專(zhuān)利名稱(chēng)：共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于閃爍晶體材料領(lǐng)域，具體涉及一種共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體及其制備方法。
背景技術(shù)：
閃爍晶體作為一種通過(guò)高能粒子或射線激發(fā)而發(fā)光的功能材料，其閃爍性能對(duì)晶體的微觀缺陷非常敏感，可以通過(guò)摻雜改變晶體的缺陷狀態(tài)來(lái)提高晶體的閃爍性能，從而形成新的功能晶體材料。摻鈰硼酸釓鋰晶體(Li6CexGd"B309)通過(guò)晶體中富集的鋰-6或硼-10或釓-155或釓-157同位素與中子進(jìn)行反應(yīng)來(lái)探測(cè)中子，首先由美國(guó)的J. B. Czirr于1996年報(bào)道了其作為中子探測(cè)閃爍晶體的潛在用途。作為一種新型中子探測(cè)閃爍晶體，Li6CexGd^B309具有以下優(yōu)點(diǎn)
(1) 同時(shí)含有Li、 B和Gd三種對(duì)中子具有較大俘獲截面的同位素的元素，可以根據(jù)不同的探測(cè)需求選擇不同的同位素富集組合，優(yōu)化設(shè)計(jì)出更高探測(cè)效率的晶體組分，因此該晶體具有很強(qiáng)的適應(yīng)性。
(2) 發(fā)光中心是C^+離子，具有衰減時(shí)間短(28ns)、光輸出高(每個(gè)中子激發(fā)產(chǎn)生40000個(gè)光電子，每MeVY射線激發(fā)產(chǎn)生25000個(gè)光電子)以及發(fā)光波長(zhǎng)(中心波長(zhǎng)為395nm)與光電倍增管(PMT)耦合好等特點(diǎn)，因而其探測(cè)效率高，是6Li玻璃的6倍和BC-454的9倍。
(3) 有效原子序數(shù)低(46.3)，容易消除Y射線背景。
(4) 折射率低(1.67@405nm)，很容易與聚合物復(fù)合，非常適合于大面積中子探測(cè)和成像。
(5) 既可以利用該晶體的塊狀單晶制作小面積的中子探測(cè)器，也可以利用該晶體的特定顆粒的粉末制作出大面積中子探測(cè)器。
然而，Li6CexGdkB309晶體作為一種新型中子探測(cè)閃爍晶體，同時(shí)還存在以下缺
點(diǎn)
(1) Ce:Li6Gd(B03)3晶體是一種鈰離子激活閃爍晶體，C離子在晶體中的價(jià)態(tài)分布對(duì)晶體的閃爍性能非常重要。在研究中，通常都使用Ce02作為激活離子摻雜劑，而四價(jià)鈰離子不發(fā)光，只有四價(jià)鈰離子轉(zhuǎn)化為三價(jià)鈰離子，該晶體才能發(fā)光，但Ce離子在原料合成、熔體形成及晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的價(jià)態(tài)變化非常復(fù)雜，能夠讓更多的四價(jià)鈰離子轉(zhuǎn)化為三價(jià)鈰離子尤為重要。 一般都通過(guò)控制生長(zhǎng)氣氛來(lái)控制鈰離子的價(jià)態(tài)變化，但其機(jī)理和效果難以得到有效的控制。這也是幾乎所有摻雜C^+離子的閃爍晶體都存在的問(wèn)題，使得該類(lèi)晶體在不同部位和不同爐次生長(zhǎng)的晶體發(fā)光均勻性很差。
(2) Li6CexGd^B309晶體是一種硼酸鹽晶體，晶體導(dǎo)熱性差，且其熔體中含有大量的硼酸根基團(tuán)，易形成網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)致熔體粘度大，生長(zhǎng)速度慢，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中釋放的潛熱對(duì)晶體生長(zhǎng)影響大，使得該晶體生長(zhǎng)不易控制。另外，該晶體還存
在(010)、 (121)與(015)等多個(gè)解理面，使得晶體易開(kāi)裂、難以加工出直徑大于
30mm的晶片等缺點(diǎn)，限制了該晶體的研究和應(yīng)用范圍。
(3) Li6CexGdLxB309晶體中含有大量的"Gd和^Gd同位素，其與中子反應(yīng)的截面遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于^i和"B同位素，會(huì)影響中子和ti或WB同位素的反應(yīng)，從而降低該晶體利用61^或1QB同位素來(lái)進(jìn)行中子探測(cè)的的效率。
綜上所述，如何引入將四價(jià)鈰離子轉(zhuǎn)化為三價(jià)鈰離子，如何通過(guò)多種組分的共摻雜來(lái)降低熔體的粘度，提高晶體的生長(zhǎng)速度，以及如何提高該晶體利用SLi或1QB同位素來(lái)進(jìn)行中子探測(cè)的的效率己經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員目前亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體及其制備方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下
一種共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體，其特征在于，該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i6CexNyG山-x.yB3(Vs/2M5，其中，M選自以下元素中的一種或兩種F、 Cl、 Br和I;N選自以下元素中的一種或兩種Sc、 Y、 La和Lu;所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一種以特殊同位素的形式存在；其中o〈x《0.2， o《y<l， 0《S《0丄且y
和5不同時(shí)為0。
所述特殊同位素選自Li-6、 Gd-155、 Gd-157或B-10。鋰、釓和硼元素以何種同位素或其組合形式存在，取決于用該晶體制造的中子探測(cè)器的應(yīng)用領(lǐng)域。優(yōu)選的，所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i6CexGd^B309.s/2M5，其 中(Xx《0.2， 0<S《0.1， M選自以下元素的一種或兩種F、 Cl、 Br禾ni， Li元素、 Gd元素和B元素中的至少一種以特殊同位素的形式存在；或，該共摻雜改性硼酸軋 鋰閃爍晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i6CexNyGd!.x.yB309，其中0<x《0.2， 0<y<l， N選自以下 元素的一種或兩種Sc、 Y、 La和Lu， Li元素、Gd元素和B元素中的至少一種以特 殊同位素的形式存在；或，該共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的化學(xué)式為 Li6CexNyGd卜x.yB309-s/2Ms，其中0<x《0.2， 0<y<l， 0<5《0.1， M選自以下元素的 一種或兩種F、 Cl、 Br禾卩I， N選自以下元素的一種或兩種Sc、 Y、 La禾n Lu， Li 元素、Gd元素和B元素中的至少一種以特殊同位素的形式存在。 所述特殊同位素選自Li-6、 Gd-155、 Gd-157或B-10。 本發(fā)明的共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法包括如下步驟
1) 晶體生長(zhǎng)原料的配取按比例稱(chēng)量各種原料后混合均勻成配合料；
2) 晶體生長(zhǎng)原料的合成將配合料壓成料塊后燒結(jié)制得晶體生長(zhǎng)原料；
3) 單晶制備將晶體生長(zhǎng)原料加熱至充分熔化，獲得晶體生長(zhǎng)熔體，采用提拉 法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。
所述步驟l)中的原料包括含Li元素原料、含B元素原料、含Gd元素原料、 含Ce元素原料和含N元素原料。
優(yōu)選的，所述含Li元素原料選自Li2C03、 LiOH和LiM中的一種或多種；含B 元素原料選自H3B03和B203中的一種或多種；含Gd元素原料選自Gd203和GdM3中 的一種或多種；含Ce元素原料選自CeM3和Ce02中的一種或多種；含N元素原料選 自NM3和N203中的一種或多種。
優(yōu)選的，所述步驟1)中，含B元素原料的重量過(guò)量1~5% (即含B元素原料 的重量比按照分子式中B元素的化學(xué)計(jì)量比計(jì)算出來(lái)的含B元素原料的重量過(guò)量 1~5%)。
優(yōu)選的，所述步驟2)中晶體生長(zhǎng)原料的合成步驟為將配合料壓成料塊后燒結(jié)，
降溫并研磨后再次壓成料塊燒結(jié)，降溫。
優(yōu)選的，所述步驟2)中的料塊是直徑為40 60mm，高度為10 20rnrn的圓柱 形塊體。
優(yōu)選的，所述步驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體生長(zhǎng)溫度為800~865°C，晶體生長(zhǎng)時(shí)轉(zhuǎn)速為1 10rpm，拉速為0.1~2mm/h，優(yōu)選的降溫速率為0.4~0.8°C /h。
優(yōu)選的，所述步驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體生長(zhǎng)氣氛為空氣、 氮?dú)?、氬氣、含? 10at。/。的氮?dú)饣蚝? 10at,。/Q的氬氣。
優(yōu)選的，所述步驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，以鉑金絲或硼酸釓鋰單 晶籽晶作為晶體生長(zhǎng)籽晶，且所述硼酸釓鋰籽晶方向可任意。
本發(fā)明采用提拉法制備了一種專(zhuān)門(mén)用于中子探測(cè)的共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶 體，本發(fā)明的閃爍晶體中以CeF3代替Ce02來(lái)作為激活離子摻雜劑，因此提高了三價(jià) 鈰離子的濃度；同時(shí)通過(guò)引入鹵素離子來(lái)降低熔體的粘度，提高晶體的生長(zhǎng)速度；或 者使用La3+、 Y3+、 S一+或Lu"離子部分置換GcP離子，降低了 155Gd和157Gd同位素 對(duì)6Li或1QB同位素的干擾。通過(guò)上述幾種摻雜使得該晶體的發(fā)光機(jī)理與摻鈰硼酸釓鋰 單晶相同，但發(fā)光強(qiáng)度有所增強(qiáng)。本發(fā)明的共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體是以C^+離 子為發(fā)光中心，鋰、釓和硼元素是以鋰-6、釓-155、釓-157或硼-10同位素的一種或其 組合的形式存在，起到與被探測(cè)中子產(chǎn)生核反應(yīng)的作用，可實(shí)現(xiàn)工程化應(yīng)用。
圖1Li6CexGd,-xB309和Li6Cea005Gd0.995B3O9-SF5晶體的透過(guò)光譜。
圖2Li6CexGd卜xB309和Li6Ceao05Gdo.995B309-5F5晶體的x射線激發(fā)光譜。
圖3Li6CexG山-xB309和U6Ce,5Gdo.995B309-SFs晶體的紫外激發(fā)光譜。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)具體實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明所述的摻鐿硼酸釓鋰激光晶體及其制備方 法。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1
以CeF3取代Ce02為摻雜劑，按照組成為6Li6Ceo.oo5Gdo.995B308.9925F,5，稱(chēng)量 6Li2C03 (99.99%) 270.00g、 Gd203 (99.99%) 225.43g、 H3B03 (99.99%) 238.83g和 CeF3 (99.99%) 1.23g，混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中， 在45(TC溫度下燒結(jié)10小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在700'C下燒結(jié)10小時(shí)。取出后，放入直徑為60mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽 晶，轉(zhuǎn)速為3rpm，拉速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)4天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為20mm，長(zhǎng)度 為50mm左右的單晶，其性能如圖l-3中所示，由圖中內(nèi)容可以看出，該新組分的晶 體，其發(fā)光機(jī)理與摻鈰硼酸釓鋰單晶相同，但發(fā)光強(qiáng)度有所增強(qiáng)。
實(shí)施例2
以Ce02為摻雜劑，按照組成為6Li6Ceaoo5Gdo.895YaiB309，稱(chēng)量6Li2C03 (99.99%) 270.00g、 Gd203 (99.99%) 202.77g、 Y203 (99.99%) 14.11g、 H3B03 (99.99%) 238.83g 和Ce02 (99.99%) 1.08g，混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯 中，在45(TC溫度下燒結(jié)10小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在 700'C下燒結(jié)10小時(shí)。取出后，放入直徑為60mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單 晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為30mm， 長(zhǎng)度為30mm左右的單晶。
實(shí)施例3:
以Ce02為摻雜劑，按照組成為6Li6Ceaoo5Gd,5B309-S/2F5，稱(chēng)量6Li2C03 (99.99%) 268.65g、 Gd203 (99.99%) 225.43g、 H3B03 (99.99%) 238.83g和6LiF (99.99%) 0.9375g， 混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中，在45(TC溫度下燒結(jié)10 小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在700'C下燒結(jié)10小時(shí)。取出 后，放入直徑為60mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉 速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為25mm，長(zhǎng)度為35mm左右的單晶。
實(shí)施例4:
以Ce02為摻雜劑，按照組成為6Li6Ce,"6Gdo.99B309.8/2Fs，稱(chēng)量6LiOH (99.99%) 390.00g、 Gd203 (99.99%) 460.75g、 156GdI3 (99.99%) 13.93g、 B203 (99.99%) 279.66g， 混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中，在450'C溫度下燒結(jié)10 小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在70(TC下燒結(jié)10小時(shí)。取出 后，放入直徑為80mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉 速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為30mm，長(zhǎng)度為35mm左右的單晶。實(shí)施例5:
以Ce02為摻雜劑，按照組成為6Li6Ceo.(nSc(uoGdo.89WB309，稱(chēng)量LiOH (99.99%) 390.00g、 Gd203 (99.99%) 419.41g、 B203 (99.99%) 559.33g， Sc203 (99.99%) 17.93g， 混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中，在45(TC溫度下燒結(jié)10 小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在700'C下燒結(jié)10小時(shí)。取出 后，放入直徑為80mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉 速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為35mm，長(zhǎng)度為30mm左右的單晶。
實(shí)施例6:
以CeCl3為摻雜劑，按照組成為L(zhǎng)i6Ce,5La0.2156Gd0.7951()B3O9.6/2Cls，稱(chēng)量LiOH (99.99%) 373.59g、 Gd203 (99.99%) 374.64g、 La203 (99.99%) 84.7lg、 B203 (99.99%) 559.33g， CeCl3 (99.99%) 3.20g,混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入 剛玉杯中，在450'C溫度下燒結(jié)10小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐 中，在70(TC下燒結(jié)10小時(shí)。取出后，放入直徑為80mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸 釓鋰單晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為 30mm，長(zhǎng)度為32mm左右的單晶。
實(shí)施例7:
以CeCl3為摻雜劑，按照組成為L(zhǎng)i6Ceo.2156Gd081°B308.95Cl。.1,稱(chēng)量LiOH (99.99%) 373.68g、 Gd203 (99.99%) 376.48g、 B203 (99,99%) 286.1g, CeCl3 (99.99%) 21.32g， Ce02 (99.99%) 74.39g,混合均勻，壓成直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中， 在450'C溫度下燒結(jié)10小時(shí)，取出，重新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在700'C 下燒結(jié)10小時(shí)。取出后，放入直徑為80mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽 晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉速為0.5mm/h，經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為30mm，長(zhǎng)度 為32mm左右的單晶。
實(shí)施例8:
以CeCl3為摻雜劑，按照組成為L(zhǎng)i6Ce0.2(Lao.oiY,)156Gd0.771()B308.955(Cl,Br0.06)，稱(chēng)量LiOH (99.99%) 373.68g、 Gd203 (99.99%) 362g、 B203 (99.99%) 272.48g， Ce02 (99.99%) 89.27g， LaCl3 (99.99%) 6.37g， YBr3 (99.99%) 17.08g，混合均勻，壓成 直徑為50mm的圓柱狀塊狀，放入剛玉杯中，在450'C溫度下燒結(jié)IO小時(shí)，取出，重 新研磨，再壓成塊狀，置入馬弗爐中，在700。C下燒結(jié)10小時(shí)。取出后，放入直徑為 80mm的鉑金坩堝中，以摻鈰硼酸釓鋰單晶為籽晶，轉(zhuǎn)速為5rpm，拉速為0.5mm/h， 經(jīng)過(guò)3天的生長(zhǎng)，可生長(zhǎng)出直徑為30mm，長(zhǎng)度為32mm左右的單晶。
權(quán)利要求
1、一種共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體，其特征在于，該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i6CexNyGd1-x-yB3O9-δ/2Mδ，其中，M選自以下元素中的一種或兩種F、Cl、Br和I；N選自以下元素中的一種或兩種Sc、Y、La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一種以特殊同位素的形式存在；其中0＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同時(shí)為0。
2、 如權(quán)利要求1所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體，其特征在于，所述特殊同位素選 自Li-6、 Gd-155、 Gd-157或B-10。
3、 如權(quán)利要求1所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法，包括如下步驟1) 晶體生長(zhǎng)原料的配取按比例稱(chēng)量各種原料后混合均勻成配合料；2) 晶體生長(zhǎng)原料的合成將配合料壓成料塊后燒結(jié)制得晶體生長(zhǎng)原料；3) 單晶制備將晶體生長(zhǎng)原料加熱至充分熔化，獲得晶體生長(zhǎng)熔體，采用提拉法進(jìn) 行晶體生長(zhǎng)。
4、 如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸軋鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述步 驟l)中的原料包括含Li元素原料、含B元素原料、含Gd元素原料、含Ce元素原料和 含N元素原料。
5、 如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述含 Li元素原料選自Li2C03、 LiOH和LiM中的一種或多種；含B元素原料選自H3B03和B203 中的一種或多種；含Gd元素原料選自Gd203和GdM3中的一種或多種；含Ce元素原料選 自CeM3和Ce02中的一種或多種；含N元素原料選自NM3和N203中的一種或多種。
6、 如權(quán)利要求4所述共摻雜改性硼酸軋鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述步 驟1)中，含B元素原料的重量過(guò)量1~5%。
7、 如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述步 驟2)中晶體生長(zhǎng)原料的合成步驟為將配合料壓成料塊后燒結(jié)，降溫并研磨后再次壓成料 塊燒結(jié)，降溫。
8、 如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸禮鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述步 驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體生長(zhǎng)溫度為800~865°C，晶體生長(zhǎng)時(shí)轉(zhuǎn)速為 1 10rpm，拉速為0.1~2mm/h，降溫速率為0.4~0.8°C/h。
9、 如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述步 驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體生長(zhǎng)氣氛為空氣、氮?dú)?、氬氣、含氧l 10at.。/。 的氮?dú)饣蚝?~1(^.%的氬氣。的氮?dú)饣蚝? 10at.。/。的氬氣。
10、如權(quán)利要求3所述共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述 步驟3)中，采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)時(shí)，以鉑金絲或硼酸釓鋰單晶籽晶作為晶體生長(zhǎng)籽晶。
全文摘要
本發(fā)明屬于閃爍晶體材料領(lǐng)域，具體涉及一種共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體及其制備方法，該共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)i<sub>6</sub>Ce<sub>x</sub>N<sub>y</sub>Gd<sub>1-x-y</sub>B<sub>3</sub>O<sub>9-δ/2</sub>M<sub>δ</sub>，其中，M選自以下元素中的一種或兩種F、Cl、Br和I；N選自以下元素中的一種或兩種Sc、Y、La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一種以特殊同位素的形式存在；其中0＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同時(shí)為0，其制備方法為原料經(jīng)過(guò)混合、固相合成、化料，在單晶生長(zhǎng)爐中通過(guò)提拉法生長(zhǎng)制備成單晶形態(tài)。本發(fā)明共摻雜改性硼酸釓鋰閃爍晶體以Ce<sup>3+</sup>離子為發(fā)光中心，鋰、釓和硼元素是以鋰-6、釓-155、釓-157或硼-10同位素的一種或其組合的形式存在，起到與被探測(cè)中子產(chǎn)生核反應(yīng)的作用。
文檔編號(hào)C30B29/10GK101597798SQ20091005421
公開(kāi)日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2009年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者丁棟舟, 任國(guó)浩, 張衛(wèi)東, 帆 楊, 潘尚可, 晟 陸 申請(qǐng)人:上海硅酸鹽研究所中試基地;中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所