專利名稱：一種多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅制造技術(shù)，特別涉及多晶硅氫化爐，具體的是一種多晶硅
氫化爐用新型設(shè)備法蘭。
技術(shù)背景 多晶硅是半導(dǎo)體、大規(guī)模集成電路和太陽能產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)原材料?，F(xiàn)有技術(shù)中 廣泛采用SiHCl3還原法制備多晶硅。生成SiHCl3的過程在多晶硅氫化爐中進(jìn)行，主要反應(yīng)
為&'C/4 +//2 &7/C/3 +i/C/ ，上述反應(yīng)要求溫度控制在125(TC左右。多晶硅氫化爐使
用條件苛刻，多晶硅氫化爐上的設(shè)備法蘭不僅要連接到內(nèi)筒體，而且還要連接到夾套上，結(jié) 構(gòu)和受力復(fù)雜。設(shè)備法蘭上。現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅氫化爐上的設(shè)備法蘭受力不合理，所受軸 向應(yīng)力過大，而徑向應(yīng)力和環(huán)向應(yīng)力卻很小，導(dǎo)致所需螺栓面積增大，惡化設(shè)計(jì)條件，浪費(fèi) 材料。
發(fā)明內(nèi)容 本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，所述的這種多晶 硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭要解決現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅氫化爐的設(shè)備法蘭所受軸向應(yīng)力過大、 而徑向應(yīng)力和環(huán)向應(yīng)力卻很小的技術(shù)問題。 本實(shí)用新型的這種多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭由法蘭盤構(gòu)成，其中，所述的法 蘭盤內(nèi)表面堆焊不銹鋼材料，下表面設(shè)置有一個襯環(huán)，法蘭盤的上端面中沿圓周方向設(shè)置 有一個環(huán)狀槽，所述的環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面的高度大于環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面 的高度。 進(jìn)一步的，環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐內(nèi)筒，環(huán)狀槽外側(cè)
的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐夾套。 進(jìn)一步的，所述的環(huán)狀槽的截面底部呈曲線。 具體的，法蘭盤采用碳鋼材料制造，內(nèi)表面堆焊不銹鋼材料。襯環(huán)焊在法蘭盤下表 面，使用不銹鋼材料。 本實(shí)用新型的工作原理是設(shè)備法蘭受力點(diǎn)在內(nèi)筒、夾套、螺栓、墊圈和墊片上，所 受彎矩明顯較不帶夾套時小，在此結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以采用整體法蘭厚度計(jì)算方法，考慮頸 部大端和頸部小端厚度為內(nèi)筒處和夾套處的疊加厚度，筒體厚度為內(nèi)筒和夾套厚度的疊加 值，可以減小設(shè)備法蘭的計(jì)算厚度，進(jìn)而減小螺栓、螺母、墊圈的規(guī)格和數(shù)量，節(jié)約材料。 本實(shí)用新型和已有技術(shù)相比較，其效果是積極和明顯的。本實(shí)用新型在法蘭盤的 上端面中沿圓周方向設(shè)置有環(huán)狀槽，所述的環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面的高度大于環(huán)狀槽 外側(cè)的法蘭盤上端面的高度，環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐內(nèi)筒，環(huán) 狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐夾套，受力點(diǎn)在內(nèi)筒、夾套、螺栓、墊圈和 墊片上，所受彎矩明顯較不帶夾套時小，在此結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以采用整體法蘭厚度計(jì)算方 法，考慮頸部大端和頸部小端厚度為內(nèi)筒處和夾套處的疊加厚度，筒體厚度為內(nèi)筒和夾套厚度的疊加值，可以減小設(shè)備法蘭的計(jì)算厚度，進(jìn)而減小螺栓、螺母、墊圈的規(guī)格和數(shù)量，節(jié) 約材料。

圖1是本實(shí)用新型的多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本實(shí)用新型的多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 : 如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型的多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，由法蘭盤2構(gòu) 成，其中，所述的法蘭盤2中設(shè)置有一個襯環(huán)l，所述的襯環(huán)1設(shè)置在法蘭盤2內(nèi)壁上，襯環(huán) l的下端向法蘭盤2的下端面翻折并擴(kuò)張延伸，法蘭盤2的上端面中沿圓周方向設(shè)置有一個 環(huán)狀槽，所述的環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤2上端面的高度大于環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤2上端面的 高度。 進(jìn)一步的，環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤2上端面上焊接有多晶硅氫化爐內(nèi)筒4，環(huán)狀槽外 側(cè)的法蘭盤2上端面上焊接有多晶硅氫化爐夾套3。 進(jìn)一步的，所述的環(huán)狀槽的截面底部呈曲線。 具體的，法蘭盤2采用碳鋼材料制造，內(nèi)表面堆焊不銹鋼材料。襯環(huán)1焊法蘭盤2 下表面，使用不銹鋼材料。 本實(shí)施例的工作原理是法蘭盤2與內(nèi)筒4連接部分采用帶頸形式，設(shè)備盤2與夾 套3連接部分也采用帶頸形式，并在頸根加工過渡區(qū)，改善了設(shè)備法蘭受力狀況。設(shè)備法蘭 受力點(diǎn)在內(nèi)筒4、夾套3、螺栓、墊圈和墊片上，所受彎矩明顯較不帶夾套3時小，在此結(jié)構(gòu)的 基礎(chǔ)上可以采用整體法蘭厚度計(jì)算方法，考慮頸部大端和頸部小端厚度為內(nèi)筒4處和夾套 3處的疊加厚度，筒體厚度為內(nèi)筒4和夾套3厚度的疊加值，可以減小設(shè)備法蘭的計(jì)算厚度， 進(jìn)而減小螺栓、螺母、墊圈的規(guī)格和數(shù)量，節(jié)約材料。
權(quán)利要求一種多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，由法蘭盤構(gòu)成，其特征在于所述的法蘭盤中內(nèi)表面堆焊不銹鋼材料，下表面設(shè)置有一個襯環(huán)，法蘭盤的上端面中沿圓周方向設(shè)置有一個環(huán)狀槽，所述的環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面的高度大于環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面的高度。
2. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，其特征在于環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法 蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐內(nèi)筒，環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化 爐夾套。
3. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，其特征在于所述的環(huán)狀槽的 截面底部呈曲線。
專利摘要一種多晶硅氫化爐用新型設(shè)備法蘭，由法蘭盤構(gòu)成，法蘭盤內(nèi)表面堆焊不銹鋼材料，下表面設(shè)置有一個襯環(huán)，法蘭盤的上端面中沿圓周方向設(shè)置有一個環(huán)狀槽，環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面的高度大于環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面的高度。環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐內(nèi)筒，環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅氫化爐夾套。環(huán)狀槽截面底部呈曲線。設(shè)備法蘭受力點(diǎn)在內(nèi)筒、夾套、螺栓、墊圈和墊片上，所受彎矩明顯較不帶夾套時小，在此結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上可以采用整體法蘭厚度計(jì)算方法，筒體厚度為內(nèi)筒和夾套厚度的疊加值，可以減小設(shè)備法蘭的計(jì)算厚度，進(jìn)而減小螺栓、螺母、墊圈的規(guī)格和數(shù)量，節(jié)約材料。
文檔編號C30B29/06GK201473327SQ200920208480
公開日2010年5月19日 申請日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日
發(fā)明者茅陸榮, 鄭松, 鄭飛龍, 郝振良 申請人:上海森和投資有限公司