專利名稱：電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是一種可降低對(duì)位點(diǎn)的誤差的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在先前技術(shù)中，先以機(jī)械鉆孔的方式在電路板的四個(gè)角落形成四個(gè)對(duì)位點(diǎn)，電路板在進(jìn)行激光工藝及光刻工藝時(shí)，皆以此四個(gè)對(duì)位點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位。然而電路板在進(jìn)行激光工藝時(shí)，此次對(duì)位即先產(chǎn)生一誤差，接著電路板可能要再進(jìn)行水洗或烘烤等步驟，亦會(huì)因漲縮再次增加一對(duì)位的誤差值，在進(jìn)行光刻工藝時(shí)，又再增加一次對(duì)位誤差，可能將使曝光機(jī)的底片與電路板無(wú)法進(jìn)行精確的對(duì)位，造成孔偏頗的異常增加及對(duì)準(zhǔn)度容許誤差變小。因此，有必要提供一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法，以改善上述所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是在提供一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法。為達(dá)到上述的目的，本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)用于電路板，電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板；且各第二對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板上，且多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上圍繞各第一對(duì)位點(diǎn)；藉此，多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)可供需要對(duì)位的工藝進(jìn)行對(duì)位之用。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)的數(shù)量實(shí)質(zhì)為4個(gè)，且各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板的各角落。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各第一對(duì)位點(diǎn)及各第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上為圓形，各第二對(duì)位點(diǎn)直徑實(shí)質(zhì)上小于各第一對(duì)位點(diǎn)，且多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上環(huán)繞各第一對(duì)位點(diǎn)。為達(dá)到上述的目的，本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法用于一電路板，該方法包括下列步驟提供電路板；在電路板上形成多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板；以及在各第一對(duì)位點(diǎn)的周圍形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)，其中各第二對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板上；藉此，該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)可供需要對(duì)位的一工藝進(jìn)行對(duì)位之用。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)的數(shù)量實(shí)質(zhì)為4個(gè)，且各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板的各角落。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各第一對(duì)位點(diǎn)及各第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上為圓形，各第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上小于各第一對(duì)位點(diǎn)。藉由本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法，可有效增加對(duì)位的精確度。


圖1為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法的一實(shí)施例的步驟流程圖。圖2為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的電路板示意圖。
圖3為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的第一對(duì)位點(diǎn)示意圖。圖4為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的第一對(duì)位點(diǎn)及第二對(duì)位點(diǎn)示意圖。圖5及圖6為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的電路板進(jìn)行對(duì)位的校正示意圖。圖7為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的第一對(duì)位點(diǎn)及第三對(duì)位點(diǎn)示意圖。圖8為本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的第一對(duì)位點(diǎn)、第二對(duì)位點(diǎn)以及第三對(duì)位點(diǎn)示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明電路板10光源41角落11攝像機(jī)42第一對(duì)位點(diǎn)21 底片50第二對(duì)位點(diǎn)22圓形靶點(diǎn)51第三對(duì)位點(diǎn)2具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。以下請(qǐng)一并參考圖1，關(guān)于本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法的一實(shí)施例的步驟流程圖以及圖2至圖6，關(guān)于本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的示意圖。其中，圖2至圖6的實(shí)施例雖以兩層電路板為例，但本發(fā)明并不以此為限，本發(fā)明亦可用于單層電路板或三層以上電路板。另須注意的是，本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖均為簡(jiǎn)化后的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法，其所顯示的組件非為實(shí)際實(shí)施時(shí)的形式，其實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀以及尺寸比例為一選擇性的設(shè)計(jì)，且其組件布局形態(tài)可更為復(fù)雜。如圖1所示，本發(fā)明首先進(jìn)行步驟S71 提供電路板。如圖2所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電路板10為雙層電路板，但本發(fā)明不以此為限。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的電路板10亦可為單層電路板。接著進(jìn)行步驟S72 在電路板上形成多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)。如圖3所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在電路板10的四個(gè)角落11處各形成第一對(duì)位點(diǎn)21，但本發(fā)明不以此位置為限，例如亦可在電路板10的四個(gè)邊或各對(duì)角線處形成第一對(duì)位點(diǎn)21(圖未示)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21的方式為機(jī)械鉆孔或激光鉆孔，但鉆孔方法不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一對(duì)位點(diǎn)21實(shí)質(zhì)上為圓形，第一對(duì)位點(diǎn)21的直徑實(shí)質(zhì)上較佳為介于1300微米(μπι)至1700微米(μ m)之間，但本發(fā)明不以此為限。須注意的是，如圖3所示，本發(fā)明的多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21可供接下來(lái)的激光或光刻等工藝所共同使用，但本發(fā)明不以此為限。接著進(jìn)行步驟S73 在各第一對(duì)位點(diǎn)的周圍形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在步驟S72后，電路板10先經(jīng)激光工藝加工處理，但本發(fā)明不以此為限。而在激光工藝處理后，接著在各第一對(duì)位點(diǎn)21的周圍形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn) 22，如圖4所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各第二對(duì)位點(diǎn)22實(shí)質(zhì)上為圓形，且多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22實(shí)質(zhì)上為以環(huán)形的形式環(huán)繞各第一對(duì)位點(diǎn)21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22的方式為激光鉆孔，但本發(fā)明不以此為限。須注意地是，各個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成的環(huán)狀中心與第一對(duì)位點(diǎn)21的中心實(shí)質(zhì)上為對(duì)齊，但在實(shí)際操作中，工藝中若產(chǎn)生誤差，各個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成的環(huán)狀中心與第一對(duì)位點(diǎn)21的中心為非對(duì)齊。如圖5及圖6所示，圖5及圖6在步驟S73后，電路板10進(jìn)行下一工藝(譬如光刻工藝)的對(duì)位時(shí)，以曝光機(jī)的背光模式讀取多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成環(huán)狀的中心與底片 50的圓形靶點(diǎn)51進(jìn)行對(duì)位的示意圖。如圖5所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，藉由本發(fā)明的第一對(duì)位點(diǎn)21，曝光機(jī)的光源41可穿透第一對(duì)位點(diǎn)21將圓形靶點(diǎn)51顯示出來(lái)，并供曝光機(jī)的攝像機(jī)42以讀取圓形靶點(diǎn)51的位置，且曝光機(jī)的攝像機(jī)42亦藉由曝光機(jī)的光源41 穿透多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22的光線以讀取多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成環(huán)狀的中心的位置，由曝光機(jī)進(jìn)行對(duì)位的校正，使多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成環(huán)狀的中心與圓形靶點(diǎn)51對(duì)齊。由于對(duì)位的校正已經(jīng)在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中被廣泛使用，且并非本發(fā)明所要改進(jìn)的重點(diǎn)所在，故在此不再贅述其詳細(xì)的運(yùn)作方式。其中，多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22以環(huán)形的形式環(huán)繞各第一對(duì)位點(diǎn)21的優(yōu)點(diǎn)在于，在攝像機(jī)42藉由曝光機(jī)的光源41穿透多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22的光線以讀取多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成環(huán)狀的中心的位置時(shí)，即使部分的第二對(duì)位點(diǎn)22失效(譬如激光鉆孔時(shí)沒(méi)有打穿電路板 10)，仍可讀取其他第二對(duì)位點(diǎn)22計(jì)算出多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22所形成環(huán)狀的中心的位置。接著請(qǐng)參考圖7及圖8，關(guān)于本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的示意圖。如圖7所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例最大的不同在于步驟S72中，在電路板10的四個(gè)角落11處除形成第一對(duì)位點(diǎn)21外，還形成第三對(duì)位點(diǎn)23，各第三對(duì)位點(diǎn)23穿設(shè)電路板10上，且各第一對(duì)位點(diǎn)21的位置實(shí)質(zhì)上相對(duì)設(shè)置于各第三對(duì)位點(diǎn)23的位置，但本發(fā)明不以此位置為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21及第三對(duì)位點(diǎn)23的方式為機(jī)械鉆孔或激光鉆孔，但鉆孔方法不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一對(duì)位點(diǎn)21及第三對(duì)位點(diǎn)23實(shí)質(zhì)上為圓形，第一對(duì)位點(diǎn)21及第三對(duì)位點(diǎn)23的直徑實(shí)質(zhì)上較佳介于1300微米(μπι)至1700微米(μπι)之間，但本發(fā)明不以此為限。須注意的是，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，多個(gè)第三對(duì)位點(diǎn)23可供接下來(lái)的激光工藝所使用，本發(fā)明的多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21可供接下來(lái)的光刻工藝等工藝所使用；進(jìn)一步地來(lái)說(shuō)，多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21及多個(gè)第三對(duì)位點(diǎn)23用于不同的工藝的對(duì)位，但本發(fā)明不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)電路板10在以激光工藝加工處理時(shí)，先以多個(gè)第三對(duì)位點(diǎn)23進(jìn)行對(duì)位，在完成激光工藝加工處理后則進(jìn)行步驟S73，在各第一對(duì)位點(diǎn)21的周圍形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22 (如圖8所示)，形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22的方式為激光鉆孔，但本發(fā)明不以此為限。接著再以各第一對(duì)位點(diǎn)21及相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22進(jìn)行下一工藝 (譬如光刻工藝)的對(duì)位。關(guān)于多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)21及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)22的相關(guān)說(shuō)明請(qǐng)參考前述，在此不再贅述。
藉由本發(fā)明的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法，可消除電路板在進(jìn)行激光工藝時(shí)，該次對(duì)位所產(chǎn)生的誤差，可有效增加在激光工藝后，后續(xù)工藝的對(duì)位的精確度；值得注意的是，本發(fā)明的電路板對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法，即使在實(shí)際操作中產(chǎn)生誤差，各個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)所形成的環(huán)狀中心與第一對(duì)位點(diǎn)的中心非對(duì)齊，其對(duì)準(zhǔn)精度亦較公知技術(shù)共用一個(gè)對(duì)位點(diǎn)的對(duì)位精度優(yōu)良。可應(yīng)用于電路板的需要對(duì)位的各種工藝，而不以上述所提的工藝為限。綜上所陳，本發(fā)明無(wú)論就目的、手段及功效，處處均顯示其迥異于公知技術(shù)的特征，懇請(qǐng)審查員明察，早日賜準(zhǔn)專利，使嘉惠社會(huì)，實(shí)感德便。惟應(yīng)注意的是，上述諸多實(shí)施例僅是為了便于說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所要求保護(hù)的權(quán)利范圍自然應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書的范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，用于一電路板，包括 多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)，各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板；以及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)，各第二對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板上，且該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上圍繞各第一對(duì)位點(diǎn)；藉此，該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)可供需要對(duì)位的一工藝進(jìn)行對(duì)位之用。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板的各角落。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)及各第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上為圓形，各第二對(duì)位點(diǎn)直徑實(shí)質(zhì)上小于各第一對(duì)位點(diǎn)，且該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上環(huán)繞各第一對(duì)位點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求3所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)的直徑實(shí)質(zhì)上為介于 1300微米至1700微米之間。
5.如權(quán)利要求1所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，其中形成該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)的方式為一機(jī)械鉆孔或一激光鉆孔；且形成該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)的方式為一激光鉆孔。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)，其中該電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)第三對(duì)位點(diǎn)，供另一工藝進(jìn)行對(duì)位之用，各第三對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板上，且各第一對(duì)位點(diǎn)的位置實(shí)質(zhì)上為相對(duì)設(shè)置于各第三對(duì)位點(diǎn)的位置。
7.一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法，用于一電路板，該方法包括下列步驟 提供該電路板；在該電路板上形成多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板；以及在各第一對(duì)位點(diǎn)的周圍形成多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)，其中各第二對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)該電路板上； 藉此，該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)可供需要對(duì)位的一工藝進(jìn)行對(duì)位之用。
8.如權(quán)利要求7所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)的數(shù)量實(shí)質(zhì)為4個(gè)。
9.如權(quán)利要求7所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法，其中各第一對(duì)位點(diǎn)及各第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上為圓形，各第二對(duì)位點(diǎn)直徑實(shí)質(zhì)上小于各第一對(duì)位點(diǎn)，且各第一對(duì)位點(diǎn)的直徑實(shí)質(zhì)上介于1300微米至1700微米之間。
10.如權(quán)利要求7所述的電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)的方式為一機(jī)械鉆孔或一激光鉆孔；且形成該多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)的方式為一激光鉆孔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)及其制造方法。電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)用于電路板，電路板的對(duì)位結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)，其中各第一對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板；各第二對(duì)位點(diǎn)穿設(shè)電路板上，且多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)實(shí)質(zhì)上圍繞各第一對(duì)位點(diǎn)；藉此，多個(gè)第一對(duì)位點(diǎn)及多個(gè)第二對(duì)位點(diǎn)可供需要對(duì)位的工藝進(jìn)行對(duì)位之用。本發(fā)明可有效增加對(duì)位的精確度。
文檔編號(hào)H05K3/00GK102159020SQ201010109228
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者陳侹叡 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司