專(zhuān)利名稱(chēng)：構(gòu)造和布置以產(chǎn)生輻射的裝置、光刻設(shè)備以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及被構(gòu)造和被布置以產(chǎn)生輻射的裝置、包括這樣的裝置的光刻設(shè)備以及 器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻 設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將例如掩模的圖案形成裝置用于生 成對(duì)應(yīng)于IC的單層上的電路圖案，且該圖案被成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分 (例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯的一部分)上，所述目標(biāo)部分具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層。 通常，單個(gè)襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括步進(jìn)機(jī)， 在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以 及掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)投影束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿 與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。在光刻設(shè)備中 存在用于產(chǎn)生輻射的裝置或輻射源。在光刻設(shè)備中，可以成像到襯底上的特征的尺寸可能受到投影輻射的波長(zhǎng)的限 制。為了制造具有更高的器件密度的集成電路并且因此需要具有更高的操作速度，期望能 夠使更小的特征成像。雖然大多數(shù)現(xiàn)有的光刻投影設(shè)備采用由汞燈或準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的 紫外光，但是已經(jīng)提出使用約13nm的更短波長(zhǎng)的輻射。這樣的輻射被稱(chēng)為極紫外，也被稱(chēng) 為XUV或EUV輻射。縮寫(xiě)“XUV”通常是指從十分之幾納米至幾十納米的波長(zhǎng)范圍，包含軟 x-射線(xiàn)和真空UV范圍，而術(shù)語(yǔ)“EUV”通常與光刻術(shù)(EUVL) —起使用，且表示從約5-20納 米的輻射帶，即XUV范圍的一部分。放電產(chǎn)生(DPP)源通過(guò)放電在陽(yáng)極和陰極之間的例如氣體或蒸汽的物質(zhì)中產(chǎn)生 等離子體，并且可以隨后通過(guò)流過(guò)等離子體的脈沖電流引起的歐姆加熱來(lái)產(chǎn)生高溫放電等 離子體。在這種情形中，通過(guò)高溫放電等離子體發(fā)射期望的輻射。在操作期間，通過(guò)產(chǎn)生箍 縮來(lái)產(chǎn)生EUV輻射。通常，通過(guò)自由移動(dòng)的電子和離子(已經(jīng)丟失電子的原子)的集合來(lái)形成等離子 體。從原子剝離電子以產(chǎn)生等離子體所需要的能量可以是來(lái)自各種來(lái)源熱、電或光(來(lái)自 激光器的紫外光或強(qiáng)可見(jiàn)光)。關(guān)于箍縮、激光器觸發(fā)作用以及其在具有旋轉(zhuǎn)電極的源中的 I^ffi W^ffll nTU^t J. Pankert, G. Derra, P. Zink, Status of Philips' extreme-UV source, SPIE Proc. 6151-25 (2006)(下文稱(chēng)為:“Pankert 等〃)中找到。已知的實(shí)際的EUV源包括一對(duì)旋轉(zhuǎn)的盤(pán)形電極，所述電極被部分地浸沒(méi)在各自的液體浴器中。旋轉(zhuǎn)所述電極，使得來(lái)自液體浴器的液體被沿著它們的表面輸送。點(diǎn)火源被 配置成通過(guò)在第一電極和第二電極之間的位置處放電而從粘結(jié)至電極的液體觸發(fā)放電產(chǎn) 生的輻射等離子體。典型地，一個(gè)電極處于地電位，而另一電極位于高電壓。電極間隙可能相對(duì)很小， 例如在3mm的量級(jí)上。另外期望保持封閉的區(qū)域并且保持盡可能小的放電電路的自感(典 型地小于15nH)。因此，在大多數(shù)設(shè)計(jì)中，處于高壓下的放電電路的部件相對(duì)地接近處于地 電位的部件。在源的操作期間，作為液體使用的物質(zhì)(例如錫)通過(guò)觸發(fā)器激光器被蒸發(fā)， 且放電使得發(fā)射碎片。由于高溫，通常在高于物質(zhì)的熔點(diǎn)的情況下，蒸發(fā)的和發(fā)射出的物質(zhì) 容易在電極和與之相連的導(dǎo)電部件之間形成大的液滴。這些液滴經(jīng)常使得導(dǎo)電部件短路， 并且因此可能導(dǎo)致源的故障。

發(fā)明內(nèi)容
期望降低短路的發(fā)生。根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種被構(gòu)造和布置成被布置成移動(dòng) 所述第一和第二電極中的至少一個(gè)；其中所述裝置被布置成電供給有電壓，并將所述電壓 至少部分地供給第一和第二電極，以便允許在由所述電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中產(chǎn)生所述放電，所 述放電產(chǎn)生輻射等離子體。光刻設(shè)備還可以包括照射系統(tǒng)，被配置成調(diào)節(jié)來(lái)自輻射產(chǎn)生器的輻射束；支撐 結(jié)構(gòu)，被配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置被配置成在其橫截面中將圖案賦予 輻射束；襯底臺(tái)，被配置成保持襯底；和投影系統(tǒng)，被配置成將圖案化的束投影到襯底的目 標(biāo)部分上，其中所述裝置還包括防護(hù)裝置，所述防護(hù)裝置布置在放電位置和連接至所述電 極的至少一個(gè)上的導(dǎo)電部件之間。液體供給裝置可以布置成在電極上的一個(gè)或更多的位置 上提供液體。液體供給裝置可以布置成在電極之間的位置提供液體。在后者的情形中，液 體供給裝置可以是液體噴射器，其以液滴的形式在電極之間噴射液體。根據(jù)一實(shí)施例，提供了一種光刻設(shè)備，其包括被構(gòu)造和被布置成產(chǎn)生輻射的裝置。 所述裝置包括第一電極和第二電極，以及液體供給裝置，所述液體供給裝置被布置成提供 液體至所述裝置中的位置上。所述裝置被布置成電供給有電壓，且將電壓至少部分地供給 至第一電極和第二電極，以便允許在由電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中產(chǎn)生放電。放電產(chǎn)生輻射等離子 體。所述裝置還包括防護(hù)裝置，其布置在放電位置和連接至第一電極和/或第二電極的導(dǎo) 電部件之間。光刻設(shè)備還包括支撐結(jié)構(gòu)，其被配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置 被配置成在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束；襯底臺(tái)，其被配置成保持襯底；和投影 系統(tǒng)，其被配置成將圖案化的束投影到襯底的目標(biāo)部分上。所述裝置還可以包括點(diǎn)火源，其被配置成至少部分地蒸發(fā)液體，以形成所述氣體 介質(zhì)，以便從由液體供給裝置提供的液體觸發(fā)輻射等離子體，從而導(dǎo)致放電。根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種器件制造方法。所述器件制造方法包括步驟將液體供 給至第一電極和/或第二電極；施加電壓至所述第一電極和所述第二電極以通過(guò)在由所述 電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中的放電位置處的氣體介質(zhì)產(chǎn)生放電；提供布置在所述放電位置和連接至 所述電極中的至少一產(chǎn)生輻射的裝置。該裝置包括布置在放電位置和連接至所述電極中至 少一個(gè)電極的導(dǎo)電部件之間的防護(hù)裝置。除了液體浴器之外，用于產(chǎn)生輻射的裝置可以包括可替代的液體供給裝置，諸如液滴噴射器，其在電極之間噴射液滴，如例如在Proceedings of SPIE—Volume 6517 Emerging Lithographic Technologies XI, Michael J. Lercel, Editor,65170P(Mar. 15, 2007)中所描述的。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供了一種被構(gòu)造和被布置以使用通過(guò)氣體介質(zhì)的放電 產(chǎn)生輻射的裝置。所述裝置包括第一電極和第二電極；和液體供給裝置，所述液體供給裝 置被布置成提供液體至所述裝置中的位置。所述裝置被布置成電供給有電壓，且將所述電 壓至少部分地供給至所述第一電極和所述第二電極，以便允許在由所述電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中 產(chǎn)生所述放電。所述放電產(chǎn)生輻射等離子體。所述裝置還包括防護(hù)裝置，所述防護(hù)裝置被 布置在所述放電位置和被連接至所述第一電極和/或所述第二電極的導(dǎo)電部件之間。所述裝置可以包括被構(gòu)造和被布置以移動(dòng)所述第一電極和/或所述第二電極的 致動(dòng)器。另外，所述液體供給裝置可以是液體浴器，且所述致動(dòng)器可以移動(dòng)所述第一電極和 /或所述第二電極通過(guò)所述浴器。所述液體可以包括錫、鎵、銦和鋰中的至少一種。第一電 極和/或第二電極可以由移動(dòng)的電纜形成。在一實(shí)施例中，第一電極和/或第二電極由可旋轉(zhuǎn)的盤(pán)形成。根據(jù)另一方面，提供了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括上述裝置。典型地，光刻 設(shè)備還可以包括支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)被配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置 被配置成在輻射束的橫截面中將圖案賦予所述輻射束；襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)被配置成保持 襯底；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)被配置成將所述圖案化的束投影到所述襯底的目標(biāo)部分 上。根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備。光刻設(shè)備包括被構(gòu)造和被布置成使用通過(guò) 氣體介質(zhì)的放電產(chǎn)生輻射的裝置，所述裝置包括液體；第一和第二電極；液體供給裝置， 所述液體供給裝置被布置成在所述裝置中的一個(gè)或更多的位置處提供液體；和致動(dòng)器，所 述致動(dòng)器被構(gòu)造和個(gè)電極的導(dǎo)電部件之間的防護(hù)裝置；在所述輻射束的橫截面中將用圖案 使所述輻射束具有圖案；和將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。在操作期間，從放電位置的環(huán)境朝向?qū)щ姴考苿?dòng)的物質(zhì)通過(guò)防護(hù)裝置進(jìn)行收 集，所述防護(hù)裝置布置在放電位置和導(dǎo)電部件之間。由此，它可以防止物質(zhì)在導(dǎo)電部件上聚 集，且防止可能與連接至另一電極的導(dǎo)電部件形成短路。注意到，簡(jiǎn)單地通過(guò)將絕緣材料片 放置在導(dǎo)電部件和連接至另一電極的導(dǎo)電部件之間將通常不能防止這些短路，這是因?yàn)樗?述物質(zhì)將沉積到片上且使得在操作過(guò)程中導(dǎo)電。


參考附圖對(duì)這些和其它方面進(jìn)行了更詳細(xì)地描述，在附圖中圖1示意性地顯示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2A顯示出被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生輻射的現(xiàn)有技術(shù)的裝置的側(cè)視圖；圖2B示意性地顯示出根據(jù)圖2A中的B的這種裝置的俯視圖；圖3A示意性地顯示出根據(jù)本發(fā)明的裝置的實(shí)施例的側(cè)視圖；圖3B示意性地顯示出根據(jù)圖3A中的B的實(shí)施例的俯視圖；圖4示意性地顯示出所述裝置的實(shí)施例；圖5示意性地顯示出所述裝置的實(shí)施例；和
圖6示意性地顯示出所述裝置的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式在下述的詳細(xì)描述中，對(duì)諸多特定細(xì)節(jié)進(jìn)行闡述，以便提供對(duì)本發(fā)明的全面的理 解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。在其 它的情形中，已知的方法、程序和部件沒(méi)有被詳細(xì)描述，以便于不混淆本發(fā)明。然而，本發(fā)明 可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，且不應(yīng)當(dāng)被解釋成被限制成如在此處闡述的實(shí)施例。相反， 這些實(shí)施例被提供，使得這一公開(kāi)內(nèi)容是全面的且完整的。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和 區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被夸大。應(yīng)當(dāng)理解，雖然術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等可以在此處用于描述各種元件、部 件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語(yǔ)的限 制。這些術(shù)語(yǔ)僅是用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。因 此，在沒(méi)有背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，在下文描述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以 被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。在此處參考橫截面視圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，橫截面視圖是本發(fā)明的理 想的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。同理，例如由于制造技術(shù)和/或公差造成示意圖的 形狀的變化將是預(yù)期的。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)解釋成被限制于此處顯示的區(qū)域的 特定形狀，而是應(yīng)當(dāng)解釋成包括例如由于制造的原因造成的形狀上的偏差。除非另外地限定，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所 屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思相同。還將理解，諸如在通常使用的詞典中 限定的這些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋成具有與在相關(guān)技術(shù)的情景中與它們的意思相一致的意思，且 不能以理想化的或過(guò)度形式化的意義進(jìn)行解釋?zhuān)窃诖颂幱删唧w的表達(dá)所限定。圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng) (照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo) (例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié) 構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的 參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，構(gòu)造用 于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底 的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式或反射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影 系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例 如包括一根或多根管芯)上。所述照射和投影系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、衍射型 或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐所述圖案形成裝置，即承擔(dān)圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)MT 以依賴(lài)于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán) 境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的 或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需 要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如 相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù) 語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。
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這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器 件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如 二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩 模類(lèi)型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地 傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的。這里使用的 術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模 臺(tái))的類(lèi)型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái) 上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可 以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成 光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的 幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光 刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射 束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述 外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為s-外部和s-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射 器IL可以包括各種其它部件，例如積分器和聚光器?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射 束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后，所述 輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第 二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線(xiàn)性編碼器或電容傳感器)的幫助， 可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑 中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM 和另一個(gè)位置傳感器IF1用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以 通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位) 的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的 長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相 反)，所述掩模MT可以?xún)H與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記
8Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān) 用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線(xiàn)對(duì)齊標(biāo)記)中。類(lèi) 似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管 芯之間。可以將所述設(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所 述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的 速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描 模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜 止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo) 部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模 式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的 無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。參考圖1中的輻射源S0，典型的(基于錫)的等離子體放電源由液體錫被連續(xù)地 施加到其上的(例如通過(guò)將它們部分地浸沒(méi)到如上文引述的Pankert等中所描述的液體錫 浴器中)兩個(gè)慢旋轉(zhuǎn)的輪子構(gòu)成。所述輪子用作電極，在輪子彼此最靠近的點(diǎn)處建立放電。 除了基于錫的等離子體源之外，還可以使用幾種其它的燃料源來(lái)產(chǎn)生在13. 5nm波長(zhǎng)的EUV 輻射，包括氙和鋰。由于其高的轉(zhuǎn)換效率，通常優(yōu)選將錫用于制造工具規(guī)范。圖2A和圖2B顯示出這樣的已知的輻射源，例如具有旋轉(zhuǎn)盤(pán)電極的基于錫的EUV 源?，F(xiàn)有技術(shù)的源包括兩個(gè)液體浴器la和lb，各自的電極2a和2b旋轉(zhuǎn)通過(guò)所述兩個(gè)液體 浴器。在這一例子中，浴器la、lb中每一個(gè)包含液體錫，并且因此可以被稱(chēng)為液體錫浴器。 浴器la、lb熱耦合至布置在殼體lp、lq中的各自的加熱元件。加熱元件用于在所述裝置啟 動(dòng)時(shí)熔化錫。在所述裝置的正常操作期間，加熱元件被斷開(kāi)，且殼體lp、lq用于將熱量從浴 器la、lb傳導(dǎo)至散熱器(heat sink)。一個(gè)浴器la連接至地電位，另一浴器lb處于高電 壓。在源的正常操作期間，錫通過(guò)脈沖觸發(fā)器激光器6從電極中的一個(gè)蒸發(fā)，隨后在放電位 置3處通過(guò)錫蒸汽建立放電?？梢栽诿恳幻}沖中蒸發(fā)約2 u g的錫，在5kHz的典型重復(fù)率 情況下，其對(duì)應(yīng)于lOmg/s或36g/h。錫碎片可以伴隨放電從不同位置發(fā)射微顆粒主要源 自于電極表面，而大多數(shù)原子和離子碎片來(lái)源于箍縮(在電極之間)。尤其，靠近放電的源 的部件接收相對(duì)大量的碎片。因此，浴器1的側(cè)面上的區(qū)域4可能很快被錫4a污染，且可 能最終累積，導(dǎo)致短路。圖3A和3B顯示出被構(gòu)造和被布置以產(chǎn)生輻射的裝置的實(shí)施例。其中對(duì)應(yīng)于圖2A
9和2B中的部件的部件的參考標(biāo)記比圖2A和2B中所對(duì)應(yīng)的部件的參考標(biāo)記大10。在圖2A 和2B中顯示的實(shí)施例中，所述裝置包括液體浴器lib以及另外的液體浴器11a。浴器11a、 lib經(jīng)由各自的導(dǎo)體耦合至提供電壓V的電容器組C。朝向浴器lib的導(dǎo)體被用隔離器17 隔離開(kāi)。所述裝置包括第一和第二電極12a、12b，所述第一和第二電極12a、12b可以被布置 在各自的液體浴器12a、12b中。第一和第二電極12a、12b通過(guò)各自的致動(dòng)器(未顯示)在 液體和液體上方的體積空間之間移動(dòng)。在顯示的實(shí)施例中，電極12a、12b是部分地通過(guò)浴 器lla、llb中的液體進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的盤(pán)。所述液體可以包括錫。然而，其它液體，例如鎵、銦、鋰 或它們的任意組合可以被使用，來(lái)替代錫，或者除了錫之外，還可以使用上述其它液體。在實(shí)施例中，所述裝置可以?xún)H具有在液體浴器中旋轉(zhuǎn)的一個(gè)電極，而另一電極可 以被布置成靜止的。在這種情況下，旋轉(zhuǎn)電極將液體從浴器朝向放電位置13運(yùn)送。然而， 被靜止地布置的電極可能由于在其表面處的放電沖擊而在操作期間相對(duì)快速地磨損。兩個(gè) 電極12a、12b可以被實(shí)施為在液體浴器中旋轉(zhuǎn)，這是因?yàn)樵谶@種情況下放電沖擊來(lái)自液體 浴器的沿著電極的表面進(jìn)行運(yùn)送的液體。此外，電極12a、12b通過(guò)液體浴器lla、llb的旋 轉(zhuǎn)提供了對(duì)電極12a、12b的冷卻。典型地，錫浴器將比電極(典型地達(dá)到800°C)更冷(例 如在300°C以下)，并且因此可以通過(guò)傳導(dǎo)提供實(shí)質(zhì)的冷卻。點(diǎn)火源16被配置成通過(guò)在第一電極和第二電極之間的間隙中的放電位置13處的 放電從附著于電極的液體觸發(fā)放電產(chǎn)生輻射等離子體。該間隙的寬度約為3mm。點(diǎn)火源16 例如可以被配置成產(chǎn)生激光輻射束，但可以替代地產(chǎn)生電子束。裝置可以進(jìn)一步包括防護(hù)裝置15，該防護(hù)裝置15布置在放電位置和導(dǎo)電部件之 間，浴器11a連接至所述電極12a中的至少一個(gè)。防護(hù)裝置15阻擋從放電位置13至連接至 第一電極12a的導(dǎo)電部件lip和連接至第二電極12b的導(dǎo)電部件llq之間的間隙的直接視 線(xiàn)。防護(hù)裝置15可以被布置成使得電連接至第一電極的導(dǎo)電部件與電連接至第二電極的 導(dǎo)電部件之間的任何間隙從放電位置13是不可見(jiàn)的。然而，實(shí)際上，防護(hù)裝置15僅覆蓋相 對(duì)窄的間隙和/或靠近所述放電位置的間隙，可能是足夠的?？梢匀康鼗虿糠值馗采w這 樣的間隙。如果導(dǎo)電部件與另一導(dǎo)電部件被分離開(kāi)大的距離，例如大于3mm，那么冷凝的液 滴在導(dǎo)電部件之間形成短路橋的風(fēng)險(xiǎn)可能被降低。如果防護(hù)裝置還覆蓋以達(dá)到5mm或甚至 高至1cm的距離分離開(kāi)的任何相互不同的導(dǎo)電部件，那么可以進(jìn)一步最小化所述風(fēng)險(xiǎn)。如 果導(dǎo)電部件與所述放電位置被分離開(kāi)例如大于2cm，那么可能考慮到沉積的液體量如此小 以使得在短時(shí)期內(nèi)它將不會(huì)或至少不太可能導(dǎo)致短路。在所示的實(shí)施例中，防護(hù)裝置15被在朝向液體浴器lib的方向上傾斜，使得在防 護(hù)裝置15上形成的液體的液滴流入到液體浴器lib中。防護(hù)裝置15可以是分離的部件。防護(hù)裝置可以由足夠耐熱的任意材料(例如陶 瓷材料或難熔金屬)制造而成。在所示出的實(shí)施例中，防護(hù)裝置15被設(shè)置成液體浴器lib的組成部分。這可能具 有在防護(hù)裝置15和液體浴器lib之間熱接觸良好的優(yōu)勢(shì)，使得朝向防護(hù)裝置15引導(dǎo)的輻 射引起的熱量可能容易被傳導(dǎo)出去。這一實(shí)施例顯示出防護(hù)裝置不一定需要是分離的部 件，而是可能是連接任一電極的導(dǎo)電部件之一的組成部分，在這種情形中是液體浴器。因 此，通過(guò)設(shè)計(jì)源的幾何形狀，使得導(dǎo)電部件自身覆蓋如上所述的間隙，可以通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明 的實(shí)施例的方式來(lái)保護(hù)所述源防止短路。
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在圖3A和3B中，可以看出，防護(hù)裝置15延伸通過(guò)液體浴器lla、llb之間的假想 平面18。這樣，特別是防止來(lái)自于放電位置13的液體接近浴器lla、llb之間的空間，且將 因此導(dǎo)致浴器lla、llb之間的短路。用于觸發(fā)器激光器的典型參數(shù)可以包括對(duì)于錫放電每一脈沖的能量約是 10-100mJ，和對(duì)于鋰放電約是l-10mj，脈沖的持續(xù)時(shí)間t =約1-lOOns，激光波長(zhǎng)人=約 0. 2-10iim、頻率約為5-lOOkHz。激光源16可以產(chǎn)生被引導(dǎo)至電極12b的激光束，以點(diǎn)燃來(lái) 自浴器lib的附著的液體。由此，電極12b上的液體材料可以在被很好地限定的位置13(即激光束撞擊電極 12b所在的位置)處被蒸發(fā)和預(yù)先電離?？梢詮脑撐恢卯a(chǎn)生朝向電極12a的放電。放電的 精確位置13可以由激光器16來(lái)控制。對(duì)于被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生輻射的裝置的穩(wěn)定性 (即均一性)來(lái)說(shuō)，這是期望的，且可以對(duì)所述裝置的輻射功率的恒定性產(chǎn)生影響。這一放 電在電極12a、12b之間產(chǎn)生了電流。該電流誘導(dǎo)出磁場(chǎng)。磁場(chǎng)產(chǎn)生箍縮或壓縮，其中通過(guò) 碰撞來(lái)產(chǎn)生離子和自由電子。一些電子將降低至比箍縮中的原子的導(dǎo)帶更低的帶，并且因 此產(chǎn)生輻射。當(dāng)從鎵、錫、銦或鋰或它們的任意組合中選擇液體材料時(shí)，輻射包括大量的EUV 輻射。輻射沿所有方向射出，且可以通過(guò)圖1中的照射器IL中的收集器進(jìn)行收集。激光器 16可以提供脈沖激光束。輻射至少在與Z軸線(xiàn)成角度e =約45-105°的角度上是各向同性的。Z軸線(xiàn)是 指與箍縮對(duì)準(zhǔn)的且穿過(guò)電極12a、12b的軸線(xiàn)，且角度0是相對(duì)于Z軸線(xiàn)的角度。輻射也可 以在其它角度上是各向同性的。圖4顯示出所述裝置的實(shí)施例。其中對(duì)應(yīng)于圖3A和3B中的部件的部件的參考標(biāo) 記比圖3A和3B中所對(duì)應(yīng)的部件的參考標(biāo)記大10。如此處所顯示的，浴器21b中的液面高 度延伸超過(guò)防護(hù)裝置25。防護(hù)裝置25具有直立的邊25a。在這一實(shí)施例中，不一定需要朝 向浴器21b傾斜防護(hù)裝置25，以實(shí)現(xiàn)液體返回至浴器21b。圖5顯示出一實(shí)施例，其中通過(guò)移動(dòng)的電纜形成至少一個(gè)電極32b。其中對(duì)應(yīng)于圖 4中的部件的部件的參考標(biāo)記比圖4中所對(duì)應(yīng)的部件的參考標(biāo)記大10。在這一實(shí)施例中，兩 個(gè)電極32a、32b通過(guò)移動(dòng)的電纜來(lái)形成，所述移動(dòng)的電纜被通過(guò)各自的液體浴器31a、31b 進(jìn)行循環(huán)，其可以具有保護(hù)兩個(gè)電極避免被放電磨損和兩個(gè)電極被有效地冷卻的優(yōu)點(diǎn)。在這一實(shí)施例中，兩個(gè)液體浴器，尤其是液體錫3la、3lb被顯示成彼此電絕緣。通 過(guò)電容器組/充電器C在浴器上施加高電壓。通過(guò)浴器，閉合的電纜回路32a、32b在卷軸 (一個(gè)懸掛在浴器的上方(由參考標(biāo)記39c和39d表示)且一個(gè)完全浸沒(méi)在浴器中(由參 考標(biāo)記39a和39b表示))上延伸。提供單個(gè)電纜電極與固定的電極或如相對(duì)于Pankert等 的公開(kāi)出版物在上文所描述的緩慢地旋轉(zhuǎn)的常規(guī)電極是可以的，尤其是當(dāng)在電纜附近區(qū)域 中產(chǎn)生等離子體時(shí)。在示出的實(shí)施例中，液體錫可以在它們從浴器中出來(lái)時(shí)附著于一個(gè)或 兩個(gè)電纜。在兩個(gè)電纜被典型地分開(kāi)幾毫米的位置處，錫可以通過(guò)由激光器36產(chǎn)生的束而 從電纜中的一個(gè)蒸發(fā)。激光器束的功能是作為點(diǎn)火源，所述點(diǎn)火源被配置成通過(guò)在兩個(gè)電 纜之間的放電從附著于電極的液體觸發(fā)放電產(chǎn)生的輻射等離子體。隨后通過(guò)錫蒸汽建立放 電，從而導(dǎo)致在發(fā)射EUV輻射的放電位置33處產(chǎn)生錫等離子體。電纜32a、32b可以圍繞下 卷軸39a、39b纏繞任意次數(shù)，以提供所需要的冷卻作用?？商娲?，多個(gè)卷軸(未顯示出) 可以被浸沒(méi)到液體中，以引導(dǎo)電纜越過(guò)預(yù)定距離通過(guò)液體。典型地，結(jié)合典型的電纜速度預(yù)先確定所述距離，以便允許電纜充分地長(zhǎng)時(shí)間地浸沒(méi)到液體中，以提供適當(dāng)?shù)睦鋮s。通過(guò)經(jīng) 由外部旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)下卷軸或上卷軸，來(lái)實(shí)現(xiàn)電纜的運(yùn)動(dòng)。尤其，電纜可以被移動(dòng)，使得彼此面對(duì)的電纜部件都移動(dòng)到液體浴器31a和31b 中。可替代地，可以反向運(yùn)動(dòng)這些部件，以將電纜移動(dòng)出所述液體浴器。向上和向下的速度 方向的組合是可行的。向下方向的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是立即冷卻通過(guò)液體a的電纜。向上的方向的 一個(gè)優(yōu)點(diǎn)可以是改善液體至電纜32a、32b的附著。傾斜的防護(hù)裝置35收集在這一過(guò)程中 釋放的液體，且允許收集的液體流回至浴器31b中。為了使自感處在不小于約15nH的范圍內(nèi)，可以使得箍縮位于很靠近液體表面的 位置( 10mm)，以便給出可接受的自感對(duì)于5 X 10mm的回路，電線(xiàn)的半徑是0. 4mm，感應(yīng) 值可以被計(jì)算出是L= 12. 3nH。增加電線(xiàn)的半徑可以降低自感。例如1mm的電線(xiàn)的感應(yīng)值 為 L = 6. 8nH。圖6顯示出輻射源的實(shí)施例，所述輻射源也使用電纜43a、43b作為電極。其中的 對(duì)應(yīng)于圖5中的部件的部件的參考標(biāo)記比圖5中所對(duì)應(yīng)的部件的參考標(biāo)記大10。與圖5中 所顯示的實(shí)施例相比較，防護(hù)裝置45與液體浴器41b中的一個(gè)是一體的，且浴器41b中的 液面高度延伸超過(guò)防護(hù)裝置45。雖然圖5和6顯示出鉬作為電纜材料的例子，但是可以使用其它類(lèi)型的材料。尤 其是，如果它們具有足夠的熱穩(wěn)定性的話(huà)，纖維或纖維增強(qiáng)材料可以遭受非常高的(各向 異性的)彈性應(yīng)變。另外，考慮到相對(duì)高的溫度，可以考慮難熔金屬，諸如鉬或鎢。實(shí)際上， 可以使用由編織成的金屬電線(xiàn)構(gòu)成的電纜，其可以降低電纜中整體的彎曲應(yīng)變。在實(shí)施例 中，除了使電纜變形之外，可以用由金屬鏈環(huán)構(gòu)成的鏈來(lái)替換電纜。電纜的直徑的典型的尺 寸可以在約0. 1至2mm之間的范圍內(nèi)。電纜43a、43b可以具有直徑為0. l_2mm的圓形橫截面。另外，可能期望采用具有 平坦表面的一個(gè)或兩個(gè)電纜43a、43b，例如以帶的形式。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這 里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖 案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在 這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位 的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例 如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、 量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處所公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其 它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使 用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。在權(quán)利要求中，措辭“包括”不排除其它元件或步驟，且“一”或“一個(gè)”不排除多 個(gè)。單一部件或其它單元可以實(shí)現(xiàn)在所述權(quán)利要求中所引述的幾個(gè)項(xiàng)目的功能。在相互不 同的權(quán)利要求中引述的特定的措施的僅有的事實(shí)并不表示這些措施的組合不能被使用以 獲得優(yōu)點(diǎn)。權(quán)利要求中的任何參考標(biāo)記不應(yīng)當(dāng)解釋成限制所述保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種被構(gòu)造和被布置以使用通過(guò)氣體介質(zhì)的放電來(lái)產(chǎn)生輻射的裝置，所述裝置包括第一電極和第二電極；液體供給裝置，所述液體供給裝置被布置成提供液體至所述裝置中的位置；所述裝置被布置成電供給有電壓，且將所述電壓至少部分地供給至所述第一電極和所述第二電極，以便允許在由所述電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中產(chǎn)生所述放電，所述放電產(chǎn)生輻射等離子體；以及防護(hù)裝置，所述防護(hù)裝置被布置在所述放電位置和被連接至所述第一電極和/或所述第二電極的導(dǎo)電部件之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置還包括被構(gòu)造和被布置以移動(dòng)所述第一 電極和/或所述第二電極的致動(dòng)器，且其中所述液體供給裝置是液體浴器，且所述致動(dòng)器 移動(dòng)所述第一電極和/或所述第二電極通過(guò)所述浴器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述防護(hù)裝置在朝向所述液體浴器的方向上傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其中所述防護(hù)裝置被設(shè)置成所述浴器的組成部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的裝置，其中所述浴器中的液面延伸超過(guò)所述防護(hù)裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的裝置，還包括第二液體浴器，其中所述防護(hù)裝置 延伸通過(guò)所述液體浴器之間的假想平面。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，還包括點(diǎn)火源，所述點(diǎn)火源被配置成至少 部分地蒸發(fā)所述液體，以形成所述氣體介質(zhì)，以便從由所述液體供給裝置提供的液體觸發(fā) 所述輻射等離子體，從而導(dǎo)致所述放電。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述點(diǎn)火源被配置成產(chǎn)生激光輻射束和/或電子 束，以觸發(fā)所述放電。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述防護(hù)裝置被布置成從所述放電 位置阻擋電連接至所述第一電極的導(dǎo)電部件和電連接至所述第二電極的導(dǎo)電部件之間的 間隙。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述液體供給裝置包括液體噴射 器，所述液體噴射器被配置成將所述液體作為液滴形式噴射在所述第一電極和所述第二電 極之間。
11.一種光刻設(shè)備，包括被構(gòu)造和被布置以產(chǎn)生輻射的裝置；支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)被配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置被配置成在 輻射束的橫截面中將圖案賦予所述輻射束； 襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)被配置成保持襯底；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)被配置成將所述圖案化的束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上， 其中，所述被構(gòu)造和被布置以產(chǎn)生輻射的裝置是根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置。
12.—種器件制造方法，所述方法包括步驟 將液體供給至第一電極和/或第二電極；施加電壓至所述第一電極和所述第二電極以通過(guò)在由所述電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中的放電 位置處的氣體介質(zhì)產(chǎn)生放電；提供布置在所述放電位置和連接至所述電極中的至少一個(gè)的導(dǎo)電部件之間的防護(hù)裝置；在所述輻射束的橫截面中用圖案使所述輻射束圖案化；和 將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括步驟至少部分地蒸發(fā)所述液體，以形成氣體介質(zhì)，以便從所述液體觸發(fā)放電產(chǎn)生的輻射等 離子體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，還包括步驟通過(guò)移動(dòng)所述第一電極和/或第二電極通過(guò)液體浴器，將所述液體供給至所述第一電 極和/或第二電極。
全文摘要
一種裝置被構(gòu)造和被布置成使用通過(guò)氣體介質(zhì)的放電來(lái)產(chǎn)生輻射。所述裝置包括第一電極和第二電極(12a、12b)；和液體供給裝置，其被布置成提供液體至所述裝置中的位置上。所述裝置被布置成電供給有電壓，且將電壓至少部分地供給至第一電極和第二電極，用于允許在由電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)中產(chǎn)生放電。放電產(chǎn)生輻射等離子體。所述裝置還包括防護(hù)裝置，其布置在放電位置(13)和連接至第一電極和/或第二電極的導(dǎo)電部件(11a)之間。
文檔編號(hào)H05G2/00GK101960926SQ200980106786
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
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