專利名稱：咔唑衍生物,以及使用咔唑衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及咔唑衍生物、使用咔唑衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子器件。
背景技術(shù)：
近年來，對于用電致發(fā)光的發(fā)光元件的研究和開發(fā)非?；钴S。作為這些發(fā)光元件 的基本結(jié)構(gòu)，將含發(fā)光物質(zhì)的層插入電極對之間。通過向該元件施加電壓，可由發(fā)光物質(zhì)得 到光發(fā)射。因為這種發(fā)光元件是自發(fā)光類型，它具有比液晶顯示元件更優(yōu)的優(yōu)點，例如高可 見度的像素且不需要背光源(backlight)，因此認(rèn)為適用于平板顯示元件。另外，可將這種 發(fā)光元件制成薄和重量輕的元件，這也是重要優(yōu)點。另外，極高反應(yīng)速度也為其特征。另外，因為可將這種發(fā)光元件形成膜形式，可通過形成大面積元件，容易的得到平 面光發(fā)射。難以通過使用由白熾燈或LED代表的點光源或通過使用由熒光燈代表的線光源 得到該特性。因此，上述發(fā)光元件還具有作為適用于照明等的平面光源的高實用性價值。根據(jù)發(fā)光物質(zhì)是有機化合物還是無機化合物，將此類用電致發(fā)光的發(fā)光元件粗略 分類。當(dāng)有機化合物用于發(fā)光物質(zhì)時，通過向發(fā)光元件施加電壓，然后電流通過其中，將電 極對中的電子和空穴注入含發(fā)光有機化合物的層。然后通過將這些載體(電子和空穴)重 組，發(fā)光有機化合物形成激發(fā)態(tài)，當(dāng)激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時則發(fā)射光。因為這種機理，這種發(fā)光元件稱為電流激勵發(fā)光元件。注意，有機化合物的激發(fā)態(tài) 可為單重激發(fā)態(tài)或三重激發(fā)態(tài)。由單重激發(fā)態(tài)發(fā)射的光稱為熒光，由三重激發(fā)態(tài)發(fā)射的光 稱為磷光。在改善這種發(fā)光元件的元件特性中，存在取決于物質(zhì)的很多問題，為解決這些 問題，已進(jìn)行了元件結(jié)構(gòu)改善、物質(zhì)開發(fā)等方面的工作(例如非專利文件1 =Meng-Huan Ho, Yao-Shan Wu and Chin H. Chen,2005 SID International Symposium Digest of Technical Papers，第 XXXVI 卷·第 802-805 頁)。在非專利文件1中所述發(fā)光元件中，4，4' -二 [N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯 (縮寫NPB)用作與發(fā)光層接觸的層。但是，NPB具有低的單態(tài)激發(fā)能，且存在能量可從處 于激發(fā)態(tài)的發(fā)光材料轉(zhuǎn)移的可能性。因為在發(fā)射具有短波長的藍(lán)光的發(fā)光材料的情況中， 激發(fā)態(tài)的能量水平特別高，能量轉(zhuǎn)移到NPB的可能性更高。因為能量轉(zhuǎn)移到NPB，存在發(fā)光 元件的發(fā)光效率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此。本發(fā)明的目的是通過提供新的咔唑衍生物提供具有高發(fā)光效率的發(fā)光元 件。另外，本發(fā)明的另一個目的是提供能耗低并在低電壓下驅(qū)動的發(fā)光器件和電子器件。本發(fā)明的一個特征是由以下通式(1)代表的咔唑衍生物
權(quán)利要求
一種由通式(1)代表的咔唑衍生物，其中α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13個碳原子的亞芳基，其中Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13個碳原子的芳基，其中R1代表氫原子、具有1 6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團，其中R2代表具有1 6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團，其中l(wèi)、m和n各自獨立為0或1。FPA00001190559400011.tif
2.權(quán)利要求1的咔唑衍生物，其中通式(1)中α L α 4由通式(2_1)_(2_12)中任何式代表，
3.權(quán)利要求2的咔唑衍生物，其中R46和R47相互連接。
4.權(quán)利要求1-3中任一項的咔唑衍生物，其中通式(1)中Ar1和Ar2由通式 (3-1)-(3-6)中任何式代表，CN 101952250 A權(quán)禾丨J 要求書2/6頁 ■">11(2-1)(2-2)(2-3)R2s^R23 R21R24 R23R2nVR23 \ R21-q—o-"^^r3。R2SaR27 R28 R29R2SaR27 R28 R29R26 R27 R28 R29(2-4)(2-5)(2-6)R31Rf/R3R34p35 r36(2-9)3
5.權(quán)利要求4的咔唑衍生物，其中R86和R87相互連接。
6.權(quán)利要求1-3中任一項的咔唑衍生物，其中通式(1)中R1由通式(4-1)-(4-9)中任 何式代表，且通式(1)中R2由通式(4-2)-(4-9)中任何式代表，
7.權(quán)利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由結(jié)構(gòu)式(5)代表
8.
9.權(quán)利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由結(jié)構(gòu)式(7)代表
10.權(quán)利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由結(jié)構(gòu)式(8)代表
11. 一種發(fā)光元件，所述元件包含 一對電極；和 含咔唑衍生物的EL層， 其中所述咔唑衍生物由通式(1)代表，
12.權(quán)利要求11的發(fā)光元件，其中所述EL層至少包括發(fā)光層和空穴_傳輸層，和 其中所述咔唑衍生物包含在所述空穴_傳輸層中。
13.權(quán)利要求11的發(fā)光元件，其中所述電極對由陽極和陰極組成，其中所述EL層至少包括發(fā)光層、空穴_傳輸層和空穴_注入層， 其中形成的空穴_注入層與陽極接觸，和 其中所述咔唑衍生物包含在所述空穴_注入層中。
14.權(quán)利要求13的發(fā)光元件，其中所述空穴-注入層還包含無機化合物，該無機化合物 相對于所述咔唑衍生物顯示電子接收性質(zhì)。
15.權(quán)利要求14的發(fā)光元件，其中所述無機化合物為過渡金屬的氧化物。
16.權(quán)利要求14或15的發(fā)光元件，其中所述無機化合物為氧化鈦、氧化釩、氧化鉬、氧 化鎢、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭和氧化銀中的一種或多種。
17.一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件用權(quán)利要求11-15中任一項的發(fā)光元件形成。
18.一種電子器件，所述電子器件用權(quán)利要求17的發(fā)光器件形成。
全文摘要
為提供具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件和提供功耗低且在低電壓下驅(qū)動的發(fā)光器件和電子器件，提供由通式(1)代表的咔唑衍生物。在該式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13個碳原子的亞芳基；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13個碳原子的芳基；R1代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團；R2代表具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團。另外，l、m和n各自獨立為0或1。
文檔編號H05B33/14GK101952250SQ200880126449
公開日2011年1月19日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月3日
發(fā)明者下垣智子, 尾坂晴惠, 川上祥子, 瀨尾哲史, 牛洼孝洋, 野村洸子 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所