專利名稱：汽車控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種汽車控制裝置，尤其是汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置， 該控制裝置包括至少一個(gè)塑料基片，該塑料基片配有至少一個(gè)導(dǎo)電 和/或?qū)岬脑?br> 此外，本發(fā)明還涉及用于汽車控制裝置的塑料基片的 一 種制造
方法。
背景技術(shù)：
已知的汽車控制裝置通常具有塑料基片，該塑料基片配有導(dǎo)電 和/或?qū)嵩?，比如?dǎo)電導(dǎo)體線路或冷卻元件。在目前的這類控制
裝置的裝配中，元件通常是通過(guò)使用所謂的SMT技術(shù)(表面貼裝技 術(shù))被固定到塑料基片的表面上。在這里，元件例如被擰緊、粘接 或夾緊在塑料基片上。這導(dǎo)致這類已知的汽車控制裝置的制造需要 大量的裝配步驟。此外，較為復(fù)雜的電路只能以高昂的裝配和設(shè)計(jì) 費(fèi)用來(lái)實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，塑料基片至少部分具有構(gòu)成元件的導(dǎo)電和/或?qū)?熱的摻雜質(zhì)。也就是說(shuō)，無(wú)傳導(dǎo)能力的塑料基片部分具有摻雜質(zhì)， 該摻雜質(zhì)是導(dǎo)電和/或?qū)岬牟⑶覙?gòu)成元件。因此，導(dǎo)電和/或?qū)嵩?件由實(shí)際上無(wú)傳導(dǎo)能力的基片本身(一起)構(gòu)成，從而尤其是可實(shí) 現(xiàn)一種特別節(jié)約結(jié)構(gòu)空間的布置。此外，還可以將元件設(shè)置在塑料 基片之中或之上的任何位置，從而能夠容易地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的連接。塑 料基片承擔(dān)元件的機(jī)械固定以及保護(hù)元件免受外界影響的功能。那 么可以說(shuō)，元件被基片注塑包封或者收容。因此，通過(guò)有利的設(shè)計(jì)方案，控制裝置被設(shè)計(jì)成特別堅(jiān)固且耐用。摻雜質(zhì)可以例如在塑料基片的液態(tài)/粘流態(tài)的狀態(tài)下被注入塑料基片中，以便有針對(duì)性地進(jìn)行定位。
按照本發(fā)明的 一種改進(jìn)方案，摻雜質(zhì)構(gòu)成電和/或熱連接件。有利地，在塑料基片之中和/或之上布置至少一個(gè)電氣/電子和/或熱元件，該元件通過(guò)由摻雜質(zhì)構(gòu)成的電和/或熱連^l妄件^皮4妄觸。該連4妄件有利地通過(guò)借助于至少一個(gè)激光束和/或借助于至少一個(gè)定向的至少是局部的電場(chǎng)和/或^f茲場(chǎng)進(jìn)行局部熔化來(lái)形成。例如，借助于激光束可以實(shí)現(xiàn)塑料基片的局部熔化，局部熔化促使有傳導(dǎo)能力的摻雜質(zhì)流動(dòng)成導(dǎo)電連接件，該導(dǎo)電連接件可以橋接塑料基片內(nèi)的一大段距離。有利地，塑料基片為此至少在摻雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)具有泡沫狀結(jié)構(gòu)。也可想到的是，通過(guò)定向的電場(chǎng)和/或》茲場(chǎng)來(lái)形成電和/或熱連接件，局部地使塑料基片處于液態(tài)/粘流態(tài)的狀態(tài)。連接件也可以是通過(guò)在
摻雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)對(duì)塑料基片施加點(diǎn)壓力而形成的連接件，其中，塑料基片局部地被壓緊，從而形成有傳導(dǎo)能力(在熱和/或電方面)的連接件。
為此，塑料基片也是至少局部呈液態(tài)或粘流態(tài)。
有利地，導(dǎo)電和/或?qū)嵩ㄟ^(guò)激光切割而具有至少 一 個(gè)分離點(diǎn)。因此，例如可以進(jìn)行如下設(shè)計(jì)，導(dǎo)電和/或?qū)徇B4妄件具有通過(guò)激光切割形成的分離點(diǎn)。在此，可想到的是，提供塑料基片，該塑料基片配有多個(gè)電和/或熱元件，這些元件通過(guò)多個(gè)有利的電和/或熱連接件相互接觸。有利地，構(gòu)造塑料基片，使得元件之間的所有可能的連接件都存在。在此，例如通過(guò)激光切割可以通過(guò)切斷至
少一個(gè)存在的連接件來(lái)建立元件相互之間需要的連接。因此，對(duì)于以后的使用，只需斷開(kāi)不需要的連接件，其中，這可以按照如上所
述的簡(jiǎn)單方式來(lái)進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明的 一種改進(jìn)方案，摻雜質(zhì)構(gòu)成插接連接件的電和/或熱元件。有利地，塑料基片為此具有至少一個(gè)凸起和/或至少一個(gè)凹槽，其中，摻雜質(zhì)設(shè)置在凸起或凹槽的區(qū)域內(nèi)，使得摻雜質(zhì)同與插接連接件連接的插頭接觸，從而形成導(dǎo)電和/或?qū)岬牟褰舆B接件。 為此，摻雜質(zhì)有利地部分延伸至塑料基片的表面。摻雜質(zhì)例如構(gòu)成 導(dǎo)電接觸銷，該接觸銷用于插入到插頭的相應(yīng)接觸銷容納部中。塑 料基片有利地具有多個(gè)突出的接觸銷，這些接觸銷具有上述摻雜質(zhì) 或者不同摻雜質(zhì)，優(yōu)選地還部分地具有用于改善接觸的金屬化表面。 如果需要有傳導(dǎo)能力(摻雜的)與無(wú)傳導(dǎo)能力的塑料基片形成輪廓 鮮明的邊界，那么可想到的是，將由摻雜的即導(dǎo)電的基片構(gòu)成的這 些接觸銷或這個(gè)接觸銷插入以及在必要時(shí)附加地粘接和/或焊接在未 摻雜的即無(wú)傳導(dǎo)能力的基片的設(shè)置好的容納部中。這個(gè)接觸銷或這 些接觸銷與塑料基片的直接/一體的構(gòu)造具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即獲得與
塑料基片的緊密連接。這特別是在塑料基片有利地被設(shè)計(jì)成控制裝 置的殼體或殼體部分時(shí)發(fā)揮作用。
此外，本發(fā)明還提出，摻雜質(zhì)構(gòu)成電氣元件特別是電阻、電容 器和/或電磁屏蔽件的至少一個(gè)區(qū)域。多個(gè)有傳導(dǎo)能力的摻雜質(zhì)在無(wú) 傳導(dǎo)能力的塑料基片中的優(yōu)選為分層式布置構(gòu)成電容器，其中，不 同的摻雜質(zhì)分別構(gòu)成一個(gè)電容器電極。通過(guò)改變摻雜質(zhì)/電容器板之 間的(塑料)基片材料的介電性能，可實(shí)現(xiàn)不同的電容值。對(duì)于塑 料基片的某些材料，改變電介體例如拉伸和/或延展塑料基片可以產(chǎn) 生極化。極化也可以借助于激光束來(lái)實(shí)現(xiàn)。該激光束使在塑料基片 中局部產(chǎn)生物理和/或化學(xué)的組織或結(jié)構(gòu)變化。作為替代方案，被引 入塑料基片中的摻雜質(zhì)可以在汽化或熔化時(shí)通過(guò)在周圍的塑料基片 中直接或間接地輸入熱量，例如借助于激光束，來(lái)實(shí)現(xiàn)組織或結(jié)構(gòu) 變化并由此例如確定電容器的介電性能。有利地，摻雜質(zhì)布置在延 伸經(jīng)過(guò)塑料基片的導(dǎo)體線路/連接件的區(qū)域內(nèi)，以利用空間變化的局 部的及在必要時(shí)也各向異性的傳播常數(shù)有針對(duì)性地影響線路特性阻 抗(實(shí)部和虛部)，并且特別是在反射、串?dāng)_、屏蔽衰減、干擾放
射和入射抵抗性、靜電放電(ESD-靜電放電)方面改善導(dǎo)體線路的 信號(hào)完整性。優(yōu)選地，為此將摻雜質(zhì)設(shè)計(jì)成層狀。
有利地，包圍導(dǎo)體線路的塑料基片至少局部發(fā)泡，以特別是在
6說(shuō)明書(shū)第4/9頁(yè)
HDR (高數(shù)據(jù)速率)線路上獲得有利的傳播性能("低k"基片)。 有利地，通過(guò)由多個(gè)具有不同的傳導(dǎo)能力、導(dǎo)磁率和介電常數(shù)的摻 雜基片層組成的層結(jié)構(gòu)，摻雜質(zhì)構(gòu)成例如相對(duì)于信號(hào)地線的寬帶高 頻過(guò)濾器或者屏蔽件。傳導(dǎo)能力、導(dǎo)磁率和介電常數(shù)可通過(guò)相應(yīng)地 選擇塑料基片和/或摻雜質(zhì)的材料以及摻雜質(zhì)在塑料基片中的定向和 定形來(lái)影響。根據(jù)本發(fā)明的一種有利的改進(jìn)方案，塑料基片具有至 少一個(gè)干擾接收器和/或一個(gè)低阻抗吸收電路，以吸收塑料基片配有 的電路結(jié)構(gòu)之外的電磁干擾輻射。干擾接收器和/或吸收電路作為有 傳導(dǎo)能力的結(jié)構(gòu)("片狀天線")嵌入塑料基片經(jīng)過(guò)針對(duì)性改變特 別是通過(guò)摻雜質(zhì)改變且具有合適的局部傳導(dǎo)能力、導(dǎo)磁率和介電常 數(shù)的材料環(huán)境。塑料基片中的至少一個(gè)片狀結(jié)構(gòu)有利地與分立的無(wú) 源和/或有源的電子元件連接成電子電路，以能夠有利地設(shè)計(jì)屏蔽和 衰減特性。有利地，塑料基片構(gòu)成控制裝置的至少一個(gè)殼體部分， 其中，塑料基片優(yōu)選設(shè)有具有確定的導(dǎo)磁率和介電常數(shù)的摻雜質(zhì)， 以在某些波長(zhǎng)范圍內(nèi)通過(guò)吸收減少電磁干擾放射和干擾入射以及避 免控制裝置的導(dǎo)體線路的殼體電磁共振和寄生的電感式和電容式耦 合。
此外，本發(fā)明還提出，摻雜質(zhì)構(gòu)成至少一個(gè)冷卻元件。為此， 摻雜質(zhì)有利地被設(shè)計(jì)成導(dǎo)熱的熱橋并通過(guò)在塑料基片中的局部注射 和/或定向來(lái)實(shí)現(xiàn)。有利地，導(dǎo)熱摻雜質(zhì)例如借助于激光束被熔化， 以達(dá)到局部提高導(dǎo)熱性的目的。通過(guò)這種提高，實(shí)際上形成了局部 的所謂的熱通道或熱嵌體。有利地，將構(gòu)成冷卻元件的摻雜質(zhì)布置 在塑料基片中并使之定向，使得熱量從塑料基片內(nèi)部向外輸送。優(yōu) 選地，在基片的表面上還設(shè)有含有金屬粉末的涂層，例如基于熱塑 性塑料且包含碳鐵粉的分散體，以改善熱輻射特性。
在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，摻雜質(zhì)由導(dǎo)電和/或?qū)岬奈⒘：? 或纖維構(gòu)成。有利地，摻雜質(zhì)由圓球形、桿形和/或其他形狀的金屬 微粒或纖維構(gòu)成，例如由填充有銅纖維的聚酰胺或者由碳納米管(極 小的管)構(gòu)成。有利地，微粒和/或纖維在塑料基片處于至少是局部呈粘流態(tài)/ 液態(tài)時(shí)，通過(guò)施加電》茲場(chǎng)和/或通過(guò)重力而^皮定向和/或移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的方法，塑料基片至少部分被摻雜以形成導(dǎo)電和/ 或?qū)峤Y(jié)構(gòu)。由此在塑料基片中形成導(dǎo)電和/或?qū)嵩?br> 優(yōu)選地，塑料基片或摻雜質(zhì)通過(guò)直接或間接輸入熱量(例如借 助于激光束)被熔化，以形成上述結(jié)構(gòu)，其中，摻雜質(zhì)的熔化可使 連接件形成或破壞。塑料基片有利地至少在摻雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)被制成泡 沫狀。
有利地，摻雜質(zhì)在塑料基片的至少局部呈液態(tài)的狀態(tài)下借助于 至少是局部的電和/或^茲場(chǎng):帔定向，以形成上述結(jié)構(gòu)。
最后，本發(fā)明提出，使摻雜質(zhì)定向和/或例如通過(guò)熔化使之成 形，從而使摻雜質(zhì)構(gòu)成電和/或熱連接件，插接連接件的電和/或熱元 件，電元件特別是電阻、電容器和/或電磁屏蔽件的至少一個(gè)區(qū)域， 和/或冷卻元件。


下面借助幾個(gè)圖詳細(xì)描述本發(fā)明。為此，
圖1A和1B示出了帶有電連接件的有利的塑料基片的實(shí)施例， 圖2A和2B示出了帶有電連接件的有利的塑料基片的第二實(shí)
施例，
圖3A至3C示出了連接件斷開(kāi)的有利的塑料基片的實(shí)施例， 圖4A至4C示出了帶有插接連接件的有利的塑料基片的實(shí)施
例，
圖5示出了帶有集成的電容器的有利的塑料基片的實(shí)施例， 圖6示出了帶有用于改善信號(hào)完整性的分層式摻雜質(zhì)的有利 的塑料基片的實(shí)施例，
圖7示出了帶有集成的冷卻元件的有利的塑料基片的實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
圖1A用示意圖示出了在此未詳細(xì)示出的汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置的有利的塑料基片1的一個(gè)實(shí)施例。多個(gè)電子元件2至5布置在該塑料基片1中或者被該塑料基片l注塑包封/容納。電子元件2至5的每一個(gè)具有兩個(gè)電接點(diǎn)6， 7或者8， 9或者10, 11或者12, 13,其中， 一個(gè)元件2至5的每一個(gè)電接點(diǎn)6至13分別與相鄰的電子元件的一個(gè)電接點(diǎn)6至13對(duì)置。此外，塑料基片l具有多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域具有導(dǎo)電摻雜質(zhì)14, 15和16。各自的摻雜質(zhì)14, 15, 16由金屬纖維17組成，這些金屬纖維無(wú)方向性地位于塑料基片1中。摻雜質(zhì)14至16在這里分別設(shè)置在兩個(gè)相對(duì)的電接點(diǎn)6至13之間。根據(jù)摻雜質(zhì)14至16的密度，保證在相對(duì)的電接點(diǎn)6至13之間沒(méi)有形成電連接件或者形成或強(qiáng)或弱的電連接件。在制造本發(fā)明的塑料基片1時(shí)，摻雜質(zhì)14至16例如在塑料基片1仍然呈液態(tài)/粘流態(tài)的狀態(tài)下^皮注射到相應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。
圖1B示出了圖1A的塑料基片1，其中，在電子元件3和5之間的摻雜質(zhì)16通過(guò)外部施加的磁場(chǎng)18被集中和/或定向，從而微粒17構(gòu)成導(dǎo)電元件，即從電子元件3的電接點(diǎn)9到電子元件5的電接點(diǎn)10的導(dǎo)電連接件。在這里，塑料基片l有利地還處于粘流態(tài)或液態(tài)的狀態(tài)下。通過(guò)局部定向的磁場(chǎng)18，使金屬纖維17定向，并保證了只在電子元件3和5之間形成電連接件，而對(duì)其他摻雜質(zhì)15和14沒(méi)有影響。作為替代方案，也可想到的是，使塑料基片l局部地在摻雜質(zhì)16的區(qū)域內(nèi)液化，然后通過(guò)電和/或磁場(chǎng)使摻雜質(zhì)16定向。
通過(guò)在圖1A和1B中所示的塑沖?；?以及如在圖1A和1B中所示的用于形成電子元件3和5之間的電連接件的方法，能夠形成多個(gè)同類塑料基片，其中，單獨(dú)地以簡(jiǎn)單的方式來(lái)形成需要的電連接件。因此，能夠簡(jiǎn)單且成本低廉地形成基于同類基片的高的變體多樣性。
作為施加電場(chǎng)和/或磁場(chǎng)18的替代方案，同樣可行的是，通過(guò)點(diǎn)壓力在摻雜質(zhì)14， 15或16之一的區(qū)域內(nèi)壓緊塑料基片1，使得在電子元件2至5中的至少兩個(gè)之間形成導(dǎo)電連接件，其中，塑料基
9片為此有利地處于特別是局部呈液態(tài)或粘流態(tài)的狀態(tài)下。
圖2A和2B以示意示出的實(shí)施例示出了用于在前面附圖中的兩個(gè)電子元件4和5之間形成電連接件的另一種可能方案。電子元件4和5設(shè)置在塑料基片1的底部區(qū)域上，其中，它們的電接點(diǎn)11,12如上面所述相互對(duì)置。圖2A示出了由金屬微粒和/或金屬纖維構(gòu)成的摻雜質(zhì)15，該摻雜質(zhì)處于未定向或者無(wú)方向的狀態(tài)下。為了在電子元件4和5之間形成可靠的電子連接件，有利地通過(guò)輸入熱量例如借助于激光束，使塑料基片1以及摻雜質(zhì)15在摻雜質(zhì)15的區(qū)域內(nèi)熔化。在這里，摻雜質(zhì)15由于重力作用在底部區(qū)域內(nèi)流到一起形成電連接件19。有利地，塑料基片1至少局部地在摻雜質(zhì)15的區(qū)域內(nèi)^皮i殳計(jì)成泡沫狀。
圖3A至3C以另一個(gè)有利的實(shí)施例示出了塑料基片1。圖3A示出了處于初始狀態(tài)的帶有電子元件4和5的塑料基片1,電子元件4和5對(duì)置的電接點(diǎn)12和ll通過(guò)借助于摻雜質(zhì)15形成的電連接件20相互連接。電連接件20在這里可以通過(guò)在塑料基片1的粘流態(tài)的狀態(tài)下施加電》茲場(chǎng)而形成。在本實(shí)施例中，在制造塑料基片1時(shí)，形成被布置在塑料基片1中的電子元件(2至5)之間的所有可能的電或熱連接件。為了獲得需要的連接，如在圖3B和3C中所示，將不需要的連接件20斷開(kāi)。
圖3B示出了圖3A的塑料基片1,其中，通過(guò)局部輸入熱量例如借助于激光束，電連接件20被汽化，由此電子元件4和5的電連接:帔斷開(kāi)。
圖3C示出了圖3A的帶有斷開(kāi)的連接件20的塑料基片1,其中，在這里，與在圖3B所示的實(shí)施例不同，連"^件20^皮熔化。為了使連接件的汽化或熔化變得容易，塑料基片有利地特別是在連接件20的區(qū)域內(nèi)^皮設(shè)計(jì)成泡沫狀。作為在圖3B和3C中所示的實(shí)施例的替代方案，也可想到的是，在塑料基片的至少局部呈液態(tài)/粘流態(tài)的狀態(tài)下通過(guò)相應(yīng)定向的電場(chǎng)和/或^茲場(chǎng)斷開(kāi)電連"t妄件20。當(dāng)然也可行的是，在整個(gè)塑料基片1的液態(tài)/粘流態(tài)的狀態(tài)下通過(guò)局部定向的電和/或；茲場(chǎng)斷開(kāi)電連4矣件20。
圖4A至4C以一個(gè)實(shí)施例示出了塑料基片1到目前為止尚未 示出的部分。所示部分被設(shè)計(jì)成插接連接件21的一部分。為此，塑 料基片1在一個(gè)自由端部22上具有邊緣敞開(kāi)的凹槽23,與塑料基片 1 一體形成的銷狀凸起24伸入該凹槽中，使得插入凹槽23內(nèi)的插入 元件可以套在凸起24上。在凸起24的區(qū)域內(nèi)，塑料基片1具有導(dǎo) 電摻雜質(zhì)25。該導(dǎo)電摻雜質(zhì)25被設(shè)計(jì)成集中在凸起24的區(qū)域內(nèi)， 使得凸起24用作電接觸銷26 (或者導(dǎo)電元件26)。有利地，接觸 銷26的表面具有金屬化部27，以保證良好的電4妄觸。通過(guò)相應(yīng)地形 成摻雜質(zhì)25和/或使之定向，接觸銷26可以特別是如上面所述與塑 料基片1的電子元件連接。在插接連接件21的一種替代實(shí)施方式(在 此未示出)中，不是形成具有摻雜質(zhì)25的凸起24，而是形成被摻雜 質(zhì)和塑料基片包圍的接觸銷容納部。
為了實(shí)現(xiàn)在塑料基片1有傳導(dǎo)能力即摻雜的區(qū)域25與塑料基 片無(wú)傳導(dǎo)能力的區(qū)域之間的輪廓鮮明的邊界，可想到的是，如在圖 4B中所示，由摻雜的導(dǎo)電塑料基片27形成接觸銷26，該導(dǎo)電塑料 基片插入無(wú)傳導(dǎo)能力的塑料基片1的設(shè)置好的凹槽28中并有利地粘 接或焊接在該凹槽中。同樣可想到的是，借助于機(jī)械壓緊或卡緊方 案將構(gòu)成接觸銷26的塑料基片27固定在塑料基片1中。
為此，圖4C示出了由塑料基片27構(gòu)成的接觸銷26，該接觸 銷插入塑料基片1的容納部28內(nèi)。在接觸銷26與凹槽23相對(duì)的一 側(cè)上，接觸銷平放在導(dǎo)體線路45的容納部29中，該線路同樣是形 成或布置在塑料基片1中。
圖5以另一個(gè)實(shí)施例示出了塑料基片1的另一個(gè)到目前為止尚 未示出的部分。塑料基片1的所示部分具有集成的電容器30，該電 容器由分層式摻雜質(zhì)構(gòu)成。在這里，電容器31的電容器板分別由相 應(yīng)布置并定向的摻雜質(zhì)31或32構(gòu)成，其中，可以如上面所述的那 樣布置摻雜質(zhì)和使之定向。通過(guò)改變塑料基片1在電容器板之間的 區(qū)域內(nèi)的介電性能，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)不同的電容值。在這里，可以使用不同的技術(shù)來(lái)改變介電常數(shù)。 一方面，通過(guò)拉伸和/或延展塑料基 片來(lái)實(shí)現(xiàn)一定的極化。例如也可以借助于激光束來(lái)實(shí)現(xiàn)塑料基片1
和/或摻雜質(zhì)31, 32中的物理和/或化學(xué)的組織和/或結(jié)構(gòu)變化。
圖6以另一個(gè)示意示出的實(shí)施例示出了塑料基片1,該塑料基 片1具有一個(gè)緊挨一個(gè)設(shè)置的多個(gè)不同的摻雜層33, 34和35。此外， 特別是多芯線數(shù)據(jù)電纜36延伸穿過(guò)塑料基片1,在這里只簡(jiǎn)化地示 出該數(shù)據(jù)電纜。不同的層33至35具有不同的傳導(dǎo)能力、導(dǎo)磁率和 介電常數(shù)，這是通過(guò)相應(yīng)的摻雜質(zhì)特別是關(guān)于定向、定形和材料方 面來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，顯著提高了數(shù)據(jù)電纜36的信號(hào)完整性，特別是關(guān) 于線路特性阻抗(實(shí)部和虛部)方面。特別地，在反射、串?dāng)_、屏 蔽衰減、干擾放射和入射抵抗性和/或ESD保護(hù)(靜電放電)方面改 善了信號(hào)完整性。有利地，塑料基片在數(shù)據(jù)電纜36的周圍被設(shè)計(jì)成 泡沫狀，以特別是在HDR (高數(shù)據(jù)速率)導(dǎo)線上實(shí)現(xiàn)有利的傳播性 能("低k"基片)。借助于在圖6中所示的塑料基片1的結(jié)構(gòu)，可 構(gòu)造出例如相對(duì)于信號(hào)地線(36)的寬帶高頻過(guò)濾器或者屏蔽件。
圖7用最后一個(gè)實(shí)施例示出了帶有由摻雜質(zhì)37構(gòu)成的冷卻元 件的塑料基片1。摻雜質(zhì)37由導(dǎo)熱微粒39構(gòu)成，借助于電場(chǎng)和/或 磁場(chǎng)使這些微粒定向，使得熱量從內(nèi)部特別是從電子元件2向外輸 送。塑料基片1在其外側(cè)具有多個(gè)構(gòu)成冷卻片40的凸起41,這些凸 起同樣具有摻雜質(zhì)37。為了加強(qiáng)散熱，例如可以借助于激光束使微 粒39熔化，以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱;徵粒39的局部積聚。通過(guò)這種積聚，形成 了局部的熱通道或熱嵌體。有利地，冷卻片40具有金屬粉末涂層42， 以改善熱輻射特性。因此，摻雜質(zhì)37在這里不僅構(gòu)成冷卻元件38 而且也構(gòu)成例如從一個(gè)設(shè)置在塑料基片1中的電子元件向外傳遞的 導(dǎo)熱連接件43。有利地，塑料基片1被設(shè)計(jì)成為發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置的 殼體部分44。
權(quán)利要求
1.汽車控制裝置，尤其是汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置，該控制裝置包括至少一個(gè)塑料基片，該塑料基片配有至少一個(gè)導(dǎo)電和/或?qū)嵩?，其特征在于，所述塑料基?1)至少部分具有構(gòu)成所述元件(19，20，26，30，31，32，38，43)的導(dǎo)電和/或?qū)岬膿诫s質(zhì)(14，15，16，25，37)。
2. 如權(quán)利要求1所述的控制裝置，其特征在于，所述摻雜質(zhì)(14, 15, 16, 25, 37 )構(gòu)成電和/或熱連接件(19, 20, 43 )。
3. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述導(dǎo)電和/或?qū)嵩?20)通過(guò)激光切割而具有至少一個(gè)分離點(diǎn)。
4. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述摻雜質(zhì)(25)構(gòu)成插接連接件(21 )的導(dǎo)電和/或?qū)嵩?26)。
5. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述摻雜質(zhì)(14， 15, 16, 25, 37 )構(gòu)成電氣元件特別是電阻、電容 器(30)和/或電磁屏蔽件的至少一個(gè)區(qū)域。
6. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述摻雜質(zhì)(37)構(gòu)成冷卻元件(38)。
7. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述摻雜質(zhì)(14, 15, 16， 25, 37 )由導(dǎo)電和/或?qū)嵛⒘?39)和/ 或纖維(17)構(gòu)成。
8. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述微粒(39)和/或纖維(17)在所述塑料基片(1)尚未固化時(shí)通過(guò) 施加電場(chǎng)和/或電f茲場(chǎng)(18)和/或通過(guò)重力而#1定向和/或轉(zhuǎn)移。
9. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制裝置，其特征在于，所 述塑料基片(1)至少作為所述控制裝置的殼體部分(44)。
10. 特別是如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的用于汽車控 制裝置的塑料基片的制造方法，其特征在于，所述塑料基片至少部 分被摻雜以形成導(dǎo)電和/或?qū)岬慕Y(jié)構(gòu)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其特征在于，為了形成或斷開(kāi)所述導(dǎo)電和/或?qū)岬慕Y(jié)構(gòu)，使所述塑料基片局部地特別是在摻雜質(zhì)區(qū)i或內(nèi)溶4t 。
12. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，為了 形成所述結(jié)構(gòu)，在粘流態(tài)/液態(tài)的狀態(tài)下給所述塑料基片施加局部定 向的電場(chǎng)和/或f茲場(chǎng)。
13. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，為了 形成所述結(jié)構(gòu)，在局部粘流態(tài)/液態(tài)的狀態(tài)下給所述塑料基片施加定 向的電場(chǎng)和/或》茲場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種汽車控制裝置，尤其是汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置，該控制裝置包括至少一個(gè)塑料基片，該塑料基片配有至少一個(gè)導(dǎo)電和/或?qū)嵩１景l(fā)明提出，該塑料基片(1)至少部分具有至少一種構(gòu)成所述元件的導(dǎo)電和/或?qū)岬膿诫s質(zhì)(16，17)。此外，本發(fā)明還涉及特別是如上所述的用于汽車控制裝置的塑料基片的一種制造方法。本發(fā)明提出，該塑料基片至少部分被摻雜以形成導(dǎo)電和/或?qū)岬慕Y(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H05K3/10GK101682981SQ200880016400
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者A·利舍克, A·拉亨邁爾, H·巴爾特, M·基施納, M·維爾納, S·迪克, T·普勒佩爾, U·亨內(nèi)爾, U·舒爾茨 申請(qǐng)人:羅伯特·博世有限公司