專利名稱:一種高性能led恒流驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域,尤其涉及電子電路,特別是一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù):
現(xiàn)有技術(shù)中,LED恒流驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)MOS管采用高壓工藝時(shí),需要利用可控硅或者高壓MOS管做靜電放電保護(hù)(ESD保護(hù))。采用可控硅或者高壓MOS管時(shí),工藝均較復(fù)雜,也浪費(fèi)芯片面積,且驅(qū)動(dòng)MOS管長期工作的可靠性不理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,所述的這種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路要解決現(xiàn)有技術(shù)中采用可控硅或者高壓MOS管為LED恒流驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng) MOS管做靜電放電保護(hù)方法中工藝復(fù)雜、浪費(fèi)芯片面積、長期工作可靠性不理想的技術(shù)問題。本發(fā)明的這種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)MOS管、一個(gè)低壓恒流MOS 管和一個(gè)ESD保護(hù)電路構(gòu)成,其中,所述的高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的源端與所述的低壓恒流MOS管的漏端連接,低壓恒流MOS管的源端與地電位連接,所述的ESD保護(hù)電路由低壓器件構(gòu)成, 所述的ESD保護(hù)電路的一端與高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的漏端連接,ESD保護(hù)電路的另一端與地電位連接。進(jìn)一步的,所述的ESD保護(hù)電路由低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的耐壓穩(wěn)壓二極管構(gòu)成。具體的,本發(fā)明中所述的低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的耐壓穩(wěn)壓二極管均采用現(xiàn)有技術(shù)中的公知技術(shù),有關(guān)上述公知技術(shù)方案,本領(lǐng)域的技術(shù)人員均已了解,在此不再贅述。本發(fā)明的工作原理是高壓驅(qū)動(dòng)MOS管特有的PN結(jié)比較深,電流相對較分散,PN 結(jié)局部溫度相對較不會(huì)過高;高壓驅(qū)動(dòng)MOS管擊穿電壓高,低壓器件構(gòu)成的ESD保護(hù)電路的擊穿電壓低,更易實(shí)現(xiàn)對高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的ESD保護(hù),以提高LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的可靠性, 及長期工作的穩(wěn)定性。同時(shí),低壓器件構(gòu)成的ESD保護(hù)電路本身面積小,實(shí)現(xiàn)成本較低。本發(fā)明和已有技術(shù)相比較,其效果是積極和明顯的。本發(fā)明利用低壓器件構(gòu)成的 ESD保護(hù)電路,擊穿電壓低,更易實(shí)現(xiàn)對高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的ESD保護(hù),以提高LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的可靠性,及長期工作的穩(wěn)定性。同時(shí),低壓器件構(gòu)成的ESD保護(hù)電路本身面積小,實(shí)現(xiàn)成本較低。
圖1是本發(fā)明的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的原理示意圖。圖2是本發(fā)明的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。圖3是本發(fā)明的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖4是本發(fā)明的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的又一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 如圖1所示,本發(fā)明的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1、一個(gè)低壓恒流MOS管2和一個(gè)ESD保護(hù)電路3構(gòu)成,其中,所述的高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1的源端與所述的低壓恒流MOS管2的漏端連接,低壓恒流MOS管2的源端與地電位連接,所述的ESD 保護(hù)電路3由低壓器件構(gòu)成,所述的ESD保護(hù)電路3的一端與高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1的漏端連接,ESD保護(hù)電路3的另一端與地電位連接。進(jìn)一步的,所述的ESD保護(hù)電路3由低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1的耐壓穩(wěn)壓二極管構(gòu)成。具體的,本發(fā)明中所述的低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1的耐壓穩(wěn)壓二極管均采用現(xiàn)有技術(shù)中的公知技術(shù),有關(guān)上述公知技術(shù)方案,本領(lǐng)域的技術(shù)人員均已了解,在此不再贅述。如圖2所示,ESD保護(hù)電路3由一個(gè)低壓MOS管構(gòu)成。如圖3所示,ESD保護(hù)電路3由一個(gè)低壓NPN三極管構(gòu)成。如圖4所示,ESD保護(hù)電路3由一個(gè)低壓二極管構(gòu)成。本發(fā)明的工作過程是高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1特有的PN結(jié)比較深,電流相對較分散,PN 結(jié)局部溫度相對較不會(huì)過高;高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1擊穿電壓高,低壓器件構(gòu)成的ESD保護(hù)電路 3的擊穿電壓低,更易實(shí)現(xiàn)對高壓驅(qū)動(dòng)MOS管1的ESD保護(hù),以提高LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的可靠性,及長期工作的穩(wěn)定性。同時(shí),低壓器件構(gòu)成的ESD保護(hù)電路3本身面積小,實(shí)現(xiàn)成本較低。
權(quán)利要求
1.一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)MOS管、一個(gè)低壓恒流MOS管和一個(gè) ESD保護(hù)電路構(gòu)成,其特征在于所述的高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的源端與所述的低壓恒流MOS管的漏端連接,低壓恒流MOS管的源端與地電位連接,所述的ESD保護(hù)電路由低壓器件構(gòu)成,所述的ESD保護(hù)電路的一端與高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的漏端連接,ESD保護(hù)電路的另一端與地電位連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述的ESD保護(hù)電路由低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的耐壓穩(wěn)壓二極管構(gòu)成。
全文摘要
一種高性能LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)MOS管,一個(gè)低壓恒流MOS管和一個(gè)ESD保護(hù)電路構(gòu)成,高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的源端與低壓恒流MOS管的漏端連接,低壓恒流MOS管的源端與地電位連接,ESD保護(hù)電路由低壓器件構(gòu)成,ESD保護(hù)電路的一端與高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的漏端連接,ESD保護(hù)電路的另一端與地電位連接。ESD保護(hù)電路由低壓MOS管、或者由低壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的二極管或三極管或場管、或者由擊穿電壓低于高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的耐壓穩(wěn)壓二極管構(gòu)成。保護(hù)電路的擊穿電壓低,更易實(shí)現(xiàn)對高壓驅(qū)動(dòng)MOS管的ESD保護(hù),以提高LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的可靠性,及長期穩(wěn)定性。低壓器件構(gòu)成的保護(hù)電路面積小,實(shí)現(xiàn)成本較低。
文檔編號(hào)H05B37/02GK102202442SQ20101013079
公開日2011年9月28日 申請日期2010年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月23日
發(fā)明者張懷東 申請人:上海豐芯微電子有限公司