專利名稱：一種加熱線圈盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于加熱的線圈盤。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的加熱線圈盤由于線圈盤支架上的磁條的內(nèi)端所組成的環(huán)通常大于 35匪，使線盤中間的磁通密度小，導(dǎo)致加熱線圈盤的中心的加熱效果差，甚至出現(xiàn)加熱盲 點(diǎn)。公開編號為特開平11-40338，于1999年2月12日公開的日本專利公開了一種設(shè)置磁 通聚束磁芯板以強(qiáng)化金屬鍋中心部位加熱效果的加熱裝置，在此基礎(chǔ)上，采用并用或有選 擇的搭配使用柱狀磁芯和磁通聚束銅板的方法進(jìn)一步強(qiáng)化中心部位的加熱。但該方案的成 本較高，且在實(shí)際應(yīng)用中強(qiáng)化中心加熱的效果并不明顯。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種加工簡單、
成本低、能強(qiáng)化中心加熱效果的加熱線圈盤。 本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 該加熱線圈盤包括具有若干繞線部和一個(gè)跳線部的線圈盤支架，繞線部和跳線部 呈扇形等分分布在線圈盤支架上，其中繞線部上有若干檔板，相鄰擋板形成線槽，跳線部上 也有若干檔板，相鄰擋板形成線槽，線圈盤支架繞有漆包線，漆包線落入繞線部和跳線部的 線槽中形成線圈，線圈在跳線部跳線使線圈呈同心圓分布，線圈盤支架中心具有帶有孔的 中心磁塊。 所述跳線部的擋板及形成的線槽分別在跳線部的沿圓周方向的兩個(gè)邊沿，跳線部 的中部呈中空。 作為 一 種優(yōu)選方案，中心磁塊的孔的直徑優(yōu)選為10mm-35mm，特別優(yōu)選為 23mm_32mm。 作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述中心磁塊為整體環(huán)形，也可以為兩塊以上的磁塊圍成的 環(huán)形磁塊。 作為更進(jìn)一步的改進(jìn)，環(huán)繞在中心磁塊附近的線圈層數(shù)比遠(yuǎn)離中心磁塊的線圈層 數(shù)多。 作為更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述其中的多層線圈為螺旋狀重疊結(jié)構(gòu)，每圈多層線圈的 最上層漆包線在跳線部的沿圓周方向的一個(gè)邊沿的線槽進(jìn)入另一個(gè)邊沿的次級圈的線槽， 使最上層線圈的漆包線從跳線部的一個(gè)邊沿至另一個(gè)邊沿時(shí)，從上一級圈數(shù)的最上層變?yōu)?下一級圈數(shù)的最下層線圈從而實(shí)現(xiàn)跳線，每圈多層線圈相串聯(lián)。 作為更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述中心磁塊還與長磁條相接，長磁條與繞線部和跳線部 形狀相近，安裝于繞線部和跳線部的背部。中心磁塊與長磁條是一整體或分體。 本實(shí)用新型的有益效果為 本實(shí)用新型的線圈盤支架中心具有帶有孔的中心磁塊，與現(xiàn)有技術(shù)相比，該中心磁塊的孔及外徑明顯小，加強(qiáng)了中間磁通，故強(qiáng)化了線圈盤中心的加熱效果，而且線圈盤結(jié) 構(gòu)簡單，無需其它輔助部件，成本低。 在此基礎(chǔ)上，環(huán)繞在中心磁塊附近的線圈層數(shù)比遠(yuǎn)離中心磁塊的線圈層數(shù)多，通 過孔的磁通量增加，進(jìn)一步強(qiáng)化了線圈盤中心的加熱效果。 在此基礎(chǔ)上，對于線圈盤中的多層線圈，采用每圈連續(xù)繞完全部層數(shù)后再跳線繞 下一圈的繞線方式，這種方式繞出的具有特有結(jié)構(gòu)的線圈盤，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于在繞線 過程中，繞完多層后再跳線，比現(xiàn)有技術(shù)的跳線次數(shù)少，傷線的機(jī)率低，質(zhì)量穩(wěn)定，而且繞線 速度可以大幅提高，使生產(chǎn)效率明顯提高，生產(chǎn)成本顯著降低。
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)行具體描述[0017]

圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為沿圖1A-A線的剖面圖，示出第一種線圈排列方式；圖4為沿圖1A-A線的剖面圖，示出第二種線圈排列方式；圖5為沿圖1A-A線的剖面圖，示出第三種線圈排列方式；圖6為沿圖1A-A線的剖面圖，示出第四種線圈排列方式；圖7為第一種中心磁塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為第二種中心磁塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為第三種中心磁塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為第四種中心磁塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為第五種中心磁塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為中心磁塊與長磁條相接的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型的加熱線圈盤，包括具有若干繞線部11和一個(gè)跳線 部12的線圈盤支架l，繞線部11上有若干檔板lll，相鄰擋板形成線槽112，跳線部12上也 有若干檔板121，相鄰擋板形成線槽122，線圈盤支架1繞有漆包線4，漆包線4落入繞線部 11和跳線部12的線槽112、 122中形成線圈，線圈在跳線部12跳線使線圈呈同心圓分布，線 圈盤支架1中心具有帶有加強(qiáng)中間磁通的孔21的中心磁塊2。 其中，繞線部11可以是長方形，也可以是其它形狀，跳線部12的輪廓與繞線部11 近似，繞線部11和跳線部12呈扇形等分分布在線圈盤支架1上。跳線部12的擋板121及 形成的線槽122分別在跳線部12的沿圓周方向的兩個(gè)邊沿，跳線部12的中部123呈中空。 繞線時(shí)，線圈在跳線部12的中部123的中空部位實(shí)現(xiàn)跳線。 如圖7所示，所述中心磁塊2為整體環(huán)形。如圖8所示，中心磁塊2由兩塊對稱的 磁塊22構(gòu)成。如圖9所示，中心磁塊2由三塊對稱的磁塊22構(gòu)成。如圖10所示，中心磁 塊2由若干塊形狀為長方體的磁塊圍成環(huán)形構(gòu)成。如圖11所示，中心磁塊2為整體環(huán)形， 但該磁塊的圓周上有間隙使其不是一個(gè)完整的圓環(huán)。本實(shí)用新型的中心磁塊2不限于上述 幾種方式，磁塊22還可以是多邊型或其它形狀，不一定每個(gè)磁塊都接觸，只要磁塊可以圍成環(huán)形，形成孔，且孔直徑滿足本實(shí)用新型的要求，即在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。圖1示 出中心磁塊2為如圖7所示結(jié)構(gòu)時(shí)的線圈盤，圖2示出中心磁塊2為如10所示結(jié)構(gòu)時(shí)的線圈盤。 如圖7-圖IO所示，中心磁塊2的孔21的直徑比現(xiàn)有技術(shù)的要小，優(yōu)選為 10mm-35mm。特別優(yōu)選為23mm-32mm，在這個(gè)范圍內(nèi)，中心加熱效果有顯著提高。 如圖3所示，本實(shí)用新型的線圈可以為兩層，當(dāng)然也可以為多層。 為了進(jìn)一步強(qiáng)化中心加熱效果，如圖4-圖5所示，環(huán)繞在中心磁塊2附近的線圈 層數(shù)比遠(yuǎn)離中心磁塊2的線圈層數(shù)多，具體的，圖4示出最上層線圈為單層，在環(huán)繞在中心 磁塊2附近還有兩層線圈即第二層和最下層線圈與最上層線圈局部重疊；圖5示出第二層 線圈為單層，在環(huán)繞在中心磁塊2附近有最上層和最下層線圈與第二層線圈局部重疊；圖6 示出最下層線圈為單層，在環(huán)繞在中心磁塊2附近有最上層和第二層線圈與最下層線圈局 部重疊。當(dāng)然環(huán)繞在中心磁塊2附近的線圈層數(shù)還可以為3層以上，遠(yuǎn)離中心磁塊2的線 圈層數(shù)可以為2層以上。 如圖l-圖6所示，線圈盤中的多層線圈的層與層之間為螺旋狀重疊結(jié)構(gòu)，每圈多 層線圈的最上層漆包線4在跳線部12的沿圓周方向的一個(gè)邊沿的線槽122A進(jìn)入另一個(gè)邊 沿的次級圈的線槽122B，使最上層線圈的漆包線4從跳線部12的一個(gè)邊沿至另一個(gè)邊沿 時(shí)，從上一級圈數(shù)的最上層變?yōu)橄乱患壢?shù)的最下層線圈從而實(shí)現(xiàn)跳線，每圈多層線圈相 串聯(lián)。繞線過程是將漆包線4從線圈盤支架1內(nèi)部的入線口進(jìn)入繞線部11第一圈的線槽 111中，如果第一圈為三層線圈，漆包線4在第一圈上連續(xù)繞三層不跳線，當(dāng)漆包線4繞到第 三層時(shí)進(jìn)入進(jìn)入跳線部12的一個(gè)邊沿的線槽122A中，漆包線4進(jìn)入跳線部12的中部123 中空位置時(shí)，由繞線機(jī)(未示出)將引線裝置沿線圈盤的徑向橫向移動(dòng)一級線圈間隔的位 移，使漆包線4到達(dá)繞線部12的另一個(gè)邊沿時(shí)，正好落入下一圈的線槽122B中，開始進(jìn)行 第二圈的第一層的繞線，同理，漆包線4的第二圈繞到第三層時(shí)，漆包線4從跳線部12 —個(gè) 邊沿的線槽122A進(jìn)入到達(dá)繞線部12的另一個(gè)邊沿時(shí)，正好落入下一圈的線槽122B中，進(jìn) 行第三圈的繞線，以此類推，對于多層線圈，每一圈的最上層線圈的漆包線4從跳線部12的 一個(gè)邊沿至另一個(gè)邊沿時(shí)，從上一級圈數(shù)的最上層變?yōu)橄乱患壢?shù)的最下層線圈從而實(shí)現(xiàn) 跳線。當(dāng)然，漆包線4的入線口不限于線圈盤支架1的內(nèi)部，入線口也可以在線圈盤支架1 的外部，繞線原理相同。 如圖12所示，所述中心磁塊2還與長磁條3相接，長磁條3與繞線部11和跳線部 12形狀相近，安裝于繞線部11和跳線部12的背部。中心磁塊2與長磁條3可以是一整體， 也可以是可分離的，此時(shí)在安裝時(shí)，中心磁塊2與長磁條3可以是相接觸的，也可以不相接 觸。
權(quán)利要求一種加熱線圈盤，包括具有若干繞線部(11)和一個(gè)跳線部(12)的線圈盤支架(1)，繞線部(11)和跳線部(12)呈扇形等分分布在線圈盤支架(1)上，其中繞線部(11)上有若干檔板(111)，相鄰擋板形成線槽(112)，跳線部(12)上也有若干檔板(121)，相鄰擋板形成線槽(122)，線圈盤支架(1)繞有漆包線(4)，漆包線(4)落入繞線部(11)和跳線部(12)的線槽(112、122)中形成線圈，線圈在跳線部(12)跳線使線圈呈同心圓分布，其特征在于線圈盤支架(1)中心具有帶有孔(21)的中心磁塊(2)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈盤，其特征在于所述跳線部(12)的擋板(121)及形成 的線槽(122)分別在跳線部(12)的沿圓周方向的兩個(gè)邊沿，跳線部(12)的中部(123)呈 中空。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈盤，其特征在于？L (21)的直徑優(yōu)選為10mm-35mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈盤，其特征在于？L (21)的直徑優(yōu)選為23mm-32mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈盤，其特征在于所述中心磁塊(2)為整體環(huán)形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的線圈盤，其特征在于所述中心磁塊(2)為兩塊以上的磁塊 (22)圍成的環(huán)形磁塊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的線圈盤，其特征在于環(huán)繞在中心磁塊(2)附近的線 圈層數(shù)比遠(yuǎn)離中心磁塊(2)的線圈層數(shù)多。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的線圈盤，其特征在于所述其中的多層線圈為螺旋狀重疊 結(jié)構(gòu)，每圈多層線圈的最上層漆包線(4)在跳線部(12)的沿圓周方向的一個(gè)邊沿的線槽 (122A)進(jìn)入另一個(gè)邊沿的次級圈的線槽(122B)，使最上層線圈的漆包線(4)從跳線部(12) 的一個(gè)邊沿至另一個(gè)邊沿時(shí)，從上一級圈數(shù)的最上層變?yōu)橄乱患壢?shù)的最下層線圈從而實(shí) 現(xiàn)跳線，每圈多層線圈相串聯(lián)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的線圈盤，其特征在于所述中心磁塊(2)還與長磁條(3)相 接，長磁條(3)與繞線部(11)和跳線部(12)形狀相近，安裝于繞線部(11)和跳線部(12) 的背部。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的線圈盤，其特征在于中心磁塊(2)與長磁條(3)是一整體 或分體。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種加熱線圈盤，包括具有若干繞線部和一個(gè)跳線部的線圈盤支架，繞線部和跳線部呈扇形等分分布在線圈盤支架上，其中繞線部上有若干檔板，相鄰擋板形成線槽，跳線部上也有若干檔板，相鄰擋板形成線槽，線圈盤支架繞有漆包線，漆包線落入繞線部和跳線部的線槽中形成線圈，線圈在跳線部跳線使線圈呈同心圓分布，線圈盤支架中心具有帶有孔的中心磁塊。該中心磁塊的孔及外徑明顯小，加強(qiáng)了中間磁通，故強(qiáng)化了線圈盤中心的加熱效果，而且線圈盤結(jié)構(gòu)簡單，無需其它輔助部件，成本低。
文檔編號H05B6/36GK201528444SQ20092026242
公開日2010年7月14日 申請日期2009年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者李玉青 申請人:李玉青