介質(zhì)體25的上下面中沒有間隙的狀態(tài)。如果在電介質(zhì)體25的上下面中有未被控制的間隙，則在電介質(zhì)體25中傳播的微波的波長(zhǎng)就會(huì)變得不穩(wěn)定，作為整體而言等離子體的均勻性變差，從微波輸入側(cè)看到的負(fù)載阻抗變得不穩(wěn)定。另外，如果間隙大，則還會(huì)放電。為了將電介質(zhì)體25及金屬電極151與蓋體3的下面密合并且利用連接部使之可靠地電、熱接觸，需要在連接部中使用具有彈性的構(gòu)件。彈性構(gòu)件153'例如也可以是防松墊團(tuán)、彈簧墊團(tuán)、碟形彈簧、屏蔽螺線(shiledspiral)等。材質(zhì)是不銹鋼、鋁合金等。連接構(gòu)件152由導(dǎo)電性的金屬等構(gòu)成，金屬電極151借助連接構(gòu)件152與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。連接構(gòu)件152在例如以四邊形構(gòu)成的金屬電極151的對(duì)角線上配置于4個(gè)部位。連接構(gòu)件152的上端向形成于蓋體3的內(nèi)部的空間部155中突出。在像這樣向空間部155中突出的連接構(gòu)件152的上端，夾隔著由防松墊團(tuán)構(gòu)成的彈性構(gòu)件35安裝有螺帽36。利用該彈性構(gòu)件35的彈性，推靠電介質(zhì)體25及金屬電極27，以使其緊密粘貼在蓋體3的下面。如果在電介質(zhì)體25的上下面中有未被控制的間隙，則在電介質(zhì)體25中傳播的微波的波長(zhǎng)就會(huì)變得不穩(wěn)定，作為整體而言等離子體的均勻性變差，從微波輸入側(cè)看到的負(fù)載阻抗變得不穩(wěn)定。另外，如果間隙大，則還會(huì)產(chǎn)生放電。為了將電介質(zhì)體25及金屬電極151與蓋體3的下面密合并且用連接部使之可靠地電、熱接觸，在連接部中需要使用具有彈性的構(gòu)件。彈性構(gòu)件152例如也可以是防松墊團(tuán)、彈簧墊團(tuán)、碟形彈簧、屏蔽螺線等。材質(zhì)是不銹鋼、鋁合金等。該情況下，可以利用螺帽36的調(diào)整很容易地進(jìn)行電介質(zhì)體25及金屬電極151的與蓋體3的下面的密合力的調(diào)整。在蓋體3下面與電介質(zhì)體25上面之間，配置有作為密封構(gòu)件的O形環(huán)30。O形環(huán)37例如為金屬0形環(huán)。利用該0形環(huán)30，將處理容器4的內(nèi)部氣氛與同軸管35的內(nèi)部氣氛隔斷，將處理容器4的內(nèi)部與外部的氣氛隔開。在連接構(gòu)件152的中心部，設(shè)有縱向的氣體流路160，在電介質(zhì)體25與金屬電極151之間，設(shè)有橫向的氣體流路161。在金屬電極151的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔152。從氣體供給源60穿過氣體配管55向蓋體3內(nèi)的空間部155供給的規(guī)定的氣體穿過氣體流路160、161及氣體釋放孔162，向處理容器4的內(nèi)部分散地供給。在由4個(gè)電介質(zhì)體25包圍的蓋體3的下面中央的區(qū)域S中，安裝有金屬外罩165。該金屬外罩165由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成，與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。金屬外罩165與金屬電極151相同，被以寬度為N的正方形的板狀構(gòu)成。金屬外罩165具有電介質(zhì)體25與金屬電極151的合計(jì)程度的厚度。由此，金屬外軍165下面就與金屬電極151下面為同一平面。金屬外軍165被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件166安裝于蓋體3的下面。在處理容器的內(nèi)部露出的連接構(gòu)件166的下面與金屬外罩165的下面為同一平面。而且，連接構(gòu)件166的下面167不一定要與金屬外罩165的下面為同一平面。連接構(gòu)件166在例如構(gòu)成四邊形的金屬外罩165的對(duì)角線上配置于4個(gè)部位。為了將氣體釋放孔172均等地配置，將電介質(zhì)體25的中心與連接構(gòu)件166的中心間的距離設(shè)定為相鄰的電介質(zhì)體25的中心間的距離L，的1/4。連接構(gòu)件166的上端在形成于蓋體3的內(nèi)部的空間部155中突出。在像這樣在空間部155中突出了的連接構(gòu)件166的上端，夾隔著彈簧墊圏、防松墊圏等彈性構(gòu)件168安裝有螺帽169。利用該彈性構(gòu)件168的彈性施力，以4吏金屬外罩165與蓋體3的下面緊密粘貼。在連接構(gòu)件166的中心部，設(shè)有縱向的氣體流路170，在蓋體3下面與金屬外革165之間，設(shè)有橫向的氣體流路171。在金屬外罩165的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔172。從氣體供給源60穿過氣體配管55向蓋體3內(nèi)的空間部155供給的規(guī)定的氣體穿過氣體流路170、171及氣體釋放孔172，向處理容器4的內(nèi)部分散地供給。在蓋體3的下面，在4個(gè)電介質(zhì)體151的外側(cè)的區(qū)域中，安裝有側(cè)外軍175。該側(cè)外罩175由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成，與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。側(cè)外罩175也具有電介質(zhì)體25與金屬電極151的合計(jì)程度的厚度。由此，側(cè)外罩175下面與金屬外軍165下面以及金屬電極151下面就會(huì)為同一平面。在側(cè)外罩175的下面設(shè)有雙重的槽50,其將4個(gè)電介質(zhì)體25圍繞地配置，在被該雙重的槽50分隔的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，在側(cè)外革175上，形成有4個(gè)側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178。這些側(cè)外革內(nèi)側(cè)部分178在從處理容器4的內(nèi)部看的狀態(tài)下，具有與將金屬外軍165用對(duì)角線等分而成的直角等腰三角形大致相同的形狀。但是，側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178的等腰三角形的高度與將金屬外革165用對(duì)角線等分而成的等腰三角形的高度相比略長(zhǎng)(導(dǎo)體表面波的波長(zhǎng)的1/4左右)。這是因?yàn)?，從?dǎo)體表面波看的等腰三角形的底邊部的電氣性邊界條件在兩者中是不同的。另外，本實(shí)施方式中，雖然槽50如果從處理容器內(nèi)部看則成為八邊形的形狀，然而也可以是四邊形的形狀。如果這樣^t置，則也可以在四邊形的槽50的角與電介質(zhì)體25之間，形成相同的直角等腰三角形的區(qū)域。另外，在由槽50分隔的外側(cè)的區(qū)域中，在側(cè)外罩175上，形成有將蓋體3下面的周邊部覆蓋的側(cè)外罩外側(cè)部分179。如后所述，在等離子體處理中，從微波供給裝置34向各電介質(zhì)體25傳播的微波被從在蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25的周圍沿著金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑ァ４藭r(shí)，槽50作為傳播障礙部發(fā)揮作用，用于使沿著側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑サ奈⒉?導(dǎo)體表面波)不會(huì)超過槽50而向外側(cè)(側(cè)外革外側(cè)部分179)傳播。由此，本實(shí)施方式中，在蓋體3的下面作為由槽50包圍的區(qū)域的金屬外革165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面就成為表面波傳播部51。側(cè)外軍175被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件180安裝于蓋體3的下面。向處理容器的內(nèi)部露出的連接構(gòu)件180的下面與側(cè)外罩175的下面為同一平面。而且，連接構(gòu)件180的下面不一定要與側(cè)外罩175的下面為同一平面。連接構(gòu)件180的上端在形成于蓋體3的內(nèi)部的空間部155中突出。在像這樣向空間部155中突出了的連接構(gòu)件180的上端，夾隔著彈簧墊圉、防松墊圏等彈性構(gòu)件181安裝有螺帽182。利用該彈性構(gòu)件181的彈性施力，以使側(cè)外罩175與蓋體3的下面緊密粘貼。在連接構(gòu)件180的中心部，設(shè)有縱向的氣體流路185，在蓋體3罩175的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔187。從氣體供給源60穿過氣體配管55向蓋體3內(nèi)的空間部155供給的規(guī)定的氣體穿過氣體流路185、186及氣體釋放孔187，向處理容器4的內(nèi)部分散地供給。經(jīng)由支柱191，對(duì)金屬棒45的上端施加設(shè)于蓋體3的上部的彈簧190的推壓力。金屬棒45的下端與安裝于蓋體3的下面的電介質(zhì)體25的上面中央抵靠。在電介質(zhì)體25的上面中央，形成有接收金屬棒45的下端的凹部192。利用彈簧190的推壓力，金屬棒45在將下端插入到電介質(zhì)體25上面中央的凹部192的狀態(tài)下，不貫穿電介質(zhì)體25地從上方受到推壓。支柱191由特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))等絕緣體制成。而且，如果設(shè)置凹部192則可以抑制從微波輸入側(cè)看到的反射，然而也可以不設(shè)置。此外，在基座10的周圍，在處理容器4的內(nèi)部，設(shè)有用于將氣體的流動(dòng)控制為理想的狀態(tài)的擋板195。根據(jù)如上所述地構(gòu)成的第九變形例的等離子體處理裝置1，可以在等離子體處理中，從配置于蓋體3整個(gè)下面的各氣體釋放孔162、172、187中，向基板G的整個(gè)處理面以噴淋板那樣的狀態(tài)均勻地供g定的氣體，能夠向放置于基座10上的基板G的整個(gè)表面沒有遺漏地供給規(guī)定的氣體。此外，像這樣將規(guī)定的氣體向處理容器2內(nèi)供給，另一方面，利用加熱器12將基板G加熱為規(guī)定的溫度。另外，將在微波供給裝置34中產(chǎn)生的例如915MHz的微波穿過同軸管35、分支板40及電極棒45向各電介質(zhì)體25中傳輸。此后，透過了各電介質(zhì)體25的微波就以導(dǎo)體表面波TM的狀態(tài)，被沿著作為表面波傳播部51的金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑ラ_去。這里，圖35是導(dǎo)體表面波在作為表面波傳播部51的金屬外軍165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑サ臓顟B(tài)的說明圖。等離子體處理中，導(dǎo)體表面波(微波)TM透過在蓋體3的下面以格子狀露出的電介質(zhì)體25，沿著金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外革內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑?。該情況下，金屬外罩165與金屬電極151都是面積大致相同的正方形，另外，金屬外罩165與金屬電極151都形成被在處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分(周邊部)將四邊包圍的狀態(tài)。由此，對(duì)于金屬外罩165和金屬電極151而言，被以大致等同的狀態(tài)傳播透過了電介質(zhì)體25的導(dǎo)體表面波TM。其結(jié)果是，可以在金屬外罩45下面和金屬電極27下面，在整體上均勻的條件下利用微波的功率生成等離子體。另一方面，與金屬外罩165和金屬電極151形成在處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分(周邊部)將四邊包圍的狀態(tài)不同，側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178形成在處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分(周邊部)僅將兩邊包圍的狀態(tài)。由此，對(duì)于側(cè)外革內(nèi)側(cè)部分178下面而言，與金屬外革165及金屬電極151相比，被以大約一半左右的功率傳播導(dǎo)體表面波TM。但是，側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178是與將金屬外罩165用對(duì)角線等分而成的直角等腰三角形大致相同的形狀，側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178的面積是金屬外軍165與金屬電極151的面積的大致一半。由此，在側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面，也可以在與金屬外革165下面及金屬電極151下面等同的條件下生成等離子體。另外，當(dāng)以在處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分(周邊部)為中心考慮時(shí)，如果去掉一部分，則如圖35所示，在向處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分的兩側(cè)，左右對(duì)稱地形成以相同的直角等腰三角形表示的表面波傳播部部分a。由此，對(duì)于表面波傳播部部分a而言，都是在等同的條件下，被從向處理容器內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分傳播導(dǎo)體表面波TM。其結(jié)果是，在整個(gè)表面波傳播部中(即，金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面全體)，可以在均勻的條件下利用微波的功率生成等離子體。此外，在該等離子體處理裝置1中，通過如上所述，在向處理容器4的內(nèi)部露出的金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩175下面全體中細(xì)密地分布設(shè)置氣體釋放孔162、172、187,就可以向放置于基座10上的基板G的整個(gè)表面沒有遺漏地供g定的氣體。由此，通過在作為表面波傳播部51的金屬外革165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外革175下面全體中，在均勻的條件下利用微波的功率生成等離子體，就可以對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。(電介質(zhì)體25的厚度)該第九變形例的等離子體處理裝置1中，將電介質(zhì)體25及金屬電極151利用連接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面，然而在將金屬電極15143與蓋體3電連接的連接構(gòu)件152的周邊，無法在電介質(zhì)體25中傳播微波。穿過了連接構(gòu)件152的周邊的微波以產(chǎn)生衍射效應(yīng)的程度繞至電介質(zhì)體25的角部，而電介質(zhì)體25的角部的微波電場(chǎng)強(qiáng)度與其他的部分相比有變?nèi)醯膬A向。如果變得太弱，則等離子體的均勻性就會(huì)惡化。圖36中，表示利用電磁場(chǎng)模擬求出的鞘層中的微波電場(chǎng)的駐波分布。電介質(zhì)體25的材質(zhì)為鋁。等離子體中的電子密度為3xl()Hcm—3，壓力為13.3Pa。而且，如圖36所示，將以一片金屬電極151為中心，在頂點(diǎn)具有相鄰的金屬外軍165的中心點(diǎn)的區(qū)域(或者，發(fā)揮與在頂點(diǎn)中具有該相鄰的金屬外罩165的中心點(diǎn)的區(qū)域相同的功能的、將側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178等分而成的區(qū)域)的組件稱作單元(cell)。假想的單元是一邊的長(zhǎng)度為164mm的正方形。在單元的中央，以相對(duì)于單元旋轉(zhuǎn)45。的狀態(tài)存在著電介質(zhì)體25。電場(chǎng)強(qiáng)的部分被明亮地顯示?？芍诮饘匐姌O151下面、金屬外罩165、側(cè)外革內(nèi)側(cè)部分178下面，產(chǎn)生規(guī)則且對(duì)稱的二維的駐波。雖然這是利用模擬求出的結(jié)果，然而發(fā)現(xiàn)如果在實(shí)際中產(chǎn)生等離子體而觀察等離子體，則可以得到完全相同的分布。圖37中表示將電介質(zhì)體25的厚度從3mm變至6mm時(shí)的圖36的直線A-B的鞘層中的微波電場(chǎng)強(qiáng)度分布?？v軸以直線A-B的最大電場(chǎng)強(qiáng)度歸一化?？芍醒牒投瞬?金屬外革角部)成為駐波的波腹的位置，其間有波節(jié)的位置。雖然最好在中央和端部電場(chǎng)強(qiáng)度大致相等，然而發(fā)現(xiàn)端部一方較弱。將如此求得的金屬外軍角部的歸一化電場(chǎng)強(qiáng)度表示于圖38中?？芍m然電介質(zhì)體25的厚度為3咖時(shí)為93%,而當(dāng)電介質(zhì)體25的厚度變大時(shí)則減少，在6咖時(shí)變?yōu)?6%。如果考慮等離子體的均勻性，則金屬電極151下面的角部與金屬外軍165的角部的歸一化電場(chǎng)強(qiáng)度最好為70%以上，更優(yōu)選為80%以上。根據(jù)圖38可知，為了4吏歸一化電場(chǎng)強(qiáng)度在709i以上，需要將電介質(zhì)體25的厚度設(shè)為4.:hnm以下，為了在80%以上，需要i殳為5.lmm以下。因在電介質(zhì)體25中傳播的微波的衍射而到達(dá)電介質(zhì)體25的微波的強(qiáng)度不僅依賴于電介質(zhì)體25的厚度，而且還依賴于作為傳播障礙物的連接構(gòu)件152和電介質(zhì)體25的距離。該距離越長(zhǎng)，則到達(dá)電介質(zhì)體25的微波的強(qiáng)度就越強(qiáng)。連接構(gòu)件30與電介質(zhì)體25角部的距離大致上與電介質(zhì)體25的中心間的距離(單元的間距)成正比例。所以，只要心間的距離，將電介質(zhì)體25的厚度設(shè)定為一定值以下即可。圖36中由于單元的間距為164mm，因此為了^f吏歸一化電場(chǎng)強(qiáng)度在70%以上，只要將電介質(zhì)體25的厚度設(shè)為電介質(zhì)體25的中心間的距離的1/29以下即可，為了在80%以上，只要設(shè)為1/40以下即可。(處理容器4內(nèi)的電介質(zhì)體25的露出部分的面積)在電介質(zhì)體25中傳播至電介質(zhì)體25的端部的微波在與電介質(zhì)體25相鄰的金屬表面上(即金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面)作為導(dǎo)體表面波傳播開去。此時(shí)，如圖35所示，如果將在向處理容器4內(nèi)露出的電介質(zhì)體25的部分的兩側(cè)形成的2個(gè)表面波傳播部部分a制成對(duì)稱的形狀，并且向這2個(gè)表面波傳播部部分a等分地分配微波的能量，則可以在2個(gè)表面波傳播部部分a中激發(fā)密度及分布相等的等離子體，作為表面波傳播部整體而言容易獲得均勻的等離子體。另一方面，在電介質(zhì)體25向處理容器4內(nèi)露出的部分中，也可以利用電介質(zhì)體表面波激發(fā)等離子體。由于電介質(zhì)體表面波對(duì)電介質(zhì)體25和等離子體雙方施加微波電場(chǎng)，而導(dǎo)體表面波僅對(duì)等離子體施加微波電場(chǎng)，因此一般來說導(dǎo)體表面波一方施加在等離子體上的微波電場(chǎng)強(qiáng)。由此，在作為金屬表面的表面波傳播部(即金屬外軍165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178下面)可以激發(fā)出與電介質(zhì)體25表面相比密度更高的等離子體。如果電介質(zhì)體25的露出部分的面積與表面波傳播部部分a的面積相比足夠小，則可以利用等離子體的擴(kuò)散在基板G的周邊獲得均勻的等離子體。但是，如果電介質(zhì)體25的露出部分的面積大于一方的表面波傳播部部分a的面積，也就是說，如果以表面波傳播部整體來看，電介質(zhì)體25的露出部分的合計(jì)面積大于表面波傳播部的面積的1/2,則不僅會(huì)形成不均勻的等離子體，而且功率集中于面積小的表面波傳播部而產(chǎn)生異常放電或引起濺射的可能性會(huì)提高。所以，最好將電介質(zhì)體25的露出部分的合計(jì)面積的面積設(shè)為表面波傳播部的面積的1/2以下，更優(yōu)選設(shè)為1/5以下。(第十變形例)圖39是第十變形例的等離子體處理裝置1的蓋體3的仰視圖。該變形例10的等離子體處理裝置1在蓋體3的下面安裝有例如由Al力3制成的8個(gè)電介質(zhì)體25。與第九變形例相同，如圖39所示，各電介質(zhì)體25是可以在實(shí)質(zhì)上看作正方形的板狀。各電介質(zhì)體25被配置為使相互的頂角之間毗鄰。另外，在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角。通過像這樣將8個(gè)電介質(zhì)體25配置為，4吏相互的頂角之間毗鄰，并且在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角，就會(huì)在蓋體3的下面，在3個(gè)部位形成由4個(gè)電介質(zhì)體25包圍的正方形的區(qū)域S。在各電介質(zhì)體25的下面，安裝有金屬電極151。金屬電極151由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成。與電介質(zhì)體25相同，金屬電極151也是以正方形的板狀構(gòu)成。但是，金屬電極151的寬度N與電介質(zhì)體25的寬度L相比略短。由此，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則在金屬電極151的周圍，電介質(zhì)體25的周邊部以呈現(xiàn)正方形的輪廊的狀態(tài)露出。此外，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則由電介質(zhì)體25的周邊部形成的正方形的輪廓的頂角之間被毗鄰地配置。電介質(zhì)體25及金屬電極151被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。金屬電極151借助連接構(gòu)件152與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。在金屬電極151的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔42。在蓋體3的下面的各區(qū)域S中，安裝有金屬外軍165。各金屬外罩165由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成，與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。金屬外軍165與金屬電極151相同，被構(gòu)成為寬度N的正方形的板狀。金屬外罩165具有電介質(zhì)體25與金屬電極151的合計(jì)程度的厚度。由此，金屬外軍165下面就與金屬電極151下面為同一平面。金屬外罩165被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件166安裝于蓋體3的下面。在金屬外罩165的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔172。在蓋體3的下面，在8個(gè)電介質(zhì)體25的外側(cè)的區(qū)域，安裝有側(cè)外革175。該側(cè)外罩175由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成，與蓋體3的下面電連接，形成被電接地的狀態(tài)。側(cè)外罩175也具有電介質(zhì)體25與金屬電極151的合計(jì)程度的厚度。由此，側(cè)外革175下面就與金屬外革165下面以及金屬電極151下面為同一平面。在側(cè)外罩175的下面，連續(xù)地設(shè)有將8個(gè)電介質(zhì)體25圍繞地配置的槽50,在由該槽50分隔的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，在側(cè)外軍175上，形成8個(gè)側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178。這些側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178在從處理容器4的內(nèi)部看的狀態(tài)下，具有與將金屬外罩165用對(duì)角線等分而成的直角等腰三角形大致相同的形狀。但是，側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178的等腰三角形的高度與將金屬外罩165用對(duì)角線等分而成的等腰三角形的高度相比略長(zhǎng)(導(dǎo)體表面波的波長(zhǎng)的1/4左右)。這是因?yàn)?，從?dǎo)體表面波看的等腰三角形的底邊部的電氣性邊界條件在兩者中是不同的。另外，本實(shí)施方式中，雖然槽50如果從處理容器內(nèi)部看則成為八邊形的形狀，然而也可以是四邊形的形狀。如果這樣設(shè)置，則也可以在四邊形的槽50的角與電介質(zhì)體25之間，形成相同的直角等腰三角形的區(qū)域。另外，在由槽50分隔的外側(cè)的區(qū)域中，在側(cè)外罩175上，形成有將蓋體3下面的周邊部覆蓋的側(cè)外罩外側(cè)部分179。在等離子體處理中，從微波供給裝置34向各電介質(zhì)體25傳播的微波被從在蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25的周圍沿著金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外軍內(nèi)側(cè)部分178下面?zhèn)鞑?，在蓋體3的下面，作為由槽50包圍的區(qū)域的金屬外罩165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外革內(nèi)側(cè)部分178下面就成為表面波傳播部。側(cè)外罩175被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件180安裝于蓋體3的下面。在側(cè)外革175的下面，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔187。利用該第十實(shí)施方式的等離子體處理裝置1,也可以通過在作為表面波傳播部的金屬外軍165下面、金屬電極151下面以及側(cè)外罩內(nèi)側(cè)部分178下面全體中，以均勻的條件利用微波的功率生成等離子體，而對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。安裝于蓋體3的下面的電介質(zhì)體25的片數(shù)及配置可以任意地變更。(第十一變形例)圖40是表示了第十一變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖41中的D-0，-O-E剖面)。圖41是圖40中的A-A剖面圖。該第十一變形例的等離子體處理裝置1在蓋體3的下面安裝有例如由Al力3制成的8個(gè)電介質(zhì)體25。與前面相同，各電介質(zhì)體25是在實(shí)質(zhì)上可以看作正方形的板狀。各電介質(zhì)體25被配置為使相互的頂角之間毗鄰。另外，在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角。通過像這樣將8個(gè)電介質(zhì)體25配置為，使相互的頂角之間毗鄰，并且在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角，就會(huì)在蓋體3的下面，在3個(gè)部位形成由4個(gè)電介質(zhì)體25包圍的正方形的區(qū)域S。在各電介質(zhì)體25的下面，安裝有金屬電極151。金屬電極151由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成。與電介質(zhì)體25相同，金屬電極151也被構(gòu)成為正方形的板狀。但是，金屬電極151的寬度N與電介質(zhì)體25的寬度L相比略短。由此，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則在金屬電極151的周圍，電介質(zhì)體25的周邊部以呈現(xiàn)正方形的輪廓的狀態(tài)露出。此外，如果從處理容器4的內(nèi)部看，則由電介質(zhì)體25的周邊部形成的正方形的輪廓的頂角之間被妣鄰地配置。電介質(zhì)體25及金屬電極151被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。該實(shí)施方式中，金屬棒45的下端貫穿電介質(zhì)體25，形成金屬棒45的下端與金屬電極151的上面接觸的狀態(tài)。另外，按照將金屬棒45下端與金屬電極51上面的連接部包圍的方式，在電介質(zhì)體25下面與金屬電極151上面之間配置有作為密封構(gòu)件的0形環(huán)30，。金屬電極151借助連接構(gòu)件152與蓋體3的下面連接，形成被電接地的狀態(tài)。該實(shí)施方式中，在蓋體3的下面的各區(qū)域S、以及8個(gè)電介質(zhì)體25的外側(cè)的區(qū)域中，形成蓋體3的下面在處理容器4內(nèi)露出的狀態(tài)。另外，在蓋體3的下面，設(shè)有電介質(zhì)體25及金屬電極151所被插入的凹部3a。通過向各凹部3a中插入電介質(zhì)體25及金屬電極27，向處理容器4內(nèi)露出的蓋體3的下面與金屬電極151下面就會(huì)為同一平面。在蓋體3的下面，連續(xù)地設(shè)有將8個(gè)電介質(zhì)體25圍繞地配置的槽50,在由該槽50分隔的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，在蓋體3的下面，形成8個(gè)蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b。這些蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b在從處理容器4的內(nèi)部看的狀態(tài)下，具有與將金屬電極151用對(duì)角線等分而成的直角等腰三角形大致相同的形狀。在該笫十一變形例的等離子體處理裝置1中，在等離子體處理中，由微波供給裝置34向各電介質(zhì)體25傳播的微波從在蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25的周圍沿著金屬電極151下面及蓋體3的各區(qū)域S和各蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b的下面?zhèn)鞑?。利用該第十一變形例的等離子體處理裝置1，也可以通過在作為表面波傳播部的金屬電極151下面及蓋體3的各區(qū)域S和各蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b的下面的全體中，以均勻的條件利用微波的功率生成等離子體，而對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。(第十二變形例)圖42是表示了第十二變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖43中的D-0，-O-E剖面)。圖43是圖42中的A-A剖面圖。該第十二變形例的等離子體處理裝置1在蓋體3的下面安裝有例如由Ah03制成的4個(gè)電介質(zhì)體25。各電介質(zhì)體25是在實(shí)質(zhì)上可以看作正方形的板狀。各電介質(zhì)體25被配置為使相互的頂角之間毗鄰。另外，在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角。通過像這樣將8個(gè)電介質(zhì)體25配置為，使相互的頂角之間毗鄰，并且在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)0，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角，就會(huì)在蓋體3的下面中央，形成由電介質(zhì)體25包圍的正方形的區(qū)域S。第十二變形例的等離子體處理裝置1中，將安裝于各電介質(zhì)體25的下面的金屬電極151、安裝于區(qū)域S中的金屬外軍165、安裝于電介質(zhì)體25的外側(cè)的區(qū)域的側(cè)外軍175—體化地構(gòu)成.另外，在側(cè)外罩175下面的周緣部連續(xù)地設(shè)置槽50，由該槽50分隔的內(nèi)側(cè)的整個(gè)區(qū)域(即金屬電極151下面、金屬外罩165下面以及側(cè)外罩175下面)成為表面波傳播部。利用該第十二變形例的等離子體處理裝置1，也可以通過在作為表面波傳播部的金屬電極151下面、金屬外罩165下面以及側(cè)外罩175下面全體中，以均勻的條件利用微波的功率生成等離子體，而對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。(第十三變形例)圖44是表示了第十三變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖45的B-0-C剖面)。圖45是圖44中的A-A剖面圖。該第十三變形例的等離子體處理裝置1在蓋體3的下面安裝有例如由A1203制成的1個(gè)電介質(zhì)體25。電介質(zhì)體25是在實(shí)質(zhì)上可以看作正方形的板狀。電介質(zhì)體25及金屬電極151被利用螺釘?shù)冗B接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。連接構(gòu)件152的上端向形成于蓋體3的內(nèi)部的空間部155中突出。在像這樣向空間部155中突出了的連接構(gòu)件152的上端，借助碟形彈簧等彈性構(gòu)件156安裝有螺帽157。在連接構(gòu)件152的下面，開設(shè)有氣體釋放孔200。另外，在連接構(gòu)件152的中央開設(shè)有氣體釋放孔162。在電介質(zhì)體151的周圍，形成露出了蓋體3的下面的狀態(tài)。在蓋體3的下面，i殳有將電介質(zhì)體25圍繞地配置的槽50。由該槽50分隔的蓋體3的下面的內(nèi)側(cè)區(qū)域與金屬電極151的下面是表面波傳播部。利用該第十三變形例的等離子體處理裝置1，也可以通過在作為表面波傳播部的蓋體3下面的由槽50分隔的內(nèi)側(cè)區(qū)域和金屬電極151下面金屬全體中，以均勻的條件利用微波的功率生成等離子體，而對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。(第十四變形例)圖46是表示了第十四變形例的等離子體處理裝置1的概略構(gòu)成的縱剖面圖(圖47的D-O，-O-E剖面)。圖47是圖46中的A-A剖面圖。該第十四變形例的等離子體處理裝置1在蓋體3的下面安裝有例如由Ah03制成的8個(gè)電介質(zhì)體25。與前面相同，如圖34所示，各電介質(zhì)體25是在實(shí)質(zhì)上可以看作正方形的板狀。各電介質(zhì)體25被配置為使相互的頂角之間毗鄰。另外，在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)O，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角。通過像這樣將8個(gè)電介質(zhì)體25配置為，使相互的頂角之間毗鄰，并且在相鄰的電介質(zhì)體25之間，在連接中心點(diǎn)O，的線L，上，毗鄰地配置各電介質(zhì)體25的頂角，就會(huì)在蓋體3的下面，在3個(gè)部位形成由4個(gè)電介質(zhì)體25包圍的正方形的區(qū)域S。在各電介質(zhì)體25的下面，安裝有金屬電極151。金屬電極151由具有導(dǎo)電性的材料，例如由鋁合金制成。與電介質(zhì)體25相同，金屬電極151也被以正方形的板狀構(gòu)成。但是，金屬電極151的寬度N與電介接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。金屬電極151借助連接構(gòu)件152與蓋體3的下面連接，形成被電接地的狀態(tài)。該實(shí)施方式中，在蓋體3的下面的各區(qū)域S、以及8個(gè)電介質(zhì)體25的外側(cè)的區(qū)域中，形成蓋體3的下面在處理容器4內(nèi)露出的狀態(tài)。另外，蓋體3的下面整體上以平面形狀構(gòu)成。由此，金屬電極27下面就位于蓋體3的下面的下方的位置。在蓋體3的下面，連續(xù)地設(shè)有將8個(gè)電介質(zhì)體25圍繞地配置的槽50，在由該槽50分隔的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，在蓋體3的下面，形成8個(gè)蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b。這些蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b在從處理容器4的內(nèi)部看的狀態(tài)下，具有與將金屬電極151用對(duì)角線等分而成的直角等腰三角形大致相同的形狀。另外，在蓋體3的下面的各區(qū)域S中，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔52，在各蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b中，分散地開設(shè)有多個(gè)氣體釋放孔72。在該第十四變形例的等離子體處理裝置1中，在等離子體處理中，由微波供給裝置34向各電介質(zhì)體25傳播的微波從向蓋體3的下面露出的電介質(zhì)體25的周圍沿著金屬電極151下面及蓋體3的各區(qū)域S和各蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b的下面?zhèn)鞑?。利用該第十四變形例的等離子體處理裝置1，也可以通過在作為表面波傳播部的金屬電極151下面及蓋體3的各區(qū)域S和各蓋體下面內(nèi)側(cè)部分3b的下面的全體中，以均勻的條件利用微波的功率生成等離子體，而對(duì)基板G的整個(gè)處理面實(shí)施更為均勻的等離子體處理。(電介質(zhì)體的外緣的位置)這里，圖48~54是表示電介質(zhì)體25、金屬電極151、金屬外罩165(金屬外軍165a)的外緣部分的形狀的剖面圖(剖面的位置相當(dāng)于圖33中的剖面F。)。如圖48所示，從處理容器4的內(nèi)部看，電介質(zhì)體25的外緣25，處于金屬電極151的外緣151，的內(nèi)側(cè)，也可以是僅電介質(zhì)體25的側(cè)面(外緣25，)在處理容器4的內(nèi)部露出。另外，從處理容器4的內(nèi)部看，電介質(zhì)體25的外緣25，也可以是與金屬電極151的外緣151'相同的位置。另夕卜，如圖49所示，在電介質(zhì)體25的外緣25'處于金屬電極151的外緣151'的外側(cè)的情況下，也可以在金屬外罩165的側(cè)面上，i殳置收容電介質(zhì)體25的外緣25，的凹部165，。(蓋體下面的形狀)如圖50、51所示，也可以在蓋體3上，一體化地形成與金屬外罩165相同的形狀的金屬外罩165a,在蓋體3下面，向與金屬外罩165a毗鄰地設(shè)置的凹部165b中插入電介質(zhì)體25。該情況下，最好將金屬外罩165a下面的中心線平均粗糙度設(shè)為2.4pm以下，更優(yōu)選i殳為0.6nm以下。另外，也可以如圖50所示，電介質(zhì)體25的外緣與金屬外革45a的側(cè)面毗鄰，還可以如圖51所示，電介質(zhì)體25的外緣離開金屬外罩45a的側(cè)面。另外，也可以省略金屬外軍45,如圖52~54所示，在電介質(zhì)體25的周圍，使平面形狀的蓋體3下面露出。該情況下，從處理容器4的內(nèi)部看，由多個(gè)電介質(zhì)體25包圍的蓋體3下面的形狀、安裝于電介質(zhì)體25上的金屬電極151下面的形狀最好實(shí)質(zhì)上相同。另外，最好將蓋體3下面的中心線平均粗糙度設(shè)為2.4nm以下，更優(yōu)選設(shè)為0.6nm以下。另外，也可以如圖52所示，從處理容器4的內(nèi)部看，電介質(zhì)體25的外緣25，處于金屬電極27的外緣27，的外側(cè)。另外，也可以如圖53所示，從處理容器4的內(nèi)部看，電介質(zhì)體25的外緣25'是與金屬電極151的外緣151'相同的位置。另外，也可以如圖54所示，從處理容器4的內(nèi)部看，電介質(zhì)體25的外緣25'處于金屬電極151的外緣151'的內(nèi)側(cè)。此外，也可以如圖48~53所示，在金屬電極151的外緣151，上形成錐面部210。另外，也可以如圖48、49所示，在金屬外軍45的外緣形成錐面部211。另外，也可以如圖50、51所示，與蓋體3—體化的金屬外軍45a的外緣形成錐面部212。另外，也可以如圖51、52所示，在電介質(zhì)體25的外緣形成錐面部213。另外，也可以如圖52、54所示，在金屬電極151的外緣151，形成倒錐面部214。(電介質(zhì)體與金屬電極的形狀)也可以如圖55所示，使用菱形的電介質(zhì)體25。該情況下，如果將安裝于電介質(zhì)體25的下面的金屬電極151制成與電介質(zhì)體25相似的略小的菱形，則在金屬電極151的周圍，電介質(zhì)體25的周邊部就會(huì)以呈現(xiàn)菱形的輪廓的狀態(tài)在處理容器4的內(nèi)部露出。另外，也可以如圖56所示，使用正三角形的電介質(zhì)體25。該情況下，如果將安裝于電介質(zhì)體25的下面的金屬電極151制成與電介質(zhì)體25相似的略小的正三角形，則在金屬電極151的周圍，電介質(zhì)體25的周邊部就會(huì)以呈現(xiàn)正三角形的輪廓的狀態(tài)露出。另外，在像這樣使用正三角形的電介質(zhì)體25的情況下，如果使3個(gè)電介質(zhì)體25的頂角之間毗鄰，使中心角相同地配置，則可以在各電介質(zhì)體25之間，形成與金屬電極151相同的形狀的表面波傳播部215。(連接構(gòu)件的結(jié)構(gòu))如上所述，電介質(zhì)體25及金屬電極151被利用連接構(gòu)件152安裝于蓋體3的下面。該情況下，如圖57所示，需要減小配置于彈性構(gòu)件156的下部的下部墊團(tuán)156a與螺釘(連接構(gòu)件152)的間隙。而且，在彈性構(gòu)件156中，使用防松墊圏、碟形彈簧、彈簧墊圏、金屬?gòu)椈傻?。另外，也可以省略彈性?gòu)件156。圖58是作為彈性構(gòu)件156使用了碟形彈簧的類型。碟形彈簧由于彈力強(qiáng)，因此可以產(chǎn)生對(duì)于壓扁0形環(huán)30來說足夠的力。由于碟形彈簧的上下的角與螺帽157及蓋體3密合，因此可以抑制氣體的泄漏。碟形彈簧的材質(zhì)是鍍Ni的SUS等。圖59是使用O形環(huán)156b來密封的類型?？梢韵龤怏w的泄漏。0形環(huán)156b也可以配置于孔上的角中。也可以與O形環(huán)156b—起，^^用防松墊圏、碟形彈簧等彈性構(gòu)件。為了進(jìn)行密封，也可以取代0形環(huán)156b而使用密封墊團(tuán)。圖60是使用了錐形墊團(tuán)156c的類型。在將螺帽157緊固時(shí)，錐形墊團(tuán)156c與蓋體3以及螺釘(連接構(gòu)件152)密合而消除間隙，可以可靠地密封。此外，由于螺釘(連接構(gòu)件152)被利用錐形墊團(tuán)156c固定于蓋體3上，因此在緊固螺帽157時(shí)螺釘(連接構(gòu)件152)不會(huì)與(連接構(gòu)件152)與金屬電極151等滑動(dòng)而對(duì)表面造成損傷，或形成于表面的保護(hù)膜剝落。錐形墊團(tuán)156c的材質(zhì)可以是金屬或樹脂。而且，雖然是對(duì)固定電介質(zhì)體25及金屬電極151的連接構(gòu)件30進(jìn)行了說明，然而對(duì)于固定金屬外罩165的連接構(gòu)件166以及固定側(cè)外罩175的連接構(gòu)件180也可以同樣地適用，另外，雖然在圖57~59的類型中，未描述螺釘(連接構(gòu)件152)的防旋轉(zhuǎn)功能，然而也可以將螺釘(連接構(gòu)件152)利用壓入、燒嵌、焊接、粘接等固定于金屬電極151等上，還可以將螺釘(連接構(gòu)件152)與金屬電極151等一體化地形成。另外，還可以在螺釘(連接構(gòu)件152)與蓋體3之間形成鍵槽，插入鍵而防止旋轉(zhuǎn)。此外，也可以在螺釘(連接構(gòu)件152)的末端(上端)部設(shè)置六角部等，在用扳手等夾緊的同時(shí)緊固螺釘(連接構(gòu)件152)。(槽、凸部)作為槽50、50，、50，，，可以例示出圖61(a)所示的半圓矩形的槽、圖61(b)所示的榫槽、圖61(c)所示的對(duì)稱地配置于凹口220的左右的槽、圖61(d)所示的C形的槽、圖61(e)所示的由容器本體2的上面和蓋體3下面構(gòu)成的槽、圖61(f)所示的大小不同的雙重槽等。另外，也可以取代槽50、50，、50，，，或者與之一起地，設(shè)置凸部。對(duì)于槽的情況，從后面改變形狀很困難，然而如果是凸部，則利用更換來改變形狀是比較容易的。如圖62所示，對(duì)于沿著凸部105的表面的導(dǎo)體表面波TM的傳播，可以將4個(gè)角dC4看作阻抗的不連續(xù)點(diǎn)，可以將角dC4之間的3個(gè)平面部看作具有一定特性阻抗的傳輸線路，可以將4個(gè)阻抗的不連續(xù)點(diǎn)考慮成以3個(gè)一定長(zhǎng)度的傳輸線路結(jié)合而成的傳輸線路過濾器。如果只是用單一的角CrC4，則即使無法充分地反射導(dǎo)體表面波TM，也可以通過將凸部25的平面部的長(zhǎng)度(傳輸線路的長(zhǎng)度)最佳化而實(shí)現(xiàn)作為整體來說很小的透過量。但是，凸部225的高度H越小越好。這是因?yàn)?，如果使凸?25的高度H高到必需程度以上，則在凸部225的壁面上等離子體P的電子與離子就會(huì)復(fù)合，等離子體系數(shù)的相位由于以波長(zhǎng)的1/2的長(zhǎng)度進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn)，因此在凸部225的高度H為導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)的1/2以下時(shí)可以實(shí)現(xiàn)所有的阻抗。另外，與槽的情況相同，凸部225的高度H需要大于鞘層厚度t。這是因?yàn)?，將凸?25作為階梯如果不是可以阻礙導(dǎo)體表面波TM的高度，則凸部225就無法發(fā)揮抑制傳播的功能。根據(jù)以上說明，發(fā)明人等得出如下的結(jié)論，即，為了抑制導(dǎo)體表面波TM的傳播，凸部225的高度H需要大于鞘層厚度t而且小于導(dǎo)體表面波TM的波長(zhǎng)入的1/2。以上雖然在參照附圖的同時(shí)對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明當(dāng)然并不限定于該例子。顯而易見，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員，就可以在權(quán)利要求書所記栽的范圍中所述的范疇內(nèi)，想到各種變更例或修改例，應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于它們來說當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)的范圍中。例如，在電介質(zhì)體25的表面，除去在處理容器4的內(nèi)部露出的部分以外，也可以作為導(dǎo)體膜設(shè)置例如厚10nm左右的Ni膜、Al膜。通過像這樣在電介質(zhì)體25的表面設(shè)置導(dǎo)體膜,微波就不會(huì)向在處理容器4的內(nèi)部露出的部分以外的部位傳播，可以避免對(duì)0形環(huán)30等的不良影響。該導(dǎo)體膜的形成部位除了與O形環(huán)30的接觸部位以外，還可以考慮設(shè)于電介質(zhì)體25的上面中央的凹部3a、與連接構(gòu)件160的毗鄰部分、與金屬電極151的接觸面的至少一部分等。另外，也可以在蓋體3的下面或容器本體2的內(nèi)面，作為保護(hù)膜設(shè)置氧化鋁膜、氧化釔膜、特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))膜等。另外，本發(fā)明的等離子體處理裝置也可以處理大面積的玻璃基板、圓形的硅晶片或方形的SOI(SiliconOnInsulator)。另外，本發(fā)明的等離子體處理裝置中，也可以執(zhí)行成膜處理、擴(kuò)散處理、蝕刻處理、拋光處理等所有的等離子體處理。另外，以上雖然作為頻率為2GHz以下的微波以915MHz的微波為例進(jìn)行了說明，然而并不限定于該頻率。例如也可以應(yīng)用896MHz、922MHz的微波。另外，還可以應(yīng)用于微波以外的電磁波中。另外，也可以在蓋體3、容器本體3、金屬電極151、金屬外罩165、側(cè)外罩175、連接構(gòu)件152、166、180等的表面，形成氧化鋁膜。以上說明中，雖然給出了從開設(shè)于處理容器4的上面的氣體釋放孔162、172、187中釋放氣體的例子，然而也可以取代它而采用從容器側(cè)壁向蓋體3的下部空間中釋放的構(gòu)成。另外，金屬電極151也可以不是由金屬板構(gòu)成，而是由覆蓋在電介質(zhì)體25下面的金屬膜構(gòu)成。工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明例如可以應(yīng)用于CVD處理、蝕刻處理中。權(quán)利要求1.一種等離子體處理裝置，其具備收納進(jìn)行等離子體處理的基板的金屬制的處理容器、向所述處理容器內(nèi)供給為了激發(fā)等離子體所必需的電磁波的電磁波源，在所述處理容器的蓋體下面具備1個(gè)或2個(gè)以上的電介質(zhì)體，該電介質(zhì)體的一部分在所述處理容器的內(nèi)部露出，用于使由所述電磁波源供給的電磁波透過到達(dá)所述處理容器的內(nèi)部，其特征在于，與所述電介質(zhì)體相鄰地設(shè)有表面波傳播部，該表面波傳播部使電磁波沿著在所述處理容器的內(nèi)部露出的金屬面?zhèn)鞑ァ?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的露出部分的面積為所述表面波傳播部的面積的1/2以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的露出部分的面積為所述表面波傳播部的面積的1/5以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的露出部分的面積為基板上面的面積的1/5以下。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，由所述電磁波源供給的電磁波的頻率為2GHz以下。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在所述處理容器的內(nèi)面設(shè)有連續(xù)的槽，所述電介質(zhì)體配置于由所述槽包圍的范圍內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其中，利用所述槽來劃分出所述表面波傳播部。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在所述處理容器的內(nèi)面設(shè)有連續(xù)的凸部，所述電介質(zhì)體配置于由所述凸部包圍的范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理裝置，其中，利用所述凸部來劃分出所述表面波傳播部。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，在所述電介質(zhì)體的上部，具備l個(gè)或多個(gè)金屬棒，該l個(gè)或多個(gè)金屬棒的下端與所述電介質(zhì)體的上面相鄰或接近，用于將電磁波向所述電介質(zhì)體傳輸。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體為近似圓柱形，在所述電介質(zhì)體的周面具備將所述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置，其中，在所述金屬棒與所述蓋體之間，具備將所述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，設(shè)有l(wèi)個(gè)或多個(gè)氣體釋放孔，該氣體釋放孔用于向所述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其中，所述氣體釋放孔設(shè)于所述蓋體的下面。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，在所述電介質(zhì)體的下面設(shè)置有金屬電極，所述電介質(zhì)體在所述金屬電極的周圍或內(nèi)側(cè)向所述處理容器的內(nèi)部露出。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體處理裝置，其中，具備金屬棒，該金屬棒貫穿所述電介質(zhì)體而與所述金屬電極電連接，用于將電磁波向所述電介質(zhì)體傳輸。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理裝置，其中，在所述金屬棒與所述蓋體之間，具備將所述金屬容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體處理裝置，其中，在所述電介質(zhì)體的上面與所述蓋體之間以及所述電介質(zhì)體的下面與所述金屬電極之間，具備將所述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件.19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理裝置，其中，在所述金屬電極中設(shè)有1個(gè)或多個(gè)氣體釋放孔，該氣體釋放孔向所述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體，在所述金屬棒中形成用于使氣體向所述氣體釋放孔流通的氣體流路。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體處理裝置，其中，具備l個(gè)或多個(gè)連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件貫穿形成于所述電介質(zhì)體中的孔，將所述金屬電極與所述蓋體連接。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子體處理裝置，其中，所述連接構(gòu)件由金屬制成。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子體處理裝置，其中，在所述金屬電極中設(shè)有1個(gè)或多個(gè)氣體釋放孔，該1個(gè)或多個(gè)氣體釋放孔向所述處理容器內(nèi)釋放等離子體處理中所必需的氣體，在所述連接構(gòu)件中形成用于使氣體向所述氣體釋放孔流通的氣體流路。23.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，具備l個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)管，該1個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)管用于將由所述電磁波源供給的電磁波向所述電介質(zhì)體傳播。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體處理裝置，其中，將所述電介質(zhì)體插入形成于所述波導(dǎo)管的下面的縫隙中。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體處理裝置，其中，具備調(diào)節(jié)在所述波導(dǎo)管內(nèi)傳播的電磁波的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體處理裝置，其中，在所述電介質(zhì)體與所述蓋體之間，具備將所述處理容器的外部與內(nèi)部隔開的密封構(gòu)件。27.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，在所述蓋體的內(nèi)部?jī)?nèi)置所述電介質(zhì)體，使所述電介質(zhì)體的下面從形成于所述蓋體的下面的l個(gè)或多個(gè)開口部部分地露出在處理容器內(nèi)。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的等離子體處理裝置，其中，在所述蓋體的下面成同心圓狀地配置多個(gè)開口部。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的等離子體處理裝置，其中，所述蓋體的下面是徑向線縫隙天線。30.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，在所述蓋體的下面設(shè)有保護(hù)膜。31.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述表面波傳播部至少表面由金屬的部分構(gòu)成，并且通過在所述金屬的表面延伸的槽或凸部劃分而成。32.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的在所述容器內(nèi)部露出的面由所述表面波傳播部包圍。33.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的在所述容器內(nèi)部露出的面形成沿著所述容器內(nèi)部延伸的形狀，并且該延伸面的兩側(cè)由所述表面波傳播部包圍。34.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述電介質(zhì)體的在所述容器內(nèi)部露出的面為相互隔離的多個(gè)面。35.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，將所述電介質(zhì)體的在所述容器內(nèi)部露出的面按照構(gòu)成圓周或多邊形的方式連續(xù)或者不連續(xù)地延伸配置。36.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，在所述圓周或多邊形的內(nèi)部的表面波傳播部的中心部設(shè)有表面波非傳播部。37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的等離子體處理裝置，其中，所述圓周或多邊形的內(nèi)部的表面波非傳播部由槽或凸部劃分而成。38.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，利用沿著所述表面波傳播部傳播的電磁波在所述表面波傳播部與所述基板的處理面之間激發(fā)等離子體。39.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在所述容器內(nèi)面的未露出所述電介質(zhì)體的部分設(shè)置氣體釋放口，該氣體釋放口向所述容器內(nèi)部釋放激發(fā)等離子體用氣體。40.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述表面波傳播部的表面利用對(duì)電磁波傳播不會(huì)造成實(shí)質(zhì)性的影響的薄的保護(hù)膜覆蓋。41.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其中，所述表面波傳播部的中心線平均粗糙度為2.4nm以下。42.—種等離子體處理方法，在金屬制的處理容器中收納基板，從電磁波源透過在所述處理容器的蓋體下面露出的l個(gè)或2個(gè)以上的電介質(zhì)體而向所述處理容器內(nèi)供給電磁波，在所述處理容器內(nèi)激發(fā)等離子體，對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體，由所述電磁波源供給頻率為2GHz以下的電磁波，從在所述處理容器的內(nèi)部露出的所述電介質(zhì)體的露出面沿著所述處理容器的內(nèi)面?zhèn)鞑ル姶挪?，由此在所述處理容器?nèi)激發(fā)等離子體，對(duì)基板進(jìn)行處理。全文摘要本發(fā)明提供一種可以盡可能地減少電介質(zhì)體的使用量的等離子體處理裝置。本發(fā)明是如下的等離子體處理裝置，即，具備收納進(jìn)行等離子體處理的基板(G)的金屬制的處理容器(4)、向處理容器(4)內(nèi)供給為了激發(fā)等離子體(P)而必需的電磁波的電磁波源(34)，在處理容器(4)的蓋體(3)下面具備1個(gè)或2個(gè)以上的電介質(zhì)體(25)，該電介質(zhì)體(25)的一部分在處理容器(4)的內(nèi)部露出，用于使由電磁波源(34)供給的電磁波透過到達(dá)處理容器4的內(nèi)部，并且該等離子體處理裝置與電介質(zhì)體(25)相鄰地設(shè)有表面波傳播部(51)，其沿著在處理容器(4)的內(nèi)部露出的金屬面?zhèn)鞑ル姶挪?。文檔編號(hào)H05H1/46GK101632329SQ20088000783公開日2010年1月20日申請(qǐng)日期2008年6月11日優(yōu)先權(quán)日2007年6月11日發(fā)明者堀口貴弘,大見忠弘,平山昌樹申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社;國(guó)立大學(xué)法人東北大學(xué)