專利名稱：：傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體以及布線電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體以及包括該結(jié)構(gòu)體的布線電路基板。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著無所不在網(wǎng)絡(luò)(ubiquitous)社會的到來，在信息處理設(shè)備(服務(wù)器、終端站、個人計算機、游戲機等)、通信設(shè)備(手機等)等電子設(shè)備中，通過光模塊的光電轉(zhuǎn)換提高了信號傳遞速度，且實現(xiàn)了微型化。并且，在服務(wù)器、終端站、個人計算機、便攜式電話、游戲機等中，進行著MPU(微處理單元)的高速化、多功能化、復(fù)合化以及存儲裝置(存儲器等)的高速化。但是，從這些設(shè)備發(fā)射出的噪音或設(shè)備內(nèi)的導(dǎo)體傳導(dǎo)的噪音給其自身或其他電子設(shè)備帶來的誤動作成為了問題。這些噪音有激光二極管、光電二極管、MPU、電子部件等中的、由于與布線電路基板內(nèi)的信號傳送線路等之間的阻抗的非匹配引起的噪音、各線路之間的串音、由于MPU等半導(dǎo)體元件的同時切換引起的電源層與接地層之間的層間的平行平板諧振而感應(yīng)出的噪音等。作為抑制這些噪音的布線電路基板公開有如下基板。(i)—種用于向安裝在表面的電子部件供給電源的、包括電源層以及接地層的布線電路基板，其是以布線電路后的低電阻導(dǎo)體層和高電阻導(dǎo)體層的層壓體構(gòu)成電源層的布線電路基板(專利文獻1)。(ii)—種具有電源層和接地層的平行平板結(jié)構(gòu)的布線電路基板(印刷布線基板)，其是以電阻性導(dǎo)體膜和電子部件電流供給圖案的一體物構(gòu)成電源層或接地層，且將電阻性導(dǎo)體膜的厚度設(shè)定為小于等于電子部件電流供給圖案的1/10的布線電路基板(專利文獻2)。(i)、(ii)兩種布線電路基板均通過將高電阻的損耗層(上述該電阻導(dǎo)體層或電阻性導(dǎo)體膜)連接于電源層，消耗流過電源層中的高頻噪音電流(傳導(dǎo)噪音)，從而抑制電源層與接地層之間的平行平板諧振，抑制電源電壓的變動。但是，導(dǎo)致連接在電源層的高電阻的損耗層占有較大面積。實際上，電子設(shè)備的布線電路基板由于安裝密度較高，因此，在將電源層電路形成圖案而成的電源線路的周圍也存在信號傳送線路。因此，如果設(shè)計成將高電阻的損耗層連接在電源線路上，則存在對信號傳送線路的串音、信號傳送延遲、電壓降低而無法超過閥值等容易降低信號波形質(zhì)量的問題。從而，(i)、(ii)的布線電路基板不實用。專利文獻1:日本特開2003-283073號公報4專利文獻2:日本特開2006-49496號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了可抑制電源線路傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音，且可實現(xiàn)電源電壓的穩(wěn)定性，同時可在不受電阻層影響的情況下降低通過電源線路或接地層傳導(dǎo)的信號傳送線路串音的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體以及包括該傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的布線電路基板。本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體包括電源線路和信號傳送線路，在同一面上以相互分開的方式設(shè)置所述電源線路和所述信號傳送線路；接地層，所述接地層與所述電源線路和所述信號傳送線路分開并相對配置；以及電阻層，所述電阻層與所述電源線路和所述接地層分開并相對配置，其中，所述電阻層包括與所述電源線路相對的區(qū)域(I)以及不與所述電源線路相對的區(qū)域(II)，在所述電源線路的寬度方向上，所述電阻層和所述信號傳送線路分開。優(yōu)選在本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體中，所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路的寬度W1與所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層的寬度W2滿足下式(1-1)，1<W2...(1-1)，或者所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路的寬度Wl與所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層的寬度W2滿足下式(1-2)，Wl>W2...(1-2)。優(yōu)選所述傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體還包括接地線路，所述接地線路設(shè)置在相鄰的所述電源線路和所述信號傳送線路之間，其中，所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層與所述信號傳送線路之間的間隔寬度D、和所述電源線路的寬度方向上的所述接地線路與所述信號傳送線路之間的線路間距L2滿足下式(2)，D>L2...(2)。優(yōu)選在本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體中，所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層與所述信號傳送線路之間的間隔寬度D、所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T、所述電源線路的寬度W1、和所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路與所述信號傳送線路之間的距離L滿足下式(3)，3T《D<(L+W1)...(3)。優(yōu)選所述電阻層設(shè)置在所述電源線路與所述接地層之間，所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T、和所述電源線路的厚度方向上的所述接地層與所述電阻層之間的距離Tg滿足下式(4)，T<Tg...(4)。優(yōu)選所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T是2iim100iim。優(yōu)選所述電阻層是通過物理蒸鍍形成的、厚度是5nm300nm的層。本發(fā)明的布線電路基板包括本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體以及布線電路基板，可以抑制電源線路的傳導(dǎo)噪音，且可以實現(xiàn)電源電壓的穩(wěn)定性，同時在不受電阻層影響的情況下降低通過電源線路或接地層傳導(dǎo)的信號傳送線路串音。圖1是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第一實施方式的截面立體圖2是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第二實施方式的截面立體圖3是觀察電阻層表面的原子間力顯微鏡圖像；圖4是實施例1中的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的立體圖；圖5是比較例1中的雙面基板的立體圖；圖6是示出實施例1、比較例1中的傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)的座標圖；圖7是示出實施例1、比較例1中的近端串音(S31)的座標圖；圖8是示出實施例1、比較例1中的遠端串音(S31)的座標圖；圖9是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第三實施方式的截面圖；圖10是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第三實施方式的俯視圖；圖11是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第四實施方式的截面圖；圖12是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第四實施方式的俯視圖；圖13是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第五實施方式的截面圖；圖14是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第六實施方式的截面圖；圖15是實施例2中的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的截面圖；圖16是實施例2中的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的俯視圖；圖17是比較例2中的雙面基板的截面圖；圖18是示出實施例2、比較例2中傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)的座標圖；圖19是示出實施例2、比較例2中近端串音(S31)的座標圖；圖20是示出實施例2、比較例2中遠端串音(S41)的座標圖；圖21是實施例3中的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的截面圖；圖22是實施例3中的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的俯視圖；圖23是比較例3中的雙面基板的截面圖；圖24是示出實施例3、比較例3中的傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)的座標圖；圖25是示出實施例3、比較例3中近端串音(S31)的座標圖；以及圖26是示出實施例3、比較例3中遠端串音(S41)的座標圖。附圖標記IO傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體11電源線路12信號傳送線路13接地層14電阻層15色緣層16接地線路20傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體30、40傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體22信號傳送線路24、44電阻層115間隔18第三絕緣層19第四絕緣層19a第一絕緣層19b第二絕緣層具體實施例方式在本說明書中，所謂"相對"是指在俯視觀察時，至少一部分重疊的狀態(tài)。并且，在本說明書中，將電源線路的寬度方向記為"X方向"，將電源電路的長度方向記為"Y方向"，電源線路的厚度方向記為"Z方向"?！磦鲗?dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體>(第一實施方式)圖1是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第一實施方式的截面立體圖。傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10是所謂的雙面基板，其包括電源線路11和兩根信號傳送線路12，在該基板的表面(同一面)上相互分開并沿Y方向并行設(shè)置；表面接地層13，隔著絕緣層15與電源線路11和信號傳送線路12分開并相對配置，覆蓋基板的整個背面；以及沿Y方向延伸的兩個電阻層14，隔著絕緣層15與電源電路11和接地層13分開并相對配置。在同一面上相互分開設(shè)置兩個電阻層14，每個電阻層14包括與電源線路11相對的區(qū)域(I)、以及不與電源線路11相對的區(qū)域(II)，且在X方向上，電阻層14與信號傳送線路12分開。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10中，X方向上的電源線路11的寬度W1、和X方向上的每個電阻層14的寬度W2滿足下式(1-2)。Wl>W2.(1-2)如果電阻層14的一部分在區(qū)域(I)與電源線路11相對，則可以抑制電源線路11的傳導(dǎo)噪音，因此，為了提高布線電路基板的安裝密度，優(yōu)選盡量縮小電阻層14的面積。從而，優(yōu)選每個電阻層14的寬度小于等于電源線路11的寬度。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10中，考慮如下抑制流過電源線路11的高頻噪音電流(傳導(dǎo)噪音)。g卩，由于流過電源線路ll的高頻噪音電流集中流動在電源線路ll的邊緣部，所以由該電流產(chǎn)生的磁通從電源線路11的邊緣部向外部擴散，該磁通的一部分與電阻層14交鏈。由此由于電阻層14和電源線路11電磁耦合，所以如果與電阻層14交鏈的磁通密度發(fā)生變化，則電阻層14中的渦電流發(fā)生變化，以便產(chǎn)生用于消除該磁通密度變化的反磁通密度。也考慮流過電阻層14的電流由于電阻而變?yōu)闊?，結(jié)果，使流過電源線路11的原高頻噪音電流的能量損耗。由于上述機構(gòu)，需要與電源線路ll的邊緣部(即，磁通密度發(fā)生變化的位置)相對配置電阻層14，即使在電源線路11的中央部分正下面(例如，圖1中的電阻層14被分裂的位置)設(shè)置電阻層14，也對傳導(dǎo)噪音抑制的效果沒有任何幫助。因此，為了與電源線路11的邊緣部相對地配置電阻層14，電阻層14需要包括與電源線路11相對的區(qū)域(I)以及不與電源線路11相對的區(qū)域(II)。這時，如果電阻層14位于信號傳送線路12和接地層13之間，則抑制信號傳送線路12傳導(dǎo)的信號，因此如圖1所示，必須避免將電阻層14設(shè)置在與信號傳送線路12相對的位置上。并且，電阻層14中流著高頻噪音，從該電阻層14，尤其是從其邊緣部放射電磁場，因此如果在電阻層14附近存在信號傳送線路12，則擔心電源線路11的高頻噪音電流通過電阻層14影響到信號傳送線路12。從而，需要將電阻層14的邊緣部和信號傳送線路12的邊緣部分開。優(yōu)選地，在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10，X方向上的、接近信號傳送線路12的電阻層14與接近電阻層14的信號傳送線路12之間的間隔寬度D、Z方向上的電源線路11與電阻層14之間的距離T、X方向上的電源線路11的寬度W1、和X方向上的電源線路11與接近電源線路11側(cè)的信號傳送線路12之間的距離L滿足下式(3)。3T《D<(L+Wl)(3)如果D小于3T，則電源線路11傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音容易傳到信號傳送線路12。信號傳送線路12具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)，且其結(jié)構(gòu)被確定為具有規(guī)定阻抗，如果鄰接電阻層14，則信號傳送線路12的阻抗發(fā)生變化，因此為了將其影響減少至最少，優(yōu)選D大于等于3T。如果D大于等于(L+W1)，則電源線路11和電阻層14不會相對。從而無法在電阻層14捕捉到由于電源線路11的邊緣部產(chǎn)生的磁通密度的變化，因此由設(shè)置電阻層14帶來的傳導(dǎo)噪音抑制的效果完全消失。從傳導(dǎo)噪音抑制的效果出發(fā)，優(yōu)選D小于L。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體IO，Z方向上的電源線路11與電阻層14之間的距離T、和Z方向上的接地層13與電阻層14之間的距離Tg滿足下式(4)。T<Tg.(4)對于位于電源線路ll和接地層13之間的絕緣層15，與接地層13相比更加接近電源線路11的方式設(shè)置電阻層14，從而提高傳導(dǎo)噪音抑制的效果。T隨著基板厚度不同而不同，優(yōu)選為2iim100iim，更優(yōu)選為5iim50iim。T小于2ym時，很難維持絕緣性，例如，在相鄰設(shè)置電壓不同的電源線路時，變?yōu)榘l(fā)生漏電的不良情況。T超過lOOym時，來自電源線路ll的磁通密度的變化變?nèi)酰虼藗鲗?dǎo)噪音抑制的效果也會變?nèi)?。L隨著單個圖案設(shè)計的不同而不同，優(yōu)選為10iim5000iim，更優(yōu)選為100iim1000iim。(第二實施方式)圖2是示出本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第二實施方式的截面立體圖。抑制傳遞噪音結(jié)構(gòu)體20是所謂的雙面基板，其包括電源線路11和兩根信號傳送線路12，在該基板的表面(同一面)上相互分開并沿Y方向并列設(shè)置；表面接地層13，隔著絕緣層15與電源線路11和信號傳送線路12分開并相對配置，且覆蓋基板的整個背面；沿Y方向延伸的電阻層14，隔著絕緣層15與電源線路11和接地層13分開并相對配置；以及沿Y方向并列設(shè)置的兩根接地線路16，設(shè)置在相鄰的電源線路11和信號傳送線路12之間且與這些部件分開。電阻層14包括與電源線路11相對的區(qū)域(I)以及不與電源線路ll相對的區(qū)域(II)，并且，電阻層14在X方向上與信號傳送線路12分開。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體20，由于與傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10的理由相同的理由，X方向上的電源線路ll的寬度W1、和X方向上的電阻層14的寬度W2滿足下式(l-2)、S卩，電阻層14的寬度小于電源線路11的寬度。Wl>W2.(1-2)在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體20，通過與傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10相同的機構(gòu)來抑制流過電源線路11的高頻噪音電流(傳導(dǎo)噪音)。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體20，X方向上的電阻層14與接近電阻層14側(cè)的信號傳送線路12之間的間隔寬度D、和X方向上的接地線路16與信號傳送線路12之間的線間距離L2滿足下式(2)。D>L2.(2)8如果D小于等于L2，則電源線路11和信號傳送線路12之間的串音變強，承載在電源線路11中的高頻噪音被傳輸?shù)叫盘杺魉途€路12。優(yōu)選地，在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體20，由于與傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10中的理由相同的理由，X方向上的、電阻層14與接近電阻層14側(cè)的信號傳送線路12之間的間隔寬度D、Z方向上的電源線路11與電阻層14之間的距離T、X方向上的電源線路11的寬度Wl、和X方向上的電源線路11與接近電源線路11側(cè)的信號傳送線路12之間的距離L滿足下式(3)。3T《D<(L+W1).(3)信號傳送線路12具有共面結(jié)構(gòu)，且其結(jié)構(gòu)被確定為具有規(guī)定的阻抗，電阻層14如果超過接地層16而接近信號傳送線路12，則擔心信號傳送線路12的阻抗發(fā)生變化。為了將其影響降低為最小，優(yōu)選D大于等于3T。優(yōu)選地，在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體20，由于與傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10中的理由相同的理由，Z方向上的電源線路ll與電阻層14之間的距離T、和Z方向上的接地層13與電阻層14之間的距離Tg滿足下式(4)。T<Tg.(4)[OO"](第三實施方式)圖9和圖10示出了本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第三實施方式，圖10是俯視圖，圖9是沿圖IO的A-A'線的截面圖。該實施方式的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體10是在表面上設(shè)有電源線路11和信號傳送線路12，在背面設(shè)有接地層13的雙面基板。電源線路11和信號傳送線路12在同一面上相互分開且并列延伸。電源線路11和接地層13之間設(shè)置有電阻層14。接地層13與電源線路11和每個信號傳送線路12分開并相對配置。電阻層14與電源線路11和每個接地層13分開并相對配置。具體而言，在該實施方式中，電源線路11和電阻層14隔著第一絕緣層19a相對層疊，接地層13和電阻層14隔著第二絕緣層19b相對層疊。在本發(fā)明中，所謂"相對"是指在俯視觀察時，至少一部分重疊的狀態(tài)。并且，電源線路11和接地層13隔著第一絕緣層19a、電阻層14和第二絕緣層19b相對層疊，信號傳送線路12和接地層13隔著第一絕緣層19a和第二絕緣層19b相對層疊。在該實施方式中，將電源線路ll的寬度方向作為X方向、長度方向作為Y方向、厚度方向作為Z方向(下記相同)。在X方向上，電阻層14的寬度(圖中以W2表示)寬于電源線路11的寬度(圖中以Wl表示)。在X方向上，電阻層14與信號傳送線路12相分開。即，在X方向上，在電阻層14的邊緣部14a與信號傳送線路12的邊緣部12a之間存在間隔115。將X方向上的該間隔115的寬度作為電阻層14與信號傳送線路12之間的距離D。在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體110，考慮通過如下方法抑制流過電源線路11或接地層13的高頻電流。g卩，電阻層14與電源線路11電磁耦合，針對由流過電源線路11的高頻電流產(chǎn)生的磁通密度(電通密度)的變化，在電阻層14產(chǎn)生渦電流，以便產(chǎn)生反方向的磁通來用于消除流過電源線路ll的高頻電流產(chǎn)生的磁通密度的變化，該電流由于電阻被損耗，其結(jié)果，電源線路11和接地層13各自的高頻噪音電流被減少。為了實現(xiàn)高效率的抑制效果，優(yōu)選使集中在電源線路11的邊緣部的電磁場的強度分布(磁通密度或電通密度)朝向接地層，使其集中在電阻層14。這時，如果電阻層14位于信號傳送線路12與接地層13之間，則會抑制信號，因此如圖9所示，必須避免在與信號傳送線路12相對的位置上設(shè)置電阻層14。并且，電阻層14中流著高頻電流，從該電阻層14、尤其是從其邊緣放射電磁場，因此，如果信號傳送線路12位于電阻層14的附近，則擔心電源線路11中的高頻噪音通過電阻層14給信號傳送線路12帶來影響。因此，分開電阻層14的邊緣部14a和信號傳送線路12的邊緣部12a而設(shè)置間隔115。當將電源線路11的厚度方向(Z方向)上的電源線路11與電阻層14之間的設(shè)置距離設(shè)定為T時，間隔115的寬度D(X方向上的電阻層14與信號傳送線路12之間的距離D)優(yōu)選大于等于3T。D小于3T時，電源線路11中的噪音容易傳到信號傳送線路12。信號傳送線路12具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)，且其結(jié)構(gòu)被確定為具有規(guī)定的阻抗，電阻層14如果接近信號傳送線路12，則阻抗發(fā)生變化，因此，為了將其影響降低至最小，間隔115的寬度D優(yōu)選大于等于3T。并且，X方向上的電源線路11與信號傳送線路12之間的線路間距為L時，間隔115的寬度D小于該線路間距L與電源線路11的寬度Wl的和(L+W1)。S卩，優(yōu)選滿足3T《D<(L+W1)。D大于等于(L+W1)時，電源線路11與電阻層14不相對。從而無法在電阻層14捕捉到從電源線路11的邊緣部產(chǎn)生的磁通密度(電通密度)的變化，因此，完全失去通過設(shè)置電阻層14帶來的傳導(dǎo)噪音抑制的效果。從傳導(dǎo)噪音抑制的效果出發(fā)，優(yōu)選間隔115的寬度D小于線路間距L。電源線路11與電阻層14之間的設(shè)置距離T隨著基板厚度的不同而不同，但優(yōu)選為2iim100iim。小于2iim時，很難維持絕緣性，例如，相鄰設(shè)置電壓不同的電源線路時，變?yōu)榘l(fā)生漏電的不良情況。超過100iim時，由于來自電源線路的磁通密度的變化變?nèi)?，所以傳?dǎo)噪音抑制的效果也會變?nèi)酢Ｔ撛O(shè)置距離T的優(yōu)選范圍是5iim50iim。并且，如本實施方式所述，在電阻層14被設(shè)置在電源線路11和接地層13之間時，電源線路ll與電阻層14之間的設(shè)置距離T小于Z方向上的接地層13與電阻層14之間的距離Tg時的傳導(dǎo)噪音抑制的效果更加有效。即，在存在于電源線路11與接地層13之間的絕緣層中，將電阻層14安裝在與接地層13相比更加接近電源線路ll這樣的電阻層14的安裝方法的傳導(dǎo)噪音抑制的效果更高。電源線路11與信號傳送線路12之間的線路間距L隨著單個圖案設(shè)計不同而不同，優(yōu)選為10iim5000iim。線路間距L的更優(yōu)選范圍為100ym1000ym。[cm2](第四實施方式)圖11和圖12示出了本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第四實施方式，圖12是俯視圖，圖ll是沿圖12的B-B'線截面圖。下面，對相同的構(gòu)成要素標注了相同的符號，省略其說明。該實施方式的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體120與第三實施方式之間的不同點是在與設(shè)置有電源線路11和信號傳送線路22的面相同的面上、即在相鄰的電源線路11和信號傳送線路22之間設(shè)置有接地線路16。電源線路11、信號傳送線路22和接地線路16相互分開并并行延伸。并且，如圖10所示，俯視觀察時，第三實施方式中的信號傳送線路12具有彎曲部的形狀，而不是直線，相對于此，如圖12所示，本實施方式中的信號傳送線路22為直線狀。10并且，如圖IO所示，在俯視觀察時，第三實施方式中的電阻層14的一側(cè)端部14a為具有追隨信號傳送線路12的彎曲部的彎曲部的形狀，而不是直線，但如圖12所示，本實施方式中的電阻層24的一側(cè)端部24a為直線狀。電阻層24的寬度W2大于電源線路11的寬度W1。在X方向，電阻層24和信號傳送線路22分開。信號傳送線路22具有共面結(jié)構(gòu)，且其結(jié)構(gòu)被確定為具有規(guī)定的阻抗，電阻層24如果超過接地層16而接近信號傳送線路22，則擔心阻抗發(fā)生變化。為了將其影響降低為最小，優(yōu)選X方向上的電阻層24與信號傳送線路22之間的距離D(間隔的寬度D)大于等于3T。并且，如果將X方向上的接地線路16與信號傳送線路22之間的線路間距設(shè)定為L2，則優(yōu)選電阻層24與信號傳送線路22之間的間隔寬度D大于L2(D>L2)。并且，與第三實施方式相同，將X方向上的電源線路11與信號傳送線路22之間的線間距離設(shè)定為L時，優(yōu)選間隔寬度D小于線路間距L和電源線路11的寬度W1的和(L+W1)。(第五實施方式)圖13是示出了本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第五實施方式的截面圖。該實施方式的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體30在并列延伸的兩根信號傳送線路12的外側(cè)，分別設(shè)置有電源線路11，電阻層24從電源線路11的下部向外側(cè)設(shè)置。S卩，在本實施方式，電阻層24與信號傳送線路12之間的間隔寬度D大于電源線路11與信號傳送線路12之間的線路間距L，電阻層24的一部分與電源線路11相對。圖13示出了間隔(D)=(L+W1)/2的狀態(tài)。(第六實施方式)圖14是示出了本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的第六實施方式的截面圖。該實施方式的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體40在同一面上設(shè)置有電源線路11、信號傳送線路22和接地線路16，在與接地層13相反側(cè)，電阻層44隔著第三絕緣層18與電源線路ll相對層疊。在該實施方式中，電源線路11、接地線路16和信號傳送線路12分別隔著第四絕緣層19與接地層相對。并且，電阻層44與接地層13隔著第三絕緣層18、電源線路11和第四絕緣層19相對。也可以在電阻層44的上面設(shè)置保護層。根據(jù)上述第一至第六實施方式，由于包括在同一面上相互分開設(shè)置的電源線路和信號傳送線路、與電源線路和信號傳送線路分開并相對配置的接地層、以及與電源線路和接地層分開并相對配置的電阻層，且電阻層包括與電源線路相對的區(qū)域(I)以及不與電源線路相對的區(qū)域(II)，因此，可以抑制電源線路傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音。并且，還可以抑制接地層傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音。并且，通過抑制電源線路傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音，從而可以穩(wěn)定電源電壓，其結(jié)果還可以抑制來自電源系統(tǒng)的放射噪音。并且，在X方向上，由于電阻層和信號傳送線路是分開的，因此，可以在不影響信號波形品質(zhì)的情況下降低引起信號傳送線路串音的附近磁場的放射電磁場強度。S卩，即使由于安裝密度較高，在與電源線路的同一面上，且在電源線路的附近設(shè)置信號傳送線路的情況下，在沒有使電阻層連接于電源線路的狀態(tài)下，也可以抑制電源線路傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音，從而可以與電源線路分開設(shè)置電阻層，可以抑制由于電阻層的影響而產(chǎn)生的信號傳送線路串音等信號波形品質(zhì)的降低。根據(jù)第五實施方式，即使在電源線路11和信號傳送線路12之間的距離L較小的情況下，也可以在消除電阻層的影響的同時傳導(dǎo)噪音抑制。根據(jù)第六實施方式，即使在完成布線電路基板之后，也可以設(shè)置電阻層?！床季€電路基板〉本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體包括電源線路、信號傳送線路以及接地層，該結(jié)構(gòu)體本身可用作布線電路基板。并且，還可以在本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的上面和/或下面隔著絕緣層層疊銅箔，形成電路，從而構(gòu)成多層布線電路基板。這時，用于連接上層的導(dǎo)體和下層的導(dǎo)體的支柱(e7)等貫穿電阻層時，優(yōu)選在電阻層形成反襯墊，確保絕緣性。(導(dǎo)體層)電源線路、信號傳送線路、接地線路和接地層分別由導(dǎo)體層構(gòu)成。作為導(dǎo)體層，可列舉有金屬箔、將金屬粒子分散在高分子粘合劑、玻璃質(zhì)粘合劑中的導(dǎo)電粒子分散體膜等。作為金屬可列舉有銅、銀、金、鋁、鎳、鎢等。布線電路基板(多層印刷電路基板)中的導(dǎo)體層通常是銅箔。銅箔的厚度通常是3ym35iim。為了提高與絕緣層之間的粘貼性，可以對銅箔進行粗糙化處理或者利用硅烷偶聯(lián)劑(SilaneCouplingAgents)等的化成處理。(電阻層)優(yōu)選地，電阻層是包括金屬材料或?qū)щ娦蕴沾傻摹⒑穸葹?nm300nm的通過物理蒸鍍形成的薄膜。如果電阻層的厚度小于5nm，則電阻層的形成容易不夠充分，無法充分獲得傳導(dǎo)噪音抑制的效果。如果電阻層的厚度超過300nm，則表面電阻變小，金屬反射變強，從而傳導(dǎo)噪音抑制的效果變小。電阻層的厚度是根據(jù)沿Z方向的截面的高分辨率穿透式電子顯微鏡圖像，利用電子顯微鏡測量五處的厚度，將其平均后獲得。電阻層的表面電阻優(yōu)選為1X10°Q1X104Q。電阻層是均勻的薄膜時，需要限制為體積電阻率較高的材料，使用體積電阻率不那么高的材料時，通過形成在電阻層上設(shè)置金屬材料或?qū)щ娦蕴沾刹淮嬖诘奈锢硇匀毕萸也痪鶆虻谋∧?、或形成為由團簇(Microcluster)的連鎖物構(gòu)成的膜，從而提高表面電阻。電阻層的表面電阻可以通過下面方法測量。利用在石英玻璃上蒸鍍金等而形成的、兩根薄膜金屬電極(長度10mm，寬度5mm，電極間距離10mm)，在該電極上放置被測量物，在被測量物上，以50g的負載按壓10mmX20mm，以小于等于lmA的測量電流測量電極之間的電阻。以該值為表面電阻。圖3是觀察由在絕緣層的表面上通過物理蒸鍍法形成的金屬材料構(gòu)成的厚度為50nm的電阻層表面時的原子間力顯微鏡圖像。電阻層顯示為多個團簇的集合體。團簇為存在物理性缺陷，不會形成為均勻的薄膜，具有電阻的構(gòu)造。并且，由于缺陷，環(huán)氧樹脂等粘合性成分貫穿，變?yōu)榫哂羞m當?shù)恼澈蠌姸鹊奈镔|(zhì)。作為用于電阻層的金屬材料，可以列舉有強磁性金屬、順磁性金屬。作為強磁性金屬，可以列舉有鐵、羰基鐵、Fe-Ni、Fe-Co、Fe-Cr、Fe-Si、Fe-Al、Fe-Cr-Si、Fe-Cr-Al、Fe-Al-Si、Fe-Pt等鐵合金；鈷、鎳；它們的合金等。作為順磁性金屬，可以列舉有金、銀、銅、錫、鉛、鎢、硅、鋁、鈦、鉻、鉬、它們的合金、與強磁性金屬的合金等。其中，從對氧化具有抵抗力出發(fā)，優(yōu)選使用鎳、鐵鉻合金、鎢、貴金屬。但是，由于貴金屬的單價較高，所以從實用的角度出發(fā)優(yōu)選使用鎳、鐵鉻合金、鎢，更優(yōu)選使用鎳或鎳合金。作為用于電阻層的導(dǎo)電性陶瓷，可以列舉有金屬和從由硼、碳、氮、硅、磷和硫磺構(gòu)成的組中選擇的一種以上的元素構(gòu)成的合金、金屬間化合物、固溶體等。具體而言，氮化鎳、氮化鈦、氮化鉭、氮化鉻、氮化鋯、碳化鈦、碳化硅、碳化鉻、碳化釩、碳化鋯、碳化鉬、碳化鴇、硼化鉻、硼化鉬、硅化鉻、硅化鋯等。由于導(dǎo)電性陶瓷的體積電阻率高于金屬，因此，包括導(dǎo)電性陶瓷的電阻層具有如下等的優(yōu)點根據(jù)厚度管理表面電阻的精度變高，并且化學穩(wěn)定性較高，保存穩(wěn)定性較高等。作為導(dǎo)電性陶瓷，在采用物理蒸鍍法時，優(yōu)選使用由于使用氮氣、甲烷氣等的反應(yīng)性氣體而容易獲得的氮化物或碳化物。作為形成電阻層的方法，使用物理蒸鍍法。在該方法中，雖然根據(jù)條件或使用的材料的不同而有所不同，但是，由于通過輸出和時間來簡單且高精度地控制厚度，所以在初期階段結(jié)束薄膜的成長，不會變?yōu)榫鶆虻谋∧?，容易形成具有微細的物理性缺陷的不均勻的薄膜。并且，通過利用酸等對均勻的薄膜進行蝕刻而形成缺陷的方法、通過激光熔樣(laserabrasion)在均勻的薄膜上形成缺陷的方法，也可以形成不均勻的薄膜，可調(diào)整表面電阻。(絕緣層)可以利用一般的有機或無機的絕緣材料構(gòu)成絕緣層。例如，如果需要，則可以使用將環(huán)氧樹脂、BT樹脂、氟類樹脂、聚酰亞胺等有機材料與玻璃網(wǎng)(glassnet)等加強材料一體后的材料。并且，還可以使用硅、氧化鋁、玻璃等無機材料。(制造方法)例如可以通過如下方法制造本發(fā)明的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。首先，在銅箔上涂敷環(huán)氧類漆等，進行干燥、固化，形成第一絕緣層。以EB蒸鍍、高頻離子鍍(ionplating)、高頻磁控濺射、DC磁控濺射、相對目標型磁控濺射等物理蒸鍍法，在上述絕緣層上形成作為電阻層的層，并進行激光磨蝕，從而形成規(guī)定圖案形狀的電阻層。由于作為電阻層的層是薄膜，所以可以簡單地去掉不需要的部分以形成圖案。然后，在電阻層上依次層疊將環(huán)氧樹脂等浸漬在玻璃纖維等中而形成的層壓材料(pre-preg)和銅箔，使層壓材料固化之后，將其作為第二絕緣層。從而獲得表面和背面由銅箔構(gòu)成的雙面基板。接著，通過光刻法等將銅箔蝕刻成規(guī)定的圖案形狀，形成電源線路、信號傳送線路、接地線路等，從而獲得傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。然后，如果需要，隔著層壓材料將銅箔粘貼在傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的單面或雙面上，并通過公知的方法形成圖案，從而可以制造多層布線電路基板。例如可以通過如下方法制造第六實施方式的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。首先，準備在絕緣層的表面和背面設(shè)有銅箔的雙面基板，通過光刻法等，將一面上的銅箔蝕刻成規(guī)定圖案，形成電源線路11、信號傳送線路22、接地線路16。在其上，涂敷環(huán)氧類漆等，進行干燥、固化，形成絕緣層(第三絕緣層18)。接著，在該絕緣層上密封掩模，通過物理蒸鍍法，在整個面上形成作為電阻層的層，然后剝離掩模，從而獲得規(guī)定形狀的電阻層。或者，還可以通過物理蒸鍍法在整個絕緣層上形成作為電阻層的層，然后通過化學蝕刻或在干燥環(huán)境下進行的激光蝕刻來形成圖案，從而形成電阻層。實施例(電阻層的厚度)利用穿透式電子顯微鏡(日立制作所制造、H9000NAR)來觀察電阻層的截面，測量五處的噪音抑制層的厚度，取平均。(表面電阻)利用在石英玻璃上蒸鍍金等形成的兩根薄膜金屬電極(長度10mm、寬度5mm、電極間距離10mm)，在該電極上放置被測量物，以50g的負荷向被測量物按壓10mmX20mm的尺寸，以小于等于lmA的測量電流測量電極之間的電阻，將該值為表面電阻。(傳導(dǎo)噪音抑制效果，串音)作為傳導(dǎo)噪音抑制效果的確認，評價了圖4或圖5所示的孔(port)1、孔2之間的S21參數(shù)。并且，作為電阻層對信號傳送路的影響的確認，評價了圖4或圖5所示的孔1、孔3之間(近端串音)的S31參數(shù)、以及圖4或圖5所示的孔1、孔4之間(遠端串音)的S41參數(shù)。由于很難在大于等于lGHz的高頻帶上進行實際測量，所以通過利用3D電磁場模擬器(安捷倫公司制造、產(chǎn)品名EMDS)進行分析的方法進行了上述評價。采用了80000S/m的導(dǎo)電率。(實施例l)制造了圖4所示的包括電源線路、信號傳送線路、接地層和電阻層的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體(微波傳輸帶結(jié)構(gòu))。首先，準備兩張在單面上設(shè)有銅箔(厚度為18iim)的聚酰亞胺薄膜，在流入氮氣的同時以反應(yīng)性濺射法在由一張薄片的聚酰亞胺構(gòu)成的面上蒸鍍鎳金屬，以形成薄膜，蝕刻該薄膜，形成兩個電阻層14(厚度25nm)。電阻層14的表面電阻為100Q。然后，通過聚酰亞胺類粘合劑，將由另一張薄膜的聚酰亞胺構(gòu)成的面重疊粘貼在形成了電阻層14的面上。接著，通過光刻法將一個銅箔蝕刻成圖4所示的圖案形狀，形成電源線路11和信號傳送線路12，從而獲得傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。圖4示出了所獲得的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體的各尺寸。通過使接近信號傳送線路12的電阻層14的、信號傳送線路12側(cè)的邊緣部位置偏移來改變電阻層14的寬度W2，從而將間隔寬度D改為Omm、0.lmm、0.2mm、0.3mm和0.4mm，從而制造了五種傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。對各傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體評價了S21參數(shù)、S31參數(shù)和S41參數(shù)。在圖6示出了S21參數(shù)，在圖7示出了S31參數(shù)，在圖8示出了S41參數(shù)。在圖7和圖8中，由于存在基板(傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體)的長度方向的諧振峰值，所以為了對直到20GHz為止的總能量14進行比較，求出了各頻率中的衰減量(dB)的總和(模擬積分值)。在表1和表2示出了其結(jié)果。(比較例l)除了沒有設(shè)置電阻層14之外，其他均與實施例1相同地制造了具有圖5所示結(jié)構(gòu)的雙面基板，進行了與實施例1相同的評價。在圖68、表1和表2中示出了其結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>實施例1和比較例1的結(jié)果示出傳導(dǎo)噪音抑制的效果(S21)是設(shè)有電阻層且間隔寬度D越小、即電阻層的寬度越寬，傳導(dǎo)噪音抑制的效果越大。從頻率特征來看，頻率越高抑制傳導(dǎo)效果越大。近端串音(S31)和遠端串音(S41)示出了大致相同的結(jié)果，當間隔寬度D為Omm時，與沒有電阻層的比較例l相比，電阻層和信號傳送線路之間產(chǎn)生有串音。當間隔寬度D大于等于O.lmm時，存在串音的影響，但抑制效果比0mm時好。(實施例2)制造了圖15、圖16所示的包括電源線路、信號傳送線路、接地層的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體(微波傳輸帶結(jié)構(gòu))。圖16為俯視圖，圖15是沿圖16的a-a'線截面圖。在圖中，符號29表示絕緣層。首先，準備兩張在單面上設(shè)有銅箔(厚度為18iim)的聚酰亞胺薄膜，在由一張薄膜的聚酰亞胺構(gòu)成的面上形成電阻層24(厚度25nm)。電阻層24是以物理蒸鍍法在整個面上形成作為電阻層的層，然后進行蝕刻后形成。然后，通過聚酰亞胺類粘合劑，將由另一張薄膜的聚酰亞胺構(gòu)成的面重疊粘貼在形成了該電阻層24的面上。接著，通過光刻法將一個銅箔蝕刻成規(guī)定的圖案形狀，形成電源線路11和信號傳送線路22，從而獲得傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。圖15示出了所獲得的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體中的各尺寸。單位為mm(下面也相同)。電源線路11到電阻層24的間隔距離T為0.Olmm。通過使電阻層24的信號傳送線路22側(cè)的邊緣位置偏移來改變電阻層24的寬度W2，將間隔寬度D變?yōu)?、0.lmm、0.25mm、和0.5mm，從而制造了四種傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。作為傳導(dǎo)噪音抑制效果的確認，評價了圖16所示的孔1、孔2之間的S21參數(shù)，且作為電阻層對信號傳送路的影響的確認，評價了孔1、孔3之間(近端串音)的S31參數(shù)和孔1、孔4之間(遠端串音)的S41參數(shù)。由于很難在大于等于lGHz的高頻帶上進行實際測量，所以通過利用3D電磁場模擬器(ANS0F制造、產(chǎn)品名HFSS)進行分析，從而進行了上述評價。采用了160，000S/m的導(dǎo)電率。(比較例2)除了沒有設(shè)置電阻層24之外，其他與實施例2相同地制造了具有圖17所示結(jié)構(gòu)的雙面基板，并進行了與實施例2相同的評價。作為實施例2和比較例2(沒有電阻層)的分析結(jié)果，在圖18示出了傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)，在圖19示出了近端串音(S31)，在圖20示出了遠端串音(S41)。在圖19和圖20，由于存在基板(傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體)的長度方向的諧振峰值，所以為了對直到20GHz的總能量進行比較，求出了在各頻率中的衰減率的總和(模擬積分值)，如表3和表4所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>(評價)實施例2和比較例2的結(jié)果顯示出傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)是安裝有電阻層且間隔(D)越小、即電阻層的寬度越寬抑制效果越大。從頻率特征來看，頻率越高抑制效果越大。近端串音(S31)和遠端串音(S41)示出了大致相同的效果，間隔(D)為Omm時，與沒有電阻層的比較例2相比，電阻層和信號傳送線路之間產(chǎn)生了串音。間隔(D)大于等于0.lmm時，串音的抑制效果比沒有電阻層的比較例2更好。(實施例3)制造了圖21、圖22所示的包括電源線路、信號傳送線路、接地線路和接地層的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體(共面結(jié)構(gòu))。圖22是俯視圖，圖21是沿圖22的b-b'線截面圖。首先，準備兩張基材，該基材是在使將聚酰亞胺樹脂浸漬在玻璃網(wǎng)中獲得的層壓材料固化后獲得的絕緣層的單面上設(shè)有銅箔(厚度為18ym)的基材，在一張基材的絕緣層上形成了電阻層24(厚度15nm)。通過物理蒸鍍法在整個表面上形成作為電阻層的層之后進行蝕刻，從而形成了電阻層24。然后，通過聚酰亞胺類粘合劑，將另一張基材的絕緣層重疊粘貼在形成了該電阻層24的面上。接著，通過光刻法，將銅箔蝕刻成規(guī)定的圖案形狀，形成電源線路11、接地線路16和信號傳送線路22，獲得了傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。電源線路11到電阻層24的設(shè)置距離T為0.02mm。通過使信號傳送線路22側(cè)的電阻層24的邊緣端位置偏移來改變電阻層24的寬度(W2)，從而將信號傳送線路22側(cè)的接地線路16的邊緣部與電阻層24的邊緣部之間的X方向上的距離Dg變?yōu)?、0.25mm和0.5mm，從而制造了三種傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。在該例中，電阻層24和信號傳送線路22之間的間隔寬度D為0.25+Dg。在進行評價時，利用了3D電磁場模擬器，采用了80，OOOS/m的導(dǎo)電率。(比較例3)除了沒有設(shè)置電阻層24之外，其他與實施例3相同地制造了具有圖23所示結(jié)構(gòu)的雙面基板。對于實施例3中獲得的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體和比較例3的雙面基板(沒有電阻層)，進行了與實施例2相同的比較。作為分析結(jié)果，圖24示出了傳導(dǎo)噪音抑制效果(S21)，在圖25示出了近端串音(S31)，在圖26示出了遠端串音(S41)。并且，與實施例2相同地，求出各頻率中的衰減率的總和(模擬積分值)，如表5、表6所示。表5表6<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>(評價)實施例3和比較例3的結(jié)果顯示出傳導(dǎo)噪音抑制的效果(S21)是安裝有電阻層且間隔(Dg)(信號傳送線路側(cè)的接地線路邊緣部起的距離)越小、即電阻層寬度越寬抑制效果就越大。從頻率特征來看，頻率越高，抑制效果越好。近端串音(S31)和遠端串音(S41)示出了大致相同的結(jié)果，間隔(Dg)為Omm時，與沒有電阻層的比較例3的狀態(tài)大致相同。間隔(Dg)大于等于0.25mm時，與沒有電阻層的比較例3相比，抑制串音的效果更佳。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本申請可提供傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其在不影響被布線在周圍的信號傳送線路的信號質(zhì)量的情況下，可以抑制高密度安裝的信息處理設(shè)備、通信設(shè)備等、尤其是光模塊或終端站、便攜式電話、游戲機等CPU等電源周圍的高頻噪音，其在產(chǎn)業(yè)上非常有用。權(quán)利要求一種傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，包括電源線路和信號傳送線路，在同一面上以相互分開的方式設(shè)置所述電源線路和所述信號傳送線路；接地層，所述接地層與所述電源線路和所述信號傳送線路分開并相對配置；以及電阻層，所述電阻層與所述電源線路和所述接地層分開并相對配置，其中，所述電阻層包括與所述電源線路相對的區(qū)域(I)以及不與所述電源線路相對的區(qū)域(II)，在所述電源線路的寬度方向上，所述電阻層和所述信號傳送線路分開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路的寬度Wl與所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層的寬度W2滿足下式(1-1)，Wl<W2.(1-1)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路的寬度W1與所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層的寬度W2滿足下式(1-2)，Wl>W2.(1-2)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體還包括接地線路，所述接地線路設(shè)置在相鄰的所述電源線路和所述信號傳送線路之間，其中，所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層與所述信號傳送線路之間的間隔寬度D、和所述電源線路的寬度方向上的所述接地線路與所述信號傳送線路之間的線路間距L2滿足下式(2)，D>L2.(2)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電源線路的寬度方向上的所述電阻層與所述信號傳送線路之間的間隔寬度D、所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T、所述電源線路的寬度Wl、和所述電源線路的寬度方向上的所述電源線路與所述信號傳送線路之間的距離L滿足下式(3)，3T《D<(L+W1).(3)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電阻層設(shè)置在所述電源線路與所述接地層之間，所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T、和所述電源線路的厚度方向上的所述接地層與所述電阻層之間的距離Tg滿足下式(4)，T<Tg.(4)。7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電源線路的厚度方向上的所述電源線路與所述電阻層之間的距離T是2iim100iim。8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電阻層是通過物理蒸鍍形成的、厚度是5nm300nm的層。9.一種布線電路基板，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體。全文摘要本發(fā)明提供了傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體以及布線電路基板，其可以抑制電源線路傳導(dǎo)的傳導(dǎo)噪音，可實現(xiàn)電源電壓的穩(wěn)定，同時在不影響電阻層的情況下可降低通過電源線路或接地層傳導(dǎo)的信號傳送線路串音。該傳導(dǎo)噪音抑制結(jié)構(gòu)體(10)包括電源線路(11)和信號傳送線路(12)，在同一面上以相互分開的方式設(shè)置電源線路(11)和信號傳送線路(12)；接地層(13)，與電源線路(11)和信號傳送線路(12)分開并相對配置；以及電阻層(14)，與電源線路(11)和接地層(13)分開并相對配置，電阻層(14)包括與電源線路(11)相對的區(qū)域(I)以及不與電源線路(11)相對的區(qū)域(II)，電阻層(14)和信號傳送線路(12)分開。文檔編號H05K9/00GK101796894SQ200880100948公開日2010年8月4日申請日期2008年8月1日優(yōu)先權(quán)日2007年8月2日發(fā)明者佐賀努,川口利行,田原和時申請人:信越聚合物株式會社