專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā) 光器件及其制備方法，該器件包括在制備有機(jī)發(fā)光器件的過程中在有機(jī)材料層上形成電極 時用于防止有機(jī)材料層的損傷的層。本發(fā)明要求于2008年1月23日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2008-0007004號 韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，并在此將其公開的全部內(nèi)容通過引用方式并入本申請。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)包括兩個電極(陽極和陰極)以及位于電極之間的一個或 多個有機(jī)材料層。在具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，如果在兩個電極之間施加電壓，空穴 和電子分別由陽極和陰極傳遞到有機(jī)材料層，它們復(fù)合以形成激子，且當(dāng)激子回到基態(tài)時 發(fā)出對應(yīng)于不同能級的光子。基于此原理，有機(jī)發(fā)光器件發(fā)出可見光，且可通過使用此有機(jī) 發(fā)光器件制備信息顯示器件或照明器件。在有機(jī)發(fā)光器件中，在底部發(fā)光類型中，在有機(jī)材料層中產(chǎn)生的光向基板發(fā)射，而 在頂部發(fā)光類型中，光向基板的反方向發(fā)射。在兩側(cè)發(fā)光類型中，光向基板方向和基板反方 向同時發(fā)射。在無源矩陣有機(jī)發(fā)光器件(無源矩陣OLED ；PM0LED)顯示器中，陰極和陽極相互垂 直，且陰極和陽極相互交叉的位置區(qū)域被用作一個像素。因此，底部發(fā)光類型和頂部發(fā)光類 型從有效顯示孔徑比的方面來看相互差別不大。然而，有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件(有源矩陣OLED ；AM0LED)顯示器使用薄膜晶體管 (TFT)作為驅(qū)動每個像素的開關(guān)器件。在TFT的制備中，由于通常需要高溫工藝(至少 數(shù)百。C以上)，在電極和有機(jī)材料層沉積之前在玻璃基板上完成驅(qū)動有機(jī)發(fā)光器件所需的 TFT排列。在此，如上所述，在其上存在TFT排列的玻璃基板被稱為底板。在采用底部發(fā)光 類型制備使用底板的有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件顯示器的情況下，由于向基板發(fā)射的一部分光 被TFT排列阻擋，所以減少了顯示的有效面積比。在為了制備精密顯示器而在一個像素上 設(shè)置多個TFT的情況下，這個問題變得更加嚴(yán)重。因此，在有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件的情況 下，需要以頂部發(fā)光類型制備。在頂部發(fā)光或兩側(cè)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件中，不與基板接觸且在基板對面的電極在 可見光區(qū)域應(yīng)該是透明的。在有機(jī)發(fā)光器件中，如IZO(氧化銦鋅)或ITO(氧化銦錫)的 導(dǎo)電氧化物膜被用作透明電極。然而，由于導(dǎo)電氧化物膜的功函數(shù)非常高(通常> 4. 5eV)， 在使用該導(dǎo)電氧化物膜形成陰極的情況下，由于難以由陰極向有機(jī)材料層注入電子，因此 有機(jī)發(fā)光器件的工作電壓大大提高，且降低了重要的器件性能(如發(fā)光效率等)。因此，需 要制備具有如下結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)光或兩側(cè)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件，其中，依次層疊基板、陰極、 有機(jī)材料層和陽極，即反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。此外，在有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件中，在a-Si TFT(a_Si薄膜晶體管)用作TFT的 情況下，由于a-Si TFT的物理性能是主要電荷載體為電子，因此a-SiTFT的結(jié)構(gòu)是源極結(jié)(source junction)與漏極結(jié)(drain junction)以η-型摻雜。因此，在制備使用a_Si TFT 的有源矩陣器件的情況下，首先在形成于基板上的源極結(jié)或漏極結(jié)上形成有機(jī)發(fā)光器件的 陰極，然后依次形成有機(jī)材料層和形成導(dǎo)電氧化物膜陽極(如ITO或ΙΖ0)。換句話說，制備 出具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其從電荷注入和工藝簡化的角度來看是優(yōu)選的。然而，在制備具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件的工藝中，在置于有機(jī)材料層上的電 極通過使用如IZO或ITO的透明導(dǎo)電氧化物膜形成的情況下，如果使用電阻加熱蒸鍍方 法，在加熱蒸鍍工藝中，由于因熱分解等造成的氧化物本征化學(xué)成分比的變化，導(dǎo)致了性能 (如導(dǎo)電性和可見光透過率)損失。因此，當(dāng)沉積導(dǎo)電氧化物膜時，不使用電阻加熱蒸鍍方 法，且在大多數(shù)情況下，使用了用等離子體的方法，如濺射法。然而，在使用如濺射的方法在有機(jī)材料層上形成電極的情況下，因?yàn)榇嬖谟谟糜?濺射工藝的等離子體中的電荷粒子，有機(jī)材料層可能被破壞。此外，在濺射工藝中，在有機(jī) 材料層上形成電極的原子的動能在幾十至幾千ev之間，這與通過電阻加熱沉積的情況下 的原子動能(通常< IeV)相比非常高。因此，由于粒子向有機(jī)材料層的轟擊，有機(jī)材料層 的物理性能可能降低，從而降低了電子或空穴的注入和傳輸性能以及發(fā)光性能。特別地，主 要包括C和H的共價鍵的有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的薄膜與無機(jī)半導(dǎo)體(例如，Si、Ge、 GaAs等)相比在濺射工藝中對于等離子體是非常脆弱的，且損壞的有機(jī)材料不可能修復(fù)。因此，為了制備性能優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光器件，在使用如濺射的方法在有機(jī)材料層上 形成電極時，需要去除或最小化可能產(chǎn)生的對有機(jī)材料層的傷害。有一種在濺射中控制薄膜的形成速率的方法，從而避免在使用濺射在有機(jī)材料層 上形成電極時可能發(fā)生的對有機(jī)材料層的損害。例如，在RF或DC濺射工藝中可降低RF功 率或DC電壓以減少由濺射靶向有機(jī)發(fā)光器件基板轉(zhuǎn)移的原子數(shù)量和原子的平均動能，從 而減少對有機(jī)材料層的濺射傷害。防止因?yàn)R射對有機(jī)材料層的傷害的另一種方法的例子包括增加濺射靶和有機(jī)發(fā) 光器件基板之間的距離，以增加由濺射靶向基板轉(zhuǎn)移的原子和濺射氣體(例如，Ar)碰撞的 幾率，從而有意地降低原子的動能的方法。然而，在上述方法中，由于沉積速率非常低，在濺射步驟中的處理時間非常長，因 此，顯著降低了制備有機(jī)發(fā)光器件所需的批處理量。此外，由于具有高動能的粒子在低沉積 速率的濺射工藝中可到達(dá)有機(jī)材料層的表面，很難有效地去除因?yàn)R射造成的對有機(jī)材料層 的傷害。文獻(xiàn)[“Transparent organic light emitting devices"Applied Physics Letters Volume 68,May 1996,p. 2606]公開了一種形成陰極的方法，其包括在基板上形成 陽極和有機(jī)材料層，形成具有優(yōu)異的電子注入性能的薄Mg:Ag混合金屬膜，并使用濺射在 其上沉積ΙΤ0。上述文獻(xiàn)的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示。然而，Mg:Ag金屬膜的缺點(diǎn)在 于，可見光的透射率與ITO或IZO的透射率相比較低，且其工藝管理相對復(fù)雜。文獻(xiàn)["A metal-free cathode for organic semiconductor devices "Applied Physics Letters Volume 72,April 1998,p. 2138]公開了在具有包括依次層疊的基板、陽 極、有機(jī)材料層和陰極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，將CuPc層(其對于濺射相對較堅(jiān)固)沉 積在有機(jī)材料層和陰極之間以防止因陰極的沉積造成對有機(jī)材料層的濺射傷害。圖2說明 了在上述文獻(xiàn)中公開的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
然而，通常，CuPc被用作空穴注入層，且在上述文獻(xiàn)中，有機(jī)發(fā)光器件包括依次層 疊的基板、陽極、有機(jī)材料層和陰極，CuPc在有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)材料層和陰極之間充當(dāng)受 到濺射傷害的電子注入層。因此，降低了有機(jī)發(fā)光器件的電荷注入性能和如電流效率等的 相關(guān)器件性能。此外，由于CuPc的光吸收主要在可見光區(qū)域，所述器件的性能隨著該膜厚 度的增加迅速下降。文獻(xiàn)[“ Interface engineering in preparation of organic surface emitting diodes "Applied Physics Letters, Volume 74, May 1999, p. 3209]公開了將另一電子注入 層(例如，Li薄膜)沉積在電子傳輸層和CuPc層之間以改進(jìn)CuPc層的低電子注入性能。 圖3說明了在上述文獻(xiàn)中公開的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。然而，該防止濺射傷害的方法的問 題在于需要額外的金屬薄膜，且難以控制工藝。因此，在具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，需要開發(fā)技術(shù)以防止在形成陽極時對 有機(jī)材料層的傷害。同時，在典型的有機(jī)發(fā)光器件中，將有助于電子注入的薄LiF層沉積在電子傳輸 層和陰極層之間以改進(jìn)由陰極向電子傳輸層(ETL)的電子注入性能。然而，在使用上述方 法的情況下，已知如果將陰極電極用作頂部接觸電極，則電極注入性能優(yōu)異，但如果將具有 反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的陰極電極用作底部接觸電極，則電子注入性能顯著下降。文獻(xiàn)[“An effective cathode structure for inverted top-emitting organic light-emitting device，，Applied Physics Letters，Volume 85，September 2004，p2469] 公開了使用如下結(jié)構(gòu)改進(jìn)電子注入性能的嘗試，該結(jié)構(gòu)包括在陰極電極和電子傳輸層之間 的非常薄的Alq3-LiF-Al層，但其缺點(diǎn)在于工藝非常復(fù)雜。此外，文獻(xiàn)[“Efficient bottom cathodes for organic light-emitting device，，Applied Physics Letters,Volume 85, August 2004，p837]公開了在金屬鹵化物層(NaF、CsF和KF)和電子傳輸層之間沉積薄Al 層以改進(jìn)電子注入性能的嘗試。然而，此方法的問題在于需使用一種新的層。因此，在具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件的情況下，需要一種器件制備工藝簡便同 時改進(jìn)電子注入性能的方法。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，在具有依次層疊的基板、第一電極、兩層以上的有機(jī)材料層、和 第二電極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，在有機(jī)材料層之中，通過向與第二電極接觸的有機(jī)材 料層中摻雜金屬氧化物，可以使在形成第二電極時可能發(fā)生的對有機(jī)材料層的傷害最小 化。藉此，可制備出不對器件的性能造成負(fù)面影響的具有反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)(其中，基板、陰極、有機(jī) 材料層和陽極依次層疊)的頂部發(fā)光或兩側(cè)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)發(fā)光器 件包括在形成有機(jī)發(fā)光器件的電極時能夠防止對有機(jī)材料層的損傷的有機(jī)材料層。技術(shù)方案本發(fā)明的一個實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括依次層疊的基板、第一 電極、兩個以上的有機(jī)材料層、和第二電極，其中，所述有機(jī)材料層包括發(fā)光層，且在所述有 機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層包含金屬氧化物。
8
本發(fā)明的另一個實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光器 件為頂部發(fā)光器件或兩側(cè)發(fā)光器件。本發(fā)明的另一個實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極 以一種薄膜形成技術(shù)形成，在沒有包含金屬氧化物的有機(jī)材料層存在的情況下該薄膜形成 技術(shù)能夠通過具有電荷或高動能的伴生粒子而對有機(jī)材料層造成傷害。本發(fā)明的另一個實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極 包括功函數(shù)在2 6eV之間的金屬或?qū)щ娧趸锬ぁ１景l(fā)明的另一個實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極 為陰極，且所述第二電極為陽極。本發(fā)明的另一個實(shí)施方式提供了一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，其包括以下步 驟在基板上依次層疊第一電極、兩個以上的有機(jī)材料層、和第二電極，其中，有機(jī)材料層中 的一層作為發(fā)光層形成，且在所述有機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層通過向有 機(jī)材料中摻雜金屬氧化物而形成。有益效果在本發(fā)明中，由于包含金屬氧化物的有機(jī)材料，可防止在有機(jī)材料層上形成電極 時可能發(fā)生的對有機(jī)材料層的傷害。因此，在不存在對有機(jī)材料層的傷害(在有機(jī)材料層 上形成電極時可能發(fā)生)的情況下，可制備出具有依次層疊的基板、陰極、有機(jī)材料層和陽 極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。此外，在具有上述反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，在空穴傳輸層 (HTL)材料和金屬氧化物的性能相互混合的情況下，可所制備出的有機(jī)發(fā)光器件具有大大 減少的漏泄電流而不增加操作電壓。漏泄電流被認(rèn)為是空穴傳輸層(HTL)的問題。


圖1說明了已知的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，其中，Mg:Ag層被施加在有機(jī)發(fā)光器件 (其中，基板、陽極、有機(jī)材料層和陰極(ITO)依次層疊)中的有機(jī)材料層和ITO陰極之間；圖2說明了已知的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，其中，CuPc層被施加在有機(jī)發(fā)光器件(其 中，基板、陽極、有機(jī)材料層和陰極(ITO)依次層疊)中的有機(jī)材料層和ITO陰極之間；圖3說明了已知的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，其中，Li薄膜(電子注入層)作為與圖2 中所示的有機(jī)發(fā)光器件中的CuPc層接觸的有機(jī)材料層被層疊；圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)；圖5說明了根據(jù)本發(fā)明的兩側(cè)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)；圖6是說明在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和對比實(shí)施例中制備的有機(jī)發(fā)光器件的漏泄 電流特性的圖；以及圖7是說明在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和對比實(shí)施例中制備的有機(jī)發(fā)光器件的亮度 特性的圖。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)描述本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件包括依次層疊的基板、第一電極、兩個以上的有機(jī)材 料層、和第二電極，其中，所述有機(jī)材料層包括發(fā)光層，且在所述有機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層包含金屬氧化物。該金屬氧化物的例子可包括選自Mo03、WO3和V2O5中的一種或多種，且優(yōu)選地，在 沉積第二電極前將其摻雜到與第二電極接觸的有機(jī)材料層中。相對于形成與第二電極接觸的有機(jī)材料層的組合物，其所包含的金屬氧化物優(yōu)選 為Iwt %以上且小于IOOwt %的濃度，更優(yōu)選為5 50wt%范圍內(nèi)的濃度，且最優(yōu)選為10 30襯％范圍內(nèi)的濃度。在金屬氧化物的濃度小于的情況下，當(dāng)形成第二電極時可能 發(fā)生對有機(jī)膜的傷害。此外，在金屬氧化物的濃度為100襯％的情況下，由于減少了空穴注 入，發(fā)光效率可能降低。在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件中，使包含金屬氧化物的有機(jī)材料層與第二電極接 觸，且可以防止在制備有機(jī)發(fā)光器件的過程中在有機(jī)材料層上形成第二電極時對有機(jī)材料 層的傷害。例如，在有機(jī)材料層上形成第二電極，特別是透明的第二電極時，在使用如濺射 的方法的情況下，有機(jī)材料層可能在進(jìn)行濺射方法時被由等離子體產(chǎn)生并帶電的粒子或具 有高動能的原子造成電氣傷害或物理傷害。通過濺射或其他能夠因伴生電荷或具有高動能 的粒子而對有機(jī)材料層造成傷害的薄膜形成技術(shù)在有機(jī)材料層上形成電極時可能發(fā)生有 機(jī)材料層的傷害。然而，在使用上述方法在包含金屬氧化物的有機(jī)材料層上形成第二電極 時，可能最小化或者防止對有機(jī)材料層的電氣或物理傷害。此外，在將金屬氧化物層包含在第二電極和與第二電極接觸的有機(jī)材料層之間的 情況下，在操作電壓隨金屬氧化物層的厚度增加而迅速增加的同時，通過向與第二電極接 觸的有機(jī)材料層摻雜金屬氧化物，可以減少電壓的增加。此外，在由以下通式1表示的空穴 注入層(HIL)材料的性能和金屬氧化物的性能相互混合的情況下，可大大地減少空穴注入 層(HIL)的漏泄電流的問題。在本發(fā)明中，如以上所述，當(dāng)在有機(jī)材料層上形成第二電極時，通過最小化或者防 止對有機(jī)材料層的電氣或物理傷害，可以防止因有機(jī)材料層的傷害造成的發(fā)光性能的下 降。此外，由于可防止在第二電極形成步驟中對有機(jī)材料層的傷害，當(dāng)形成第二電極時，工 藝變量的控制和工藝設(shè)備的優(yōu)化可以輕易地進(jìn)行，且可以提高工藝的處理量。此外，第二電 極的材料和沉積方法的選擇可以有多種。例如，除了透明電極之外，如Al、Ag、Mo、Ni等的 金屬薄膜還可以以一種薄膜形成技術(shù)(該薄膜形成技術(shù)在沒有包含金屬氧化物的有機(jī)材 料層存在的情況下能夠因伴生電荷或具有高動能的粒子對有機(jī)材料層造成傷害)形成，如 濺射、使用激光的物理氣相沉積(PVD)、離子束輔助的沉積方法或類似的方法。在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件中，通過包含金屬氧化物的有機(jī)材料層的功能，第 二電極的材料和沉積方法可能有不同選擇，因此，當(dāng)制備使用頂部或兩側(cè)發(fā)光的發(fā)光器件 或a-Si TFT的有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件時，可制備具有依次層疊基板、陰極、有機(jī)材料層和陽 極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，而沒有有機(jī)材料層傷害的問題。此外，在本發(fā)明中，通過使用包含金屬氧化物的有機(jī)材料層，可以改進(jìn)有機(jī)發(fā)光器 件的電氣性能。例如，在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件中，在反向偏壓狀態(tài)下，由于減少了漏 泄電流，電流_電壓性能大大改進(jìn)，因此顯示出明顯的整流性能。在此，所述整流性能為二 極管的通性，是指這樣的性能施加反向電壓區(qū)域中的電流強(qiáng)度與施加正向電壓區(qū)域中的 電流強(qiáng)度相比非常小。在本發(fā)明中，包含金屬氧化物的有機(jī)材料層的最佳厚度可根據(jù)形成第二電極時使用的濺射工藝的參數(shù)(如沉積速率、RF功率和DC電壓)而改變。例如，通常，為了進(jìn)行快 速沉積，在使用高電壓和功率的濺射工藝中，有機(jī)材料層的最佳厚度增加。在本發(fā)明中，包 含金屬氧化物的有機(jī)材料層的厚度優(yōu)選為20nm以上，且更優(yōu)選該厚度為50nm以上。在有 機(jī)材料層的厚度小于20nm的情況下，該層可充當(dāng)空穴注入或傳輸層，但由于表面粗糙度增 加，可能發(fā)生空穴注入的減少。同時，優(yōu)選地，該有機(jī)材料層的厚度為IOOnm以下。在該層 的厚度大于IOOnm的情況下，器件的制備工藝的時間非常長，且由于器件的操作電壓的增 加和空腔效應(yīng)而可能發(fā)生色坐標(biāo)的變化。在本發(fā)明中，包含金屬氧化物的有機(jī)材料層可通過使用真空沉積方法或溶液涂覆 方法將其形成在陽極和陰極之間而制備。溶液涂覆方法的例子包括旋涂法、浸漬涂敷法、刮 刀涂覆法、噴墨打印法或熱轉(zhuǎn)印法，但不限于此。如果需要，該包含金屬氧化物的有機(jī)材料 層可進(jìn)一步包含另一種材料。同時，在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件中，優(yōu)選地，一層或多層有機(jī)材料層包含由以 下通式1表示的化合物，且更優(yōu)選地，在所述有機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層 被用作空穴注入層。用于形成空穴注入層的空穴注入材料的具體例子包括選自金屬卟啉的有機(jī)材料、 噻吩低聚物、芳胺系列的有機(jī)材料、六腈六氮雜苯并菲系列的有機(jī)材料、喹吖啶酮系列的有 機(jī)材料、二萘嵌苯系列的有機(jī)材料、以及蒽醌、聚苯胺和聚噻吩系列的導(dǎo)電聚合物中的一種 或多種，但不限于此。優(yōu)選地，可使用由以下通式1表示的化合物。通過向空穴注入材料中 摻雜金屬氧化物的同時使用該化合物，得到了優(yōu)異性能，具體地說，能級和漏泄電流降低且 可防止電壓升高。通式1
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括依次層疊的基板、第一電極、兩個以上的有機(jī)材料層、和第二電極，其中，所述有機(jī)材料層包括發(fā)光層，且在所述有機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層包含金屬氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述金屬氧化物包括選自Mo03、W03和V205 中的一種或多種。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，在與第二電極接觸的有機(jī)材料層中包含 的所述金屬氧化物的濃度為以上且小于100wt%。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)發(fā)光器件為頂部發(fā)光器件或兩 側(cè)發(fā)光器件。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述第二電極以一種薄膜形成技術(shù)形成， 在沒有包含金屬氧化物的有機(jī)材料層存在的情況下該薄膜形成技術(shù)能夠通過具有電荷或 高動能的伴生粒子對有機(jī)材料層造成傷害。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述薄膜形成技術(shù)選自濺射、使用激光的 物理沉積方法和使用離子束的沉積方法中。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述第一電極為陰極，第二電極為陽極， 且該器件是通過首先在基板上形成陰極，隨后在陰極上形成兩個以上的有機(jī)材料層和陽極 而制備的。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述第二電極為功函數(shù)在2 6eV之間的 金屬或?qū)щ娧趸锬ぁ?br> 9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述第二電極為IT0(氧化銦錫)或 IZ0 (氧化銦鋅)。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述與第二電極接觸的有機(jī)材料層為空穴注入層。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述與第二電極接觸的有機(jī)材料層包 含由以下通式1表示的一種或多種化合物
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述通式1的化合物為由以下結(jié)構(gòu)式 1-1 1-6所表示的化合物 [結(jié)構(gòu)式1-1]
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述與第二電極接觸的有機(jī)材料層的厚 度為20nm以上。
14.一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，其包括以下步驟在基板上依次層疊第一電極、兩 個以上的有機(jī)材料層、和第二電極，其中，所述有機(jī)材料層的一層作為發(fā)光層形成，且在所 述有機(jī)材料層中與第二電極接觸的有機(jī)材料層通過向有機(jī)材料中摻雜金屬氧化物而形成。
15.如權(quán)利要求14所述的制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中，所述第二電極以一種薄膜 形成技術(shù)形成，在沒有包含金屬氧化物的有機(jī)材料層存在的情況下該薄膜形成技術(shù)能夠通 過具有電荷或高動能的伴生粒子對有機(jī)材料層造成傷害。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)發(fā)光器件包括依次層疊的基板、第一電極、兩個以上的有機(jī)材料層、和第二電極，其中，所述有機(jī)材料層包括發(fā)光層，且在所述有機(jī)材料層中，與第二電極接觸的有機(jī)材料層包含金屬氧化物。
文檔編號H05B33/14GK101940065SQ200980104664
公開日2011年1月5日 申請日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月23日
發(fā)明者盧正權(quán), 咸允慧, 李政炯, 金正凡 申請人:Lg化學(xué)株式會社