專利名稱：一種led恒流驅(qū)動芯片輸入電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種LED恒流驅(qū)動芯片輸入電路。
背景技術(shù)：
LED是Light Emitting Diode的英文縮寫。最早誕生于20世紀(jì)60年代。早期 LED以發(fā)出微弱紅光光譜為主，發(fā)光亮度在0. 001流明/瓦，后來才出現(xiàn)橙色、綠色、藍(lán)色等。 由于當(dāng)時的技術(shù)和工藝條件顯示，早期生產(chǎn)的發(fā)光二極管采用的是液體相位外延技術(shù)，該 種工藝生產(chǎn)的二極管亮度始終未超過0. 1流明/瓦。二十世紀(jì)八十年代后，日本企業(yè)率先 實現(xiàn)技術(shù)突破，發(fā)光亮度達(dá)到5至10流明/瓦。二十世紀(jì)九十年代以后，隨著新材料科學(xué) 的發(fā)展，采取更為先進(jìn)的低壓金屬有機物氣相外延(LPM0VPE)和低壓金屬有機物化學(xué)氣相 淀積外延方法(LPM0CVD)開發(fā)出更高亮度的LED，使得LED的應(yīng)用領(lǐng)域更加廣闊，LED顯示 應(yīng)用就是其中的一種重要應(yīng)用。信息平面顯示是現(xiàn)代生活中用途廣泛的領(lǐng)域，證券交易所 的顯示面板，動態(tài)廣告牌，航空的飛機動態(tài)顯示，體育館，商業(yè)，工業(yè)和其他行業(yè)的大型和超 大型全色顯示屏的信息顯示，進(jìn)一步滿足了現(xiàn)代人對信息顯示的需求欲望。隨著國民經(jīng)濟的飛速發(fā)展，各行業(yè)對LED顯示屏的需求也變得急劇擴大。它已廣 泛地應(yīng)用于電信、郵政、金融、交通、體育場館等各個行業(yè)及政府工作部門。另外，隨著計算 機網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，LED顯示屏在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的使用情況越來越多，在多媒體、多種顯示設(shè) 備組成的信息顯示系統(tǒng)中，智能化網(wǎng)絡(luò)控制和互聯(lián)網(wǎng)控制多屏技術(shù)也在實際中得到應(yīng)用。 而LED顯示屏的應(yīng)用需要專門的LED驅(qū)動控制芯片，它能使LED獲得良好、均勻而且穩(wěn)定的 電流，從而使LED顯示更加均勻，同時可以延長LED的使用壽命，滿足各種場合的應(yīng)用要求。國內(nèi)外LED顯示屏制造商紛紛投入力量，研制開發(fā)設(shè)計適合自己產(chǎn)品發(fā)展需要的 大規(guī)?；虺笠?guī)模專用LED驅(qū)動電路。這類專用IC相對復(fù)雜，功能較強。LED專用驅(qū)動IC 簡化了顯示屏系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜程度，在一定程度上增強了顯示屏的功能，整體系統(tǒng)的穩(wěn)定 性得到了很大提高。在實際應(yīng)用中，往往需要實現(xiàn)多驅(qū)動芯片的級聯(lián)使用，這就要求用于級聯(lián)的輸出 信號具有較強的驅(qū)動能力。而對于外界輸入的數(shù)字信號則在保證足夠的驅(qū)動能力外還應(yīng)盡 量減少外部噪聲對電路的影響，因此需要在設(shè)計中增加輸入電路，對于外部數(shù)字信號輸入， 在信號輸入端利用輸入級電路以獲得足夠的驅(qū)動能力和消除噪聲影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種消除噪聲影響并提高信號驅(qū)動能力的LED 驅(qū)動芯片輸入電路。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種LED恒流驅(qū)動芯片輸入電路，其中，包括順次連接的保護電路、降噪電路和 驅(qū)動電路，外部信號由保護電路輸入，經(jīng)降噪電路降低噪聲干擾，經(jīng)驅(qū)動電路增強驅(qū)動能 力。
應(yīng)用于上例，所述的輸入電路，其中，所述保護電路包括第一 PMOS管、第一 NMOS管 和限流電阻，所述第一 PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的漏極連接，所述外部信號通過所 述第一 PMOS管的漏極輸入所述限流電阻一端與所述第一 PMOS管的漏極連接，另一端連接 所述降噪電路，所述第一 PMOS管的源極和柵極共同連接電源電壓，所述第一 NMOS管的源極 和柵極共同接地。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其包括若干串聯(lián)的所述保護電路。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，在降噪電路和驅(qū)動電路之間也設(shè)置一所述 保護電路。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其中，所述降噪電路包括第二 PMOS管、第三 PMOS管、第四PMOS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四匪OS管，所述第三PMOS管、第二 PMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管依次串聯(lián)，所述第二 PMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的 漏極連接，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓，所述第三NMOS管的源極接地，所述第四 PMOS管的源極連接所述第三PMOS管的漏極，所述第四PMOS管的漏極接地，所述第四PMOS 管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極，所述第四NMOS管的源極連接所述第三NMOS管的漏 極，所述第四NMOS管的漏極連接電源電壓，所述第四NMOS管的柵極連接所述第二 NMOS管 的漏極。應(yīng)用于上述任一例，優(yōu)選的，所述的輸入電路，在所述降噪電路和所述驅(qū)動電路之 間還設(shè)置一放大電路。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其中，所述驅(qū)動電路包括級聯(lián)的第一反相 器、第二反相器和第三反相器。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其中，所述第一反相器包串聯(lián)的第五PMOS 管和第五NMOS管，例如，所述第五PMOS管的寬為4微米，長為0. 9微米，所述第五NMOS管 的寬為2微米，長為0. 9微米。需要說明的是，上例僅僅是一個應(yīng)用示例，并不意味著對第 五PMOS管和第五NMOS管的限制。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其中，所述第二反相器包括串聯(lián)的第六PMOS 管和第六NMOS管，例如，所述第六PMOS管的寬為8微米，長為0. 9微米，所述第六NMOS管 的寬為4微米，長為0.9微米。需要說明的是，上例僅僅是一個應(yīng)用示例，并不意味著對第 六PMOS管和第六NMOS管的限制。應(yīng)用于上述任一例，所述的輸入電路，其中，所述第三反相器包括并聯(lián)的第七PMOS 管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管，和并聯(lián)的第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS 管、第十NMOS管，所述并聯(lián)的第七至第十PMOS管與所述并聯(lián)的第七至第十NMOS管串聯(lián)，例 如，所述第七至第十PMOS管的寬為8微米，長為0. 9微米，所述第七至第十NMOS管的寬為4 微米，長為0. 9微米。需要說明的是，上例僅僅是一個應(yīng)用示例，并不意味著對第七至第十 PMOS管與第七至第十NMOS管的限制。采用上述方案，本發(fā)明通過在信號輸入端設(shè)置順次設(shè)置保護電路、降噪電路和驅(qū) 動電路，取得了以下有益效果1、輸入信號管腳上有靜電產(chǎn)生時，例如高于電源電壓VDD時或者低于接地參考電 壓時，均可通過保護電路泄放靜電電荷，阻止高能量注入芯片內(nèi)部，損壞內(nèi)部器件，保護電 路還設(shè)置限流電阻，避免過強電流破壞后續(xù)電路；
2、芯片內(nèi)高速率的數(shù)據(jù)傳送到外部會因大的電容值而變得復(fù)雜，使用降噪電路可 以解決這個問題，外部數(shù)字信號進(jìn)入電路，經(jīng)過降噪電路，可以有效消除外部噪聲的影響， 給內(nèi)部電路提供整形后的邏輯電平。3、降噪電路后跟三級反相驅(qū)動器鏈可以大大增大信號驅(qū)動能力。


圖1為本發(fā)明電路原理圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本實施例提供一種LED恒流驅(qū)動芯片輸入電路，如圖1所示，包括順次連接的保 護電路、降噪電路和驅(qū)動電路，外部信號由保護電路輸入，經(jīng)降噪電路降低噪聲干擾，經(jīng)驅(qū) 動電路增強驅(qū)動能力。其中，如圖1所示，各虛線框內(nèi)包含各電路。其中，如圖1所示，保護電路包括第一 PMOS管P1、第一 NMOS管附和限流電阻R， 第一 PMOS管Pl的漏極和第一 NMOS管m的漏極連接，外部信號通過第一 PMOS管Pl的漏 極輸入，限流電阻R —端與第一 PMOS管Pl的漏極連接，限流電阻R另一端連接降噪電路， 第一 PMOS管Pl的源極和柵極共同連接電源電壓，第一 NMOS管m的源極和柵極共同接地， 當(dāng)輸入信號管腳有靜電產(chǎn)生時，例如高于電源電壓VDD時，可通過第一 PMOS管Pl泄放，當(dāng) 低于GND參考電壓時，可通過第一 NMOS管附泄放，保護電路還設(shè)置限流電阻R，避免過強電 流破壞電路，信號經(jīng)過保護電路后經(jīng)由保護電阻輸出給后續(xù)的降噪電路。優(yōu)選的，可以在所述的輸入電路串聯(lián)若干個相同的所述保護電路。優(yōu)選的，還可以在降噪電路和驅(qū)動電路之間也設(shè)置一所述保護電路。優(yōu)選的，降噪電路包括第二 PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第二匪OS 管N2、第三匪OS管N3和第四NMOS管N4，第三PMOS管P3、第二 PMOS管P2、第二匪OS管N2、 第三NMOS管N3依次串聯(lián)，柵極共接保護電阻R，第二 PMOS管P2的漏極和第二 NMOS管N2 的漏極連接，第三PMOS管P3的源極連接電源電壓，第三NMOS管N3的源極接地，第四PMOS 管P4的源極連接第三PMOS管P3的漏極，第四PMOS管P4的漏極接地，第四PMOS管P4的 柵極連接第二 PMOS管P2的漏極，第四NMOS管N4的源極連接第三NMOS管N3的漏極，第四 NMOS管N4的漏極連接電源電壓，第四NMOS管N4的柵極連接第二 NMOS管N2的漏極，輸入 信號由第二 PMOS管P2的柵極輸入，經(jīng)由第二 PMOS管P2的漏極和第二 NMOS管N2的漏極 輸出；舉例來說當(dāng)輸入信號由低變高時，第三NMOS管N3先于第二 NMOS管N2打開，由于此 時第四NMOS管N4柵極為高電平，所以第四NMOS管N4也打開，由此而將第三NMOS管的漏 極鉗制于VDD，這樣第二 NMOS管N2的打開電壓必須等到其柵極電壓升至較高時，第二 NMOS 管N2才能打開，引起第二 NMOS管N2漏極電平翻轉(zhuǎn)，這樣在輸出端就得到了形狀規(guī)則的信 號波形，噪聲信號得到了濾除。應(yīng)用于上述任一例，優(yōu)選的，可以在所述降噪電路和所述驅(qū)動電路之間還設(shè)置一 放大電路(圖中未示出)。優(yōu)選的，驅(qū)動電路包括級聯(lián)的第一反相器、第二反相器和第三反相器。其中，第一 反相器包串聯(lián)的第五PMOS管P5和第五NMOS管N5，第五PMOS管P5的寬為4微米，長為0. 9微米，第五NMOS管N5的寬為2微米，長為0. 9微米。第二反相器包括串聯(lián)的第六PMOS管 P6和第六NMOS管N6，第六PMOS管P6的寬為8微米，長為0. 9微米，第六NMOS管N6的寬 為4微米，長為0. 9微米。第三反相器包括并聯(lián)的第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九 PMOS管P9、第十PMOS管P10，和并聯(lián)的第七匪OS管N7、第八匪OS管N8、第九匪OS管N9、 第十NMOS管m0，并聯(lián)的第七至第十PMOS管與并聯(lián)的第七至第十NMOS管串聯(lián)，第七至第十 PMOS管的寬為8微米，長為0. 9微米，第七至第十NMOS管的寬為4微米，長為0. 9微米，以 反相器中PMOS管為例，第一反相器的寬長比為4u/0. 9u，第二反相器的寬長比為8u/0. 9u, 因此輸入信號的驅(qū)動能力在第二反向器變?yōu)榈谝患壏聪嗥鞯?倍，第三反相器的寬長比為 32u/0. 9u,在第三反相器后輸入信號的驅(qū)動能力變?yōu)榈谝患壏聪嗥鞯?倍，信號驅(qū)動能力 通過三級驅(qū)動后得到大幅提升。 應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換， 而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種LED恒流驅(qū)動芯片的輸入電路，其特征在于，包括順次連接的保護電路、降噪電路和驅(qū)動電路，外部信號由保護電路輸入，經(jīng)降噪電路降低噪聲干擾，經(jīng)驅(qū)動電路增強驅(qū)動能力后輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入電路，其特征在于，所述保護電路包括第一PMOS管、第 一 NMOS管和限流電阻，所述第一 PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的漏極連接，并與所述 外部信號、以及所述限流電阻一端連接，所述限流電阻的另一端連接所述降噪電路，所述第一PMOS管的源極和柵極共同連接電源電壓，所述第一 NMOS管的源極和柵極共同接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸入電路，其特征在于，其包括若干串聯(lián)的所述保護電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸入電路，其特征在于，在降噪電路和驅(qū)動電路之間也設(shè)置 一所述保護電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入電路，其特征在于，所述降噪電路包括第二PMOS管、第 三PMOS管、第四PMOS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四匪OS管，所述第三PMOS管、第二PMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管依次串聯(lián)，所述第二 PMOS管的漏極和所述第二 NMOS 管的漏極連接，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓，所述第三NMOS管的源極接地，所述 第四PMOS管的源極連接所述第三PMOS管的漏極，所述第四PMOS管的漏極接地，所述第四 PMOS管的柵極連接所述第二 PMOS管的漏極，所述第四NMOS管的源極連接所述第三NMOS管 的漏極，所述第四NMOS管的漏極連接電源電壓，所述第四NMOS管的柵極連接所述第二 NMOS 管的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入電路，其特征在于，在所述降噪電路和所述驅(qū)動電路之 間還設(shè)置一放大電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的輸入電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括級聯(lián)的第 一反相器、第二反相器和第三反相器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輸入電路，其特征在于，所述第一反相器包串聯(lián)的第五PMOS 管和第五NMOS管。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輸入電路，其特征在于，所述第二反相器包括串聯(lián)的第六 PMOS管和第六NMOS管。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輸入電路，其特征在于，所述第三反相器包括串聯(lián)的第一并 聯(lián)部和第二并聯(lián)部，所述第一并聯(lián)部包括并聯(lián)的第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、 第十PMOS管，所述第二并聯(lián)部包括并聯(lián)的第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十 NMOS 管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED恒流驅(qū)動芯片輸入電路，包括順次連接的保護電路、降噪電路和驅(qū)動電路，外部信號由保護電路輸入，經(jīng)降噪電路降低噪聲干擾，經(jīng)驅(qū)動電路增強驅(qū)動能力，輸入信號管腳上有靜電產(chǎn)生時，例如高于電源電壓VDD時或者低于接地參考電壓時，均可通過保護電路泄放靜電電荷，阻止高能量注入芯片內(nèi)部，損壞內(nèi)部器件，外部數(shù)字信號進(jìn)入電路，經(jīng)過降噪電路，可以有效消除外部噪聲的影響，給內(nèi)部電路提供整形后的邏輯電平，降噪電路后跟三級反相驅(qū)動器鏈可以大大增大信號驅(qū)動能力。
文檔編號H05B37/00GK101932157SQ20101021802
公開日2010年12月29日 申請日期2010年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者徐微, 邵寅亮, 阮為 申請人:深圳市中慶微科技開發(fā)有限公司