專利名稱：交織的多能量輻射源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及輻射源，更具體地，涉及交織的多能量輻射源。
背景技術(shù)：
輻射通常用在目標(biāo)(例如行李、袋子、公文包、集裝 箱等)內(nèi)容物的非損傷性檢查中，以鑒定例如機(jī)場(chǎng)、海港和公共建筑處隱藏的違禁品。違禁品可包括例如隱藏的槍、刀具、 爆炸裝置、非法藥物和特殊核材料(例如鈾和钚)。一種常見(jiàn)的檢查系統(tǒng)是行掃描儀，其中待檢查的目標(biāo)被由X-射線輻射源發(fā)射的輻射的扇形波束或筆形波束穿過(guò)。透過(guò)所述目標(biāo)傳輸?shù)妮椛溆捎谀繕?biāo)內(nèi)容物而在變化程度上衰減，并且被檢測(cè)器陣列檢測(cè)。衰減是輻射束穿過(guò)的材料的類型和量(厚度)的函數(shù)?？僧a(chǎn)生目標(biāo)內(nèi)容物的射線圖像以用于檢查，從而顯示出內(nèi)容物的形狀、尺寸和變化量。在一些情況下可推斷材料類型。在國(guó)界、海港和機(jī)場(chǎng)處集裝箱的檢查是國(guó)家安全的關(guān)鍵問(wèn)題。由于這些集裝箱的高速到達(dá)，因此100%檢查要求各集裝箱的快速成像，標(biāo)準(zhǔn)集裝箱典型地為20-50英尺長(zhǎng) (6. 1-15. 2米)、8英尺高(2. 4米)和6_9英尺寬(1. 8-2. 7米)。更大的空運(yùn)集裝箱(其用于包含多個(gè)行李件或存儲(chǔ)在飛機(jī)機(jī)體中的其他貨物)可最大約240英寸X 118英寸X 96 英寸(6. 1米X3.0米X2.4米)。典型地要求MeV輻射源以產(chǎn)生具有足夠能量的輻射，以穿透標(biāo)準(zhǔn)集裝箱和更大的空運(yùn)集裝箱。MeV輻射源典型地包括粒子加速器，例如線性射頻(“RF”)粒子加速器，以加速帶電粒子；和帶電粒子源，例如電子槍，以注射帶電粒子到加速器中。線性加速器可包括一系列線性布置的電磁耦合的共振腔，其中支持用于加速帶電粒子的駐電磁波或行進(jìn)電磁波。 注射到共振腔中的帶電粒子被加速達(dá)到期望能量并定向?yàn)槌蜣D(zhuǎn)換靶以產(chǎn)生輻射。如果加速的帶電粒子是電子并且靶是重材料(例如鎢)，產(chǎn)生韌致輻射或X-射線輻射。例如，電子加速至6MeV的標(biāo)稱能量并撞擊鎢將引起具有6MV的能量的X-射線輻射的產(chǎn)生。微波(RF)功率源提供RF功率至加速器的腔。微波源可以是振蕩微波功率管例如磁控管，或放大微波功率管例如速調(diào)管。微波源由調(diào)制器提供提供動(dòng)力，其產(chǎn)生高電功率脈沖，例如具有IMW至IOMW的峰值電功率和IkW至40kW的平均功率。調(diào)制器輸出的特性可變化以使微波功率源的輸出改變。例如，驅(qū)動(dòng)振蕩器或放大器的高電壓脈沖的振幅可變化以改變微波功率輸出?？蛇x擇地，在放大器中，微波輸入信號(hào)可變化以改變微波功率輸出。例如可具有5000的有載Q值的加速器對(duì)于輸入RF功率的頻率非常敏感。當(dāng)微波功率的中心頻率匹配加速器的共振頻率時(shí)，實(shí)現(xiàn)由RF源提供的微波功率的最大接收。否貝U，提供至加速器的一些或大部分微波功率將被反射，從而抑制帶電粒子加速至期望的波束能量。RF頻率可通過(guò)機(jī)械或電調(diào)諧器調(diào)節(jié)以匹配加速器的共振頻率。提供至加速器的RF功率引起加速器結(jié)構(gòu)的加熱和膨脹，這引起加速器共振頻率的緩慢頻率偏移。這種偏移在運(yùn)行的第一分鐘或二分鐘是最引人注目的，但由于環(huán)境條件可持續(xù)。
通常需要自動(dòng)頻率控制器(“AFC”)以伺服RF源頻率來(lái)追蹤加速器的共振頻率， 如本領(lǐng)域已知的。AFC采樣和比較提供至加速器的微波信號(hào)與從加速器反射的那些信號(hào)，以確定微波源的要求的調(diào)諧。AFC通常足以在穩(wěn)定狀態(tài)的運(yùn)行過(guò)程中使RF源的頻率匹配加速器的共振頻率。AFC的例子在美國(guó)專利No. 3，820，035中有所描述，其通過(guò)引用的方式并入本文中。當(dāng)使用磁控管時(shí)，磁控管中的脈沖間頻率顫動(dòng)還可引起磁控管的頻率和加速器的共振頻率之間的較小失配。這種失配在脈沖間變化，并且增加一些噪音至系統(tǒng)。這可通過(guò)反射器和可變移相器，經(jīng)過(guò)將從加速器發(fā)射的一些微波功率供回到磁控管中來(lái)改善，例如如美國(guó)專利No. 3，714，592中所述，也通過(guò)引用的方式并入本文中。反射器/可變移相器可稱為“相棒”。難以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)X-射線掃描來(lái)區(qū)分核裝置和核材料與可包含在目標(biāo)內(nèi)的其他密集或稠密物品?？赏ㄟ^(guò)X-射線掃描導(dǎo)出的關(guān)于目標(biāo)內(nèi)容物的材料類型的信息可通過(guò)使用MV能量范圍內(nèi)的輻射束來(lái)增強(qiáng)，所述輻射束具有兩種或更多種和目標(biāo)的材料內(nèi)容物進(jìn)行不同相互作用的不同能量譜。例如，由目標(biāo)內(nèi)容物引起的6MV X-射線輻射束的衰減不同于由相同內(nèi)容物引起的9MV X-射線輻射束的衰減，這是因?yàn)榭灯疹D散射的不同效應(yīng)和針對(duì)不同能量束的誘導(dǎo)的對(duì)產(chǎn)生。在兩種χ-射線能量的衰減比例可指示輻射束穿過(guò)的材料的原子數(shù)，例如如美國(guó)專利No. 5，524，133中所述。更復(fù)雜的雙能分析技術(shù)例如在美國(guó)專利No. 7，257，188中有所描述，其轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人，并且通過(guò)引用的方式并入本文中。高和低能量的衰減比例還可針對(duì)目標(biāo)厚度來(lái)作圖，以促進(jìn)材料鑒別，如“Dual Energy X-ray radiography for automatic high-Z material detection,，，G. Chen 等，NIM(B),卷
(2007)，第；356-359頁(yè)中所述。有用的是能夠通過(guò)單個(gè)輻射源產(chǎn)生具有在MV范圍內(nèi)的不同標(biāo)稱能量的輻射束， 以例如用于集裝箱和其他目標(biāo)的雙能檢查。在美國(guó)專利No. 7，130，371B2所述的交織的雙能加速器的例子中，不同電子束能量通過(guò)下列方式在行進(jìn)波加速器中獲得以同步的方式改變加速器的電子束負(fù)載和RF頻率，從而改變加速的效果。已知沒(méi)有該方案的領(lǐng)域應(yīng)用的成功記錄，這可能是由于系統(tǒng)的復(fù)雜性和穩(wěn)定性問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
單個(gè)加速器可通過(guò)RF功率發(fā)生器、經(jīng)過(guò)在兩種不同RF功率電平下激發(fā)而加速電子或其他帶電粒子束至不同能量?？杀仨氃趦煞N功率電平的產(chǎn)生之間快速切換功率發(fā)生器。例如在毫秒級(jí)別上進(jìn)行切換可是期望的。隨著RF功率在脈沖間變化，RF功率脈沖的頻率、以及加速器的共振頻率也可在脈沖間變化。有利的是在脈沖間的基礎(chǔ)上用于使由RF功率發(fā)生器產(chǎn)生的RF功率脈沖的頻率匹配加速器的共振頻率的改善技術(shù)。本發(fā)明的實(shí)施方案提供在基于速調(diào)管以及機(jī)械和電調(diào)諧磁控管的雙能量或多能量系統(tǒng)中改善的頻率控制。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，公開(kāi)一種運(yùn)行加速器的方法，包括產(chǎn)生具有第一功率和第一頻率的第一射頻功率脈沖；產(chǎn)生具有不同于第一功率和第一頻率的第二功率和第二頻率的第二射頻功率脈沖，以及以預(yù)定順序提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)加速器的共振腔。該方法還包括在提供第一射頻功率脈沖至加速器的同時(shí)，使第一射頻功率脈沖的第一頻率匹配加速器的第一共振頻率，并且在提供第二射頻功率脈沖至加速器的同時(shí)，使第二射頻功率脈沖的第二頻率匹配加速器的不同于第一共振頻率的第二共振頻率。依照相關(guān)實(shí)施方案，公開(kāi)一種產(chǎn)生多種能量的輻射的方法，包括依次提供第一電功率和第二電功率至微波功率發(fā)生器。所述第二電功率不同于所述第一電功率。至少部分基于所述第一和第二電功率，通過(guò)所述功率發(fā)生器依次產(chǎn)生第一射頻功率脈沖和第二射頻功率脈沖，所述第一射頻功率脈沖具有在第一頻率的第一功率，所述第二射頻功率脈沖具有在不同于所述第一頻率的第二頻率的不同于所述第一功率的第二功率。依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)粒子加速器的共振腔。該方法還包括在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率，并且在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率匹配所述加速器的不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率。 將帶電粒子注射到所述加速器的所述共振腔中，至少部分基于所述第一和第二射頻功率脈沖，將帶電粒子通過(guò)所述加速器依次加速至在加速器的第一共振頻率的第一能量和在加速器的不同于第一共振頻率的第二共振頻率的第二能量。第一和第二加速的帶電粒子依次碰撞靶以產(chǎn)生分別具有第一和第二能量的輻射。依照本發(fā)明的另一實(shí)施方案，公開(kāi)一種多能量輻射源，包括用于加速帶電粒子的加速器；帶電粒子源，所述帶電粒子源耦合到所述加速器以提供帶電粒子至所述加速器； 和所述加速器下游的靶。所述加速的帶電粒子在所述靶上的撞擊引起輻射的產(chǎn)生。所述源還包括功率發(fā)生器，所述功率發(fā)生器耦合到所述加速器以選擇性提供第一和第二射頻功率脈沖至所述加速器。所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一射頻功率脈沖的功率和頻率。所述源還包括第一構(gòu)件，所述第一構(gòu)件用于在所述第一射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，使所述功率發(fā)生器的第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及第二構(gòu)件，所述第二構(gòu)件用于在所述第二射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，使所述功率發(fā)生器的第二頻率匹配所述加速器的第二共振頻率。所述第一帶電粒子在所述靶上的撞擊引起在第一能量的輻射的產(chǎn)生，并且所述第二帶電粒子在所述靶上的撞擊引起在不同于所述第一能量的第二能量的輻射的產(chǎn)生。依照另一實(shí)施方案，公開(kāi)一種產(chǎn)生多種能量和劑量的輻射的方法，包括依次提供第一電功率和第二電功率至微波功率發(fā)生器，所述第二電功率不同于所述第一電功率；至少部分基于所述第一和第二電功率，通過(guò)所述功率發(fā)生器依次產(chǎn)生第一射頻功率脈沖和第二射頻功率脈沖，所述第一射頻功率脈沖具有第一功率，所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一功率的第二功率；以及依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)粒子加速器的共振腔。該方法還包括依次驅(qū)動(dòng)在不同于所述第一電功率的第三電功率和第四電功率的帶電粒子源；注射帶電粒子的第一和第二流到所述加速器的所述共振腔中，其中所述第一和第二流分別至少部分基于所述第三和第四電功率；以及至少部分基于所述第一和第二射頻功率脈沖，通過(guò)所述加速器依次加速所述注射的帶電粒子至第一能量和不同于所述第一能量的第二能量。加速的帶電粒子的所述第一和第二流碰撞靶，以產(chǎn)生具有第一和第二不同的能量與第一和第二不同的各自劑量率的輻射。在本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)例子中，在基于機(jī)械調(diào)諧的磁控管的加速器系統(tǒng)的交織的運(yùn)行中，AFC用于調(diào)節(jié)在一個(gè)功率電平的磁控管頻率。例如，磁控管調(diào)諧可通過(guò)AFC調(diào)節(jié)，使得當(dāng)高RF功率脈沖被提供至加速器時(shí)，由磁控管產(chǎn)生的高RF功率脈沖的頻率匹配加速器的共振頻率。在另一 RF功率電平，在該例子中是低RF功率脈沖，在這樣的條件下運(yùn)行磁控管，在該條件下其經(jīng)歷頻率偏移，這在低RF功率脈沖被提供至加速器的同時(shí)，該頻率偏移至少部分匹配加速器的共振頻率偏移。該條件可包括從調(diào)制器提供至磁控管的電功率脈沖的電壓的振幅。該條件還可包括保持磁控管的磁場(chǎng)恒定。相棒還可使磁控管頻率匹配共振頻率(如果需要)以用于高和低能量脈沖。替代地，AFC可在低能量脈沖的過(guò)程中使用，并且磁控管可在這樣的條件下運(yùn)行，在該條件下在高RF功率脈沖的過(guò)程中，磁控管頻率偏移匹配加速器的共振頻率偏移。在本發(fā)明的實(shí)施方案的另一例子中，在基于電調(diào)諧磁控管或速調(diào)管的系統(tǒng)中，兩個(gè)獨(dú)立AFC控制可用于確定用于磁控管的參考電壓，或者RF激發(fā)器頻率控制分別用于 高RF 功率脈沖和低RF功率脈沖。然后這些電壓在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上用于控制磁控管或RF激發(fā)器頻率。依照另一實(shí)施方案，可對(duì)于不同能量束脈沖提供不同電子束流以通過(guò)在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上控制粒子源(例如電子槍)實(shí)現(xiàn)對(duì)于各能量脈沖的期望劑量輸出。對(duì)于二極管槍或三極管槍，電壓脈沖振幅或計(jì)時(shí)相對(duì)于微波脈沖可變化。對(duì)于三極管槍，柵壓也可在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上改變。


圖1是依照本發(fā)明的實(shí)施方案的多能量輻射源的例子的示意圖；圖2是提供至磁控管的PFN電壓對(duì)磁控管頻率(MHz)的例子的圖；圖3是用于圖1的輻射源的波形和信號(hào)計(jì)時(shí)的例子；圖4是依照?qǐng)D1的實(shí)施方案的多能量輻射源的另一例子，其包括固態(tài)調(diào)制器 (“SSM”)；圖5是依照本發(fā)明的實(shí)施方案的多能量輻射源的另一例子的示意圖，其中速調(diào)管用于驅(qū)動(dòng)加速器；圖6是圖5的多能量輻射源的波形和信號(hào)計(jì)時(shí)的例子；圖7是圖5的多能量輻射源的波形和信號(hào)計(jì)時(shí)的另一例子；和圖8是依照本發(fā)明的實(shí)施方案的多能量輻射源的另一例子，其包括電調(diào)諧磁控管。
具體實(shí)施例方式圖1是依照本發(fā)明的實(shí)施方案的多能量輻射源100的例子的示意圖。在該例子中， 輻射源100被構(gòu)造為以交織的方式加速帶電粒子(例如電子)至第一和第二標(biāo)稱能量，并且使加速的帶電粒子碰撞靶，從而以交織的方式產(chǎn)生具有兩種不同能量譜的輻射，一種具有高能量并且另一種具有低能量。在一個(gè)例子中，第一標(biāo)稱電子能量是6MeV，其引起產(chǎn)生 6MV輻射束(在該例子中是高能的)，并且第二標(biāo)稱能量是3. 5MeV,其引起產(chǎn)生3. 5MV輻射束(在該例子中是低能的)，以200或300脈沖/秒(“pps”)的脈沖速率?？稍谳^低或較高脈沖速率下產(chǎn)生能量的其他組合，例如9MV和6MV。脈沖速率可以是例如400pps。例如以任何期望的順序可產(chǎn)生多于兩種的輻射能量，例如6MV、9MV和15MV。輻射源100例如包括引導(dǎo)器或加速器102、耦合到加速器的帶電粒子源104和通過(guò)漂移管108耦合到加速器的靶106。通過(guò)帶電粒子源104提供至加速器102的帶電粒子被加速器加速達(dá)到期望能量，并且定向?yàn)槌虬?06。加速的帶電粒子和靶的撞擊引起產(chǎn)生輻射。例如帶電粒子可以是電子，并且?guī)щ娏Ｗ釉?04可以是電子槍，例如二極管或三極管電子槍。靶106可例如包含鎢。在加速的電子撞擊重靶材料(例如鎢)的情況下，撞擊引起產(chǎn)生X-射線輻射，如本領(lǐng)域已知的。加速器102可包括多個(gè)電磁耦合的共振腔(未示出)，其被構(gòu)造為使得腔中的不同電磁場(chǎng)強(qiáng)度使電子加速至不同標(biāo)稱能量，例如在該例子中的6MeV和3. 5MeV，如本領(lǐng)域已知的。加速至不同標(biāo)稱能量的電子在靶上的撞擊引起產(chǎn)生具有不同能量的χ-射線輻射束，例如在該例子中分別為6MV和3. 5MeV，如本領(lǐng)域已知的。加速器102可以是電子線性加速器，其包括多個(gè)軸向?qū)R的電磁耦合的共振腔 (未示出)，如本領(lǐng)域已知的。線性加速器可以例如是S-波段或X-波段駐波線性加速器。 合適的加速器是Linatron Μ 系列χ-射線源中使用的Μ6Α系列S-波段線性加速器，其得自 Varian Medical Systems, Inc.，Palo Alto, CA，其標(biāo)稱共振頻率為約 ^98MHz。M6A 線性加速器被構(gòu)造為產(chǎn)生具有6MV和3. 5MV的標(biāo)稱能量的X-射線輻射束。加速器102的有載Q可以是例如5000。可使用行進(jìn)波線性加速器來(lái)代替。在圖1的例子中，加速器102由微波功率(在本領(lǐng)域中也稱為RF功率)提供動(dòng)力，其由磁控管110提供。磁控管110的頻帶被選擇為匹配加速器102的頻帶。在該例子中，由于加速器是S-波段加速器，因此磁控管110被構(gòu)造或選擇為也在S-波段中產(chǎn)生RF 功率。磁體111定位為鄰近磁控管110以提供需要的磁場(chǎng)至磁控管，如本領(lǐng)域已知的。磁體111可具有例如1500高斯的磁場(chǎng)強(qiáng)度。磁體111可以是永磁體或電磁體。在該例子中， 磁體111是提供可調(diào)節(jié)的磁場(chǎng)的電磁體，其在運(yùn)行過(guò)程中保持恒定。由磁控管110產(chǎn)生的RF功率在每個(gè)循環(huán)以RF功率的個(gè)別脈沖的形式提供至加速器102內(nèi)的共振腔。RF功率的各脈沖包括大量RF微脈沖。在該例子中微脈沖的頻率由磁控管110的機(jī)械調(diào)諧和下文描述的其他因素來(lái)設(shè)定。RF功率在共振腔內(nèi)建立電磁駐波。駐波加速由電子槍104提供至腔中的電子(或其他這樣的帶電粒子)，從而導(dǎo)致電子束，所述電子束包括加速至標(biāo)稱能量的電子，所述標(biāo)稱能量高達(dá)針對(duì)提供的RF功率的加速器的設(shè)計(jì)最大加速能量。在一個(gè)例子中，磁控管110產(chǎn)生大致2. 6MW和1. 5MW的RF功率，從而分別導(dǎo)致6MeV 和3. 5MeV的標(biāo)稱加速的電子能量，并分別產(chǎn)生6MV和3. 5MV X-射線輻射束。在該例子中， 磁控管110能夠以例如200脈沖/秒(“pps”)或300pps在RF功率之間進(jìn)行切換。在該例子中，磁控管110可以例如是MG5193-Alphatr0n機(jī)械調(diào)諧S-波段磁控管， 其得自e2v Technologies Inc.，Elmsford, NY “e2v”)。根據(jù)由e2v提供的信息，磁控管 110可以在^93MHz至3002MHz的頻率范圍內(nèi)是調(diào)諧的，具有高達(dá)2. 6MW的峰值輸出功率， 并且是水冷卻的。頻率范圍據(jù)說(shuō)通過(guò)以4. 75轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動(dòng)其機(jī)械調(diào)諧器來(lái)實(shí)現(xiàn)。最大允許的峰值陽(yáng)極電壓據(jù)說(shuō)48kV。最大允許的峰值陽(yáng)極電流據(jù)說(shuō)110安培。最大平均輸入電功率據(jù)說(shuō)6. OKff0脈沖持續(xù)時(shí)間據(jù)說(shuō)約5. 0微秒(μ s)。循環(huán)器112例如3-端口循環(huán)器設(shè)置在磁控管110和加速器102之間，以例如通過(guò)下列方式使磁控管和加速器102分離使從加速器反射遠(yuǎn)離磁控管的RF功率定向?yàn)槌蝰詈系窖h(huán)器的水負(fù)載114。水負(fù)載114吸收反射的RF功率。定向朝向水負(fù)載的一些RF功率被反射回循環(huán)器112，其通過(guò)相棒116使該RF功率定向朝向磁控管110，如本領(lǐng)域已知的。這有助于穩(wěn)定磁控管110，通過(guò)牽引磁控管的頻率至加速器102的頻率而降低磁控管 110中的脈沖間頻率顫動(dòng)。相棒116可以是設(shè)置在循環(huán)器112和水負(fù)載114之間的反射器 /可變移相器。反射器/可變移相器的例子在上面和美國(guó)專利No. 3，714，592中有所描述， 其通過(guò)引用的方式并入本文中。這種頻率牽引在狹窄頻率范圍例如至多約IOOkHz內(nèi)是有效的。在 圖1的例子中，磁控管110被調(diào)制器117驅(qū)動(dòng)，調(diào)制器117包括電功率源例如高壓電源(“HVPS”)118、脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(“PFN”)120和閘流管124。HVPS 118對(duì)PFN 120進(jìn)行充電以用于每個(gè)脈沖。PFN 120的輸出可提供至任選的變壓器(“XFMR”)122。閘流管 124連接到PFN120的一端，并且變壓器122連接到另一端。高控制電壓(控制VI) 126和低控制電壓(控制V2)128由電壓供應(yīng)(未示出)提供至控制電壓和HVPS 118之間的模擬開(kāi)關(guān)130。例如，模擬開(kāi)關(guān)130被構(gòu)造為以在產(chǎn)生具有較高和較低標(biāo)稱能量的X-射線輻射束之間的期望的切換速率例如200脈沖/秒(“pps”)或300pps在控制Vl和控制V2之間進(jìn)行切換。模擬開(kāi)關(guān)130可被來(lái)自控制器132的邏輯信號(hào)所控制，所述邏輯信號(hào)被編程為引起以期望速率和期望時(shí)間在各循環(huán)內(nèi)進(jìn)行切換。提供選擇的控制電壓至HVPS 118，其對(duì) PFN 120進(jìn)行充電至相應(yīng)的較高或較低電壓，這取決于接收的控制電壓。在該例子中，控制 Vl設(shè)定為8. 8伏特并且控制V2可設(shè)定為6. 4伏特，以分別將高電壓設(shè)定為22kV和將低電壓設(shè)定為16kV。可選擇其他其他電壓設(shè)定。例如，控制器132可包括簡(jiǎn)單邏輯控制電路系統(tǒng)或處理器例如微處理器。在PFN 120被HVPS 118充電至合適的電平，在X-射線成像要求的時(shí)間，控制器 132或另一控制器使閘流管124導(dǎo)通，從而釋放儲(chǔ)存在PFN 120中的電功率至變壓器122。 HVPS 118的輸出也對(duì)地短路。HVPS 118被設(shè)計(jì)為當(dāng)短路時(shí)引發(fā)自保護(hù)，如本領(lǐng)域已知的。 變壓器122使脈沖的電壓增加至磁控管110所要求的電平。在該例子中，變壓器122還驅(qū)動(dòng)電子槍104，從而節(jié)約成本和降低提供另外功率源的復(fù)雜性。電子槍可以例如是二極管槍。電子槍104和變壓器122之間的分線開(kāi)關(guān)134在變壓器122上的分接頭之間進(jìn)行切換，以使期望的電壓連接到電子槍。如本領(lǐng)域已知的，提供至電子槍104的電壓確定由電子槍提供至加速器102的電子束流，這影響產(chǎn)生的輻射的劑量率(dose rate)?？善谕氖且圆煌瑒┝柯蔬f送不同輻射束。分線開(kāi)關(guān)134可以與模擬開(kāi)關(guān)130在控制電壓126、128之間進(jìn)行切換的速率相同的速率在分接頭之間進(jìn)行切換。 從而如果需要，劑量率可以在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上改變。分線開(kāi)關(guān)134可由控制器132或由另一控制器來(lái)控制。由HVPS 118提供的部分電壓運(yùn)行至電負(fù)載，在該情況下變壓器122和磁控管110 連接到變壓器的次級(jí)側(cè)。在該例子中，在由HVPS 118輸出22kV的例子中，IlkV運(yùn)行至負(fù)載， 并且在16kV的例子中，IOkV運(yùn)行至負(fù)載。變壓器122例如分別升高IlkV和IOkV至44kV 和40kV，其提供至磁控管110。在產(chǎn)生不同RF功率脈沖的同時(shí)保持磁場(chǎng)恒定，從而導(dǎo)致磁控管110中的不同阻抗，如本領(lǐng)域已知的。在該例子中，變壓器122還通過(guò)另一次級(jí)纏繞來(lái)驅(qū)動(dòng)電子槍104。如上所述，變壓器122是任選的。替代地，HVPS 118和/或PFN 120可被構(gòu)造為產(chǎn)生更高電壓。變壓器122可具有多個(gè)輸出或分接頭以用于槍電壓。在該例子中，在變壓器上存在九個(gè)(9)分接頭，從而在例如25kV的PFN電壓下提供1. 4,2. 1,2. 8,4. 4,6. 0,7. 6,9. 0、 10. 6和12kV的標(biāo)稱電壓。九個(gè)分接頭中的兩個(gè)連接到分線開(kāi)關(guān)134側(cè)的輸入，這基于在特定應(yīng)用中需要產(chǎn)生高和低能量輻射束的期望劑量率的電子流。兩個(gè)分接頭可人工選擇并連接到分線開(kāi)關(guān)134的輸入。變壓器可例如得自Mangenes Industries,Palo Alto,CA0分線開(kāi)關(guān)134，其在本例子中可以是以200pps或300pps的速率切換的固態(tài)分線開(kāi)關(guān)，也可以例如得自 Stangenes Industries of Palo Alto, CA。代替變壓器122，可提供單獨(dú)功率源123(圖1中的虛像所示)以驅(qū)動(dòng)電子槍104， 從而在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上改變功率。在該情況下，槍電壓脈沖的計(jì)時(shí)可相對(duì)于RF脈沖調(diào)節(jié)， 從而增加另外靈活性至劑量輸出的控制。此外，除了使用二極管槍，可使用三極管槍。在三極管槍的情況下，柵壓和計(jì)時(shí)可調(diào)節(jié)，從而進(jìn)一步增加另外靈活性至劑量輸出的控制。如果設(shè)置功率源123，則功率源123也可由控制器132或其他這樣的控制器來(lái)控制。如上所述，加速器102是共振結(jié)構(gòu)，其RF功率接收對(duì)于RF頻率敏感。RF功率脈沖的頻率和加速器的共振頻率之間的匹配越好，接收越好。如果匹配不夠，則接收到加速器 102中的RF功率可能不足以充分地激發(fā)加速器腔內(nèi)部的電磁場(chǎng)以加速電子至期望能量，如本領(lǐng)域已知的。然而，提供至加速器102的RF功率可加熱加速器組件，從而引起可使共振頻率偏移的膨脹?？梢鸸舱耦l率變化的其他因素包括加速器102的振動(dòng)。因此，磁控管110的 RF輸出頻率必須改變以匹配共振頻率，從而確保足夠的RF功率被加速器102接收。在本發(fā)明的多能量源中，響應(yīng)于由磁控管110依次提供的不同RF功率而引起的加速器的差分加熱，加速器102的共振頻率在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上偏移。特別地，在高功率RF脈沖后的加速器溫度高于低功率RF脈沖后的溫度，從而引起加速器102的組件在脈沖間的差分膨脹。當(dāng)下面的RF脈沖到達(dá)時(shí)，這種差分膨脹改變了加速器102的共振頻率。在該例子中， 在兩種功率電平設(shè)定中，發(fā)現(xiàn)共振頻率偏移約200kHz，例如從約^98MHz至約2998. 2MHz, 并返回至約^98MHz，例如從RF功率的各高至低至高脈沖。自動(dòng)頻率控制器(“AFC”) 136采樣RF功率脈沖，在循環(huán)器112和加速器102之間的位置處，所述RF功率脈沖運(yùn)行至(FWD)加速器102并從(REF)加速器102反射，從而檢測(cè)頻率匹配條件并調(diào)節(jié)磁控管頻率調(diào)諧器(如果必要)，以匹配加速器的共振頻率。替代地， FffD RF信號(hào)可在磁控管110和循環(huán)器112之間進(jìn)行采樣，并且替代地，REF RF信號(hào)可在循環(huán)器112和負(fù)載114之間進(jìn)行采樣。例如采樣次數(shù)可由控制器132或其他這樣的控制器來(lái)控制。AFC 136可基于四極混合動(dòng)力模塊和可調(diào)節(jié)的移相器，其是市售的。例如，該類型的AFC在美國(guó)專利No. 3，820，035中有所描述，其通過(guò)引用的方式并入本文中。在所述系統(tǒng)中，微波電路接收反射的(“REF”)信號(hào)和正向(“FWD”)信號(hào)，并且產(chǎn)生具有多種相對(duì)相偏移的兩種信號(hào)的矢量和。這些矢量和的振幅被測(cè)量，并且對(duì)于調(diào)節(jié)RF源頻率的需要通過(guò)電子電路系統(tǒng)或軟件來(lái)確定。AFC 136的輸出信號(hào)可在反饋回路中用于磁控管110的機(jī)械調(diào)諧器(未示出)。在多個(gè)循環(huán)內(nèi)，磁控管頻率接近加速器的共振頻率。已發(fā)現(xiàn)，在200pps至300pps和更快的期望脈沖速率下，磁控管110的機(jī)械調(diào)諧不足夠快以響應(yīng)RF功率的每個(gè)脈沖的自動(dòng)頻率控制。機(jī)械調(diào)諧磁控管110的自動(dòng)頻率控制在較慢的脈沖速率下可能也是不夠的。因此，依照本發(fā)明的該實(shí)施方案，磁控管110的機(jī)械調(diào)諧器僅通過(guò)AFC 136設(shè)定至這樣的位置，該位置匹配只有一種類型的RF功率脈沖的頻率， 在該例子中是高RF功率脈沖。在各脈沖 期間提供至磁控管110的不同電壓引起磁控管內(nèi)的不同電荷密度，從而引起在本領(lǐng)域中稱為“頻率推移”的頻率偏移。不同電壓也差分加熱磁控管110，這也可引起頻率偏移。已發(fā)現(xiàn)，合適地選擇提供至磁控管110的電壓脈沖的振幅，特別是在恒定磁場(chǎng)下在脈沖間運(yùn)行時(shí)，磁控管Iio中的頻率偏移將在與加速器102中的共振頻率偏移的相同方向上，并且是和加速器102中的共振頻率偏移幾乎相同或相同的量(在該例子中約 200KHz)。剩余頻率失配達(dá)到約IOOKHz可通過(guò)相棒116的作用來(lái)匹配，這進(jìn)一步朝向加速器的共振頻率調(diào)節(jié)磁控管頻率。圖2是在1450高斯的恒定磁場(chǎng)下對(duì)于電壓范圍為13kV至22kV并且頻率為 2992. 0-2999. OMHz的由PFN 120提供至磁控管110的PFN電壓對(duì)磁控管頻率(MHz)的圖。 該數(shù)據(jù)使用上述相同的磁控管模型來(lái)收集，其不同時(shí)連接到加速器的共振負(fù)載。磁控管調(diào)諧器固定在一定的位置，以在約22kV PFN電壓下產(chǎn)生2998MHz RF功率脈沖。由于可期望的是在雙能X-射線成像中的輻射束之間具有較大能量分離以能夠進(jìn)行更好的材料辨別， 因此可以期望對(duì)于特定加速器，選擇用于驅(qū)動(dòng)磁控管的PFN電壓盡可能遠(yuǎn)離。如圖2中所示，在21. 5kV的PFN電壓處，磁控管頻率調(diào)諧至2998. 0MHz，這接近加速器102的標(biāo)稱共振頻率。在PFN電壓從21.5kV降低時(shí)，磁控管頻率在16. 5kV下增加了約200ΚΗζ。在PFN電壓從16. 5kV降低至14. 5kV時(shí)，磁控管頻率從約2998. 2MHz降低至約2996. 5MHz。然后當(dāng) PFN電壓從14. 5kV降低至13kV時(shí)，磁控管頻率再次升高和降低。如上所述，在該例子中共振頻率從高RF功率脈沖至低RF功率脈沖增加約200KHz。 由于在16. 5kV至20kV的電壓范圍中磁控管中的頻率偏移也增加頻率，因此在低RF功率脈沖的過(guò)程中，在該范圍內(nèi)第二低RF功率脈沖電壓的選擇能夠至少部分使磁控管110的頻率匹配加速器的頻率。通過(guò)相棒116的作用提供另外的匹配。在16. 5kV增加約200KHz的頻率提供與共振頻率偏移的緊密匹配，這可通過(guò)相棒116的作用進(jìn)一步改善。在該例子中結(jié)合高RF功率脈沖的自動(dòng)頻率控制，在脈沖間提供良好的頻率匹配。注意，自動(dòng)頻率控制可用于使低RF功率脈沖頻率匹配加速器共振頻率和磁控管頻率偏移，并且相棒116可替代地用于使高RF功率脈沖頻率匹配加速器共振頻率。圖3是用于圖1的輻射源100的波形和信號(hào)計(jì)時(shí)的例子。行A示出由模擬開(kāi)關(guān) 130提供至HVPS 118的電壓波形。行B示出由分線開(kāi)關(guān)134提供至電子槍104的電壓波形。行C示出穿過(guò)PFN 120的電壓波形。行D示出由磁控管110發(fā)射的高和低功率RF脈沖。行E示出采樣FWD和REW信號(hào)的AFC 136的計(jì)時(shí)。當(dāng)HVPS 118從之前的脈沖復(fù)原時(shí)，開(kāi)始各脈沖循環(huán)。例如，在時(shí)間Tl，HVPS 118 開(kāi)始以由HVPS電流和PFN負(fù)載確定的速率對(duì)PFN 120進(jìn)行充電至由控制Vl 126確定的峰值電壓例如22kV。在時(shí)間Tla，PFN 120被充電至峰值電壓。電壓保持在該電平直到時(shí)間 Tlb，此時(shí)閘流管124導(dǎo)通和使儲(chǔ)存在PFN 120中的電功率通過(guò)變壓器122以脈沖的形式釋放至磁控管110和槍104。在約時(shí)間Tlb接收來(lái)自PFN120的電功率后，磁控管110產(chǎn)生RF 功率并且將其提供至加速器102，并且電子被從槍104注射到加速器102中。在該例子中注射的電子被加速器102的共振腔中駐電磁波加速至6MeV的標(biāo)稱能量，離開(kāi)加速器并且撞擊靶106，從而也在約時(shí)間Tlb產(chǎn)生在第一劑量率下具有6MV的能量的X-射線輻射。
此外在時(shí)間Tlb，HVPS 118感測(cè)其輸出被對(duì)地短路并且引發(fā)自保護(hù)，從而從時(shí)間 Tlb至?xí)r間T2阻斷PFN 120的充電。閘流管124還在PFN放電后恢復(fù)至非導(dǎo)通狀態(tài)。 在阻斷時(shí)期于時(shí)間T2結(jié)束后，HVPS 118準(zhǔn)備對(duì)下一個(gè)脈沖進(jìn)行充電。在大致同時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)130將至HVPS 118的控制電壓從控制V1126翻轉(zhuǎn)至控制V2128。此外在約時(shí)間T2，分線開(kāi)關(guān)134從使分接頭1連接到槍104翻轉(zhuǎn)至使分接頭2連接到槍104。然后例如HVPS 118對(duì)PFN 120進(jìn)行充電至由控制V2128確定的第二峰值電壓，例如16kV。在時(shí)間 T2a,PFN 120被充電至峰值電壓。從T2至T2a的時(shí)間期間可不同于從Tl至Tla的時(shí)間期間，這是因?yàn)镻FN 120被充電至不同電壓。電壓保持在峰值電壓直到時(shí)間T2b，此時(shí)閘流管 124再次導(dǎo)通和使儲(chǔ)存在PFN 120中的電功率通過(guò)變壓器122釋放至磁控管110和槍104。 磁控管110產(chǎn)生RF功率并且將其提供至加速器102，并且電子被從槍104注射到加速器中。 在該例子中在時(shí)間T2b由磁控管110產(chǎn)生的RF功率和從槍104注射到加速器102中的電子流不同于在之前的脈沖中在時(shí)間Tlb的產(chǎn)生的RF功率和發(fā)射的電子流。在該例子中注射的電子被加速器102加速至3. 5MeV的標(biāo)稱能量，離開(kāi)加速器并且撞擊靶106，從而也在約時(shí)間T2b產(chǎn)生在不同于第一劑量率的第二劑量率下具有3. 5MV的能量的X-射線輻射。此外在時(shí)間T2b，HVPS 118感測(cè)其輸出被對(duì)地短路并且引發(fā)自保護(hù)，從而阻斷PFN 的充電。閘流管124還在PFN放電后恢復(fù)至非導(dǎo)通狀態(tài)。在阻斷時(shí)期于時(shí)間T3結(jié)束后， HVPS 118準(zhǔn)備對(duì)下一個(gè)脈沖進(jìn)行充電，以引起產(chǎn)生高RF功率脈沖并導(dǎo)致產(chǎn)生另一高能量輻射束。在大致同時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)130將控制電壓從控制V2128翻轉(zhuǎn)至控制V1126。此外在約時(shí)間T3，分線開(kāi)關(guān)134翻轉(zhuǎn)至使分接頭1連接到槍104，以提供和分接頭1相關(guān)的電壓到槍中。重復(fù)脈沖循環(huán)，從而以交織的方式產(chǎn)生高和低功率RF脈沖，和具有不同劑量率的高和更低能量輻射束(如果需要)。模擬開(kāi)關(guān)130和槍分線開(kāi)關(guān)134不必在確切的時(shí)間T1、T2等進(jìn)行切換。切換可編程為較快發(fā)生，但不早于PFN 120對(duì)之前的脈沖完全放電。切換還可編程為較遲發(fā)生，但不晚于HVPS 118對(duì)PFN 120進(jìn)行充電至期望電壓。在該例子中，例如在300pps的脈沖速率下，PFN 120的高功率脈沖的充電時(shí)間期間Tl-Tla, T3-T3a. · ·為約1. 5毫秒，并且低功率脈沖的充電時(shí)間期間T2-T2a, T4-T4a...為約1. 1毫秒。各高電壓脈沖的充電時(shí)間和保持時(shí)間Tl-Tlb，T3_T3b...為約 3. 2毫秒。各低電壓脈沖的充電時(shí)間和保持時(shí)間T2-T2b，T4-T4b...也為約3. 2毫秒。PFN 120花費(fèi)從約1. 5至約5微秒通過(guò)變壓器122釋放其儲(chǔ)存的電功率至磁控管110和槍104。 RF功率由磁控管110產(chǎn)生，并提供至加速器102，電子從槍104注射到加速器102中，在該時(shí)間期間能量從PFN 120釋放。HVPS 118阻斷恢復(fù)期間Tlb-T2、T2b_T3、T3b_T4各自為約 100微秒。盡管上面示出一個(gè)高RF功率脈沖、接著一個(gè)RF功率脈沖、接著另一高RF功率脈沖等的交替順序，從而導(dǎo)致高和低能量輻射束的交替順序，但是可實(shí)施任何期望順序。例如，交替順序可包括兩個(gè)高RF功率脈沖、接著兩個(gè)低RF功率脈沖，或者一個(gè)高RF功率脈沖、接著兩個(gè)低RF功率脈沖等，從而導(dǎo)致高和低能量輻射束的相應(yīng)交替順序。圖4是多能量輻射源200的另一例子，其中使用固態(tài)調(diào)制器(“SSM”)202來(lái)代替圖1中由HVPS 118、PFN 120和閘流管124限定的調(diào)制器117，以在期望電壓電平驅(qū)動(dòng)磁控管110。和圖1的例子中共同的組件被共同編號(hào)。為了簡(jiǎn)化描述，控制器132未示出。在該例子中，不設(shè)置變壓器，盡管其是一種選擇。SSM 202可包括數(shù)字開(kāi)關(guān)，或可設(shè)置單獨(dú)開(kāi)關(guān) (未示出)。控制器132(未示出)或一個(gè)或更多個(gè)其他這種控制器可控制SSM 102以及系統(tǒng)200的其他組件的運(yùn)行，如上所述。SSM 202將在時(shí)間Tlb、T2b等遞送脈沖的電功率(一系列高和低電壓脈沖)，這對(duì)應(yīng)于PFN 120的輸出，如圖3的行C所示。源200的剩余組件和它們的運(yùn)行可和圖1中相同。如上所述，粒子源104(例如電子槍)可由單獨(dú)電功率源驅(qū)動(dòng)。圖5是多能量輻射源300的另一例子的示意圖，其中速調(diào)管301替代磁控管110 用于驅(qū)動(dòng)加速器302，如圖1和3中所示。源300還包括帶電粒子源304(例如電子槍)、靶 306、循環(huán)器308和RF負(fù)載310(例如水)，如圖1中的例子。在該例子中不需要相棒。為了簡(jiǎn)化描述，控制器(例如示于圖1的系統(tǒng)100中的控制器132)未示出。例如，RF激發(fā)器316還耦合到速調(diào)管312，以提供低電平RF功率(例如100W)至速調(diào)管301。RF激發(fā)器316的輸出可由電壓源318提供的輸入電壓來(lái)控制，如本領(lǐng)域中已知的。調(diào)制器320還耦合到速調(diào)管301，以提供電功率脈沖至速調(diào)管。在該例子中，槍激發(fā)器322耦合到槍304，以提供要求的電壓脈沖至槍。速調(diào)管301放大低電平RF功率至更高功率以激發(fā)加速器302。例如，速調(diào)管301 可放大100W的輸入功率至約5MW。速調(diào)管301的輸出RF功率可在逐個(gè)脈沖基礎(chǔ)上變化以通過(guò)下列方式改變提供至加速器302的激發(fā)RF功率改變RF激發(fā)器316的輸出功率，或改變通過(guò)調(diào)制器320提供至速調(diào)管的電功率(例如如在圖1和3的例子的磁控管中)。例如，如果RF功率的兩種不同電平通過(guò)RF激發(fā)器316提供至速調(diào)管301，取決于提供至加速器302的功率電平，通過(guò)調(diào)制器320提供至速調(diào)管301的電功率脈沖將具有相同振幅。例如，來(lái)自RF激發(fā)器316的低電平RF功率脈沖可以是60W和100W，來(lái)自速調(diào)管 301的對(duì)應(yīng)的高電平RF功率可以是3麗和5麗。如果通過(guò)RF激發(fā)器316提供至速調(diào)管301的RF功率脈沖具有恒定振幅，則由調(diào)制器320提供的電功率脈沖將在兩種不同振幅之間改變。RF激發(fā)器輸出頻率典型地由參考電壓控制，如本領(lǐng)域中已知的。依照本發(fā)明的該實(shí)施方案，兩種自動(dòng)頻率控制器(“AFC”)324,3 用于追蹤分別用于高功率脈沖和低功率脈沖的兩種加速器共振頻率。各AFC 3M，3 從循環(huán)器306和加速器之間的位置，采樣沿正向(FWD)提供至加速器302的RF功率和從加速器反射(REF)的RF功率?？蛇x擇地，用于AFC 324，326的FWD RF信號(hào)可在速調(diào)管301和循環(huán)器308之間采樣，REF RF信號(hào)可在循環(huán)器308和負(fù)載310之間采樣。來(lái)自兩個(gè)AFC的參考電壓可提供至RF激發(fā)器316，從而以交織的方式調(diào)節(jié)其頻率， 實(shí)際上在產(chǎn)生高功率RF脈沖的過(guò)程中是高功率脈沖AFC 324，并且實(shí)際上在產(chǎn)生低RF功率脈沖的過(guò)程中是低功率脈沖AFC 326。高功率脈沖AFC 3M確定參考電壓，所述參考電壓應(yīng)該發(fā)送至RF激發(fā)器，使得在高功率脈沖提供至加速器的同時(shí)使高功率脈沖匹配加速器302 的共振頻率，并且低功率脈沖AFC 3 確定參考電壓，所述參考電壓應(yīng)該發(fā)送至RF激發(fā)器， 使得在提供低功率脈沖的同時(shí)使低功率脈沖匹配加速器的共振頻率。AFC開(kāi)關(guān)3 在高脈沖AFC 3 和低脈沖AFC 326之間進(jìn)行切換，以選擇性提供反饋至RF激發(fā)器316。AFC開(kāi)關(guān)3 在輸入節(jié)點(diǎn)1和輸入節(jié)點(diǎn)2之間進(jìn)行切換，以在控制器(例如上述控制器)的控制下，使RF激發(fā)器316的頻率控制參考電壓輸入分別連接到高脈沖AFC 3M輸出和低脈沖AFC 326輸出。AFC開(kāi)關(guān)3 可由例如上述控制器的控制器(未示出)控制，從而以期望速率和期望次數(shù)來(lái)進(jìn)行切換。所述系統(tǒng)的其他組件的運(yùn)行也可由控制器或其他這種控制器來(lái)控制。圖6示出用于圖5的X-射線源300的一個(gè)例子的計(jì)時(shí)和波形。行A示出AFC開(kāi)關(guān)328的運(yùn)行。行B示出從電壓源218至RF激發(fā)器316的RF功率控制電壓。行C示出由 RF激發(fā)器316提供至速調(diào)管301的低電平RF脈沖。行D示出由調(diào)制器320 (其可以是PFN 或SSM)提供至速調(diào)管312的脈沖的電功率。行E示出由速調(diào)管312提供至加速器302的高電平RF脈沖。在行C中，提供至速調(diào)管312的低電平RF信號(hào)在高脈沖和低脈沖之間交替。在各脈沖之間，AFC開(kāi)關(guān)3 在高和低脈沖AFC 324，326之間切換。在提供低電平RF信號(hào)的同時(shí)，恒定的電功率脈沖通過(guò)調(diào)制器314提供至速調(diào)管301。因而交替高和低RF功率脈沖由速調(diào)管301產(chǎn)生并輸出至加速器302，協(xié)同由槍激發(fā)器322提供至槍304 (在圖6中未示出) 的電壓脈沖的交替電平，從而提供不同電子流至加速器。如上所述，如果需要，在不同能量和不同劑量率的高和低能量輻射束因而以交織的方式的產(chǎn)生?？商峁┎煌惶鎴D案的高/ 低RF脈沖和高/低能量輻射束。圖7示出用于圖5的X-射線源300的可選擇的驅(qū)動(dòng)方案，其中RF功率控制電壓在行B中是恒定的，由RF激發(fā)器316提供至速調(diào)管301的低電平RF脈沖在行C中是恒定的，由調(diào)制器314提供至速調(diào)管301的脈沖的電功率在行D中在高和低電壓之間變化，并且對(duì)應(yīng)的高和低RF功率脈沖在行E中由速調(diào)管301產(chǎn)生和輸出。圖7的行A中所示的AFC 切換和圖6中相同，并且未重復(fù)。AFC開(kāi)關(guān)3 在由調(diào)制器314提供至速調(diào)管301的高和低功率脈沖(行D中所示)之間、在高和低脈沖AFC 3M，3 之間進(jìn)行切換。如上所述，如果需要，在不同能量率和不同劑量率的高和低能量輻射束因而以交織的方式的產(chǎn)生?？扇缟纤鎏峁┎煌惶鎴D案的高/低RF脈沖和高/低能量輻射束。兩個(gè)AFC和AFC開(kāi)關(guān)還可以以類似的方式用于使電調(diào)諧磁控管的頻率匹配加速器的共振頻率。頻率在電調(diào)諧磁控管中比在機(jī)械調(diào)諧磁控管中被更快地調(diào)節(jié)，如本領(lǐng)域已知的。圖8是依照本發(fā)明的實(shí)施方案的多能量輻射源的例子，其中加速器102由電調(diào)諧磁控管IlOa驅(qū)動(dòng)。在該例子中也提供圖1中所示的所有元件，并且相同編號(hào)。圖1的控制器 132在圖8中未示出以簡(jiǎn)便示出，但應(yīng)該理解，在該例子中也可提供這種控制器或其他這樣的一個(gè)或更多個(gè)控制器來(lái)控制組件的運(yùn)行。在圖8中，除了 AFC 136(鑒定為高脈沖AFC 136)，還提供低脈沖AFC 138以檢測(cè)從加速器102反射的低RF功率脈沖。高脈沖AFC136和低脈沖AFC 138提供控制電壓至 AFC開(kāi)關(guān)140。當(dāng)分別產(chǎn)生高和低RF功率脈沖時(shí)，開(kāi)關(guān)140在提供來(lái)自各AFC 136，138的合適的參考電壓至電調(diào)諧磁控管之間進(jìn)行切換，以調(diào)節(jié)磁控管的頻率。AFC開(kāi)關(guān)140被控制器132(未在圖8中示出)或其他這樣的控制器控制，從而以合適的次數(shù)進(jìn)行切換。高脈沖AFC 136和低脈沖AFC 138還由控制器132控制，以合適的次數(shù)采樣反射的RF功率，如上面相對(duì)于圖5的基于速調(diào)管的系統(tǒng)所討論的。相棒116還輔助使磁控管頻率匹配加速器共振頻率以用于高和低RF功率脈沖。交替高和低RF功率脈沖由磁控管IlOa產(chǎn)生和輸出至加速器102，協(xié)同由分線開(kāi)關(guān)134提供至槍104的電壓脈沖的交替電平，從而提供不同電子流至加速器。如上所述，如果需要，在不同劑量率的高和低能量輻射束因而以交織的方式產(chǎn)生。可如上所述提供不同交替圖案的高/低RF脈沖和高/低能量輻射束。盡管上述參照在兩種不同能量產(chǎn)生輻射束， 但是圖1的系統(tǒng)可被構(gòu)造為通過(guò)提供三種或更多種不同控制電壓至HVPS 118而產(chǎn)生在三種或更多種能量的輻射束。在圖1中， 例如如果磁控管110是機(jī)械調(diào)諧的，則AFC 136可被構(gòu)造為在這些RF功率電平的一種下主動(dòng)地調(diào)節(jié)RF功率脈沖的頻率，同時(shí)磁控管110可運(yùn)行以經(jīng)歷頻率偏移，同時(shí)產(chǎn)生匹配加速器102的共振頻率偏移的其他RF功率脈沖。驅(qū)動(dòng)電壓可被選擇用于兩種其他功率電平，例如上面參照低功率RF脈沖所討論的。相棒116還輔助使磁控管頻率匹配加速器共振頻率。 如果需要，槍104還可設(shè)置有另外電壓以用于各個(gè)不同輻射束能量，從而改變劑量率。能量脈沖可以任何期望順序產(chǎn)生，從而引起以期望圖案產(chǎn)生不同能量的輻射束。如果速調(diào)管301或電調(diào)諧磁控管IlOa在圖5和8中分別用作RF功率源，則可提供另外AFC以調(diào)節(jié)各個(gè)另外功率電平的功率脈沖的頻率。AFC開(kāi)關(guān)328，140將被構(gòu)造或控制為和輸出RF功率電平同步以期望圖案將參考電壓供入RF激發(fā)器316或磁控管110a。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在不偏離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)上述實(shí)施方案進(jìn)行其他改變。
權(quán)利要求
1.一種產(chǎn)生多種能量的輻射的方法，包括依次提供第一電功率和第二電功率至微波功率發(fā)生器，所述第二電功率不同于所述第一電功率；至少部分基于所述第一和第二電功率，通過(guò)所述功率發(fā)生器依次產(chǎn)生第一射頻功率脈沖和第二射頻功率脈沖，所述第一射頻功率脈沖具有在第一頻率的第一功率，所述第二射頻功率脈沖具有在不同于所述第一頻率的第二頻率的不同于所述第一功率的第二功率； 依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)粒子加速器的共振腔； 在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率匹配所述加速器的不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率； 將帶電粒子注射到所述加速器的所述共振腔中；至少部分基于所述第一和第二射頻功率脈沖，通過(guò)所述加速器依次加速所述注射的帶電粒子至在所述加速器的第一共振頻率的第一能量和在所述加速器的不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率的第二能量；以及依次使所述第一和第二加速的帶電粒子和靶碰撞，以產(chǎn)生分別具有第一和第二能量的輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括機(jī)械調(diào)諧磁控管，該方法包括僅通過(guò)所述第一頻率的自動(dòng)頻率控制，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述加速器的所述第一共振頻率；以及在這樣的電壓下提供第二電功率至所述磁控管，該電壓引起所述磁控管匹配中的頻率偏移至少部分匹配所述加速器的所述第二共振頻率中的頻率偏移。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括在依次產(chǎn)生所述第一和第二射頻功率脈沖的同時(shí)，暴露所述磁控管至恒定磁場(chǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括通過(guò)提供由所述加速器反射的功率至所述磁控管，使所述第一和第二頻率部分匹配所述第一和第二共振頻率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括速調(diào)管，該方法包括通過(guò)第一自動(dòng)頻率控制，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述第一加速器的共振頻率；以及通過(guò)不同于所述第一自動(dòng)頻率控制的第二自動(dòng)頻率控制，匹配所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括電調(diào)諧磁控管，該方法包括 通過(guò)第一自動(dòng)頻率控制，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述第一加速器的共振頻率；以及通過(guò)不同于所述第一自動(dòng)頻率控制的第二自動(dòng)頻率控制，匹配所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括以交替順序依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至所述單個(gè)加速器的所述共振腔，所述交替順序包括第一預(yù)定數(shù)量的第一射頻功率脈沖，后面是第二預(yù)定數(shù)量的第二射頻功率脈沖。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一和第二預(yù)定數(shù)量為1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，以第一束流的形式注射第一帶電粒子至所述加速器的所述共振腔；以及在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，以不同于所述第一束流的第二束流的形式提供第二帶電粒子至所述加速器的所述共振腔。
10.一種運(yùn)行加速器的方法，包括產(chǎn)生具有第一功率和第一頻率的第一射頻功率脈沖；產(chǎn)生具有不同于所述第一功率和第一頻率的第二功率和第二頻率的第二射頻功率脈沖；以預(yù)定順序提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)加速器的共振腔； 在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第一射頻功率脈沖的第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，使所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率匹配所述加速器的不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率。
11.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括機(jī)械調(diào)諧磁控管，該方法包括僅通過(guò)所述第一頻率的自動(dòng)頻率控制，使所述磁控管的所述第一頻率匹配所述加速器的所述第一共振頻率；以及在產(chǎn)生所述第二射頻功率脈沖的同時(shí)，在這樣的電壓下驅(qū)動(dòng)所述功率發(fā)生器，該電壓引起所述功率發(fā)生器中的頻率偏移至少部分匹配所述加速器的所述第二共振頻率中的頻率偏移。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在暴露所述磁控管至恒定磁場(chǎng)的同時(shí)，產(chǎn)生所述第一和第二射頻功率脈沖。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括通過(guò)提供由所述加速器反射的功率至所述磁控管，使所述第一和第二頻率部分匹配所述第一和第二共振頻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括速調(diào)管，該方法包括通過(guò)自動(dòng)頻率控制，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及通過(guò)不同于所述第一自動(dòng)頻率控制的第二自動(dòng)頻率控制，使所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率匹配所述第二共振頻率。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述功率發(fā)生器包括電調(diào)諧磁控管，該方法包括通過(guò)自動(dòng)頻率控制，使所述第一射頻功率脈沖的所述第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及通過(guò)不同于所述第一自動(dòng)頻率控制的第二自動(dòng)頻率控制，使所述第二射頻功率脈沖的所述第二頻率匹配所述第二共振頻率。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，以第一束流的形式提供第一帶電粒子至所述加速器的所述共振腔；以及在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，以不同于所述第一束流的第二束流的形式提供第二帶電粒子至所述加速器的所述共振腔。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括以交替順序依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至所述單個(gè)加速器的所述共振腔， 所述交替順序包括第一預(yù)定數(shù)量的第一射頻功率脈沖，后面是第二預(yù)定數(shù)量的第二射頻功率脈沖。
18.一種多能量輻射源，包括 用于加速帶電粒子的加速器；帶電粒子源，所述帶電粒子源耦合到所述加速器以提供帶電粒子至所述加速器； 所述加速器下游的靶，其中所述加速的帶電粒子在所述靶上的撞擊引起輻射的產(chǎn)生； 功率發(fā)生器，所述功率發(fā)生器耦合到所述加速器以選擇性提供第一和第二射頻功率脈沖至所述加速器，其中所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一射頻功率脈沖的功率和頻率；第一構(gòu)件，所述第一構(gòu)件用于在所述第一射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)， 使所述功率發(fā)生器的第一頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及第二構(gòu)件，所述第二構(gòu)件用于在所述第二射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)， 使所述功率發(fā)生器的第二頻率匹配所述加速器的第二共振頻率；其中所述第一帶電粒子在所述靶上的撞擊引起在第一能量的輻射的產(chǎn)生，并且所述第二帶電粒子在所述靶上的撞擊引起在不同于所述第一能量的第二能量的輻射的產(chǎn)生。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多能量輻射源，其中所述第一構(gòu)件包括自動(dòng)頻率控制器。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多能量輻射源，其中所述第二構(gòu)件包括不同于所述第一自動(dòng)頻率控制器的第二自動(dòng)頻率控制器。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多能量輻射源，其中所述功率發(fā)生器包括速調(diào)管。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多能量輻射源，其中所述功率發(fā)生器包括電調(diào)諧磁控管。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多能量輻射源，其中所述第二構(gòu)件包括用于在這樣的電功率下驅(qū)動(dòng)所述功率發(fā)生器的構(gòu)件，該電功率引起所述功率發(fā)生器中的頻率偏移至少部分匹配所述加速器的所述第二共振頻率中的頻率偏移。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的多能量輻射源，其中所述功率發(fā)生器包括機(jī)械調(diào)諧磁控管。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的多能量輻射源，還包括緊鄰所述磁控管的磁體，所述磁體被構(gòu)造為產(chǎn)生恒定磁場(chǎng)。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的多能量輻射源，其中所述第二構(gòu)件還包括用于提供由所述加速器反射的功率至所述磁控管的構(gòu)件。
27.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多能量輻射源，還包括電功率源，所述電功率源被構(gòu)造為提供脈沖的電功率至所述功率發(fā)生器。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的多能量輻射源，其中所述電功率源被構(gòu)造為選擇性提供至少第一和第二不同的電壓至所述帶電粒子源，以提供至少第一和第二不同的粒子流至所述加速器。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的多能量輻射源，其中在所述第一功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，提供所述第一電壓至所述粒子源， 以提供具有所述第一能量的輻射的第一劑量輸出；以及在所述第二功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，提供所述第二電壓至所述粒子源， 以提供具有所述第二能量的輻射的第二劑量輸出。
30.一種多能量輻射源，包括 用于加速電子的加速器；電子槍，所述電子槍耦合到所述加速器以提供電子至所述加速器； 所述加速器下游的靶，其中所述加速的電子在所述靶上的撞擊引起輻射的產(chǎn)生； 電功率源；選擇性提供至少第一和第二射頻功率脈沖至所述加速器的磁控管，其中所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一射頻功率脈沖的功率和頻率；其中當(dāng)提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器時(shí)，所述加速器加速由所述電子槍提供的第一電子至在第一共振頻率的第一能量，并且當(dāng)提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器時(shí)，所述加速器加速第二電子至在不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率的、不同于所述第一能量的第二能量； 所述源還包括調(diào)制器，所述調(diào)制器選擇性驅(qū)動(dòng)在第一電功率的所述磁控管以產(chǎn)生所述第一射頻功率脈沖，并且驅(qū)動(dòng)在不同于所述第一電功率的第二電功率的所述磁控管以產(chǎn)生所述第二射頻功率脈沖；以及自動(dòng)頻率控制器，所述自動(dòng)頻率控制器耦合到所述磁控管以在所述第一射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，使所述第一射頻功率脈沖的頻率匹配所述加速器的所述第一共振頻率；其中所述調(diào)制器被構(gòu)造為提供選擇的第一和第二電功率至所述磁控管，使得在所述第二射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，使所述磁控管中的頻率偏移至少部分匹配所述加速器的共振頻率偏移；以及所述第一電子束在所述靶上的撞擊引起在第一能量的輻射的產(chǎn)生，并且所述第二電子束在所述靶上的撞擊引起在不同于所述第一能量的第二能量的輻射的產(chǎn)生。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多能量輻射源，還包括相棒，所述相棒在所述磁控管和所述加速器之間以提供由所述加速器反射的功率至所述磁控管，從而進(jìn)一步調(diào)節(jié)所述磁控管頻率以匹配所述加速器的所述共振頻率。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，其中所述相棒包括反射器和可變移相器。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多能量輻射源，其中所述調(diào)制器被構(gòu)造為選擇性提供至少第一和第二不同的電壓至所述電子槍； 其中在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，提供所述第一電壓至所述電子槍以提供第一束流；以及在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，提供所述第二電壓至所述電子槍，作為加速能量，以提供不同于所述第一束流的第二束流。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，還包括獨(dú)立于所述調(diào)制器的電功率源，所述電功率源耦合到所述電子槍； 所述電功率源被構(gòu)造為選擇性提供至少第一和第二不同的電壓至所述電子槍； 其中在提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，提供所述第一電壓至所述電子槍以提供第一束流；以及在提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器的同時(shí)，提供所述第二電壓至所述電子槍，作為加速能量，以提供不同于所述第一束流的第二束流。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，其中所述第一自動(dòng)頻率控制被構(gòu)造為采樣提供至所述加速器的所述第一射頻功率脈沖和由所述加速器反射的射頻脈沖。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多能量輻射源，其中至少部分基于所述采樣的功率脈沖， 所述自動(dòng)頻率控制在所述第一射頻功率脈沖產(chǎn)生的過(guò)程中調(diào)節(jié)所述磁控管的所述機(jī)械調(diào)諧。
37.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，還包括緊鄰所述磁控管的磁體，其中所述磁體被構(gòu)造為產(chǎn)生恒定磁場(chǎng)。
38.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，其中所述調(diào)制器包括固態(tài)調(diào)制器。
39.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多能量輻射源，其中至少部分通過(guò)所述第一和第二電功率之間的差別而引起所述磁控管中的所述頻率偏移；以及至少部分通過(guò)提供至所述加速器的不同射頻功率脈沖而引起所述加速器的共振偏移。
40.一種多能量輻射源，包括 用于加速電子的加速器；電子槍，所述電子槍耦合到所述加速器以提供電子至所述加速器； 所述加速器下游的靶，其中所述加速的電子在所述靶上的撞擊引起輻射的產(chǎn)生； 選擇性提供至少第一和第二射頻功率脈沖至所述加速器的功率發(fā)生器，其中所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一射頻功率脈沖的功率；其中當(dāng)提供所述第一射頻功率脈沖至所述加速器時(shí)，所述加速器加速由所述電子槍提供的第一電子至在第一共振頻率的第一能量，并且當(dāng)提供所述第二射頻功率脈沖至所述加速器時(shí)，所述加速器加速第二電子至在不同于所述第一共振頻率的第二共振頻率的、不同于所述第一能量的第二能量；提供電功率脈沖至所述速調(diào)管的調(diào)制器； 提供射頻功率至所述功率發(fā)生器的射頻功率源；第一自動(dòng)頻率控制器，在所述第一射頻功率脈沖被提供至所述加速器的同時(shí)，所述第一自動(dòng)頻率控制器使所述射頻激發(fā)器的頻率匹配所述加速器的第一共振頻率；以及不同于所述第一自動(dòng)頻率控制器的第二自動(dòng)頻率控制器，在所述第二射頻功率脈沖被提供至所述功率發(fā)生器的同時(shí)，所述第二自動(dòng)頻率控制器調(diào)節(jié)所述射頻激發(fā)器的頻率； 其中所述第一加速的電子在所述靶上的撞擊引起在第一能量的輻射的產(chǎn)生，并且所述第二加速的電子在所述靶上的撞擊引起在不同于所述第一能量的第二能量的輻射的產(chǎn)生。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的多能量輻射源，其中所述功率發(fā)生器包括速調(diào)管。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的多能量輻射源，其中所述功率發(fā)生器包括電調(diào)諧磁控管。
43.一種產(chǎn)生多種能量的輻射的方法，包括依次提供第一電功率和第二電功率至微波功率發(fā)生器，所述第二電功率不同于所述第一電功率；至少部分基于所述第一和第二電功率，通過(guò)所述功率發(fā)生器依次產(chǎn)生第一射頻功率脈沖和第二射頻功率脈沖，所述第一射頻功率脈沖具有第一功率，所述第二射頻功率脈沖具有不同于所述第一功率的第二功率；依次提供所述第一和第二射頻功率脈沖至單個(gè)粒子加速器的共振腔；依次驅(qū)動(dòng)在不同于所述第一電功率的第三電功率和第四電功率的帶電粒子源；注射帶電粒子的第一和第二流到所述加速器的所述共振腔中，其中所述第一和第二流分別至少部分基于所述第三和第四電功率；至少部分基于所述第一和第二射頻功率脈沖，通過(guò)所述加速器依次加速所述注射的帶電粒子至第一能量和不同于所述第一能量的第二能量；以及使加速的帶電粒子的所述第一和第二流依次碰撞靶，以產(chǎn)生具有第一和第二不同的能量與第一和第二不同的各自劑量率的輻射。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，包括通過(guò)相同電功率源提供所述第一電功率、第二電功率、第三電功率和第四電功率。
全文摘要
公開(kāi)了能夠交織的運(yùn)行的多能量輻射源，其包括由功率發(fā)生器驅(qū)動(dòng)的帶電粒子加速器，從而提供不同RF功率至加速器。提供自動(dòng)頻率控制技術(shù)，其使提供至加速器的RF功率的頻率匹配加速器的共振頻率。在其中功率發(fā)生器是機(jī)械調(diào)諧磁控管的一個(gè)例子中，提供自動(dòng)頻率控制器，當(dāng)提供這些RF功率脈沖時(shí)，使在一個(gè)功率的RF功率脈沖的頻率匹配加速器的共振頻率，并且運(yùn)行磁控管，使得當(dāng)提供這些RF功率脈沖時(shí)，在另一功率的磁控管中的頻率偏移至少部分匹配加速器中的共振頻率偏移。在其他例子中，當(dāng)功率發(fā)生器是速調(diào)管或電調(diào)諧磁控管時(shí)，為各RF功率脈沖提供單獨(dú)自動(dòng)頻率控制器。公開(kāi)了方法和系統(tǒng)。
文檔編號(hào)H05H9/00GK102160469SQ200980136502
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2009年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者D·W·伊頓, J·特納, 陳恭印 申請(qǐng)人:瓦潤(rùn)醫(yī)藥系統(tǒng)公司