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      介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器的制作方法

      文檔序號(hào):8200473閱讀:577來源:國(guó)知局
      專利名稱:介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種介質(zhì)阻擋放電(DBD)等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,所采 用的等離子體激勵(lì)器基于表面介質(zhì)阻擋放電(DBD)的原理,在射頻電源激勵(lì)下, 等離子激勵(lì)器形成法向的零質(zhì)量射流,達(dá)到和機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器相同的 流動(dòng)控制的目的,而且該等離子激勵(lì)器具有頻響范圍寬、響應(yīng)迅速、無移動(dòng)部 件、重量輕、功耗小等諸多優(yōu)點(diǎn)。
      背景技術(shù)
      零質(zhì)量射流自20世紀(jì)90年代作為一項(xiàng)主動(dòng)流動(dòng)控制技術(shù)應(yīng)用以來,由于其 具有結(jié)構(gòu)緊湊,無需氣源管道等獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),短時(shí)間就引起了眾多研究者的廣 泛關(guān)注,成為目前流體力學(xué)研究的一個(gè)熱點(diǎn)。零質(zhì)量射流已經(jīng)應(yīng)用在控制圓柱 尾跡、翼面流動(dòng)分離以及在MAV/UAV上。
      零質(zhì)量射流通常采用活塞或壓電薄膜的往復(fù)運(yùn)動(dòng)吹/吸氣體,在狹小孔口 外形成一系列渦環(huán)/對(duì)(圓形孔口形成渦環(huán)、二維狹縫形成渦對(duì)),這些渦環(huán)/對(duì)在 向外擴(kuò)展的過程中相互融合形成一種動(dòng)量射流(見圖l)。其主要的工作原理是, 在吹氣過程中,空腔流體在活塞或壓電薄膜(la)的壓縮下在孔口外形成渦環(huán)/ 對(duì)(lb),并在它們自身誘導(dǎo)作用下向遠(yuǎn)離孔口方向運(yùn)動(dòng);而在吸氣過程內(nèi),渦 環(huán)/對(duì)距離孔口較遠(yuǎn)而不會(huì)被吸入到孔口中。因此零質(zhì)量射流具有僅對(duì)外輸出 動(dòng)量而輸出質(zhì)量為零的顯著特征。與傳統(tǒng)的吸/吹氣流動(dòng)控制相比,零質(zhì)量射 流具有無需額外氣源、無需移動(dòng)部件的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),使得其兼?zhèn)淞私Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊、 重量輕、成本低、維護(hù)方便等諸多優(yōu)點(diǎn),因此受到了眾多研究者的廣泛關(guān)注。
      但是這種機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器頻響范圍比較小,反應(yīng)慢。而DBD等離 子體零質(zhì)量射流^[勵(lì)器不僅具有和機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器相同的功能,而且 頻響范圍大(0 kHz),反應(yīng)快。并且,等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器完全由電子 設(shè)備組成,具有無移動(dòng)部件、響應(yīng)迅速、重量輕、功耗小以及數(shù)值模型簡(jiǎn)單等
      3優(yōu)點(diǎn),近年來在流動(dòng)控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。特別值得一提的是,基于柔性電 極的等離子體激勵(lì)器具有很強(qiáng)外形適應(yīng)能力,可以方便的設(shè)置在飛行器任意位 置,這是目前其它所有激勵(lì)方式都無法企及的。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提出一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,以 解決機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器頻響范圍窄,反應(yīng)慢的缺點(diǎn)。
      本發(fā)明是一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器(圖3),所采用的 等離子體激勵(lì)器基于表面介質(zhì)阻擋放電(DBD)的原理。該等離子體零質(zhì)量射流 激勵(lì)器由一對(duì)條形等離子激勵(lì)器或者平行相對(duì)放置的多個(gè)條形等離子激勵(lì)器構(gòu) 成的等離子激勵(lì)器柵(二維)(圖3a)組成;或者該等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì) 器由單個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器或者同心放置的多個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器構(gòu)成的等離 子體激勵(lì)器柵(三維)(圖3c)組成。所述的等離子體激勵(lì)器由兩個(gè)非對(duì)稱放 置的電極組成, 一個(gè)電極(陰極)(3a、 3e)直接暴露在空氣中,而另一個(gè)電極
      (陽(yáng)極)(3b、 3f)被埋設(shè)在絕緣介質(zhì)(2c)中。所述的等離子激勵(lì)器的電極用 金屬薄片制成,如銅片或鋁片,其尺寸可根據(jù)應(yīng)用的具體情況確定。所述的等 離子激勵(lì)器的絕緣介質(zhì)為聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂;或者柔性絕緣材料如聚酰亞 胺薄膜(Kapton)、特氟龍(Teflon)絕緣材料;絕緣介質(zhì)若采用聚酰亞胺薄膜
      (Kapton)或特氟龍(Teflon)等,等離子激勵(lì)器采用粘貼的方式做成;絕緣 介質(zhì)若采用聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂等,等離子激勵(lì)器采用印刷電路板的方式做 成。
      在射頻電源激勵(lì)(2g)下,激勵(lì)器向內(nèi)側(cè)/中心吹氣。定常激勵(lì)下形成法向 射流,非定常激勵(lì)下形成渦環(huán)(3d) /渦對(duì)(3c)(圖3b、 d)。若改變^L勵(lì)方向, 向外側(cè)吹氣,此零質(zhì)量射流裝置成為一種吸氣裝置。
      本發(fā)明是一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,其優(yōu)點(diǎn)及功效在 于本發(fā)明不僅具有和機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器相同的功能,而且頻響范圍大
      (0 kHz),反應(yīng)快。并且,等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器完全由電子設(shè)備組成, 具有無移動(dòng)部件、響應(yīng)迅速、重量輕、功耗小以及數(shù)值模型簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。


      圖1為機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器示意圖。
      圖2為單個(gè)非對(duì)稱電極介質(zhì)阻擋放電(SDBD)等離子體激勵(lì)器示意圖。 圖3(a)為條形(二維)等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器的電極布置 圖3(b)為條形(二維)等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器產(chǎn)生的渦對(duì) 圖3(c)環(huán)狀(三維)等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器的電極布置 圖3(d)環(huán)狀(三維)等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器產(chǎn)生的渦環(huán) 圖中具體標(biāo)號(hào)如下
      la壓電驅(qū)動(dòng)器 lb機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器形成的渦環(huán)/對(duì)
      2a電極(陰極) 2b電極(陽(yáng)極) 2c絕緣介質(zhì)
      2d等離子 2f壁面射流 2g射頻電源 2h誘導(dǎo)流體
      3a條狀裸露電極 3b條狀埋置電極 3c渦對(duì) 3d渦環(huán)
      3f環(huán)狀裸露電極(陰極) 3g環(huán)狀埋置電極(陽(yáng)極)
      具體實(shí)施例方式
      一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器(圖3),所采用的等離子體 激勵(lì)器基于表面介質(zhì)阻擋放電(DBD)的原理。單個(gè)等離子激勵(lì)器(如圖2)工 作原理為,常溫常壓下,在射頻電源(2g)激勵(lì)下,就會(huì)在與陽(yáng)極(2b)附近 區(qū)域產(chǎn)生等離子(2d),驅(qū)動(dòng)周圍流體運(yùn)動(dòng)。對(duì)等離子體激勵(lì)器誘導(dǎo)流場(chǎng)的測(cè)速 實(shí)驗(yàn)表明,等離子體激勵(lì)器最主要的作用是向周圍流體中輸入動(dòng)量,并吸附外 部流體(2h),在等離子體激勵(lì)器下游形成壁面射流(2f)。
      該等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由一對(duì)條形等離子激勵(lì)器或者平行相對(duì)放置 的多個(gè)條形等離子^[勵(lì)器構(gòu)成的等離子激勵(lì)器柵(二維)(圖3a)組成;或者 該等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由單個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器或者同心放置的多個(gè)環(huán) 狀等離子激勵(lì)器構(gòu)成的等離子體激勵(lì)器柵(三維)(圖3c)組成。所述的單個(gè) 等離子體激勵(lì)器由兩個(gè)非對(duì)稱放置的電極組成, 一個(gè)電極(陰極)(3a、 3e)直 接暴露在空氣中,而另一個(gè)電極(陽(yáng)極)(3b、 3f)被埋設(shè)在絕緣介質(zhì)(2c)中。 所述的等離子激勵(lì)器的電極用金屬薄片制成,如銅片或鋁片,其尺寸可根據(jù)應(yīng) 用的具體情況確定。所述的等離子激勵(lì)器的絕緣介質(zhì)為聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂;
      5或者柔性絕緣材料如聚酰亞胺薄膜(Kapton)、特氟龍(Teflon)絕緣材料;絕 緣介質(zhì)若采用聚酰亞胺薄膜(Kapton)或特氟龍(Teflon)等,等離子激勵(lì)器 采用粘貼的方式做成;絕緣介質(zhì)若采用聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂等,等離子激勵(lì) 器采用印刷電路板的方式做成。尺寸根據(jù)需要確定。
      如圖3所示,在電極之間施加高頻(kHz)高壓(kV)的激勵(lì),電壓的波 形可以采用正弦,矩形,三角形等多種波形。在埋置電極的上表面產(chǎn)生等離子, 等離子驅(qū)動(dòng)周圍流體運(yùn)動(dòng)。非定常激勵(lì)時(shí),對(duì)二維條狀激勵(lì)器,誘導(dǎo)流體向內(nèi) 側(cè)流動(dòng),在壁面法向處產(chǎn)生渦對(duì);對(duì)三維環(huán)狀激勵(lì)器,誘導(dǎo)流體向中心流動(dòng), 在壁面法向產(chǎn)生渦環(huán)。該激勵(lì)器可以代替機(jī)械式零質(zhì)量射流激勵(lì)器的作用。定 常激勵(lì)時(shí),產(chǎn)生垂直于壁面的法向射流。如果向外吹氣,等離子體零質(zhì)量射流 激勵(lì)器成為一種吸氣裝置。
      權(quán)利要求
      1、一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,其特征在于所述的等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由一對(duì)相對(duì)放置的條形等離子激勵(lì)器或者平行相對(duì)放置的多個(gè)條形等離子激勵(lì)器構(gòu)成的二維的等離子激勵(lì)器柵組成,向內(nèi)吹氣。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,其特征在于所述的等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由單個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器或者同心放置的多個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器構(gòu)成的三維等離子體激勵(lì)器柵組成,向中心吹氣。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,其特征在于所述的等離子體激勵(lì)器由兩個(gè)非對(duì)稱放置的電極組成, 一個(gè)電極——陰極直接暴露在空氣中,而另一個(gè)電極——陽(yáng)極被埋設(shè)在絕緣介質(zhì)中。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體格尼襟翼,其特征在于所述的電極用金屬薄片制成。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體格尼襟翼,其特征在于所述的絕緣介質(zhì)為聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂;或者柔性絕緣材料——聚酰亞胺薄膜或特氟龍。
      6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的等離子體格尼襟翼,其特征在于若絕緣材料采用聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂,所述的等離子激勵(lì)器采用印刷電路板的方式做成。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的等離子體格尼襟翼,其特征在于若絕緣材料釆用柔性絕緣材料——聚酰亞胺薄膜或特氟龍,所述的等離子激勵(lì)器采用粘貼的方式做成。
      全文摘要
      一種介質(zhì)阻擋放電等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器,該等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由一對(duì)相對(duì)放置的條形等離子激勵(lì)器或者平行相對(duì)放置的多個(gè)條形等離子激勵(lì)器構(gòu)成的等離子激勵(lì)器柵組成;或者該等離子體零質(zhì)量射流激勵(lì)器由單個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器或者同心放置的多個(gè)環(huán)狀等離子激勵(lì)器構(gòu)成的等離子體激勵(lì)器柵組成。所述的等離子體激勵(lì)器由兩個(gè)非對(duì)稱放置的電極組成,一個(gè)電極(陰極)直接暴露在空氣中,另一個(gè)電極(陽(yáng)極)被埋設(shè)在絕緣介質(zhì)中。所述的等離子激勵(lì)器的電極用金屬薄片制成,所述的等離子激勵(lì)器的絕緣介質(zhì)為聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂;或者柔性絕緣材料如聚酰亞胺薄膜、特氟龍絕緣材料;等離子激勵(lì)器采用粘貼的方式做成或者采用印刷電路板的方式做成。
      文檔編號(hào)H05H1/46GK101511146SQ20091008099
      公開日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
      發(fā)明者劉愛兵, 張攀峰, 王晉軍 申請(qǐng)人:北京航空航天大學(xué)
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