專利名稱：氣相外延工藝中的摻雜方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，尤其涉及一種氣相外延工藝中的摻雜方法及 其裝置。背景技術(shù)：
GaN基化合物半導(dǎo)體材料是重要的直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于其 特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電學(xué)性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，在藍(lán)、 綠、紫、紫外及白光發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、紫外光探測(cè)器 和功率電子器件等光電子器件和電子器件以及特殊條件下的半導(dǎo)體器件等領(lǐng) 域中有廣泛的應(yīng)用前景，吸引著人們的濃厚興趣。
然而，要想實(shí)現(xiàn)上述器件結(jié)構(gòu)，制作出滿足要求的優(yōu)質(zhì)PN結(jié)是必須突破 的工藝問(wèn)題。而要想制作出電學(xué)性能良好的PN結(jié)，則必須首先能夠制備出摻 雜濃度和均勻度都能滿足PN結(jié)要求的N型和P型半導(dǎo)體。
以GaN為例，對(duì)與MOCVD工藝而言，N型GaN的摻雜物質(zhì)一般用硅烷 (SiH4)。通過(guò)SiH4與NH3反應(yīng)生成Si3N4， Si將取代晶格中Ga位，提供電子， 從而使GaN呈現(xiàn)出N型導(dǎo)電特性。這種方法已經(jīng)比較成熟，已被MOCVD普 遍采用。但是MOCVD工藝的生長(zhǎng)速度慢，如果要獲得具有一定厚度的襯底， 尤其是要獲得自支撐的GaN襯底，則必須選用氫化物氣相外延(HVPE)工藝。 對(duì)于HVPE工藝來(lái)說(shuō)，由于它采用的是熱壁系統(tǒng)，工作溫度達(dá)到1000'C以上， 而SiH4在60(TC就已經(jīng)開始分解了，所以用SiH4摻雜是不可能的。
綜上所述，對(duì)與HVPE系統(tǒng)而言，由于工作溫度過(guò)高，導(dǎo)致一些在其他系 統(tǒng)中被采用的摻雜氣體，例如SiH4等，無(wú)法在該系統(tǒng)中使用，因此也就難以 采用HVPE系統(tǒng)獲得具有摻雜物質(zhì)的半導(dǎo)體材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種氣相外延工藝中的摻雜方法及其 裝置，能夠解決氣相外延工藝由于生長(zhǎng)溫度過(guò)高而導(dǎo)致?lián)诫s源氣體分解的技術(shù)問(wèn)題，采用氣相外延工藝生長(zhǎng)出具有摻雜物質(zhì)的半導(dǎo)體襯底。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種氣相外延工藝中的摻雜方法，包括如下步驟提供含有鹵素元素的氣體和由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物;加熱III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；將含有鹵素元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面，以生成混有III族金屬元素鹵化物與摻雜元素鹵化物的混合氣體；將所述混合氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
作為可選的技術(shù)方案，所述m族金屬元素選自于Ga、 Al和In中的一種或多種，所述摻雜元素選自于硅、鐵、鎂和碳中的一種或多種，所述由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物中，所有摻雜元素的質(zhì)量之和不大于混合物總質(zhì)量的1%。
作為可選的技術(shù)方案，所述含有卣素元素的氣體為氯化氫。
作為可選的技術(shù)方案，進(jìn)一步包括如下步驟將混合物加熱到目標(biāo)溫度后進(jìn)行保溫，此步驟于將含有鹵族元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面的步驟之前實(shí)施，所述保溫時(shí)間不小于10分鐘。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種氣相外延裝置，包括氯化氫氣體源，用于提供外延反應(yīng)所需的含有鹵素元素的氣體；外延反應(yīng)腔體，用于放置外延襯底并進(jìn)行外延反應(yīng)；以及反應(yīng)舟，所述反應(yīng)舟的進(jìn)氣端與含有鹵素元素的氣體源連通，排氣端與外延反應(yīng)腔體連通，從含有齒素元素的氣體源釋放出的氣體經(jīng)由反應(yīng)舟流入外延反應(yīng)腔體，參與外延生長(zhǎng)；所述反應(yīng)舟中放置有III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物。
作為可選的技術(shù)方案，所述m族金屬元素選自于Ga、 Al和In中的一種或多種，所述摻雜元素選自于硅、鐵、鎂和碳中的一種或多種。
作為可選的技術(shù)方案，所述含有卣素元素的氣體為氯化氫。
作為可選的技術(shù)方案，所述放置于反應(yīng)舟中的由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物中，所有摻雜元素的質(zhì)量之和不大于混合物總質(zhì)量的1%。
本發(fā)明還提供了一種氣相外延工藝中的摻雜方法，包括如下步驟提供含有鹵素元素的氣體，以及分開放置的III族金屬元素固形物和摻雜元素固形物；加熱III族金屬元素固形物與慘雜元素固形物；將含有鹵素元素的氣體分成兩路，分別通過(guò)加熱后III族金屬元素固形物和摻雜元素固形物的表面；將混有 III族金屬元素鹵化物的氣體與混有摻雜元素鹵化物的氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行 III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
本發(fā)明還進(jìn)一步提供了一種氣相外延裝置，包括含有鹵素元素的氣體源， 用于提供外延反應(yīng)所需的氯化氫氣體；外延反應(yīng)腔體，用于放置外延襯底并進(jìn) 行外延反應(yīng)；以及兩個(gè)反應(yīng)舟，所述兩個(gè)反應(yīng)舟中的每一個(gè)反應(yīng)舟的進(jìn)氣端都 與含有鹵素元素的氣體源連通，排氣端都與外延反應(yīng)腔體連通，從含有鹵素元 素的氣體源釋放出的氣體分成兩路分別進(jìn)入兩個(gè)反應(yīng)舟中，并進(jìn)一步通過(guò)反應(yīng) 舟流入外延反應(yīng)腔體，參與外延生長(zhǎng)；其特征在于，所述兩個(gè)反應(yīng)舟中的一個(gè) 放置有III族金屬元素固形物，另一個(gè)放置有摻雜元素固形物。
作為可選的技術(shù)方案，所述兩個(gè)反應(yīng)舟都具有加熱裝置，且兩個(gè)加熱裝置 的溫度控制單元相互獨(dú)立工作。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，采用由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物與含有鹵 族元素的氣體反應(yīng)以生成混合物，克服了氫化物容易分解的缺點(diǎn)，能夠在III-V 族化合物中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的摻雜。

附圖1是本發(fā)明所述氣相外延工藝摻雜方法第一具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟 示意附圖2是本發(fā)明所述氣相外延工藝摻雜裝置第一具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意
附圖3是本發(fā)明所述氣相外延工藝摻雜方法第二具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟 示意附圖4是本發(fā)明所述氣相外延工藝摻雜裝置第二具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的氣相外延工藝中的摻雜方法及其裝置的具 體實(shí)施方式做詳細(xì)說(shuō)明。
首先結(jié)合附圖給出本發(fā)明所述氣相外延工藝中的摻雜方法以及摻雜裝置
7的第一具體實(shí)施方式
。
附圖1所示是本具體實(shí)施方式
所述方法的實(shí)施步驟示意圖，包括步驟 S10,提供含有鹵素元素的氣體和由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；步驟 Sll，加熱III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；步驟S12，將含有鹵素元素的 氣體通過(guò)加熱后的混合物表面；步驟S13，將所述混合氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行
m-v族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
附圖2所示是與附圖1所述方法相對(duì)應(yīng)的摻雜裝置10的結(jié)構(gòu)示意圖，包 括含有鹵素元素的氣體源110，用于提供外延反應(yīng)所需的含有鹵素元素的氣 體；外延反應(yīng)腔體120，用于放置外延襯底121并進(jìn)行外延反應(yīng)；反應(yīng)舟130，
所述反應(yīng)舟130的進(jìn)氣端與含有鹵素元素的氣體源110連通，排氣端與外延反 應(yīng)腔體120連通，從含有鹵素元素的氣體源110釋放出的含有鹵素元素的氣體 經(jīng)由反應(yīng)舟130流入外延反應(yīng)腔體120，參與外延生長(zhǎng)，所述反應(yīng)舟130中放 置有III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物131;所述反應(yīng)舟130還進(jìn)一步包括加 熱裝置132，用于加熱反應(yīng)舟130之中的混合物131以增強(qiáng)其同含有鹵素元素 的氣體反應(yīng)的化學(xué)活性。
本具體實(shí)施方式
中，所述含有齒素元素的氣體為氯化氫。 如附圖2所述的裝置，并參考步驟SIO，提供含有鹵素元素的氣體和由III 族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物。所述含有鹵素元素的氣體由含有鹵素元素的 氣體源110提供，所述由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物置于反應(yīng)舟130 之中。
所述III族金屬元素選自于Ga、 Al和In中的一種或多種，所述摻雜元素 選自于硅、鐵、鎂和碳中的一種或多種，并且所述由III族金屬與摻雜元素構(gòu) 成的混合物中，所有摻雜元素的質(zhì)量之和不大于混合物總質(zhì)量的1%。上述的 摻雜元素比例不大于1%有利于摻雜元素在混合物中均勻分布。 繼續(xù)參考步驟Sll，加熱III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物。 所述加熱混合物可以通過(guò)附圖2中所示的加熱裝置132實(shí)現(xiàn)。所述加熱裝 置132具體可以是電阻式加熱裝置或者高頻微波加熱裝置等。本步驟中加熱的 溫度范圍是600°C~1000°C。該加熱溫度如果己經(jīng)超過(guò)了混合物的熔點(diǎn)，則混合物將由固態(tài)轉(zhuǎn)化為液態(tài)。
作為可選的技術(shù)方案，將混合物加熱到目標(biāo)溫度后進(jìn)行保溫，此步驟于將 含有鹵族元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面的步驟之前實(shí)施，保溫時(shí)間不小
于10分鐘，保溫有利于促進(jìn)摻雜元素在混合物中均勻分布，尤其是對(duì)于加熱
后轉(zhuǎn)化為液態(tài)的混合物而言，該保溫步驟對(duì)促進(jìn)摻雜元素在液態(tài)混合物中均勻 分布的效果更為明顯。
繼續(xù)參考步驟S12，將含有鹵素元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物131的表面。
由于混合物131已經(jīng)被加熱，因此含有鹵素元素的氣體通過(guò)其表面時(shí)將和 混合物131發(fā)生反應(yīng)，生成混有III族金屬元素鹵化物與慘雜元素鹵化物的混 合氣體。如前文所述，混合物131中的摻雜元素均勻分布的優(yōu)點(diǎn)在于，此步驟 中所述混合氣體中的摻雜元素是由混合物131表面的摻雜元素提供，因此摻雜 元素在混合氣體中的濃度與混合物131表面的摻雜元素濃度有關(guān)。混合物131 中摻雜元素均勻分布意味著混合氣體中摻雜元素的濃度始終是均勻的。
繼續(xù)參考步驟S13，將所述混合氣體通入反應(yīng)室120，進(jìn)行m-v族半導(dǎo)體 材料的外延生長(zhǎng)。
III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)工藝是本領(lǐng)域內(nèi)公知技術(shù)，此處不再贅述。 眾所周知，外延生長(zhǎng)除了需要上述混合氣體之外，還進(jìn)一步需要其他氣體，因 此反應(yīng)室120中進(jìn)一步通過(guò)氣路140通入其他反應(yīng)氣體，例如氨氣等，以滿足 外延生長(zhǎng)的需要。
以上具體實(shí)施方式
所提供的技術(shù)方案采用由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的 混合物與含有鹵族元素的氣體反應(yīng)以生成混合物，克服了氫化物容易分解的缺
點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)在m-v族化合物中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的摻雜。
接下來(lái)結(jié)合附圖給出本發(fā)明所述氣相外延工藝中的慘雜方法以及摻雜裝 置的第二具體實(shí)施方式
。
附圖3所示是本具體實(shí)施方式
所述方法的實(shí)施步驟示意圖，包括步驟
S20，提供含有鹵素元素的氣體，以及分開放置的ni族金屬元素固形物和摻雜
元素固形物；步驟S21,加熱III族金屬元素固形物與摻雜元素固形物；步驟S22，將含有鹵素元素的氣體分成兩路，分別通過(guò)加熱后m族金屬元素固形物
和摻雜元素固形物的表面；步驟S23，將混有III族金屬元素鹵化物的氣體與 混有摻雜元素鹵化物的氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
附圖4所示是與附圖3所述方法相對(duì)應(yīng)的摻雜裝置20的結(jié)構(gòu)示意圖，包 括含有鹵素元素的氣體源210，用于提供外延反應(yīng)所需的含有鹵素元素的氣 體；外延反應(yīng)腔體220，用于放置外延襯底221并進(jìn)行外延反應(yīng)；以及第一反 應(yīng)舟230與第二反應(yīng)舟240，所述兩個(gè)反應(yīng)舟230與240中的每一個(gè)反應(yīng)舟的 進(jìn)氣端都與含有鹵素元素的氣體源210連通，排氣端都與外延反應(yīng)腔體220連 通。所述兩個(gè)反應(yīng)舟中，第一反應(yīng)舟230中放置有III族金屬元素固形物231， 另一個(gè)放置有摻雜元素固形物241 。所述兩個(gè)反應(yīng)舟分別具有加熱裝置232與 242。且作為可選的技術(shù)方案，兩個(gè)加熱裝置的溫度控制單元相互獨(dú)立工作， 以有利于更好的控制慘雜濃度。如果加熱溫度超過(guò)了金屬元素固形物231或者 摻雜元素固形物241的熔點(diǎn)，則固形物自然轉(zhuǎn)化為液態(tài)，更有利于同含有鹵素 元素的氣體在表面發(fā)生反應(yīng)。
上述裝置中，從含有鹵素元素的氣體源210釋放出的氣體分成兩路分別進(jìn) 入第一反應(yīng)舟230與第二反應(yīng)舟240中，并進(jìn)一步通過(guò)反應(yīng)舟流入外延反應(yīng)腔 體，參與外延生長(zhǎng)。
所述裝置20進(jìn)一步包括氣路250，用于通入其他反應(yīng)氣體，例如氨氣等， 以滿足外延生長(zhǎng)的需要。
上述方法和裝置的基本原理與前一具體實(shí)施方式
類似，均是采用含有鹵素 的氣體攜帶III族金屬元素和摻雜元素以形成包含上述元素鹵化物的混合氣體， 從而克服了氫化物容易分解的缺點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)在m-v族化合物中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的 摻雜。而與前一具體實(shí)施方式
不同的是，本具體實(shí)施方式
是采用兩個(gè)不同的反 應(yīng)舟分別放置III族金屬元素固形物和摻雜元素固形物，并以含有鹵素的氣體 通過(guò)其表面，再將氣體混合。由于III族金屬元素和摻雜元素分開放置，因此 本具體實(shí)施方式
的優(yōu)點(diǎn)在于能夠在更寬的范圍內(nèi)控制摻雜元素的濃度。并且采 用相互獨(dú)立工作的兩套加熱裝置分別控制III族金屬元素和摻雜元素的溫度， 使摻雜元素的濃度更易控制。
10上述控制摻雜元素濃度的方法有很多中，例如可以通過(guò)控制摻雜元素固形 物暴露于鹵素元素的氣體中的表面積來(lái)控制摻雜的水平，通過(guò)將摻雜物固形物 粉碎等方法可以增加其同氣體接觸的表面積；也可以通過(guò)控制鹵素元素的在氣 體中的濃度來(lái)控制摻雜的水平，控制方法可以是采用氫氣或者氮?dú)獾炔慌c摻雜 元素反應(yīng)的氣體以一定的比例稀釋含有鹵素元素的氣體中鹵素的濃度；或者也 通過(guò)改變加熱摻雜元素固形物的溫度來(lái)控制摻雜水平。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些 改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，包括如下步驟提供含有鹵素元素的氣體和由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；加熱III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；將含有鹵素元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面，以生成混有III族金屬元素鹵化物與摻雜元素鹵化物的混合氣體；將所述混合氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求i所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，所述in族金屬元素選自于Ga、 Al和In中的一種或多種，所述摻雜元素選自于硅、鐵、鎂和碳中的一種或多種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，所述由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物中，所有摻雜元素的質(zhì)量之和不大于混合物總質(zhì)量的1%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，所述含有鹵素元素的氣體為氯化氫。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，進(jìn)一步包括如下步驟將混合物加熱到目標(biāo)溫度后進(jìn)行保溫，此步驟于將含有鹵族元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面的步驟之前實(shí)施。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，所述保溫時(shí)間不小于10分鐘。
7. —種氣相外延裝置，包括氯化氫氣體源，用于提供外延反應(yīng)所需的含有鹵素元素的氣體；外延反應(yīng)腔體，用于放置外延襯底并進(jìn)行外延反應(yīng)；以及反應(yīng)舟，所述反應(yīng)舟的進(jìn)氣端與含有鹵素元素的氣體源連通，排氣端與外延反應(yīng)腔體連通，從含有鹵素元素的氣體源釋放出的氣體經(jīng)由反應(yīng)舟流入外延反應(yīng)腔體，參與外延生長(zhǎng)；其特征在于，所述反應(yīng)舟中放置有III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣相外延裝置，其特征在于，所述III族金屬元素選自于Ga、 Al和In中的一種或多種，所述摻雜元素選自于硅、鐵、鎂和碳中的一種或多種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣相外延裝置，其特征在于，所述含有鹵素元素的氣體為氯化氫。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的氣相外延裝置，其特征在于，所述放置于反應(yīng)舟中的由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物中，所有摻雜元素的質(zhì)量之和不大于混合物總質(zhì)量的1%。
11. 一種氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，包括如下步驟提供含有鹵素元素的氣體，以及分開放置的III族金屬元素固形物和摻雜元素固形物；加熱III族金屬元素固形物與摻雜元素固形物；將含有鹵素元素的氣體分成兩路，分別通過(guò)加熱后III族金屬元素固形物和摻雜元素固形物的表面；將混有III族金屬元素鹵化物的氣體與混有摻雜元素鹵化物的氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，通過(guò)控制摻雜元素固形物暴露于鹵素元素的氣體中的表面積來(lái)控制慘雜的水平。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相外延工藝中的慘雜方法，其特征在于，通過(guò)控制鹵素元素的濃度來(lái)控制摻雜的水平。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相外延工藝中的摻雜方法，其特征在于，加熱摻雜元素固形物所達(dá)到的溫度為300-900°C。
15. —種氣相外延裝置，包括含有鹵素元素的氣體源，用于提供外延反應(yīng)所需的氯化氫氣體；外延反應(yīng)腔體，用于放置外延襯底并進(jìn)行外延反應(yīng)；以及兩個(gè)反應(yīng)舟，所述兩個(gè)反應(yīng)舟中的每一個(gè)反應(yīng)舟的進(jìn)氣端都與含有鹵素元素的氣體源連通，排氣端都與外延反應(yīng)腔體連通，從含有鹵素元素的氣體源釋放出的氣體分成兩路分別進(jìn)入兩個(gè)反應(yīng)舟中，并進(jìn)一步通過(guò)反應(yīng)舟流入外延反應(yīng)腔體，參與外延生長(zhǎng)；其特征在于，所述兩個(gè)反應(yīng)舟中的一個(gè)放置有III族金屬元素固形物，另一個(gè)放置有摻雜元素固形物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣相外延裝置，其特征在于，所述兩個(gè)反應(yīng)舟都具有加熱裝置，且兩個(gè)加熱裝置的溫度控制單元相互獨(dú)立工作。
全文摘要
一種氣相外延工藝中的摻雜方法，包括如下步驟提供含有鹵素元素的氣體和由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；加熱III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物；將含有鹵素元素的氣體通過(guò)加熱后的混合物表面，以生成混有III族金屬元素鹵化物與摻雜元素鹵化物的混合氣體；將所述混合氣體通入反應(yīng)室，進(jìn)行III-V族半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)。本發(fā)明進(jìn)一步提供了另一種摻雜方法以及相應(yīng)的兩種摻雜裝置。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，采用由III族金屬與摻雜元素構(gòu)成的混合物與含有鹵族元素的氣體反應(yīng)以生成混合物，克服了氫化物容易分解的缺點(diǎn)，能夠在III-V族化合物中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的摻雜。
文檔編號(hào)C30B25/02GK101665978SQ20091019642
公開日2010年3月10日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者任國(guó)強(qiáng), 張育民, 科 徐, 王建峰 申請(qǐng)人:蘇州納維科技有限公司