專利名稱：有機(jī)el面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將有機(jī)EL元件密封于基板間的有機(jī)EL面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在所謂的移動電話、計算機(jī)、電子賬本、便攜式游戲機(jī)等的各種電子 設(shè)備或家電設(shè)備中利用的顯示面板通常為了保護(hù)顯示部分，通過密封顯示 部分而制造。尤其，當(dāng)前的有機(jī)EL元件在受到水分、氧等的影響的情況 下，在與電極之間引起剝離，或元件自身變質(zhì)，從而導(dǎo)致其發(fā)光壽命變短 的問題。
因此，提出了各種將顯示面板從水分、氧等(包含這些的外部空氣) 隔斷，并密封的技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)l中記載了用一氧化硅的保護(hù)膜 覆蓋元件形成基板上的有機(jī)EL元件，將與密封基板之間全面樹脂密封的 技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載了在元件形成基板和密封基板之間以覆 蓋有機(jī)EL元件的方式設(shè)置樹脂層，將其周邊進(jìn)行粘接劑密封的技術(shù)。
在上述專利文獻(xiàn)1及2中記載的密封方法中，具有樹脂覆蓋有機(jī)EL 元件整體，同時，接合元件形成基板和密封基板的結(jié)構(gòu)，密封基板可以為 玻璃等薄的平板，不需要使用附有凹部的金屬容器或被蝕刻加工的玻璃， 因此，在能夠薄型、輕量且廉價地制造有機(jī)EL面板這一點上優(yōu)越。
但是，在專利文獻(xiàn)l中記載的密封方法中，設(shè)置在元件形成基板和密 封基板之間的樹脂具有使水分透過的性質(zhì)，且與外部的空氣接觸，因此， 外部的水分透過樹脂，到達(dá)一氧化硅的保護(hù)膜(無機(jī)膜)。不僅是一氧化 硅，而且在有機(jī)EL元件上形成的無機(jī)膜容易具有針孔等結(jié)構(gòu)缺陷，因此， 存在水分越過保護(hù)膜，到達(dá)有機(jī)EL元件，使其特性劣化的問題。而且， 在有機(jī)EL元件上形成無機(jī)膜，進(jìn)而，將其用樹脂層覆蓋的結(jié)構(gòu)中，容易 引起應(yīng)力導(dǎo)致的元件的破壞或無機(jī)膜的龜裂，因此，無機(jī)膜的厚度自然受到限制，事實上不能完全地進(jìn)行密封。
另一方面，在專利文獻(xiàn)2中記載的密封方法中，在樹脂層的周邊存在 基于粘接劑的追加的密封部，因此，雖然樹脂層不與外部空氣直接接觸， 但粘接劑也又具有使水分透過的性質(zhì)，因此，外部空氣逐次透過粘接劑和
樹脂層，到達(dá)有機(jī)EL元件，導(dǎo)致其特性劣化的問題。
艮P，在上述專利文獻(xiàn)1及2中記載的密封方法中，拖延有機(jī)EL元件 的劣化開始為止的時間，其結(jié)果，具有延長有機(jī)EL元件的壽命的效果， 但不是本質(zhì)上防止外部空氣中的水分的透過、和向有機(jī)EL元件的到達(dá)的 問題。另外，粘接劑層或樹脂層的水分透過速度通常伴隨溫度的上升而增 加，因此，尤其在高溫環(huán)境中使用有機(jī)EL面板的可靠性中，不能說這樣 的密封技術(shù)充分。
另一方面，在專利文獻(xiàn)3中記載了中央部凹陷的密封基板和元件形成 基板的周緣部經(jīng)由低熔點金屬層接合的密封結(jié)構(gòu)。低熔點金屬層像上述專 利文獻(xiàn)1及2中記載的樹脂層或粘接劑層一樣不使水蒸氣透過，因此，在 能夠防止來自外部的透過水分引起的有機(jī)EL元件的劣化這一點上優(yōu)越。
專利文獻(xiàn)l:特許3354444號公報
專利文獻(xiàn)2:特開2005 — 190703號公報
專利文獻(xiàn)3:特開2004—265837號公報
但是，在上述專利文獻(xiàn)3中記載的密封方法中，也存在若干問題。第 一，密封基板在其中央部具有凹陷，因此，密封基板其物的厚度變大，有 機(jī)EL面板的厚度與使用平板的密封基板的情況相比變大。這在將薄膜作 為有利點的顯示面板中為重要的問題。
第二，具有有機(jī)EL元件向有機(jī)EL面板的中空部露出的結(jié)構(gòu)，因此， 在基于低熔點金屬層的密封部發(fā)生一些微小的缺陷，少量的水蒸氣或氧流 入的情況下，有機(jī)EL元件的特性立即 毀滅性地劣化。第三，形成有凹 陷的密封玻璃基板與平板的玻璃相比為高價，因此，存在難以實用化的問 題。
如上所述，現(xiàn)狀是還沒有確立均滿足在有機(jī)EL面板中的其密封效果、 結(jié)構(gòu)上的問題、經(jīng)濟(jì)性的有機(jī)EL面板、及那樣的有機(jī)EL面板的制造方 法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做成的，其目的在于提供能夠?qū)⒂袡C(jī)EL元 件的水分等引起的劣化抑制為最小限度，能夠飛躍地延長有機(jī)EL元件的 壽命的有機(jī)EL面板、及其制造方法。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板，其對于在元件形成基板上形成的有機(jī)EL元件， 經(jīng)由以包圍該有機(jī)EL元件的方式設(shè)置于所述元件形成基板的周緣的粘接 劑層貼合所述元件形成基板和密封基板，其特征在于，鄰接所述粘接劑層 而設(shè)置有包括低熔點金屬層的氣密密封部。
優(yōu)選在所述低烙點金屬層和所述密封基板之間及所述低熔點金屬層 和所述元件形成基板之間的至少一方設(shè)置有光吸收層。
另外，更優(yōu)選用樹脂層覆蓋所述有機(jī)EL元件，該樹脂層與所述密封
基板相接。
優(yōu)選所述有機(jī)EL元件是在一對電極之間夾持包含發(fā)光功能層的有機(jī) 材料層而成的。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造方法，其在元件形成基板上形成有機(jī)EL 元件，以包圍該有機(jī)EL元件的方式將粘接劑層設(shè)置于所述元件形成基板 的周緣，經(jīng)由該粘接劑層貼合所述元件形成基板和密封基板，其特征在于， 鄰接所述粘接劑層而設(shè)置低熔點金屬層，密封所述有機(jī)EL元件。
優(yōu)選在所述低熔點金屬層和所述密封基板之間及所述低熔點金屬層 和所述元件形成基板之間的至少一方設(shè)置光吸收層，從設(shè)置有該光吸收層 的一側(cè)向所述低熔點金屬層照射激光。在這種情況下，優(yōu)選所述激光的波 長為300nm 600nm。
本發(fā)明對于在元件形成基板上形成的有機(jī)EL元件，經(jīng)由以包圍該有 機(jī)EL元件的方式設(shè)置于所述元件形成基板的周緣的粘接劑層貼合所述元 件形成基板和密封基板，鄰接所述粘接劑層而設(shè)置有包括低熔點金屬層的 氣密密封部，因此，能夠?qū)⒂袡C(jī)EL元件的水分等引起的劣化抑制為最小 限度，能夠飛躍地延長有機(jī)EL元件的壽命。
另外，在本發(fā)明的有機(jī)EL面板中，鄰接包括低熔點金屬層的氣密密 封部而設(shè)置有粘接劑層，因此，即使在基于低熔點金屬層的氣密密封部發(fā)生微小的缺陷，也由于粘接劑層，其影響不直接到達(dá)有機(jī)EL元件，因此， 能夠抑制有機(jī)EL面板的毀滅性的特性劣化。
另外，本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造方法，在元件形成基板上形成有 機(jī)EL元件，以包圍該有機(jī)EL元件的方式將粘接劑層設(shè)置于所述元件形 成基板的周緣，經(jīng)由該粘接劑層貼合所述元件形成基板和密封基板，鄰接 所述粘接劑層而設(shè)置低熔點金屬層，密封所述有機(jī)EL元件，因此，能夠 將有機(jī)EL元件的水分等引起的劣化抑制為最小限度，能夠飛躍地延長有 機(jī)EL元件的壽命，能夠經(jīng)濟(jì)性且實用地制造有機(jī)EL面板。
尤其，在所述低熔點金屬層和所述密封基板之間及所述低熔點金屬層 和所述元件形成基板之間的至少一方設(shè)置光吸收層，從設(shè)置有該光吸收層 的一側(cè)向所述低熔點金屬層照射激光的情況下，在制造工序中不引起樹脂 基板的劣化，能夠?qū)⒂袡C(jī)EL元件的劣化等壞影響抑制為最小限度，制作 有機(jī)EL面板。


圖1是本發(fā)明的一實施方式的有機(jī)EL面板的概略示意剖面圖。 圖2是圖1所示有機(jī)EL面板的局部放大剖面圖。 圖3a是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3b是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3c是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3d是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3e是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3f是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3g是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖3h是表示本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造過程的一過程的示意圖。 圖4是在本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造中使用的照射裝置的概略立體圖。
圖5是表示玻璃、Au及Cu的吸收光譜的圖表。
圖6是本發(fā)明的其他實施方式的有機(jī)EL面板的概略示意剖面圖。
圖7是本發(fā)明的進(jìn)而其他實施方式的有機(jī)EL面板的概略示意剖面圖。圖8是本發(fā)明的進(jìn)而其他實施方式的有機(jī)EL面板的概略示意剖面圖。
圖中l(wèi)一元件形成基板；l'一密封基板；2 —透明電極；3 —有機(jī)層；4一上部電極；5、 5' —光吸收層；6、 6，一低熔點金屬層；7 —樹脂層；8一粘接劑層；9一引出電極；IO —絕緣膜；11—空隙；12 —有機(jī)EL元件；
21 —載置臺；23—激光頭；24—激光；25—X—Y移動機(jī)構(gòu)。
具體實施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的有機(jī)EL面板的實施方式。圖1是本發(fā)明的一實施方式的有機(jī)EL面板的概略示意剖面圖。圖2是圖1所示的有機(jī)EL面板的局部放大剖面圖。
如圖1所示，本發(fā)明的有機(jī)EL面板在元件形成基板1上依次形成有透明電極2、有機(jī)層3、上部電極4，利用透明電極2、有機(jī)層3、上部電極4來形成有機(jī)EL元件12，有機(jī)EL元件12被樹脂層7覆蓋整體，在樹脂層7上設(shè)置有密封基板1，。在本實施方式中，使用如下所述的有機(jī)EL面板，即在元件形成基板1及l(fā)'上堆積厚度0.7mm的玻璃制元件形成基板，在透明電極2上堆積厚度100nm的ITO電極，在有機(jī)層3上堆積空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層，在上部電極4依次堆積氟化鋰和鋁。
樹脂層7覆蓋有機(jī)EL元件12整體，并且，填滿元件形成基板l和密封基板l'的間隙的中央部。作為樹脂層7，可以使用光固化型粘接劑、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯、聚烯烴、高分子彈性體等，在本實施方式中，使用環(huán)氧樹脂。
元件形成基板1和密封基板l'在其周緣部利用低熔點金屬層6及6'來氣密密封，低熔點金屬層6及6'分別經(jīng)由光吸收層5及5'與元件形成基板1及密封基板l'接合。該氣密密封部分的兩側(cè)被與低熔點金屬層6及6'鄰接的粘接劑層8覆蓋。
作為粘接劑層8，可以使用光固化型粘接劑、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯、聚烯烴等，在本實施方式中，使用光固化型粘接劑。還有，在樹脂層7和粘接劑層8中使用的材料可以為不同的兩種樹脂，也可以為相同樹脂。
作為光吸收層5及5'，可以為向元件形成基板1和低熔點金屬層6、密封基板r和低熔點金屬層6，的密接性良好，在后工序中，為了熔解低熔
點金屬層6及6'而照射的激光的波長下，具有比元件形成基板1及密封基板l，充分地大的吸收的材質(zhì)，例如，優(yōu)選舉出Cu、 Au等。另外，作為光吸收層5及5'，適用金或銅的情況下，為了加強(qiáng)與元件形成基板l及密封
基板r的密接性，例如將鉻作為基底材料來使用也可。
在圖5中，作為元件形成基板i及密封基板r的材質(zhì)的一例，示出玻
璃，作為光吸收層5及5'的材質(zhì)的一例，示出金及銅的吸收光譜。例如，作為激光，選擇300nm 500nm的波長區(qū)域的激光的情況下，金適合，選擇300nm 600nm的波長區(qū)域的激光的情況下，銅適合。另外，在基板中使用玻璃的情況下，若考慮玻璃的吸收光譜，則激光的波長優(yōu)選300nm以上。光吸收層5及5，的厚度具有吸收激光所充分的厚度即可，在本實施方式中，使用寬度300pm、厚度20nm的鉻的基底層和200nm的金層。
還有，在僅從密封基板l'側(cè)進(jìn)行激光的照射的情況下，在選擇元件形成基板1側(cè)的光吸收層5的材質(zhì)時，僅考慮向元件形成基板1和低熔點金屬層6的密接性即可。另外，在那種情況下，光吸收層僅設(shè)置于密封基板l'和低熔點金屬層6'之間即僅設(shè)置光吸收層5'即可。
低熔點金屬層6及6'為包括低熔點(25(TC以下的熔點的物質(zhì))的金屬(包含合金)的層，只要是銦、錫等低熔點金屬的單體或含有那些的合金等即熔點為有機(jī)EL面板的運(yùn)行溫度以上且比元件形成基板1和密封基板l'的熔點低即可，在本實施方式中為銦。
樹脂層7和粘接劑層8相接也可，如圖所示，具有空隙11也可。但是，該空隙11期望被干燥氮等惰性氣體填滿。樹脂層7的厚度在不具有周緣密封部的結(jié)構(gòu)的情況下通常為5 3(Him，在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，也能夠適用這樣的范圍，但不限定于該范圍。將低熔點金屬層6的厚度和低熔點金屬層6'的厚度加起來的厚度大致為樹脂層7的厚度。
能夠使低熔點金屬層6的厚度和低熔點金屬層6'的厚度相等，但例如在僅從密封基板l'側(cè)進(jìn)行上述激光的照射的情況下，若將低熔點金屬層6'的厚度減小為比低熔點金屬層6的厚度極大地小，則能夠在利用激光來加熱的光吸收層5'的附近配置低熔點金屬層6和低熔點金屬層6'的接合面，減小熔敷所需的激光強(qiáng)度，縮短工序時間，另外，能夠抑制熔敷部周邊的溫度上升。在本實施方式中，光吸收層5及5，為相同寬度，低熔點金屬層 6'設(shè)為5pm厚度，低熔點金屬層6設(shè)為15|im厚度。低熔點金屬層6的厚 度和低熔點金屬層6'的厚度這樣不同的情況下，兩者的總計也成為樹脂層 7的期望的厚度。
在圖l中未示出，但為了驅(qū)動有機(jī)EL元件，需要將與透明電極2及 上部電極4個別地電連接的引出電極橫切周緣密封部分而相互，并接通來 自外部的電力。使用圖2，說明該部分的結(jié)構(gòu)。在元件形成基板l上，在 其一部分形成至少一對引出電極9，該引出電極9與同樣形成于元件形成 基板1上的透明電極2或上部電極4電連接。在引出電極9的相當(dāng)于周緣 密封部的部分形成電絕緣性的絕緣膜10，使得多個引出電極9之間不由于 在其上形成的光吸收層5或低熔點金屬層6而短路。在本實施方式中，在 引出電極9中使用50nm厚度的鉻，在絕緣膜10中使用50nm厚度的Si02。
在此，低烙點金屬層6或光吸收層5在元件形成基板1的周緣整體上 具有基本上均一的厚度，因此，與未形成有引出電極9的部分相比，形成 有引出電極9的部分變高引出電極9的厚度和絕緣膜10的厚度加起來的 厚度量程度，但引出電極9的厚度具有對于分別向有機(jī)EL元件的電力供 給充分的厚度即可，絕緣膜10的厚度也為在施加于鄰接的多個引出電極9 之間的電壓下保持絕緣性的程度即可，且所述電壓典型地高也為20V左 右，因此，極薄即可，因此，引出電極9和絕緣膜10的厚度的總計可以 抑制在100nm左右。另一方面，低熔點金屬層6的厚度為1 2(Him，典 型地優(yōu)選10pm左右，從而，引出電極9和絕緣膜10的插入引起的自元 件形成基板1到低熔點金屬層6的上表面的高度的增加為1%左右，因此， 不成為熔解接合元件形成基板1側(cè)的低熔點金屬層6和密封基板l'側(cè)的低 熔點金屬層6'時的障礙。
接著，使用圖3，說明本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造方法。首先，在 元件形成基板1上形成透明電極2和未圖示的引出電極及絕緣膜，其次， 在元件形成基板1的周緣部形成光吸收層5，在密封基板l'的周緣部使用 金屬掩模，利用真空蒸鍍法，形成光吸收層5'(圖3a)。
其次，與光吸收層5及5，相同地，使用金屬掩模，利用真空蒸鍍法， 在光吸收層5、 5，上形成低熔點金屬層6、 6，(圖3b)。就這些透明電極2、引出電極、絕緣膜、光吸收層5、 5，、低熔點金屬 層6、 6'等的成膜方法來說，可以根據(jù)其材質(zhì)，從真空蒸鍍法、濺射法、 化學(xué)氣相生長法等選擇。另外，在這些層的圖案形成中，也可以將金屬掩 模等以接近的狀態(tài)成膜，但也可以在成膜后通過實施蝕刻來進(jìn)行。
在元件形成基板1上形成有機(jī)EL元件12，因此，在透明電極2上形 成有機(jī)層3。有機(jī)層3通常包括多層，那些是利用旋涂法、真空蒸鍍、噴 墨印刷、網(wǎng)板印刷、凹版印刷等方法來形成。在有機(jī)層3上利用真空蒸鍍 法形成上部電極4 (圖3c)。還有，上部電極4與未圖示的引出電極電連 接。
接著，以覆蓋有機(jī)EL元件12整體，并且，填滿元件形成基板l和密 封基板l'的間隙的中央部的方式設(shè)置樹脂層7 (圖3d)。期望樹脂中元件 的中央部附近為最高，隨著從中心遠(yuǎn)離而逐漸變低地堆積。在該工序中， 可以使用分配器，但也可以采用其他涂敷方法。該工序期望在干燥氮等惰 性氣體氣氛下進(jìn)行，在本實施方式中，設(shè)成氧濃度為10ppm以下，露點_ 7(TC以下的干燥氮氣氛。
在樹脂層7的分配后，在低熔點金屬層6上涂敷粘接劑層8 (圖3e)。 該工序可以通過與通常的密封用粘接劑的涂敷相同的裝置來進(jìn)行。還有， 涂敷該粘接劑層8的工序在樹脂層7的分配前進(jìn)行也可。
在未固化的狀態(tài)的樹脂層7和粘接劑層8上貼合密封基板1'(圖3f)。 此時，低熔點金屬層6及6，在那些的表面的大部分相互接觸，因此，有時 在接合面上，粘接劑層8的粘接劑部分地殘留于薄膜或液滴上。就該殘留 粘接劑來說，可以通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)在貼合元件形成基板1和密封基板r 時施加于兩個基板之間的壓力，將其大部分從低熔點金屬層6及6'的接合 面之間排出，但即使殘留有少量，也不會對基于低熔點金屬層6及6'的密 封性能產(chǎn)生的大的壞影響。
有時在兩個基板之間的被周緣密封部包圍的部分殘留空隙11，因此， 在該工序中，也期望在干燥氮等惰性氣體氣氛下進(jìn)行。此時，期望樹脂層 7至少覆蓋有機(jī)層3的實際工作的部分、和所述部分的正上方的上部電極 4，但透明電極2及上部電極4不需要特別地在向那些的引出電極的連結(jié) 部或冗長部分被樹脂層7覆蓋。在樹脂層7為光固化型粘接劑的情況下，通過密封基板l'對于樹脂層 7及粘接劑層8，以必要的能量程度照射那些的固化所需的波長的光，由
此使其固化(圖3g)。在本實施方式中，照射汞燈的光。該照射是對于樹 脂層7及粘接劑層8同時進(jìn)行也可，依次進(jìn)行也可。
通常，光固化型粘接劑固化，由此體積減少。被粘接劑層8覆蓋的低 熔點金屬層6及6'在粘接劑層8的固化以前相互以表面相接，由于粘接劑 層8的收縮，元件形成基板1及密封基板r之間產(chǎn)生相互吸引的力，因此， 低熔點金屬層6及6'的表面通過該收縮力被相互壓緊。
其次，通過密封基板l'，對光吸收層5'照射激光。通過激光的照射， 加熱光吸收層5'，通過其熱量，低熔點金屬層6及6'熔解而熔敷(圖3h)。 還有，就樹脂層7及粘接劑層8的固化和低熔點金屬層的熔敷來說，先進(jìn) 行熔敷也可，另外，同時進(jìn)行也可。另外，就用于熔敷的激光的照射來說， 從元件形成基板1側(cè)進(jìn)行也可，從兩個基板側(cè)同時進(jìn)行也可。
以掃描周緣部的光吸收層5'的方式從密封基板l'側(cè)照射激光，例如使 用圖4所示的照射裝置。圖4所示地的照射裝置包括載置插入安裝有有 機(jī)EL元件、低熔點金屬層及光吸收層的元件形成基板1及密封基板r的 載置臺21;在該載置臺21的上方設(shè)置的、射出波長400—410nm的GaN 系二極管激光24的激光頭23;以照射光吸收層的方式使激光頭23與載置 臺21平行地移動的X—Y移動機(jī)構(gòu)25。 X—Y移動機(jī)構(gòu)25能夠?qū)⒓す忸^ 23保持于載置臺21上，沿X軸方向、Y軸方向平行移動，將從激光頭23 射出的激光通過密封基板l'側(cè)描繪周緣密封部地進(jìn)行照射。在本實施方式 中，激光頭23的輸出設(shè)為1W，作為直徑400Mm的平行束，以掃描速度 2mm/秒照射。
如上所述，在樹脂層7及粘接劑層8的固化為止的工序中，從以往開 始可以利用市售的密封裝置來進(jìn)行，因此，合理的是，先進(jìn)行該工序，樹 脂層7及粘接劑層8固化，形態(tài)上穩(wěn)定的狀態(tài)下進(jìn)行低熔點金屬層的熔敷。 還有，即使不進(jìn)行基于激光照射的加熱，也通過上述粘接劑層8的收縮力 引起的壓接，具有某種程度的氣密性，因此，為了簡單化工序，也可以省 略激光熔敷的工序。
圖6中示出改變了粘接劑層的涂敷位置的其他實施方式。 6所示的實施方式相同，但將粘接劑層8的涂敷位置向有機(jī)EL元件側(cè)有意地錯開(圖6 (a))。由此，低熔點金屬層6、 6' 在其間幾乎不夾入粘接劑層材料，直接接合低熔點金屬層6、 6'，能夠進(jìn) 行可靠性更高的氣密密封(圖6 (b))。還有，如圖7所示，粘接劑層8也可以相反地向低熔點金屬層6、 6， 的外側(cè)錯開。在任何情況下，在粘接劑層8的涂敷及固化的工序中也可以 利用現(xiàn)有的制造設(shè)備，且還可以與先前的實施方式的情況相同地期待利用 粘接劑層8的收縮來壓接低熔點金屬層6、 6'的表面之間的效果。圖8中示出不設(shè)置樹脂層7的方式。圖8所示的實施方式大致與圖l 3所示的實施方式相同，但不存在覆蓋元件整體的樹脂層7，在所述空隙 11中封入有干燥氮等惰性氣體。在這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠利用包含 周緣部的粘接劑層8、和低熔點金屬層6、 6'的無機(jī)密封結(jié)構(gòu)來確保機(jī)械強(qiáng) 度和氣密性。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL面板，其對于在元件形成基板上形成的有機(jī)EL元件，經(jīng)由以包圍該有機(jī)EL元件的方式設(shè)置于所述元件形成基板的周緣的粘接劑層貼合所述元件形成基板和密封基板，其特征在于，鄰接所述粘接劑層而設(shè)置有包括低熔點金屬層的氣密密封部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL面板，其特征在于， 在所述低熔點金屬層和所述密封基板之間及所述低熔點金屬層和所< 述元件形成基板之間的至少一方設(shè)置有光吸收層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)EL面板，其特征在于， 用樹脂層覆蓋所述有機(jī)EL元件，該樹脂層與所述密封基板相接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的有機(jī)EL面板，其特征在于， 所述有機(jī)EL元件是在一對電極之間夾持包含發(fā)光功能層的有機(jī)材料層而成的。
5. —種有機(jī)EL面板的制造方法，其在元件形成基板上形成有機(jī)EL 元件，以包圍該有機(jī)EL元件的方式將粘接劑層設(shè)置于所述元件形成基板 的周緣，經(jīng)由該粘接劑層貼合所述元件形成基板和密封基板，其特征在于，鄰接所述粘接劑層而設(shè)置低熔點金屬層，從而密封所述有機(jī)EL元件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL面板的制造方法，其特征在于，在所述低熔點金屬層和所述密封基板之間及所述低熔點金屬層和所 述元件形成基板之間的至少一方設(shè)置光吸收層，從設(shè)置有該光吸收層的一 側(cè)向所述低熔點金屬層照射激光。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)EL面板的制造方法，其特征在于， 所述激光的波長為300nm 600nm。
全文摘要
本發(fā)明能夠?qū)τ谟袡C(jī)EL面板，將有機(jī)EL元件的水分等引起的劣化抑制為最小限度。在對于形成于元件形成基板(1)上的、一對電極(2)及(4)之間夾持包含發(fā)光功能層的有機(jī)材料層(3)而成的有機(jī)EL元件(12)，經(jīng)由包圍有機(jī)EL元件(12)的方式設(shè)置于元件形成基板(1)的周緣的粘接劑層(8)，貼合元件形成基板(1)和密封基板(1’)而成的有機(jī)EL面板中，鄰接粘接劑層(8)而設(shè)置包括低熔點金屬層(6及6’)的氣密密封部。
文檔編號H05B33/04GK101647317SQ20088001038
公開日2010年2月10日 申請日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月29日
發(fā)明者三浦武人, 下津臣一, 后藤千秋, 園田慎一郎, 槀科英永 申請人:富士膠片株式會社