專利名稱：配線電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配線電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在硬盤驅(qū)動裝置等驅(qū)動裝置中使用致動器。這種致動器包括以能 夠圍繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的方式設(shè)置的臂、和安裝在臂上的磁頭用的懸架
(suspension)基板。懸架基板是用于使磁頭定位于磁盤的期望的磁軌 上的配線電路基板。
圖5是表示現(xiàn)有的懸架基板的一個例子的縱截面圖。在圖5的懸 架基板900中，在金屬基板902上形成有絕緣層903。在絕緣層903 上， 一對寫入用導(dǎo)體W1、 W2和一對讀取用導(dǎo)體R1、 R2以依次排列 的方式形成。
導(dǎo)體W1、 W2、 Rl、 R2的一端分別與磁頭(未圖示)連接。此外， 導(dǎo)體W1、 W2、 Rl、 R2的另一端分別與寫入用和讀取用的電路(未圖 示)電連接。
在該懸架基板900，當寫入電流流過寫入用導(dǎo)體Wl、 W2時，由 于電磁感應(yīng)，在讀取用導(dǎo)體R1、 R2上產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。
此處，寫入用導(dǎo)體Wl、 W2與讀取用導(dǎo)體Rl之間的距離小于寫 入用導(dǎo)體W1、 W2與讀取用導(dǎo)體R2之間的距離。由此，在讀取用導(dǎo) 體R1、 R2上產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢存在差別。結(jié)果，電流流過讀取用導(dǎo)體 Rl、 R2。即，在寫入用導(dǎo)體W1、 W2與讀取用導(dǎo)體R1、 R2之間產(chǎn)生 串擾(crosstalk )。
因此，在日本特開2004-133988號公報中，為了防止在寫入用導(dǎo)體 Wl、 W2與讀取用導(dǎo)體R1、 R2之間的串擾的產(chǎn)生，提出圖6所示的 配線電路基板。
圖6是表示現(xiàn)有的懸架基板的另一個例子的縱截面圖。在該懸架 基板910中，在金屬基板902上形成有第一絕緣層904。在第一絕緣層904上，寫入用導(dǎo)體W2和讀取用導(dǎo)體R2以相距距離Ll的方式形成。 在第一絕緣層904上，以覆蓋寫入用導(dǎo)體W2和讀取用導(dǎo)體R2的
方式形成有第二絕緣層905。在第二絕緣層905上，在讀取用導(dǎo)體R2
的上方位置形成有寫入用導(dǎo)體Wl，在寫入用導(dǎo)體W2的上方位置形成
有讀取用導(dǎo)體R1。
位于上下位置的讀取用導(dǎo)體R1與寫入用導(dǎo)體W2之間的距離、以
及位于上下位置的讀取用導(dǎo)體R2與寫入用導(dǎo)體Wl之間的距離均為L2。
在具有上述結(jié)構(gòu)的圖6的懸架基板910中，寫入用導(dǎo)體W1、 W2 與讀取用導(dǎo)體Rl之間的距離、和寫入用導(dǎo)體Wl、 W2與讀取用導(dǎo)體 R2之間的距離分別大致相等。由此，認為在寫入電流流過寫入用導(dǎo)體 Wl、 W2時，在讀取用導(dǎo)體R1、 R2上產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢的大小大致 相等。
但是，在該懸架基板910中，讀取用導(dǎo)體R1與寫入用導(dǎo)體W1之 間的材料、和讀取用導(dǎo)體R2與寫入用導(dǎo)體W2之間的材料不同。具體 地說，讀取用導(dǎo)體R1與寫入用導(dǎo)體W1之間的材料是空氣，讀取用導(dǎo) 體R2與寫入用導(dǎo)體W2之間的材料是絕緣材料。
在此情況下，因為空氣與絕緣材料的相對介電常數(shù)不同，所以讀 取用導(dǎo)體Rl與寫入用導(dǎo)體Wl之間的寄生電容、和讀取用導(dǎo)體R2與 寫入用導(dǎo)體W2之間的寄生電容不同。由此，寫入用導(dǎo)體W1、 W2的 特性阻抗相互不同，讀取用導(dǎo)體R1、 R2的特性阻抗相互不同。
結(jié)果，在電流流過寫入用導(dǎo)體Wl、 W2時，在讀取用導(dǎo)體Rl、 R2之間產(chǎn)生電位差，電流在讀取用導(dǎo)體R1、 R2之間流動。因此，在 圖6的懸架基板910中，也難以防止在寫入用導(dǎo)體Wl、 W2與讀取用 導(dǎo)體R1、 R2之間的串擾的產(chǎn)生。
能夠考慮到，在圖6的懸架基板910中，例如在第二絕緣層905 上以覆蓋寫入用導(dǎo)體W1和讀取用導(dǎo)體R1的方式形成具有與第二絕緣 層905相同的相對介電常數(shù)的新的絕緣層，從而能夠防止在寫入用導(dǎo) 體W1、 W2與讀取用導(dǎo)體R1、 R2之間的串擾的產(chǎn)生。
但是，即使采用這種結(jié)構(gòu)，實際上也不能夠充分地防止在寫入用 導(dǎo)體W1、 W2與讀取用導(dǎo)體R1、 R2之間的串擾的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能夠充分地防止在多個信號線路對間的串擾 的產(chǎn)生的配線電路基板及其制造方法。
(1) 本發(fā)明的一個方面的配線電路基板包括第一絕緣層；在第 一絕緣層上隔開間隔地形成的第一和第二配線圖案；以覆蓋第一和第 二配線圖案的方式在第一絕緣層上形成的第二絕緣層；以覆蓋第一和 第二配線圖案的上方的方式在第二絕緣層上形成的金屬層；在第二絕 緣層上以覆蓋金屬層的方式形成的第三絕緣層；在第三絕緣層上形成 的第三和第四配線圖案；以及以覆蓋第三和第四配線圖案的方式在第 三絕緣層上形成的第四絕緣層，其中，第一和第二配線圖案構(gòu)成第一 信號線路對，第三和第四配線圖案構(gòu)成第二信號線路對。
在該配線電路基板中，在第一絕緣層上隔開間隔地形成有第一和 第二配線圖案，以覆蓋第一和第二配線圖案的方式在第一絕緣層上形 成有第二絕緣層，以覆蓋第一和第二配線圖案的上方的方式在第二絕 緣層上形成有金屬層。此外，以覆蓋金屬層的方式在第二絕緣層上形 成有第三絕緣層，在第三絕緣層上形成有第三和第四配線圖案，以覆 蓋第三和第四配線圖案的方式在第三絕緣層上形成有第四絕緣層。
此處，在該配線電路基板中，第一和第二配線圖案構(gòu)成第一信號 線路對，第三和第四配線圖案構(gòu)成第二信號線路對。進一步，以覆蓋 第一和第二配線圖案的上方的方式設(shè)置有金屬層。g卩，金屬層設(shè)置在 第一信號線路對與第二信號線路對之間。
由此，在使用配線電路基板時，能夠充分地防止在第一信號線路 對與第二信號線路對之間的串擾的產(chǎn)生。
(2) 也可以是，第一配線圖案與第三配線圖案夾著金屬層相對配 置，第二配線圖案與第四配線圖案夾著金屬層相對配置。
在此情況下，能夠更充分地防止在第一信號線路對與第二信號線 路對之間的串擾的產(chǎn)生。
(3) 也可以是，配線電路基板還包括長尺狀的金屬基板；和設(shè) 置在金屬基板上的用于進行信號的讀寫的頭部，第一絕緣層形成在金 屬基板上，第一、第二、第三和第四配線圖案與頭部電連接。
在此情況下，能夠使用配線電路基板作為硬盤驅(qū)動裝置等驅(qū)動裝置的懸架基板。
而且，利用構(gòu)成第一信號線路對的第一和第二配線圖案、以及構(gòu) 成第二信號線路對的第三和第四配線圖案，能夠?qū)Υ疟P進行信息的寫 入和讀取。
由此，因為能夠充分地防止在第一信號線路對與第二信號線路對 之間的串擾的產(chǎn)生，所以能夠可靠地防止在寫入時和讀取時發(fā)生錯誤。 (4)本發(fā)明的另一方面的配線電路基板的制造方法包括在第一 絕緣層上隔開間隔地形成第一和第二配線圖案的工序；以覆蓋第一和
第二配線圖案的方式在第一絕緣層上形成第二絕緣層的工序；以覆蓋 第一和第二配線圖案的上方的方式在第二絕緣層上形成金屬層的工 序；以覆蓋金屬層的方式在第二絕緣層上形成第三絕緣層的工序；在 第三絕緣層上形成第三和第四配線圖案的工序；以及以覆蓋第三和第 四配線圖案的方式在第三絕緣層上形成第四絕緣層的工序，其中，第 一和第二配線圖案構(gòu)成第一信號線路對，第三和第四配線圖案構(gòu)成第 二信號線路對。
根據(jù)該配線電路基板的制造方法，在第一絕緣層上隔開間隔地形 成第一和第二配線圖案，以覆蓋第一和第二配線圖案的方式在第一絕 緣層上形成第二絕緣層，以覆蓋第一和第二配線圖案的上方的方式在 第二絕緣層上形成金屬層。此外，以覆蓋金屬層的方式在第二絕緣層 上形成第三絕緣層，在第三絕緣層上形成第三和第四配線圖案，以覆 蓋第三和第四配線圖案的方式在第三絕緣層上形成第四絕緣層。
在以上述方式制造的配線電路基板中，第一和第二配線圖案構(gòu)成 第一信號線路對，第三和第四配線圖案構(gòu)成第二信號線路對。進一步，
以覆蓋第一和第二配線圖案的上方的方式設(shè)置有金屬層。即，金屬層
設(shè)置在第一信號線路對與第二信號線路對之間。
由此，在使用配線電路基板時，能夠充分地防止在第一信號線路
對與第二信號線路對之間的串擾的產(chǎn)生。
根據(jù)本發(fā)明，在使用配線電路基板時，能夠充分地防止在第一信 號線路對與第二信號線路對之間的串擾的產(chǎn)生。


圖1是本發(fā)明的一個實施方式的懸架基板的平面圖。
圖2是圖1的懸架基板的A-A縱截面圖。
圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的懸架基板的制造工序的圖。 圖4是表示本發(fā)明的一個實施方式的懸架基板的制造工序的圖。 圖5是表示現(xiàn)有的懸架基板的一個例子的縱截面圖。 圖6是表示現(xiàn)有的懸架基板的另一個例子的縱截面圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式的配線電路基板及其制造 方法進行說明。以下，作為本發(fā)明的實施方式的配線電路基板的一個 例子，對在硬盤驅(qū)動裝置的致動器中使用的懸架基板的結(jié)構(gòu)及其制造 方法進行說明。
(1-1)懸架基板的結(jié)構(gòu)
圖1是本發(fā)明的一個實施方式的懸架基板的俯視圖，圖2是圖1 的懸架基板l的A-A縱截面圖。
如圖1所示，懸架基板1具有由金屬制的長尺狀基板形成的懸架 主體部IO。在懸架主體部10上，如粗實線所示，形成有寫入用配線圖 案W1、讀取用配線圖案R1、寫入用配線圖案W2和讀取用配線圖案 R2。
在懸架主體部IO的前端部，通過形成U字狀的開口部11，設(shè)置 有磁頭搭載部(以下，稱為舌部(tongue)) 12。舌部12以相對于懸架 主體部10成規(guī)定角度的方式在虛線R的位置被彎曲加工。在舌部12 的端部形成有4個電極墊21、 22、 23、 24。
在懸架主體部10的另一端部形成有4個電極墊31、 32、 33、 34。 舌部12上的電極墊21 24與懸架主體部10的另一端部的電極墊31 34 分別通過配線圖案Wl、 Rl、 W2、 R2電連接。此外，在懸架主體部 IO上形成有多個孔部H。
在懸架基板1上，在多個配線圖案Wl、 W2、 Rl、 R2的形成區(qū)域， 以覆蓋各配線圖案W1、 W2、 Rl、 R2的方式形成有由多個層構(gòu)成的絕 緣層40。如圖2所示，絕緣層40由第一、第二、第三和第四絕緣層41、 42、 43、 44構(gòu)成。在懸架主體部10上形成有第一絕緣層41。
在第一絕緣層41上形成有用于對未圖示的磁盤進行信息的寫入的 寫入用配線圖案W1、 W2。寫入用配線圖案W1、 W2以規(guī)定的間隔相 互平行地排列。
進一步，在第一絕緣層41上，以覆蓋寫入用配線圖案Wl、 W2 的方式形成有第二絕緣層42。
以覆蓋寫入用配線圖案Wl、 W2的上方的方式在第二絕緣層42 上形成有接地層(ground layer) GL。此外，在第二絕緣層42上，以 覆蓋接地層GL的方式形成有第三絕緣層43。
在第三絕緣層43上，在寫入用配線圖案W1的上方位置形成有讀 取用配線圖案R1，在寫入用配線圖案W2的上方位置形成有讀取用配 線圖案R2。
進一步，在第三絕緣層43上，以覆蓋讀取用配線圖案R1、 R2的 方式形成有第四絕緣層44。
在具有懸架基板1的未圖示的硬盤裝置中，在對磁盤進行信息的 寫入時，電流流過一對寫入用配線圖案Wl、 W2。此外，在對磁盤進 行信息的讀取時，電流流過一對讀取用配線圖案R1、 R2。 (1-2)懸架基板的制造
對懸架基板1的制造方法進行說明。以下，省略對圖1的舌部12、 電極墊21~24、 31 34、以及孔部H的形成工序的說明。
圖3和圖4是表示本發(fā)明的一個實施方式的懸架基板1的制造工 序的縱截面圖。首先，如圖3 (a)所示，準備由不銹鋼(SUS)構(gòu)成 的長尺狀基板作為懸架主體部10。然后，在懸架主體部IO上形成主要 由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的第一絕緣層41。
作為懸架主體部10，也可以使用由鋁(Al)等其它材料代替不銹 鋼而構(gòu)成的長尺狀基板。懸架主體部10的厚度tl例如為5"m以上50 gm以下，優(yōu)選為10//m以上30//m以下。第一絕緣層41的厚度t2 例如為3 Aim以上20m m以下，優(yōu)選為5m以上15 "m以下。
接著，如圖3 (b)所示，在第一絕緣層41上形成由銅(Cu)構(gòu) 成的寫入用配線圖案W1、 W2。寫入用配線圖案W1、 W2以規(guī)定的間隔形成為相互平行。
寫入用配線圖案W1、 W2例如可以使用半加法形成，也可以使用
減法(subtractive)等其它方法形成。
寫入用配線圖案W1、 W2不限于使用銅，也能夠使用金(Au)、 鋁等其它金屬，或銅合金、鋁合金等合金形成。
寫入用配線圖案Wl、 W2的厚度t3例如為3 a m以上16 m m以下， 優(yōu)選為6Mm以上13wm以下。寫入用配線圖案W1、 W2的寬度sl、 s2例如為5 Mm以上30"m以下，優(yōu)選為10"m以上25〃m以下。
寫入用配線圖案W1與寫入用配線圖案W2之間的間隔dl例如為 5//m以上100//m以下，優(yōu)選為10m m以上60 m m以下。
在上述結(jié)構(gòu)中，也可以在第一絕緣層41與寫入用配線圖案Wl、 W2之間分別配置金屬薄膜。在此情況下，能夠提高第一絕緣層41與 寫入用配線圖案W1、 W2的密接性。
之后，如圖3 (c)所示，以覆蓋寫入用配線圖案Wl、 W2的方式 在第一絕緣層41上形成主要由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的第二絕緣層42。
第二絕緣層42的厚度t4例如為4^m以上20/zm以下，優(yōu)選為7 /im以上17^m以下。此外，從寫入用配線圖案W1、 W2的上表面至 第二絕緣層42的上表面的厚度hl例如為1 m m以上5 /i m以下。
接著，如圖3 (d)所示，以覆蓋寫入用配線圖案W1、 W2的上方 的方式在第二絕緣層42上形成由銅(Cu)構(gòu)成的接地層GL。接地層 GL例如可以使用電解鍍法形成，也可以使用濺射法等其它方法形成。
接地層GL的厚度t5例如為1 m以上10" m以下，優(yōu)選為3 y m 以上8 v m以下。另外，接地層GL不限于使用銅，也能夠使用金(Au)、 鋁等其它金屬，或銅合金、鋁合金等合金形成。
接著，如圖4 (e)所示，以覆蓋接地層GL的方式在第二絕緣層 42上形成主要由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的第三絕緣層43。第三絕緣層43 的厚度t6例如為4"m以上20"m以下，優(yōu)選為6"m以上15^m以 下。
如圖4 (f)所示，在第三絕緣層43上形成由銅構(gòu)成的讀取用配線 圖案R1、 R2。此處，讀取用配線圖案R1、 R2分別形成于寫入用配線 圖案W1、 W2的上方位置。由此，寫入用配線圖案Wl的上表面與讀取用配線圖案R1的下表面相對，寫入用配線圖案W2的上表面與讀取
用配線圖案R2的下表面相對。
讀取用配線圖案R1、 R2與寫入用配線圖案Wl、 W2以同樣的方 式形成。寫入用配線圖案W2和讀取用配線圖案R2不限于使用銅，也 能夠使用金(Au)、鋁等其它金屬，或銅合金、鋁合金等合金形成。
讀取用配線圖案R1、R2的厚度t7例如為3/zm以上16〃m以下， 優(yōu)選為6^m以上13^m以下。讀取用配線圖案R1、 R2的寬度s3、 s4例如為5 Mm以上30/im以下，優(yōu)選為10//m以上25ym以下。
讀取用配線圖案Rl與讀取用配線圖案R2之間的間隔d2例如為5 Mm以上lOOym以下，優(yōu)選為lO^m以上60wm以下。
也可以在第三絕緣層43與讀取用配線圖案Rl、 R2之間分別形成 金屬薄膜。在此情況下，能夠提高第三絕緣層43與讀取用配線圖案 Rl、 R2的密接性。
最后，如圖4 (g)所示，以覆蓋讀取用配線圖案Rl、 R2的方式 在第三絕緣層43上形成由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的第四絕緣層44。
第四絕緣層44的厚度t8例如為4"m以上20"m以下，優(yōu)選為7 Mm以上17Mm以下。此外，從讀取用配線圖案R1、 R2的上表面至 第四絕緣層44的上表面的厚度h2例如為1 " m以上5 w m以下。
如上所述，通過在懸架主體部IO上形成多個配線圖案Wl、 W2、 Rl、 R2和絕緣層40，完成懸架基板l。
在懸架基板l中，寫入用配線圖案W1、 W2的寬度sl、 s2相互等 同，讀取用配線圖案R1、 R2的寬度s3、 s4也相互等同。
寫入用配線圖案Wl和讀取用配線圖案Rl的寬度sl、 s3可以相 等，也可以不同。寫入用配線圖案W2和讀取用配線圖案R2的寬度s2、 s4可以相等，也可以不同。 (1-3)效果
在本實施方式的懸架基板1中，在第一絕緣層41上以被第二絕緣 層42覆蓋的方式設(shè)置有寫入用配線圖案W1、 W2。此外，在第三絕緣 層43上，以被第四絕緣層44覆蓋的方式設(shè)置有讀取用配線圖案Rl、 R2。進一步，在寫入用配線圖案W1、 W2與讀取用配線圖案R1、 R2 之間，以被第二絕緣層42和第三絕緣層43覆蓋的方式設(shè)置有接地層GL。
由此，在使用懸架基板1時，能夠充分地防止在寫入用配線圖案 Wl、 W2與讀取用配線圖案R1、 R2之間的串擾的產(chǎn)生。
從而，在具有懸架基板1的未圖示的硬盤裝置中，能夠可靠地防 止在對磁盤進行信息的寫入和讀取時發(fā)生錯誤。 (1-4)另一實施方式
在上述實施方式中，寫入用配線圖案Wl與讀取用配線圖案R1相 互相對，并且，寫入用配線圖案W2與讀取用配線圖案R2相互相對， 但是，寫入用配線圖案Wl與讀取用配線圖案Rl也可以不相互相對， 寫入用配線圖案W2與讀取用配線圖案R2也可以不相互相對。
另外，優(yōu)選以寫入用配線圖案Wl和寫入用配線圖案W2的中線 與讀取用配線圖案R1和讀取用配線圖案R2的中線重合的方式設(shè)置配 線圖案W1、 W2、 Rl、 R2。
在上述實施方式中，雖然在第一絕緣層41上設(shè)置寫入用配線圖案 Wl、 W2，在第三絕緣層43上設(shè)置讀取用配線圖案Rl、 R2，但是也 可以在第一絕緣層41上設(shè)置讀取用配線圖案R1、 R2，在第三絕緣層 43上設(shè)置寫入用配線圖案W1、 W2。
此外，也可以不設(shè)置懸架主體部IO。
此外，作為第一 第四絕緣層41 44，也可以代替聚酰亞胺樹脂， 使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲 酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等其它樹 脂材料。
此外，第一 第四絕緣層41 44也可以分別由不同的絕緣材料形成。
(1-5)權(quán)利要求項的各構(gòu)成要素與實施方式的各部分的對應(yīng)關(guān)系 以下，對權(quán)利要求項的各構(gòu)成要素與實施方式的各部分的對應(yīng)的 例子進行說明，但本發(fā)明并不限定于下述的例子。
在上述實施方式中，寫入用配線圖案Wl是第一配線圖案的例子， 寫入用配線圖案W2是第二配線圖案的例子，讀取用配線圖案R1是第 三配線圖案的例子，讀取用配線圖案R2是第四配線圖案的例子，接地 層GL是金屬層的例子，懸架主體部10是金屬基板的例子，舌部12
12是頭部的例子。
作為權(quán)利要求項的各構(gòu)成要素，也能夠使用具有權(quán)利要求項所述 的結(jié)構(gòu)或功能的其它各種要素。
權(quán)利要求
1. 一種配線電路基板，其包括第一絕緣層；在所述第一絕緣層上隔開間隔地形成的第一和第二配線圖案；以覆蓋所述第一和第二配線圖案的方式在所述第一絕緣層上形成的第二絕緣層；以覆蓋所述第一和第二配線圖案的上方的方式在所述第二絕緣層上形成的金屬層；在所述第二絕緣層上以覆蓋所述金屬層的方式形成的第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成的第三和第四配線圖案；以及以覆蓋所述第三和第四配線圖案的方式在所述第三絕緣層上形成的第四絕緣層，其中，所述第一和第二配線圖案構(gòu)成第一信號線路對，所述第三和第四配線圖案構(gòu)成第二信號線路對。
2. 如權(quán)利要求l所述的配線電路基板，其特征在于 所述第一配線圖案與所述第三配線圖案夾著所述金屬層相對配置，所述第二配線圖案與所述第四配線圖案夾著所述金屬層相對配 置。
3. 如權(quán)利要求l所述的配線電路基板，其特征在于，還包括 長尺狀的金屬基板；和設(shè)置在所述金屬基板上的用于進行信號的讀寫的頭部，所述第一絕緣層形成在所述金屬基板上，所述第一、第二、第三和第四配線圖案與所述頭部電連接。
4. 一種配線電路基板的制造方法，其特征在于，包括 在第一絕緣層上隔開間隔地形成第一和第二配線圖案的工序； 以覆蓋所述第一和第二配線圖案的方式在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層的工序；以覆蓋所述第一和第二配線圖案的上方的方式在所述第二絕緣層 上形成金屬層的工序；以覆蓋所述金屬層的方式在所述第二絕緣層上形成第三絕緣層的工序；在所述第三絕緣層上形成第三和第四配線圖案的工序；以及 以覆蓋所述第三和第四配線圖案的方式在所述第三絕緣層上形成第四絕緣層的工序，其中，所述第一和第二配線圖案構(gòu)成第一信號線路對，所述第三和第四配線圖案構(gòu)成第二信號線路對。
全文摘要
本發(fā)明提供配線電路基板及其制造方法。在懸架主體部上形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成寫入用配線圖案。在第一絕緣層上以覆蓋配線圖案的方式形成第二絕緣層。以覆蓋配線圖案的上方的方式在第二絕緣層上形成接地層。并且，在第二絕緣層上以覆蓋接地層的方式形成第三絕緣層。在第三絕緣層上形成讀取用配線圖案。在第三絕緣層上以覆蓋配線圖案的方式形成第四絕緣層。
文檔編號H05K1/02GK101504836SQ20091000049
公開日2009年8月12日 申請日期2009年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月5日
發(fā)明者內(nèi)藤俊樹, 本上滿, 龜井勝利 申請人:日東電工株式會社